JP2009269802A - 単結晶の製造方法および単結晶の製造装置 - Google Patents
単結晶の製造方法および単結晶の製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009269802A JP2009269802A JP2008123079A JP2008123079A JP2009269802A JP 2009269802 A JP2009269802 A JP 2009269802A JP 2008123079 A JP2008123079 A JP 2008123079A JP 2008123079 A JP2008123079 A JP 2008123079A JP 2009269802 A JP2009269802 A JP 2009269802A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- single crystal
- center position
- silicon single
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 168
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 132
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 132
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 132
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 41
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 46
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 46
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 46
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 14
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 33
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
- C30B15/305—Stirring of the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B30/00—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions
- C30B30/04—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions using magnetic fields
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】石英ルツボ5a内に収容したシリコン原料融液2に、磁場印加装置10により水平磁場を印加しながら単結晶3の引き上げを行う水平磁場印加CZ法により単結晶を製造する方法において、前記磁場印加装置10により発生した磁場の中心位置を測定し、該測定された磁場の中心位置と前記単結晶3の回転軸となる引上軸との位置合せをした後に単結晶を製造する。
【選択図】図1
Description
この製造装置は、シリコン単結晶の引き上げ装置41とその外側に配設された磁場印加装置40で構成される。引き上げ装置41は中空円筒状のチャンバー31を具備し、その中心部にルツボが配設されている。このルツボは二重構造であり、有底円筒状をなす石英製の内側保持容器(以下、単に「石英ルツボ35a」という)と、その石英ルツボ35aの外側を保持すべく適合された同じく有底円筒状の黒鉛製の外側保持容器(「黒鉛ルツボ35b」)とから構成されている。
これにより、磁場分布をより正確に適正化することができるため、シリコン原料融液に生じる急激な対流をより一層防止することができ、製造された単結晶中の格子間酸素濃度をさらに精度良く制御して、より高品質のシリコン単結晶を製造することができる。また、磁場の中心位置と引上軸との距離が2mm以内に合わせ込まれていれば、製造装置間の単結晶の格子間酸素濃度のバラツキもほとんど問題とならないレベルにでき、シリコン単結晶の歩留まりもさらに向上させることができる。
このような測定により磁場の中心位置を決定することで、正確に磁場分布を測定して、位置合せにおいてより正確に磁場の中心位置の合わせ込みをすることができるため、シリコン原料融液に生じる急激な対流をより一層防止することができ、製造された単結晶中の格子間酸素濃度をさらに精度良く制御して、より高品質のシリコン単結晶を製造することができる。
これにより、大型化して大重量化した石英ルツボや支持軸等を移動することなく、容易に位置合せをすることができ、磁場分布を適正化することができる。
これにより、磁場分布をより正確に適正化することができるため、シリコン原料融液に生じる急激な対流をより一層防止することができ、製造された単結晶中の格子間酸素濃度をさらに精度良く制御して、より高品質のシリコン単結晶を製造することができる装置となる。また、磁場の中心位置と引上軸との距離が2mm以内に合わせ込まれることで、製造装置間の単結晶の格子間酸素濃度のバラツキもほとんど問題とならないレベルにでき、シリコン単結晶の歩留まりもさらに向上させることができる装置となる。
これにより、大型化して大重量化した石英ルツボや支持軸等を移動することなく、容易に磁場分布を適正化することができるため、シリコン原料融液に生じる急激な対流を防止し、製造された単結晶中の格子間酸素濃度を高精度に制御して、高品質のシリコン単結晶を製造することができる装置となる。
前述のように、大直径の単結晶中の酸素濃度を制御するため、磁界の曲率半径について規定された装置やルツボ内融液の対流抑制効果を高めるように、磁場印加装置とルツボとの上下方向の相対位置を設定する方法等が開示されたが、磁場による抑制力の臨界値を越えた場合、ルツボ内融液に急激な対流を生じ、石英ルツボ表面の高酸素濃度の融液が単結晶成長付近に近づき、酸素が単結晶中に取りこまれることがわかった。
図1は本発明のシリコン単結晶の製造装置の断面構成例を模式的に示す図である。また、図2は本発明のシリコン単結晶の製造装置の上面構成例を模式的に示す図である。本発明のシリコン単結晶の製造方法に用いる製造装置は以下に示すとおりである。
このような範囲内で磁場の中心位置と引上軸との距離が合わせ込まれることにより、磁場分布をより正確に合わせ込むことができるため、石英ルツボ内のシリコン原料融液に生じる急激な対流をより一層防止することができ、単結晶中の格子間酸素濃度をさらに精度良く制御して、より高品質のシリコン単結晶を製造することができる。また、磁場の中心位置と引上軸との距離が2mm以内となるように合わせ込まれていれば、装置間のバラツキによる単結晶の格子間酸素濃度の影響を非常に小さくすることができる。
