JPH11255579A - 単結晶引上げ装置 - Google Patents

単結晶引上げ装置

Info

Publication number
JPH11255579A
JPH11255579A JP8027498A JP8027498A JPH11255579A JP H11255579 A JPH11255579 A JP H11255579A JP 8027498 A JP8027498 A JP 8027498A JP 8027498 A JP8027498 A JP 8027498A JP H11255579 A JPH11255579 A JP H11255579A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnet
single crystal
pulling apparatus
crystal pulling
pulley
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP8027498A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiro Iida
哲広 飯田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Original Assignee
Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Super Silicon Crystal Research Institute Corp filed Critical Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Priority to JP8027498A priority Critical patent/JPH11255579A/ja
Publication of JPH11255579A publication Critical patent/JPH11255579A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁界を用いて単結晶を引き上げる場合に単結
晶の品質が悪化することを防止する。 【解決手段】 磁界を用いて単結晶を引き上げる場合に
は、マグネット5が上昇してチャンバ1の回りを包囲す
るように配置され、このとき、引上げ装置支持フレーム
20に固定された滑車15がマグネット5の側壁に沿っ
て押圧しながら転動して、引上げ装置支持フレーム20
がマグネット5を吸引してもマグネット5が水平方向に
移動することを防止することができる。単結晶4の引き
上げが終了してチャンバ1を開放する際には、マグネッ
ト5が邪魔にならないように下降し、また、固定物20
に固定された滑車15がマグネット5の側壁に沿って転
動する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、引上げCZ(Czoc
hralski)法によりSi(シリコン)の無転位の単結晶
を製造するための単結晶引上げ装置に関し、特に磁界を
用いた単結晶引上げ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、引上げCZ法による単結晶製造
装置では、図12に示すように高耐圧気密チャンバ1内
を10torr程度に減圧して新鮮なAr(アルゴン)ガス
を流すとともに、チャンバ1内の下方に設けられた石英
ルツボ2内の多結晶を加熱して溶融し、この融液3の表
面に種結晶を上から浸漬し、種結晶と石英ルツボを回
転、上下移動させながら種結晶を引き上げることによ
り、種結晶の下に上端が突出した円錐形の上部コーン部
と、円筒形のボディ部と下端が突出した円錐形の下部コ
ーン部より成る単結晶(いわゆるインゴット)4を成長
させるように構成されている。
【0003】また、このような装置において、単結晶4
内に取り込まれる酸素濃度を制御するために、チャンバ
1の回りに電磁石や、超電導線をコイルに巻回した超電
導磁石などのマグネット5を配置して融液3に磁場を印
加する方法が知られている。また、この種の従来例とし
ては、単結晶4の引き上げが終了してチャンバ1を開放
する際にはマグネット5が邪魔になるので、昇降装置6
によりマグネット5をチャンバ1に対して上下方向に昇
降させる方法が提案されている。また、単結晶4の引き
上げ中にマグネット5の位置を変化させて単結晶4の品
質を維持する従来例としては、例えば特開昭59−19
9597号公報、特開昭60−16892号公報、特開
昭61−44797号公報、特開昭61−53189号
公報、特開昭63−112489号公報、特公平3−4
6435号公報などで提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年の単結
晶4の大型化に伴い、使用される磁場の強度が飛躍的に
大きくなっているので、昇降装置6によりマグネット5
を昇降可能にした場合に、図13(a)に示すように近
傍の引上げ装置支持フレーム20を構成する鉄などの磁
性部材や、図13(b)に示すように工場建物の鉄筋な
どによりマグネット5が吸引され、このためマグネット
5の軸が単結晶4の軸とずれて単結晶4の品質が悪化す
るという問題点がある。
【0005】本発明は上記従来例の問題点に鑑み、磁界
を用いて単結晶を引き上げる場合に単結晶の品質が悪化
することを防止することができる単結晶引上げ装置を提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、チャンバ内で引き上げられる単結晶の軸に
