JP2018043904A - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
11…第1チャンバ
12…第2チャンバ
13…ガス導入口
14…ガス排出口
21…石英製の坩堝
22…黒鉛製の坩堝
23…支持軸
24…駆動機構
25…ヒータ
26…保温筒
27…熱遮蔽部材
28…ブラケット
31…ワイヤ
32…引上げ機構
41…磁場発生装置
M…シリコン融液
C…シリコン単結晶
S…種結晶
Claims (5)
- チャンバ内に回転及び昇降可能に設けられた石英製の坩堝にシリコン原材料を投入し、
前記坩堝の周囲に設置されたヒータにより前記シリコン原材料を融解し、
垂下した種結晶をシリコン融液に浸漬し、
前記種結晶を引上げてシリコン単結晶を製造するシリコン単結晶の製造方法において、
前記坩堝の底部のコーナー部又は中心軸上の厚さと、製造されたシリコン単結晶の酸素濃度との相関関係を取得し、
目標酸素濃度と前記相関関係とにより選定された坩堝を用いるシリコン単結晶の製造方法。 - 前記坩堝の底部のコーナー部又は中心軸上の厚さを測定し、
当該測定結果と、前記目標酸素濃度と、前記相関関係とから、用いる坩堝を選定する請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - 前記シリコン単結晶の結晶固化率に応じて、前記坩堝の単位時間当たりの回転数を増加又は減少させる請求項1又は2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコン単結晶の結晶固化率に応じて、前記チャンバ内に導入する不活性ガスの流量を増加又は減少させる請求項1〜3のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 目標酸素濃度が大きいほど前記坩堝の底部のコーナー部又は中心軸上の厚さが薄いものを用い、
目標酸素濃度が小さいほど前記坩堝の底部のコーナー部又は中心軸上の厚さが厚いものを用いる請求項1〜4のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP2019210199A (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03232790A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-16 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶引上げ装置用石英ルツボ |
JPH05221780A (ja) * | 1992-02-05 | 1993-08-31 | Mitsubishi Materials Corp | 単結晶引上装置 |
JPH10167892A (ja) * | 1996-12-13 | 1998-06-23 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | シリコン単結晶の引き上げ方法 |
WO2001063027A1 (fr) * | 2000-02-28 | 2001-08-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Procede de preparation d'un monocristal de silicium et monocristal de silicium obtenu |
JP2002220296A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-08-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 単結晶引上げ装置 |
WO2016047693A1 (ja) * | 2014-09-24 | 2016-03-31 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法及び製造システム |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03232790A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-16 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶引上げ装置用石英ルツボ |
JPH05221780A (ja) * | 1992-02-05 | 1993-08-31 | Mitsubishi Materials Corp | 単結晶引上装置 |
JPH10167892A (ja) * | 1996-12-13 | 1998-06-23 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | シリコン単結晶の引き上げ方法 |
WO2001063027A1 (fr) * | 2000-02-28 | 2001-08-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Procede de preparation d'un monocristal de silicium et monocristal de silicium obtenu |
JP2002220296A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-08-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 単結晶引上げ装置 |
WO2016047693A1 (ja) * | 2014-09-24 | 2016-03-31 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法及び製造システム |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019210199A (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
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