このような移動機構により、磁場印加装置を移動して磁場印加装置により発生した磁場の中心位置を合わせ込むことで、大型化して大重量化した石英ルツボや支持軸等を移動する必要がなく、容易に磁場分布を合わせ込むことができる。そして、石英ルツボ内のシリコン原料融液に生じる急激な対流を防止して、単結晶中の格子間酸素濃度を制御し、高品質のシリコン単結晶を製造するために必要となる磁場分布の適正化が押しボルト式の磁場位置微調整機構を用いることで容易にできる。さらに、押しボルト式の磁場位置微調整機構によって、容易に磁場の中心位置を合わせ込むことができることにより、製造装置の増設や変更をした場合にも、高品質のシリコン単結晶を製造することができる。もちろん、移動機構はこれに限定されるものではなく、位置合せができるように、磁場印加装置を移動させ、磁場の中心位置を動かすことができるものであればよい。
本発明では、石英ルツボ内に収容したシリコン原料融液に、磁場印加装置により水平磁場を印加しながら単結晶の引き上げを行うHMCZ法により単結晶を製造する方法において、磁場印加装置により発生した磁場の中心位置を測定し、測定された磁場の中心位置と単結晶の回転軸となる引上軸との位置合せをした後にシリコン単結晶を製造する。
このような本発明の方法は、例えば上記のような装置を用いて実施することができる。
このような範囲内で磁場の中心位置と引上軸との距離を合わせ込むことにより、磁場分布をより正確に装置の設計当初の磁場分布に一致させるようにできるため、その後、シリコン単結晶の製造の際にシリコン原料融液に生じる急激な対流をより一層防止することができ、単結晶中の格子間酸素濃度をさらに精度良く制御して、より高品質のシリコン単結晶を製造することができる。また、磁場の中心位置と引上軸との距離が2mm以内となるように合わせ込まれていれば、装置間のバラツキによる単結晶の格子間酸素濃度の影響を非常に小さくすることができ、シリコン単結晶の歩留まりも向上させることができる。
このような測定により磁場の中心位置を決定することで、磁場分布を正確に把握して磁場の中心位置を導き出すことができる。従って、求められた磁場の中心位置と引上軸とを位置合せすることで、より確実に磁場分布の装置の設計当初に対するズレを解消することができる。そして、シリコン単結晶の製造の際にシリコン原料融液に生じる急激な対流をより一層防止することができ、製造された単結晶中の格子間酸素濃度をさらに精度良く制御して、より高品質のシリコン単結晶を製造することができる。
より好ましくは、磁場印加装置の架台に押しボルト式の磁場位置微調整機構が配設されているものによって行う。
このように磁場印加装置を横方向および前後方向に移動して、位置合せを行うことにより、大型化して大重量化した石英ルツボや支持軸等を移動することなく、容易に磁場の中心位置を引上軸に合わせ込むことができる。そして、位置合せをすることで、磁場印加装置から印加される磁場の分布と装置の設計当初の磁場分布とのズレを解消でき、シリコン原料融液に生じる急激な対流を防止し、製造された単結晶中の格子間酸素濃度を高精度に制御して、高品質のシリコン単結晶を製造することができる。
(実施例)
図1に示す製造装置を用いて、内径812mmの石英ルツボにシリコン原料360kgを充填し、溶融液を形成した後に、単結晶育成炉内に不活性ガスとしてArを170L/min上方から流し、圧力を75torr(9999Pa)の条件を保ち、ルツボ回転は0.5〜1.5rpm、単結晶回転速度はルツボの回転方向とは逆に8rpmで回転させ、直径300mmのシリコン単結晶を引き上げ、成長させた。その際、磁場印加装置により発生した磁場の中心位置を測定し、測定された磁場の中心位置と単結晶の回転軸となる引上軸との位置合せをした後に単結晶を成長させた。
ここで、図9は、従来のHMCZ法によるシリコン単結晶の製造方法を実施するのに適した製造装置の上面構成例を模式的に示す図である。磁場の強度の測定結果から算出された磁場の中心位置は、図9のように引上軸よりズレが発生している。
ここで、磁場の中心位置の測定方法を以下に示す。図4は本発明の磁場の中心位置の測定方法を模式的に示す図である。まず、引上軸21上に磁場測定用の冶具23で測定ピッチ50mmのもの(90cm角の冶具で50mmの等間隔に磁場測定子をセットできるよう穴が空けてある)を設置し、磁場印加装置22より磁場を印加し、引上軸21より横方向をX軸、前後方向をY軸として各ポイントの磁場の強度をガウスメータで測定する。そして、磁場分布はX軸の中心が一番低く、Y軸の中心が一番高い放物線を描くことを利用して、測定結果より2次曲線を計算し、磁場の中心位置を導き出す。図5は実施例のX軸およびY軸の磁場分布の概略図である。理想的な磁場分布である設計当初の磁場分布XおよびYに比較して、測定した磁場分布X’およびY’は、ΔXおよびΔYだけズレが発生している。
上記実施例のシリコン単結晶の製造方法において、磁場の中心位置を測定せずに磁場印加装置の位置合せも行わない条件で成長させたシリコン単結晶についても実施例と同様の評価を行った。このときの磁場の中心位置は、図9のように引上軸に対して、横方向に8mm、前後方向に4mmズレたものとなっている。
実施例におけるシリコン単結晶中の格子間酸素濃度はフラットであり、育成したシリコン単結晶のほぼ全長にわたり要求される品質の規格内であった。しかし、比較例では、育成されたシリコン単結晶の後半で酸素濃度の急激な上昇があり、要求される規格を超えてしまった。
31…チャンバー、 32…シリコン原料融液、 33…シリコン単結晶、 34…種結晶、 35a…石英ルツボ、 35b…黒鉛ルツボ、 36…支持軸、 37…引上軸、 38…ヒーター、 39…断熱材、 40…磁場印加装置、 41…引き上げ装置、 42…磁場の中心位置。
Claims (7)
- 石英ルツボ内に収容したシリコン原料融液に、磁場印加装置により水平磁場を印加しながら単結晶の引き上げを行う水平磁場印加CZ法により単結晶を製造する方法において、前記磁場印加装置により発生した磁場の中心位置を測定し、該測定された磁場の中心位置と前記単結晶の回転軸となる引上軸との位置合せをした後に単結晶を製造することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
