JP7306217B2

JP7306217B2 - 坩堝及びＳｉＣ単結晶成長装置

Info

Publication number: JP7306217B2
Application number: JP2019192968A
Authority: JP
Inventors: 駿介野口
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd; Showa Denko Materials Co Ltd; Resonac Corp
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 2019-10-23
Filing date: 2019-10-23
Publication date: 2023-07-11
Anticipated expiration: 2039-10-23
Also published as: JP2021066628A

Description

本発明は、坩堝及びＳｉＣ単結晶成長装置に関する。

炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて絶縁破壊電界が１桁大きく、バンドギャップが３倍大きい。また、炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて熱伝導率が３倍程度高い等の特性を有する。そのため炭化珪素（ＳｉＣ）は、パワーデバイス、高周波デバイス、高温動作デバイス等への応用が期待されている。このため、近年、上記のような半導体デバイスにＳｉＣエピタキシャルウェハが用いられるようになっている。

ＳｉＣエピタキシャルウェハは、ＳｉＣウェハ上に、化学的気相成長法（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）によってＳｉＣ半導体デバイスの活性領域となるＳｉＣエピタキシャル膜を成長させることによって製造される。

ＳｉＣウェハは、ＳｉＣインゴットを切り出して作製する。このＳｉＣインゴットは、一般に昇華法によって得ることができる。昇華法は、黒鉛製の坩堝内に配置した台座にＳｉＣ単結晶からなる種結晶を配置し、坩堝を加熱することで坩堝内の原料粉末から昇華した昇華ガスを種結晶に供給し、種結晶をより大きなＳｉＣインゴットへ成長させる方法である。昇華法において原料と結晶との間に温度差が生じると、原料から昇華した原料ガスが結晶に効率的に供給され、結晶成長が促進される。しかしながら、結晶は原料と対向した位置にあり、原料からの輻射を受ける。そのため、原料と結晶との間に温度差を生みだすことが難しい。

特許文献１には、原料と結晶との間に遮蔽部材を設けることが記載されている。遮蔽部材により原料から結晶への輻射を抑え、原料と結晶との間に温度差が生じる。

特開２０００－２６４７９５号公報

昇華法において、原料粉末からガスを昇華させる昇華条件は、成長初期と成長終期とで異なる。成長終期は原料が枯渇するため、成長初期より昇華量が少ない。また成長初期は結晶と原料との距離が離れているが、成長終期は結晶と原料との距離が近くなる。そのため、成長終期は、成長初期より結晶と原料との間に温度差を生み出すことが難しい。特許文献１に記載の遮蔽部材の断熱性能は、成長初期と成長終期とで変化しないため、成長初期と成長終期のそれぞれに適した成長条件を生み出すことが難しい。

本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、内部の温度分布を制御できる坩堝及びＳｉＣ単結晶成長装置を提供することを目的とする。

本発明者らは、鋭意検討の上、成長初期と成長終期とで遮蔽部材の断熱性能を変えることで、成長初期と成長終期の成長条件のそれぞれに適した温度分布を形成することができることを見出した。本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。

（１）第１の態様にかかる坩堝は、側壁と蓋と底部を有し、原料と種結晶を収容し、内部に、隔壁を有し、前記隔壁は、第１原料から昇華した昇華ガスが前記種結晶上で再結晶化する第１空間と、前記第１原料と別に第２原料を収容できる第２空間とを、第１方向に区分し、前記隔壁は、前記第２空間から前記第１空間に向って突出する突出部を有し、前記突出部は、前記第１方向に延びる支持部と、前記第１方向と交差する方向に広がる遮蔽部とを有し、前記支持部と前記遮蔽部とは、内部に前記第２空間と繋がる第３空間を有する。

（２）上記態様にかかる坩堝において、前記遮蔽部の前記種結晶側の第１面は、中央から外側に向って前記種結晶から離れる方向に傾斜してもよい。

（３）上記態様にかかる坩堝において、前記支持部の内径が、前記遮蔽部に近づくに従い縮径してもよい。

（４）上記態様にかかる坩堝において、前記隔壁が前記突出部を複数有してもよい。

（５）第２の態様にかかるＳｉＣ単結晶成長装置は、上記態様にかかる坩堝と、前記坩堝を囲む加熱手段と、を備え、前記加熱手段は、前記第１空間に収容される前記第１原料を加熱する第１加熱手段と、前記第２空間に収容される前記第２原料を加熱する第２加熱手段と、を有する。