向かって前記マグネットの軸を付勢するように滑車又は
位置規制手段がマグネットの昇降に従って転動又は摺動
するようにしたものである。すなわち本発明によれば、
単結晶内に取り込まれる酸素濃度を制御するためにチャ
ンバの回りにおいて配置される昇降可能な円筒形のマグ
ネットと、前記チャンバ内で引き上げられる単結晶の軸
に向かって前記マグネットの軸を付勢するように前記マ
グネットの昇降に従って転動する滑車と、を有する単結
晶引上げ装置が提供される。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1は本発明に係る単結晶引上げ
装置の一実施形態を示す側面図、図2は図1の単結晶引
上げ装置においてマグネットが下降した状態を示す側面
図、図3は図1の滑車を詳しく示す図である。
【0008】図1〜図3において、円筒形のチャンバ1
の回りには同じく円筒形のマグネット5が昇降装置7に
より昇降可能に配置されている。昇降装置7のフレーム
11は例えば円筒形で形成され、床の上に固定されてい
る。このフレーム11には例えば3つのスピンドル12
が垂直方向に延びるように、また、回転可能に設けら
れ、スピンドル12には環状の台座13が螺合してい
る。台座13の上にマグネット5が固定され、したがっ
て、スピンドル12が回転すると台座13の上のマグネ
ット5が昇降する。そして、引上げ装置支持フレーム2
0には、マグネット5の側壁上に設けられた台5aの上
を押圧しながら転動可能なように例えば3つの滑車15
が固定されている。
【0009】このような構成において、磁界を用いて単
結晶を引き上げる場合には、図1に示すようにマグネッ
ト5が上昇してチャンバ1の回りを包囲するように配置
される。このとき、引上げ装置支持フレーム20に固定
された滑車15がマグネット5の側壁に沿って押圧しな
がら転動するので、引上げ装置支持フレーム20がマグ
ネット5を吸引してもマグネット5が水平方向に移動す
ることを防止することができる。また、単結晶4の引き
上げが終了してチャンバ1を開放する際には、マグネッ
ト5が邪魔にならないように下降し、また、引上げ装置
支持フレーム20に固定された滑車15がマグネット5
の側壁に沿って転動する。
【0010】なお、滑車15がマグネット5を押圧する
代わりに、図4に示すように滑車15が水平方向に嵌合
するレール5bをマグネット5側に設け、滑車15がマ
グネット5を引っ張りながら転動するようにしてもよ
い。また、滑車15の代わりに、図5に示すように引上
げ装置支持フレーム20、マグネット5側にそれぞれ水
平方向に嵌合し、垂直方向に摺動する楔状の係合部材1
6、5cを設けるようにしてもよい。
【0011】また、滑車15を引上げ装置支持フレーム
20ではなく、図6に示すようにマグネット5を支持す
る台座13側に固定してフレーム11側を押圧しながら
転動するようにしてもよい。また、フレーム11の高さ
が比較的低く、マグネット5の上端が動きやすい構造の
場合には、図7に示すように滑車15−1を台座13側
に設けてフレーム11側を押圧するとともに、フレーム
11を高くして第2の滑車15−2をフレーム11に設
けてマグネット5を転動するようにしてもよい。
【0012】また、フレーム11は図8に示すような円
筒形の代わりに、図9に示すように直方体で形成しても
よく、また、この場合にはマグネット5の軸に対して四
方から滑車15により押圧してもよい。また、図10に
示すように近傍の引上げ装置支持フレーム20がマグネ
ット5を1方向に吸引する場合には、1方向の滑車15
によりマグネット5の動きを規制するようにしてもよ
く、また、図11に示すように工場建物の梁などが2方
向に吸引する場合には、この2方向と抗するようにして
もよい。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、チ
ャンバ内で引き上げられる単結晶の軸に向かって前記マ
グネットの軸を付勢するように滑車又は位置規制手段が
マグネットの昇降に従って転動又は摺動するようにした
ので、マグネットの軸が外部磁界により移動することを
防止することができ、したがって、磁界を用いて単結晶
を引き上げる場合に単結晶の品質が悪化することを防止
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る単結晶引上げ装置の一実施形態を
示す側面図である。
【図2】図1の単結晶引上げ装置においてマグネットが
下降した状態を示す側面図である。
【図3】図1の滑車を詳しく示す図である。
【図4】図1の滑車の他の例を示す図である。
【図5】図1の滑車の代わりに用いられる係合部材を示
す図である。
【図6】第2の実施形態の単結晶引上げ装置を示す側面
図である。
【図7】第3の実施形態の単結晶引上げ装置を示す側面
図である。
【図8】図7の実施形態の単結晶引上げ装置を示す平面
図である。
【図9】第4の実施形態の単結晶引上げ装置を示す平面
図である。
【図10】第5の実施形態の単結晶引上げ装置を示す平
面図である。
【図11】第6の実施形態の単結晶引上げ装置を示す平
面図である。
【図12】従来の単結晶引上げ装置を示す側面図であ
る。
【図13】外部の磁性体によりマグネットが吸引される
ことを示す説明図である。
【符号の説明】
1 チャンバ 5 マグネット 5c,16 係合部材 11 フレーム 12 スピンドル 13 台座 15 滑車 20 引上げ装置支持フレーム

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 単結晶内に取り込まれる酸素濃度を制御
    するためにチャンバの回りに配置される昇降可能なマグ
    ネットを有する単結晶引上げ装置において、 前記チャンバ内で引き上げられる単結晶の軸との水平位
    置関係が一定であるように前記マグネットの水平位置を
    規制しつつ前記マグネットの昇降に従って転動する滑車
    を有することを特徴とする単結晶引上げ装置。
  2. 【請求項2】 単結晶内に取り込まれる酸素濃度を制御
    するためにチャンバの回りに前記チャンバ内で引き上げ
    られる単結晶の軸と同軸に配置される昇降可能なマグネ
    ットを有する単結晶引上げ装置において、 前記単結晶の軸に向かって前記マグネットの軸を付勢す
    るように前記マグネットの昇降に従って転動する滑車を
    有することを特徴とする単結晶引上げ装置。
  3. 【請求項3】 前記滑車が前記マグネットを昇降させる
    昇降機構に固定されるとともに、前記マグネットの側壁
    上を転動することを特徴とする請求項1又は2記載の単
    結晶引上げ装置。
  4. 【請求項4】 前記滑車が前記昇降機構以外の固定物に
    固定されるとともに、前記マグネットの側壁上を転動す
    ることを特徴とする請求項1又は2記載の単結晶引上げ
    装置。
  5. 【請求項5】 前記滑車が前記マグネットに固定される
    とともに、前記マグネットを昇降させる昇降機構に沿っ
    て転動することを特徴とする請求項1又は2記載の単結
    晶引上げ装置。
  6. 【請求項6】 前記滑車が前記マグネットに固定される
    とともに、前記マグネットを昇降させる昇降機構以外の
    固定物に沿って転動することを特徴とする請求項1又は
    2記載の単結晶引上げ装置。
  7. 【請求項7】 前記滑車が前記マグネットの軸に対して
    少なくとも3方向から付勢することを特徴とする請求項
    1ないし6のいずれか1つに記載の単結晶引上げ装置。
  8. 【請求項8】 前記滑車が前記マグネットの上下方向の
    2箇所以上の位置で付勢することを特徴とする請求項1
    ないし7のいずれか1つに記載の単結晶引上げ装置。
  9. 【請求項9】 単結晶内に取り込まれる酸素濃度を制御
    するためにチャンバの回りに配置される昇降可能なマグ
    ネットを有する単結晶引上げ装置において、 前記チャンバ内で引き上げられる単結晶の軸との水平位
    置関係が一定であるように前記マグネットの水平位置を
    規制しつつ前記マグネットの昇降に従って垂直方向に摺
    動可能な位置規制手段を有することを特徴とする単結晶
    引上げ装置。
  10. 【請求項10】 単結晶内に取り込まれる酸素濃度を制
    御するためにチャンバの回りに前記チャンバ内で引き上
    げられる単結晶の軸と同軸に配置される昇降可能なマグ
    ネットを有する単結晶引上げ装置において、 前記単結晶の軸に向かって前記マグネットの軸を付勢す
    るように前記マグネットの昇降に従って垂直方向に摺動
    可能な位置規制手段を有することを特徴とする単結晶引
    上げ装置。
  11. 【請求項11】 前記位置規制手段が前記マグネットを
    昇降させる昇降機構に固定されるとともに、前記マグネ
    ットの側壁上を摺動することを特徴とする請求項9又は
    10記載の単結晶引上げ装置。
  12. 【請求項12】 前記位置規制手段が前記昇降機構以外
    の固定物に固定されるとともに、前記マグネットの側壁
    上を摺動することを特徴とする請求項9又は10記載の
    単結晶引上げ装置。
  13. 【請求項13】 前記位置規制手段が前記マグネットに
    固定されるとともに、前記マグネットを昇降させる昇降
    機構に沿って摺動することを特徴とする請求項9又は1
    0記載の単結晶引上げ装置。
  14. 【請求項14】 前記位置規制手段が前記マグネットに
    固定されるとともに、前記マグネットを昇降させる昇降
    機構以外の固定物に沿って摺動することを特徴とする請
    求項9又は10記載の単結晶引上げ装置。
  15. 【請求項15】 前記位置規制手段が前記マグネットの
    軸に対して少なくとも3方向から付勢することを特徴と
    する請求項9ないし14のいずれか1つに記載の単結晶
    引上げ装置。
  16. 【請求項16】 前記位置規制手段が前記マグネットの
    上下方向の2箇所以上の位置で付勢することを特徴とす
    る請求項9ないし15のいずれか1つに記載の単結晶引
    上げ装置。
JP8027498A 1998-03-12 1998-03-12 単結晶引上げ装置 Withdrawn JPH11255579A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8027498A JPH11255579A (ja) 1998-03-12 1998-03-12 単結晶引上げ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8027498A JPH11255579A (ja) 1998-03-12 1998-03-12 単結晶引上げ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11255579A true JPH11255579A (ja) 1999-09-21

Family

ID=13713708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8027498A Withdrawn JPH11255579A (ja) 1998-03-12 1998-03-12 単結晶引上げ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11255579A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009136465A1 (ja) * 2008-05-09 2009-11-12 信越半導体株式会社 単結晶の製造方法および単結晶の製造装置
KR100965499B1 (ko) 2010-03-10 2010-06-23 퀄리플로나라테크 주식회사 단결정 실리콘 잉곳 성장 시스템용 마그네트 수직 이송 장치
US8795432B2 (en) 2007-05-30 2014-08-05 Sumco Corporation Apparatus for pulling silicon single crystal

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8795432B2 (en) 2007-05-30 2014-08-05 Sumco Corporation Apparatus for pulling silicon single crystal
WO2009136465A1 (ja) * 2008-05-09 2009-11-12 信越半導体株式会社 単結晶の製造方法および単結晶の製造装置
KR100965499B1 (ko) 2010-03-10 2010-06-23 퀄리플로나라테크 주식회사 단결정 실리콘 잉곳 성장 시스템용 마그네트 수직 이송 장치
WO2011111907A1 (ko) * 2010-03-10 2011-09-15 퀄리플로나라테크(주) 단결정 실리콘 잉곳 성장 시스템용 마그네트 수직 이송 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5997635A (en) Method for fabricating a single-crystal semiconductor
KR100954291B1 (ko) 고품질의 반도체 단결정 잉곳 제조장치 및 방법
TW567253B (en) Crystal pulling method and apparatus
US7771530B2 (en) Process and apparatus for producing a silicon single crystal
JPH09188590A (ja) 単結晶の製造方法および装置
JP2024517314A (ja) 単結晶シリコンロッドの引張方法及び単結晶シリコンロッド
JPH11255579A (ja) 単結晶引上げ装置
US5964941A (en) Crystal pulling method and apparatus
JP3531333B2 (ja) チョクラルスキー法による結晶製造装置、結晶製造方法、およびこの方法から製造される結晶
KR100271504B1 (ko) 실리콘 단결정 성장 방법 및 그 장치
JP2008214118A (ja) 半導体単結晶の製造方法
JPH05270975A (ja) 単結晶引上装置
JP2004189559A (ja) 単結晶成長方法
JPH11255578A (ja) 単結晶引上げ装置
JPH08231294A (ja) 水平磁界下シリコン単結晶引上方法
JPH10120489A (ja) 単結晶の引上げ方法
JPH1095691A (ja) 結晶保持装置
CN109811402A (zh) 一种拉晶系统和拉晶方法
JPH10130100A (ja) 半導体単結晶の製造装置および製造方法
JP3528888B2 (ja) シリコン単結晶の製造装置および方法
JP2665500B2 (ja) Cz炉のワイヤ振れ止め装置
WO1998049378A1 (fr) Procede de tirage de monocristal
JP3400317B2 (ja) 単結晶引上げ装置
JPH07118091A (ja) 半導体単結晶育成装置
JPS63303888A (ja) 単結晶成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050607