JP2021084827A

JP2021084827A - ＳｉＣ単結晶成長用伝熱部材、ＳｉＣ単結晶成長用坩堝、ＳｉＣ単結晶の製造方法

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Publication number: JP2021084827A
Application number: JP2019214070A
Authority: JP
Inventors: 陽平藤川; Yohei Fujikawa
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Resonac Holdings Corp
Priority date: 2019-11-27
Filing date: 2019-11-27
Publication date: 2021-06-03
Anticipated expiration: 2039-11-27
Also published as: JP7358944B2

Abstract

【課題】大口径・長尺成長のＳｉＣ単結晶を製造することが可能な大型サイズであっても、坩堝の中央部でのＳｉＣの析出が起こりにくく、ＳｉＣ原料を有効に利用することができるＳｉＣ単結晶成長用伝熱部材、ＳｉＣ単結晶成長用坩堝、およびＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】ＳｉＣ原料を収容する原料収容部と、前記原料収容部の上方に配置され種結晶を支持する種結晶支持部と、を備え、前記原料収容部には、収容された前記ＳｉＣ原料に下部が挿入され、上部が前記ＳｉＣ原料の表面よりも上方に向けて突出する、熱伝導性材料からなる伝熱部材が配されることを特徴とする。【選択図】図２

Description

本発明はＳｉＣ単結晶成長用伝熱部材、ＳｉＣ単結晶成長用坩堝、およびこれを用いたＳｉＣ単結晶の製造方法に関する。

炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて絶縁破壊電界が１桁大きく、バンドギャップが３倍大きく、熱伝導率が３倍程度高い等の特性を有する。炭化珪素はこれらの特性を有することから、パワーデバイス、高周波デバイス、高温動作デバイス等への応用が期待されている。このため、近年、上記のような半導体デバイスにＳｉＣ基板を用いることが多くなっている。こうしたＳｉＣ基板は、ＳｉＣ単結晶インゴット（以下、単にＳｉＣ単結晶と称する）を所定の厚みにスライスすることによって得られる。

ＳｉＣ単結晶を製造する方法の一つとして、昇華法が広く知られている。昇華法は、筒状の坩堝内において、坩堝の下部に収容したＳｉＣ原料を高温に加熱して昇華ガスを発生させる。そして、発生させた昇華ガスを、坩堝の上部に支持された、相対的に低温のＳｉＣ単結晶からなる種結晶上で再結晶化させてＳｉＣ単結晶を成長させる方法である。この昇華法を用いたＳｉＣ単結晶の製造においては、ＳｉＣ単結晶の大口径・長尺成長が要求されており、坩堝のサイズの大型化が求められている。

一般的な昇華法では、高周波コイルなどの加熱手段を用いて、電磁誘導によってＳｉＣ原料を収容した坩堝を発熱させる。このため、坩堝の内部は、側壁部が高温で、中央部が低温となる温度分布（温度ムラ）が生じる傾向がある。このような温度分布を有する坩堝の内部では、坩堝の壁側付近にて発生した昇華ガスが、坩堝の中央部で冷却されてＳｉＣが析出してしまいＳｉＣ原料が有効活用できないことがある。特に、大型坩堝では、側壁部と中央部との温度差が大きくなりやすいため、中央部でＳｉＣの析出が起こりやすくなる。

そして、坩堝の内部で析出したＳｉＣは、もとのＳｉＣ原料と状態が異なり、そのままの状態ではＳｉＣ原料として再使用することができない。このため、坩堝に収容されたＳｉＣ原料を、側壁部から中央部に至るまで温度差が小さくなるように均一に加熱し、効率よく昇華ガスを発生させることが可能なＳｉＣ単結晶成長用坩堝が望まれている。