上記態様にかかる坩堝及びＳｉＣ単結晶成長装置によれば、坩堝内の温度分布を制御できる。

第１実施形態に係るＳｉＣ単結晶成長装置の断面模式図である。第１実施形態に係る坩堝をｚ方向と直交する面で切断した断面模式図である。第１実施形態に係るＳｉＣ単結晶成長装置の作用を説明するための断面模式図である。第１変形例に係るＳｉＣ単結晶成長装置の断面模式図である。第２変形例に係るＳｉＣ単結晶成長装置の断面模式図である。第３変形例に係るＳｉＣ単結晶成長装置の断面模式図である。

以下、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶成長装置および坩堝について、図を適宜参照しながら詳細に説明する。以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。以下の説明において例示される材質、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。

図１は、第１実施形態にかかるＳｉＣ単結晶成長装置の断面模式図である。図１に示すＳｉＣ単結晶成長装置１００は、坩堝１０と加熱手段２０とを備える。図１では、理解を容易にするために、第１原料Ｇ１、第２原料Ｇ２、種結晶Ｓｄを同時に図示している。

まず方向について定義する。坩堝１０内において原料Ｇ１から種結晶Ｓｄに向かう方向をｚ方向とする。ｚ方向は、第１方向の一例である。またｚ方向に対して垂直で、坩堝１０の中心から広がる方向を径方向とする。図１は、坩堝１０の中心軸に沿う任意の断面で切断した断面図である。

坩堝１０は、例えば、円柱状の部材である。坩堝１０は、蓋１と側壁２と底部３と隔壁４とを有する。さらに、隔壁４は、仕切り板５と突出部６とを有する。蓋１、側壁２、底部３及び隔壁４は、ＳｉＣの単結晶を成長する際の高温に耐えることができる材料からなる。これらの材料は、例えば、黒鉛、高融点金属、金属炭化物である。黒鉛は昇華温度が３５５０℃と極めて高く、成長時の高温にも耐えることができる。金属炭化物は、例えば、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗのいずれかの炭化物である。

隔壁４は、蓋１、側壁２及び底部３に囲まれる空間の内部にある。隔壁４は、蓋１、側壁２及び底部３に囲まれる空間を、第１空間Ａ１と第２空間Ａ２に区分する。

第１空間Ａ１は、第１原料Ｇ１から昇華した昇華ガスが種結晶Ｓｄ上で再結晶化することで、単結晶が成長する空間である。第１空間Ａ１内には、第１原料Ｇ１と種結晶Ｓｄとが収容される。蓋１と側壁２は分離可能であり、第１原料Ｇ１は、例えば、隔壁４上の第１空間Ａ１の下方に収容される。種結晶Ｓｄは、第１原料Ｇ１と対向する位置で、蓋１に設置される。

第１空間Ａ１に収容される第１原料Ｇ１は、例えば、粉末のＳｉＣである。第１原料Ｇ１に用いられるＳｉＣは、例えば、３Ｃ、２Ｈ、４Ｈ、６Ｈ、１５Ｒのいずれかの結晶構造を含む結晶である。第１原料Ｇ１の粒径は、例えば、１０００μｍ以下である。

第２空間Ａ２は、例えば、第１空間Ａ１のｚ方向の下方に位置する。第２空間Ａ２は、第１空間Ａ１とは接続されておらず、第１空間Ａ１とは別空間である。第２空間Ａ２内には、第２原料Ｇ２が収容される。第２原料Ｇ２は、第１原料Ｇ１とは別に、異なる空間に収容される。側壁２は例えばｚ方向に分離可能であり、第２原料Ｇ２は、例えば、底部３上の第２空間Ａ２の下方に収容される。

第２空間Ａ２に収容される第２原料Ｇ２は、例えば、第１原料Ｇ１と同じ材料である。第２原料Ｇ２は、求められる断熱性能に応じて、第１原料Ｇ１と異なる材料でもよい。

第２空間Ａ２の高さＨ２は、例えば、第１空間Ａ１の高さＨ１より小さい。第２空間Ａ２の高さＨ２は、例えば、第１空間Ａ１の高さＨ１の１０％以上７０％以下である。第１空間Ａ１の高さＨ１は、蓋１の下面と仕切り板５の上面とのｚ方向の最短距離である。第２空間Ａ２の高さＨ２は、仕切り板５の下面と底部３の上面とのｚ方向の最短距離である。

隔壁４の仕切り板５は、側壁２と接続され、突出部６を支持する。突出部６は、仕切り板５から突出する。突出部６は、第２空間Ａ２から第１空間Ａ１に向って、ｚ方向に突出する。

突出部６は、支持部６Ａと遮蔽部６Ｂとを有する。支持部６Ａは、ｚ方向に延びる。遮蔽部６Ｂは、ｚ方向と交差する径方向に広がる。遮蔽部６Ｂは、第１空間Ａ１に収容される第１原料Ｇ１より上方にある。突出部６の内部には、第３空間Ａ３がある。第３空間Ａ３は、支持部６Ａの内部及び遮蔽部６Ｂの内部に亘る。第３空間Ａ３は、第２空間Ａ２と繋がり、第１空間Ａ１とは隔絶されている。

支持部６Ａの長さｈ１は、例えば、第１空間Ａ１の高さＨ１の２０％以上７０％以下である。支持部６Ａの長さｈ１が短いと、第１原料Ｇ１を収容する空間が小さくなる。支持部６Ａの長さｈ１が長いと、第２原料Ｇ２から昇華した昇華ガスが支持部６Ａの途中で再結晶化し、第３空間Ａ３が閉塞する場合がある。遮蔽部６Ｂの厚みｈ２は、例えば、第１空間Ａ１の高さＨ１の２％以上３０％以下である。遮蔽部６Ｂの厚みｈ２を所定の範囲にすることで、十分な断熱空間を確保できる。

また第１原料Ｇ１は、遮蔽部６Ｂより下方に収容される。原料Ｇ１の表面と遮蔽部６Ｂの下面との距離ｈ３は例えば、遮蔽部６Ｂの直径の５％以上１００％未満である。第１原料Ｇ１の表面と遮蔽部６Ｂとの距離ｈ３が近いと、遮蔽部６Ｂにより昇華ガスが阻害され、結晶の成長効率が低下する。

また遮蔽部６Ｂの上面と蓋１の下面との距離ｈ４は、例えば、第１空間Ａ１の高さＨ１の５％以上６０％以下である。また例えば、遮蔽部６Ｂの上面と蓋１の下面との距離ｈ４は、種結晶Ｓｄの直径の１０％以上２００％未満である。遮蔽部６Ｂの上面と蓋１の下面との距離ｈ４が近いと、種結晶Ｓｄと原料Ｇ１との間に十分な温度差が与えられず、結晶の成長面の形状に影響が生じる。また遮蔽部６Ｂの上面と蓋１の下面との距離ｈ４が遠いと、遮蔽部６Ｂを設ける効果が弱まる。

また遮蔽部６Ｂの下面と底部３の上面との距離ｈ５は、坩堝１０の高さの２０％以上７０％以下である。また第２原料Ｇ２の表面と遮蔽部６Ｂの下面との距離ｈ６は、例えば、坩堝１０の高さの１０％以上７０％以下である。距離ｈ５、ｈ６が長いと、第２原料Ｇ２から昇華した昇華ガスが支持部６Ａの途中で再結晶化し、第３空間Ａ３が閉塞する場合がある。

図２は、第１実施形態に係る坩堝１０を、遮蔽部６Ｂを通りｚ方向と直交する面で、切断した断面模式図である。また図２では、遮蔽部６Ｂに対して上方にある種結晶Ｓｄと下方にある支持部６Ａを点線で同時に図示した。

支持部６Ａ、遮蔽部６Ｂ、坩堝１０は、ｚ方向からの平面視した形状が、例えば円形である。支持部６Ａ、遮蔽部６Ｂ、坩堝１０は、例えば、同心円状である。これらの平面視形状は、円形に限らず、矩形、三角形、不定形等でもよい。