- 前記磁場の中心位置と前記引上軸との距離を2mm以内となるように合わせ込むことを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記磁場の中心位置の測定は、磁場の強度を測定ピッチ50mm以下で測定することによって行い、磁場の中心位置を決定することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記位置合せは、前記磁場印加装置を移動させることによって行うことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 石英ルツボ内に収容したシリコン原料融液に、磁場印加装置により水平磁場を印加しながら単結晶の引き上げを行う水平磁場印加CZ法により単結晶を製造する装置において、少なくとも、前記シリコン原料融液を保持する石英ルツボと、該石英ルツボを支持する支持軸と、前記シリコン原料融液に浸漬され、その下端面に単結晶を成長させつつ引き上げられる種結晶を回転させて引き上げる引上軸と、前記シリコン原料融液に水平磁場を印加させるように、石英ルツボを挟んで同軸上に対向して設置された磁場印加装置とを備え、前記磁場印加装置により発生した磁場の中心位置と前記引上軸との位置合せがされるものであることを特徴とするシリコン単結晶の製造装置。
- 前記磁場の中心位置と前記引上軸との距離が2mm以内となるように合わせ込まれるものであることを特徴とする請求項5に記載のシリコン単結晶の製造装置。
- 前記磁場印加装置は、移動機構を有し、該移動機構により前記磁場の中心位置と前記引上軸との位置が合わせ込まれるものであることを特徴とする請求項5または請求項6に記載のシリコン単結晶の製造装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008123079A JP4725752B2 (ja) | 2008-05-09 | 2008-05-09 | 単結晶の製造方法 |
PCT/JP2009/001329 WO2009136465A1 (ja) | 2008-05-09 | 2009-03-25 | 単結晶の製造方法および単結晶の製造装置 |
TW98112043A TW201002875A (en) | 2008-05-09 | 2009-04-10 | Method for manufacturing single crystal and apparatus for manufacturing single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008123079A JP4725752B2 (ja) | 2008-05-09 | 2008-05-09 | 単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009269802A true JP2009269802A (ja) | 2009-11-19 |
JP4725752B2 JP4725752B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=41264522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008123079A Active JP4725752B2 (ja) | 2008-05-09 | 2008-05-09 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4725752B2 (ja) |
TW (1) | TW201002875A (ja) |
WO (1) | WO2009136465A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112009003583B4 (de) * | 2008-12-04 | 2020-04-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Einkristallherstellungsverfahren |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017077701A1 (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-11 | 株式会社Sumco | 単結晶シリコンの製造方法および単結晶シリコン |
CN113136619B (zh) * | 2021-04-19 | 2022-05-31 | 上海磐盟电子材料有限公司 | 一种同轴对准装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6027682A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-12 | Toshiba Corp | 単結晶引上装置 |
JPH10287488A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-27 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶引き上げ方法 |
JP2000086392A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-28 | Sumitomo Metal Ind Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
WO2001063027A1 (fr) * | 2000-02-28 | 2001-08-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Procede de preparation d'un monocristal de silicium et monocristal de silicium obtenu |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11255579A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-21 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 単結晶引上げ装置 |
JP3589077B2 (ja) * | 1999-03-17 | 2004-11-17 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法ならびにこの方法で製造された単結晶およびシリコンウエーハ |
-
2008
- 2008-05-09 JP JP2008123079A patent/JP4725752B2/ja active Active
-
2009
- 2009-03-25 WO PCT/JP2009/001329 patent/WO2009136465A1/ja active Application Filing
- 2009-04-10 TW TW98112043A patent/TW201002875A/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6027682A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-12 | Toshiba Corp | 単結晶引上装置 |