坩堝内部のＳｉＣ原料を均一に、かつ安定に昇華させるために、例えば特許文献１には、坩堝内部の底部の中心に熱伝導体を設置したＳｉＣ単結晶成長用坩堝が記載されている。

特開平５−５８７７４号公報

しかしながら、特許文献１に記載されているＳｉＣ単結晶成長用坩堝は、底部の中心に熱伝導体が設置されているため、側壁部の外側を取り巻くように配置されたヒーターからの輻射熱によって、収容されたＳｉＣ原料を中央部まで効率的に加熱することは難しいという課題があった。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、大口径・長尺成長のＳｉＣ単結晶を製造することが可能な大型サイズの坩堝であっても、坩堝の中央部でのＳｉＣの析出が起こりにくく、ＳｉＣ原料を有効に利用することができるＳｉＣ単結晶成長用伝熱部材、ＳｉＣ単結晶成長用坩堝、およびＳｉＣ単結晶の製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
即ち、本発明のＳｉＣ単結晶成長用伝熱部材は、ＳｉＣ原料を収容する原料収容部と、前記原料収容部の上方に配置され種結晶を支持する種結晶支持部とを備えたＳｉＣ単結晶成長用坩堝に設けられるＳｉＣ単結晶成長用伝熱部材であって、前記原料収容部に収容された前記ＳｉＣ原料に下部が挿入され、上部が前記ＳｉＣ原料の表面よりも上方に向けて突出するように配される熱伝導性材料からなることを特徴とする。

また、本発明のＳｉＣ単結晶成長用坩堝は、ＳｉＣ原料を収容する原料収容部と、前記原料収容部の上方に配置され種結晶を支持する種結晶支持部と、を備え、前記原料収容部には、収容された前記ＳｉＣ原料に下部が挿入され、上部が前記ＳｉＣ原料の表面よりも上方に向けて突出する、熱伝導性材料からなる伝熱部材が配されることを特徴とする。

本発明によれば、原料収容部に配した伝熱部材によって、原料収容部に収容されたＳｉＣ原料の中央部の温度を高くすることができ、温度分布の均一性を高めることができる。よって、本実施形態のＳｉＣ単結晶成長用坩堝によれば、温度分布の均一性が高められ、原料収容部の中央部でＳｉＣが析出することが起こりにくくなり、ＳｉＣ原料を有効に利用することが可能となる。

また、本発明では、前記伝熱部材は前記原料収容部の中心軸に対して対称に複数個配されていてもよい。

また、本発明では、前記原料収容部の中心に近い位置に配された伝熱部材は、それよりも周縁側に配された伝熱部材よりも、前記上部の高さが高くなるように形成されていてもよい。

また、本発明では、前記伝熱部材は円柱棒状に形成されていてもよい。

また、本発明では、前記伝熱部材は湾曲板状に形成されていてもよい。

また、本発明では、前記伝熱部材は黒鉛材料から形成されていてもよい。

本発明のＳｉＣ単結晶の製造方法は、前記各項に記載のＳｉＣ単結晶成長用坩堝を用いたＳｉＣ単結晶の製造方法であって、前記ＳｉＣ単結晶成長用坩堝の外側に配された加熱手段によって、前記ＳｉＣ原料を加熱、昇華させる際に、前記ＳｉＣ単結晶成長用坩堝から前記ＳｉＣ原料の表面よりも上方に放射された輻射熱を前記伝熱部材の前記上部で吸収し、吸収した輻射熱を前記伝熱部材の前記下部に向けて伝搬させて、前記ＳｉＣ原料の直径方向の温度差を低減させることを特徴とする。

本発明によれば、大口径・長尺成長のＳｉＣ単結晶を製造することが可能な大型サイズの坩堝であっても、坩堝の中央部でのＳｉＣの析出が起こりにくく、ＳｉＣ原料を有効に利用することができるＳｉＣ単結晶成長用伝熱部材、ＳｉＣ単結晶成長用坩堝、およびＳｉＣ単結晶の製造方法を提供することが可能になる。

本発明の第１実施形態に係るＳｉＣ単結晶成長用坩堝を備えた単結晶製造装置を示す概略構成図である。本発明の第１実施形態に係るＳｉＣ単結晶成長用坩堝の原料収容部を斜め上方から見下ろした時の斜視図である。本発明の第１実施形態に係るＳｉＣ単結晶成長用坩堝を示す断面図である。本発明の第２実施形態に係るＳｉＣ単結晶成長用坩堝を構成する伝熱部材の配置状態を示した模式図である。本発明の第３実施形態に係るＳｉＣ単結晶成長用坩堝を構成する伝熱部材の配置状態を示した模式図である。本発明の第４実施形態に係るＳｉＣ単結晶成長用坩堝を構成する伝熱部材の配置状態を示した模式図である。本発明の検証例であるシミュレーションによる温度分布像である。

以下、本実施形態について、図を適宜参照しながら詳細に説明する。以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。以下の説明において例示される材質、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その効果を奏する範囲で適宜変更して実施することが可能である。