支持部６Ａの面積は、例えば、第１空間Ａ１の水平方向の断面積の１％以上４０％以下である。支持部６Ａの面積が小さいと、第２原料Ｇ２から昇華した昇華ガスが支持部６Ａの途中で再結晶化し、第３空間Ａ３が閉塞しやすくなる。支持部６Ａの面積は、支持部６Ａの内周に囲まれる断面積である。

遮蔽部６Ｂの面積は、例えば、第１空間Ａ１の水平方向の断面積の３％以上６０％以下である。また遮蔽部６Ｂの面積は、例えば、種結晶Ｓｄの面積の８０％以上２００％未満である。遮蔽部６Ｂの面積が大きいと、昇華ガスが遮蔽部６Ｂを回り込む必要があり、結晶の成長効率が低下する。遮蔽部６Ｂの面積が小さいと、種結晶Ｓｄと第１原料Ｇ１との間の断熱効果が小さくなる。遮蔽部６Ｂの面積は、遮蔽部６Ｂの外径に囲まれる断面積である。

加熱手段２０は、坩堝１０の周囲を囲む。加熱手段２０は、例えば、第１加熱手段２１と第２加熱手段２２とを有する。第１加熱手段２１と第２加熱手段２２とは、別々に制御される。第１加熱手段２１及び第２加熱手段２２は、例えば、コイルである。コイルに電流を流すことで生じる磁界によって坩堝１０が誘導加熱される。第１加熱手段２１及び第２加熱手段２２と坩堝１０との間に、ヒータを設けてもよい。ヒータは、コイルが生じる磁界を受け、誘導加熱される。発熱したヒータからの輻射は、坩堝１０を間接加熱する。

第１加熱手段２１は、第１空間Ａ１に収容される第１原料Ｇ１を加熱する。第１加熱手段２１は、例えば、第１空間Ａ１の周囲を囲む。第２加熱手段２２は、第２空間Ａ２に収容される第２原料Ｇ２を加熱する。第２加熱手段２２は、例えば、第２空間Ａ２の周囲を囲む。第１加熱手段２１と第２加熱手段２２とを別々に制御することで、第１原料Ｇ１と第２原料Ｇ２のそれぞれが昇華するタイミングを変えることができる。

第１実施形態にかかるＳｉＣ単結晶成長装置１００によれば、坩堝１０内の温度分布を制御できる。具体的には、ＳｉＣ単結晶成長装置１００は、成長初期と成長終期との異なる条件に合わせて、遮蔽部６Ｂの断熱性能を変化させ、それぞれに適した成長条件を生み出すことができる。図３は、第１実施形態に係るＳｉＣ単結晶成長装置１００の作用を説明するための断面模式図である。

まず図１に示すように、第１空間Ａ１内に第１原料Ｇ１、第２空間Ａ２内に第２原料Ｇ２を収容する。そして、第１空間Ａ１の第１原料Ｇ１と対向する位置に種結晶Ｓｄを設置する。種結晶Ｓｄは、例えば、カーボン接着剤を用いて蓋１に接着してもよい。例えば、蓋１の一面にカーボン接着剤を塗布し、その上に種結晶Ｓｄを配置した後、種結晶Ｓｄ上に錘を載せ、加熱しながらカーボン接着剤を硬化する。種結晶Ｓｄに加わる圧力は、例えば、５ｇ／ｃｍ^２である。加熱温度は、例えば、２００℃である。加熱時間は、例えば、３０分以上である。

次いで、第１加熱手段２１によって第１原料Ｇ１を加熱する。第１原料Ｇ１は、加熱されると昇華する。昇華した原料ガスは、図３に示すように種結晶Ｓｄに向い、単結晶Ｃが成長する（フローｆ１）。一方で、第２原料Ｇ２は加熱されていないため、第２原料Ｇ２は昇華しない。そのため、結晶成長の成長初期の時点では、第３空間Ａ３内は埋まっておらず、空である。成長初期は、単結晶Ｃがあまり成長していないため、種結晶Ｓｄと第１原料Ｇ１との距離が遠く、距離によってｚ方向の温度差を生み出すことができる。また第１原料Ｇ１が新しく、第１原料Ｇ１の昇華速度が速い。遮蔽部６Ｂによる断熱性が高いと、第１原料Ｇ１から昇華した昇華ガスが遮蔽部６Ｂの近傍で再結晶化し、遮蔽部６Ｂに付着する。