JPH10287488A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-27 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶引き上げ方法 |
JP2000086392A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-28 | Sumitomo Metal Ind Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
WO2001063027A1 (fr) * | 2000-02-28 | 2001-08-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Procede de preparation d'un monocristal de silicium et monocristal de silicium obtenu |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112009003583B4 (de) * | 2008-12-04 | 2020-04-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Einkristallherstellungsverfahren |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009136465A1 (ja) | 2009-11-12 |
TW201002875A (en) | 2010-01-16 |
JP4725752B2 (ja) | 2011-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6583142B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法及び装置 | |
JP5664573B2 (ja) | シリコン融液面の高さ位置の算出方法およびシリコン単結晶の引上げ方法ならびにシリコン単結晶引上げ装置 | |
JP6206178B2 (ja) | 単結晶の引上げ方法 | |
JP2010100474A (ja) | シリコン単結晶引上げ水平磁場の最適化方法およびシリコン単結晶の製造方法 | |
JP5240191B2 (ja) | シリコン単結晶引上装置 | |
US8268077B2 (en) | Upper heater, single crystal production apparatus, and method for producing single crystal | |
JP4930487B2 (ja) | 融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びに単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 | |
JP4725752B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
TWI767586B (zh) | 拉晶方法和拉晶裝置 | |
KR101942322B1 (ko) | 단결정 잉곳 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 잉곳의 성장 방법 | |
JP5088338B2 (ja) | シリコン単結晶の引き上げ方法 | |
JP2020114802A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP5304206B2 (ja) | 単結晶の製造方法および単結晶の製造装置 | |
WO2019167986A1 (ja) | シリコン融液の対流パターン制御方法、および、シリコン単結晶の製造方法 | |
JP6107308B2 (ja) | シリコン単結晶製造方法 | |
JP4899608B2 (ja) | 半導体単結晶の製造装置及び製造方法 | |
US7368011B2 (en) | Apparatus for manufacturing silicon single crystal, method for manufacturing silicon single crystal, and silicon single crystal | |
WO2022254885A1 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2018043904A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP7452314B2 (ja) | Fz用シリコン原料結晶の製造方法及びfz用シリコン原料結晶の製造システム | |
JP5053426B2 (ja) | シリコン単結晶製造方法 | |
JP5003733B2 (ja) | 単結晶成長方法 | |
WO2020220766A1 (zh) | 一种半导体晶体生长方法和装置 | |
JP2007197300A (ja) | シリコン単結晶引上方法 | |
JP2008019129A (ja) | 単結晶製造装置、単結晶の製造方法および単結晶 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100415 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20100519 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20100706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100713 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100816 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110114 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110121 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110316 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4725752 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |