JP2020093975A - 結晶成長装置及び坩堝 - Google Patents
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Abstract
Description
「第1実施形態」
図1は、第1実施形態にかかる結晶成長装置の断面模式図である。図1に示す結晶成長装置100は、坩堝10と断熱材20と加熱部30と支持体40とを備える。図1では、理解を容易にするために、原料G、種結晶S、種結晶S上に結晶成長した単結晶Cを同時に図示している。
断熱材20は、2000℃以上の高温で熱伝導率が10W/mK以下である材料により構成されていることが好ましい。2000℃以上の高温で熱伝導率が10W/mK以下の材料としては、黒鉛、炭素を主成分としたフェルト材があげられる。また、断熱材20は5W/mK以下の部材であることが望ましい。
図2は、変形例1にかかる結晶成長装置100Aの断面模式図である。結晶成長装置100Aは、坩堝10Aの構成が結晶成長装置100の坩堝10と異なる。その他の構成は同一であり、同一の構成については同一の符号を付し、説明を省く。
図3は、第2実施形態にかかる結晶成長装置101の断面模式図である。結晶成長装置101は、坩堝50の構成が結晶成長装置100の坩堝10と異なる。その他の構成は同一であり、同一の構成については同一の符号を付し、説明を省く。
図4は、変形例2にかかる結晶成長装置101Aの断面模式図である。結晶成長装置101Aは、坩堝50Aの構成が結晶成長装置101の坩堝50と異なる。その他の構成は同一であり、同一の構成については同一の符号を付し、説明を省く。
図5は、第3実施形態にかかる結晶成長装置102の断面模式図である。結晶成長装置102は、高輻射部52の位置が結晶成長装置101と異なる。その他の構成は同一であり、同一の構成については同一の符号を付し、説明を省く。
図6は、第4実施形態にかかる結晶成長装置103の断面模式図である。結晶成長装置103は、高輻射部52の位置が結晶成長装置101と異なり、坩堝50がガイド部54を有する点で異なる。その他の構成は同一であり、同一の構成については同一の符号を付し、説明を省く。
図1に示す構成をシミュレーションで再現し、坩堝を加熱時の坩堝内の温度を求めた。シミュレーションには、汎用FEM解析ソフトウエアANSYS Mechanicalを用いた。
坩堝厚み:10mm
坩堝高さ:420mm
坩堝の本体部の輻射率:0.8(黒鉛相当)
坩堝熱伝導率:40W/mK
加熱部の輻射率:0.8
加熱部内半径:200mm(加熱部と坩堝との距離d:50mm)
加熱部の中心位置:加熱部の高さ方向の中心位置
加熱部の中心温度:2400℃
実施例1は、以下の条件を満たす低輻射部を設けた点のみが比較例1と異なる。その他の条件は、比較例1と同様とした。
低輻射部の高さ:50mm
低輻射部の位置:坩堝上面の中心と加熱中心を結ぶ線分と坩堝との交点が、低輻射部の高さ方向の中心高さと一致
低輻射部の輻射率:0.2(TaC相当)
実施例2は、低輻射部の高さを100mmとした点が実施例1と異なる。その他の条件は、実施例1と同様とした。
実施例3は、以下の条件を満たす高輻射部を設けた点のみが比較例1と異なる。その他の条件は、比較例1と同様とした。
高輻射部の高さ:50mm
高輻射部の位置:坩堝下面の中心と加熱中心を結ぶ線分と坩堝との交点が、高輻射部の高さ方向の中心高さと一致
高輻射部の輻射率:1.0
実施例4は、高輻射部の高さを100mmとした点が実施例1と異なる。その他の条件は、実施例3と同様とした。
11、11A、51、51A 本体部
12、12A 低輻射部
52、52A 高輻射部
13、53 結晶設置部
53S 結晶側方部
54 ガイド部
20 断熱材
30 加熱部
40 支持体
100、100A、101、101A、102、103 結晶成長装置
S 種結晶
C 単結晶
K 成長空間
G 原料
p1 加熱中心
Claims (9)
- 本体部と前記本体部と輻射率が異なる第1部分とを備え、加熱時に内部の特定領域の温度を他の領域より高温又は低温に制御できる坩堝と、
前記坩堝の外側に位置し、前記坩堝を輻射熱によって加熱する加熱部と、を備え、
前記第1部分は、前記坩堝と、前記加熱部の加熱中心と前記特定領域とを結ぶ線分と、が交差する位置にある、結晶成長装置。 - 前記第1部分は、前記坩堝と、前記加熱部の加熱中心と前記特定領域とを結ぶ線分と、が交差する位置における前記坩堝の外表面に露出している、請求項1に記載の結晶成長装置。
- 前記特定領域は、前記坩堝内に収容される原料の下部、前記坩堝内において種結晶が設置される部分の径方向の外側の部分、前記原料から前記種結晶に向かう原料ガスの流れを制御し前記原料の表面から前記種結晶に向って縮径するガイド部、からなる群から選択される一つ以上であり、
前記第1部分の輻射率は、前記本体部の輻射率より高い、請求項1又は2に記載の結晶成長装置。 - 前記本体部の外表面は平坦面であり、
前記第1部分の外表面は凹凸である、請求項3に記載の結晶成長装置。 - 前記特定領域は、前記坩堝内において種結晶が設置される部分であり、
前記第1部分の輻射率は、前記本体部の輻射率より低い、請求項1又は2に記載の結晶成長装置。 - 前記本体部は、黒鉛であり、
前記第1部分は、Ta、Mo、Nb、Hf、W及びZrからなる群から選択される元素を含む単体、炭化物、窒化物または混合物である、請求項5に記載の結晶成長装置。 - 前記本体部の外表面は凹凸であり、
前記第1部分の外表面は平坦面である、請求項5又は6に記載の結晶成長装置。 - 前記第1部分の高さは、前記坩堝の高さの50%以内である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の結晶成長装置。
- 本体部と前記本体部と輻射率が異なる第1部分とを備え、
前記第1部分が外表面に露出している、坩堝。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111926385B (zh) * | 2020-07-10 | 2022-03-01 | 山东天岳先进科技股份有限公司 | 一种碳化硅单晶及其pvt法生产方法和应用 |
CN117646279B (zh) * | 2024-01-30 | 2024-04-05 | 常州臻晶半导体有限公司 | 一种液相法生长碳化硅单晶的双加热器装置及其方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02204391A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-14 | Hitachi Ltd | 分子線源用るつぼおよびそれを用いた分子線エピタキシャル成長膜の形成方法 |
JPH0322067U (ja) * | 1989-07-07 | 1991-03-06 | ||