次いで、単結晶Ｃの結晶成長が進むと、単結晶Ｃと第１原料Ｇ１との距離が近づき、距離によってｚ方向の温度差を生み出すことが難しくなる。また第１原料Ｇ１が枯渇し、第１原料Ｇ１の昇華速度も遅くなる。このタイミングで、第２加熱手段２２によって第２原料Ｇ２を加熱する。第２原料Ｇ２は、加熱されると昇華する。昇華した原料ガスは、図３に示すように、第３空間Ａ３に向い、第３空間Ａ３内で再結晶化する。その結果、第３空間Ａ３内は、例えば、多結晶により充填される。第３空間Ａ３が多結晶により充填されると、遮蔽部６Ｂの断熱性が高くなる。遮蔽部６Ｂの断熱性が高くなることで、成長終期においても、単結晶Ｃと第１原料Ｇ１との間の温度差を確保できる。

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

図４は、第１変形例にかかるＳｉＣ単結晶成長装置の断面模式図である。第１変形例にかかるＳｉＣ単結晶成長装置１０１は、隔壁１４の形状が、図１に示すＳｉＣ単結晶成長装置１００と異なる。図４において、図１と同様の構成については、同様の符号を付し、説明を省く。

隔壁１４は、仕切り板１５と突出部１６とを有する。突出部１６は、支持部１６Ａと遮蔽部１６Ｂとを有する。支持部１６Ａ及び遮蔽部１６Ｂ内には第３空間Ａ３がある。第３空間Ａ３は、第２原料Ｇ２から昇華した昇華ガスが再結晶化することで、断熱性が高くなる。したがって、第１変形例にかかるＳｉＣ単結晶成長装置１０１においても、図１に示すＳｉＣ単結晶成長装置１００と同様の効果が得られる。

またＳｉＣ単結晶成長装置１０１は、遮蔽部１６Ｂの第１面１６Ｂａが傾斜している点が、図１に示す遮蔽部６Ｂと異なる。第１面１６Ｂａは、遮蔽部１６Ｂの上面であって、種結晶Ｓｄ側の面である。第１面１６Ｂａは、中央から外側に向って種結晶Ｓｄから離れる方向に傾斜している。第１面１６Ｂａの中央は、第１面１６Ｂａの外側より上方にある。

遮蔽部１６Ｂの上面は、温度が低くなりやすく、昇華ガスが過飽和になりやすい。過飽和になった昇華ガスは遮蔽部１６Ｂの上面で再結晶化し、堆積物となる。堆積物もＳｉＣであるため、加熱により最昇華する場合がある。最昇華した昇華ガスは、組成（例えば、Ｃ／Ｓｉ比）の制御が困難であり、単結晶Ｃ内にカーボンインクルージョンやＳｉドロップレット等の欠陥を生み出す原因となる。第１面１６Ｂａが傾斜していると、堆積物が第１面１６Ｂａ上に生じにくい。

図５は、第２変形例にかかるＳｉＣ単結晶成長装置の断面模式図である。第２変形例にかかるＳｉＣ単結晶成長装置１０２は、隔壁３４の形状が、図１に示すＳｉＣ単結晶成長装置１００と異なる。図５において、図１と同様の構成については、同様の符号を付し、説明を省く。

隔壁３４は、仕切り板３５と突出部３６とを有する。突出部３６は、支持部３６Ａと遮蔽部３６Ｂとを有する。支持部３６Ａ及び遮蔽部３６Ｂ内には第３空間Ａ３がある。第３空間Ａ３は、第２原料Ｇ２から昇華した昇華ガスが再結晶化することで、断熱性が高くなる。したがって、第２変形例にかかるＳｉＣ単結晶成長装置１０２においても、図１に示すＳｉＣ単結晶成長装置１００と同様の効果が得られる。

またＳｉＣ単結晶成長装置１０２は、支持部３６Ａの内径が遮蔽部３６Ｂに近づくにつれて縮径している。第２空間Ａ２内で第２原料Ｇ２から昇華した昇華ガスは、支持部３６Ａの内部を通過し、遮蔽部３６Ｂの内部で再結晶化する。支持部３６Ａの内径が第２空間Ａ２から離れるに従い縮径すると、昇華ガスの流れが遮蔽部３６Ｂの内部に向って収束する。したがって、第２原料Ｇ２から生じた昇華ガスは、効率的に遮蔽部３６Ｂの内部に送られる。また支持部３６Ａの内径が広いと、昇華ガスによって第３空間Ａ３が閉塞しにくくなる。

図５では、隔壁３４が仕切り板３５を有する場合を例示したが、支持部３６Ａの端部が側壁２と直接接続されてもよい。

図６は、第３変形例にかかるＳｉＣ単結晶成長装置の断面模式図である。第３変形例にかかるＳｉＣ単結晶成長装置１０３は、隔壁４４の形状が、図１に示すＳｉＣ単結晶成長装置１００と異なる。図６において、図１と同様の構成については、同様の符号を付し、説明を省く。

隔壁４４は、仕切り板４５と複数の突出部４６とを有する。突出部４６は、それぞれ支持部４６Ａと遮蔽部４６Ｂとを有する。それぞれの支持部４６Ａ及び遮蔽部４６Ｂ内には第３空間Ａ３がある。第３空間Ａ３は、第２原料Ｇ２から昇華した昇華ガスが再結晶化することで、断熱性が高くなる。したがって、第３変形例にかかるＳｉＣ単結晶成長装置１０３においても、図１に示すＳｉＣ単結晶成長装置１００と同様の効果が得られる。

またＳｉＣ単結晶成長装置１０３は、突出部４６が複数ある点が、図１に示す隔壁４と異なる。突出部４６を複数設けることで、原料Ｇ１から昇華した昇華ガスが、種結晶Ｓｄに至る経路を複数確保できる。

１蓋
２側壁
３底部
４、１４、３４、４４隔壁
５、１５、３５、４５仕切り板
６、１６、３６、４６突出部
６Ａ、１６Ａ、３６Ａ、４６Ａ支持部
６Ｂ、１６Ｂ、３６Ｂ、４６Ｂ遮蔽部
１０坩堝
１６Ｂａ第１面
２０加熱手段
２１第１加熱手段
２２第２加熱手段
１００、１０１、１０２、１０３ＳｉＣ単結晶成長装置
Ａ１第１空間
Ａ２第２空間
Ａ３第３空間
Ｃ単結晶
原料Ｇ１
第２原料Ｇ２

Claims

側壁と蓋と底部を有し、原料と種結晶を収容する坩堝であって、
内部に、隔壁を有し、
前記隔壁は、第１原料から昇華した昇華ガスが前記種結晶上で再結晶化する第１空間と、前記第１原料と別に第２原料を収容できる第２空間とを、第１方向に区分し、
前記隔壁は、前記第２空間から前記第１空間に向って突出する突出部を有し、
前記突出部は、前記第１方向に延びる支持部と、前記第１方向と交差する方向に広がる遮蔽部とを有し、
前記支持部と前記遮蔽部とは、内部に前記第２空間と繋がる第３空間を有する、坩堝。
前記遮蔽部の前記種結晶側の第１面は、中央から外側に向って前記種結晶から離れる方向に傾斜する、請求項１に記載の坩堝。
前記支持部の内径が、前記遮蔽部に近づくに従い縮径する、請求項１又は２に記載の坩堝。
前記隔壁が前記突出部を複数有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の坩堝。
請求項１～４のいずれか一項に記載の坩堝と、
前記坩堝を囲む加熱手段と、を備え、
前記加熱手段は、前記第１空間に収容される前記第１原料を加熱する第１加熱手段と、前記第２空間に収容される前記第２原料を加熱する第２加熱手段と、を有する、ＳｉＣ単結晶成長装置。