KR20130084496A (ko) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | 동의대학교 산학협력단 | 단결정 성장 장치 및 방법 |
JP2017521345A (ja) * | 2014-07-02 | 2017-08-03 | プランゼー シャンハイ ハイ パフォーマンス マテリアル リミテッド | 結晶を育成するための坩堝 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1990003952A1 (en) * | 1988-10-07 | 1990-04-19 | Crystal Systems, Inc. | Method of growing silicon ingots using a rotating melt |
JP4150642B2 (ja) * | 2003-08-04 | 2008-09-17 | 株式会社デンソー | 単結晶の成長方法および成長装置 |
US20070240634A1 (en) * | 2006-04-18 | 2007-10-18 | Radkevich Olexy V | Crystal growing apparatus having a crucible for enhancing the transfer of thermal energy |
JP5137362B2 (ja) * | 2006-09-12 | 2013-02-06 | イビデン株式会社 | 金属基材と無機材料表面層とからなる構造体 |
US8410488B2 (en) | 2006-09-14 | 2013-04-02 | Cree, Inc. | Micropipe-free silicon carbide and related method of manufacture |
JP4967808B2 (ja) | 2007-05-22 | 2012-07-04 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
WO2009042503A1 (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Bp Corporation North America Inc. | Methods and systems for monitoring a solid-liquid interface |
JP4992703B2 (ja) * | 2007-12-25 | 2012-08-08 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体結晶の成長方法 |
JP5402701B2 (ja) * | 2010-02-12 | 2014-01-29 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素結晶の製造方法 |
CN202730295U (zh) * | 2012-08-28 | 2013-02-13 | 天威新能源控股有限公司 | 一种铸锭单晶硅的坩埚护板 |
WO2014035480A1 (en) * | 2012-08-30 | 2014-03-06 | General Electric Company | Induction furnace with uniform cooling capability |
JP6338439B2 (ja) | 2014-05-02 | 2018-06-06 | 昭和電工株式会社 | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 |
TWI516648B (zh) * | 2014-06-16 | 2016-01-11 | 台聚光電股份有限公司 | 使用多片晶種來生長碳化矽單晶之製造裝置 |
US20160002820A1 (en) | 2014-07-04 | 2016-01-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Crucible and method for producing single crystal |
CN204417640U (zh) | 2014-12-11 | 2015-06-24 | 河北同光晶体有限公司 | 提高晶体生长速度的坩埚及晶体生长装置 |
JP6845798B2 (ja) * | 2015-02-05 | 2021-03-24 | エス・ケイ・シルトロン・シー・エス・エス・エル・エル・シー | ワイドバンドギャップ結晶を昇華再結晶するための炉 |
CN206418222U (zh) * | 2016-12-29 | 2017-08-18 | 山东天岳晶体材料有限公司 | 一种无包裹碳化硅晶体生长室 |
CN209481848U (zh) * | 2018-11-02 | 2019-10-11 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种制备碳化硅单晶的坩埚 |
WO2020087724A1 (zh) * | 2018-11-02 | 2020-05-07 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种高品质碳化硅晶体的制备方法及其装置 |
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2019
- 2019-12-04 US US16/702,905 patent/US11453957B2/en active Active
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02204391A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-14 | Hitachi Ltd | 分子線源用るつぼおよびそれを用いた分子線エピタキシャル成長膜の形成方法 |
JPH0322067U (ja) * | 1989-07-07 | 1991-03-06 | ||
KR20130084496A (ko) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | 동의대학교 산학협력단 | 단결정 성장 장치 및 방법 |
JP2017521345A (ja) * | 2014-07-02 | 2017-08-03 | プランゼー シャンハイ ハイ パフォーマンス マテリアル リミテッド | 結晶を育成するための坩堝 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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