（ＳｉＣ単結晶成長用坩堝：第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るＳｉＣ単結晶成長用坩堝を備えた単結晶製造装置を示す概略構成図である。
単結晶製造装置１０は、ＳｉＣ単結晶成長用坩堝（以下、単に坩堝と称する）１１と、坩堝１１の周囲に配置される加熱手段（コイル）１２と、これらを覆う断熱筐体（外装体）１３とを備えている。

加熱手段１２は、例えば高周波コイルであり、高周波電流を流すことにより磁場を発生させて、電磁誘導により坩堝１１を１９００℃以上の温度に発熱させることができる。これにより、坩堝１１に収容されたＳｉＣ原料Ｍを加熱して、ＳｉＣ原料Ｍから原料昇華ガス（原料ガス）を発生させる。

断熱筐体１３は、断熱材や断熱材を内側に設けた遮蔽板などから構成され、加熱手段１２によって生じた熱が外部に放散することを防止する。

図２は、本発明の第１実施形態に係るＳｉＣ単結晶成長用坩堝の原料収容部を斜め上方から見下ろした時の斜視図である。また、図３は、ＳｉＣ単結晶成長用坩堝を示す断面図である。
坩堝１１は、下部に位置しＳｉＣ原料を収容する原料収容部２１と、原料収容部２１の上方に配置して、原料収容部２１に対向するように内側で結晶成長用基板（種結晶）Ｓを支持する蓋体（種結晶支持部）２２と、原料収容部２１に収容したＳｉＣ原料Ｍに挿入される伝熱部材（ＳｉＣ単結晶成長用伝熱部材）２３とから構成されている。

原料収容部２１は、例えば外形が有底中空円筒形を成し、上部の開放面が蓋体２２によって覆われる。坩堝１１を構成するこれら原料収容部２１および蓋体２２は、例えば、黒鉛、炭化タンタルなどのＳｉＣ単結晶成長用坩堝の材料として利用されている公知の耐熱材によって形成されていればよい。

伝熱部材（ＳｉＣ単結晶成長用伝熱部材）２３は、本実施形態では円柱棒状に形成されている。伝熱部材２３は、その下部２３ｂがＳｉＣ原料Ｍに挿入され、上部２３ａがＳｉＣ原料Ｍの表面Ｍｆから上方に向けて突出する。即ち、伝熱部材２３のうち、ＳｉＣ原料Ｍに挿入、埋設された領域を下部２３ｂとし、ＳｉＣ原料Ｍの表面Ｍｆから上方に向けて露出している領域を上部２３ａとする。本実施形態では、伝熱部材２３の下端２３ｅは、原料収容部２１の内底面２１ａに接する位置に達している。なお、伝熱部材（ＳｉＣ単結晶成長用伝熱部材）２３は、原料収容部２１の内底面２１ａに固着されていても、ＳｉＣ原料Ｍによって支えられ、原料収容部２１の内底面２１ａに固着していなくてもよい。即ち、伝熱部材（ＳｉＣ単結晶成長用伝熱部材）２３は、原料収容部２１と一体に形成されていても、別部材として配置されていてもよい。

本実施形態では、伝熱部材２３は、収容されたＳｉＣ原料Ｍの中心、即ち、原料収容部２１の中心軸Ｃに沿って１本だけ設けられている。
伝熱部材２３は、上部２３ａおよび下部２３ｂの長さの比が、例えば１：０．２〜１：５程度の範囲になるように立設される。

本実施形態の伝熱部材２３の具体的なサイズ例としては、内径が２００ｍｍの原料収容部２１を用いた時に、伝熱部材２３の長さは１０ｍｍ〜６０ｍｍ、直径は５ｍｍ〜３０ｍｍ程度にすればよい。

伝熱部材２３は、少なくとも長手方向（単結晶製造装置１０に坩堝１１を設置した際の上下方向（縦方向）に相当）の熱伝導率が４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の伝熱材料（熱伝導性材料）を含むものであるか、あるいは、少なくとも長手方向の熱伝導率が４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の伝熱材料からなるものである。この４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率は、坩堝１１の材料として用いられる黒鉛の熱伝導率を含む。

なお、伝熱部材２３に用いる伝熱材料は成長させるＳｉＣ単結晶が不純物により汚染されないよう、高純度化処理したものが好ましい。
断熱性遮蔽部材の熱伝導率としては、８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましく、１２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがさらに好ましい。

また、伝熱部材２３は、ＳｉＣ原料Ｍの昇華温度以上まで溶解、昇華することなく固体を保ち、かつ、原料収容部２１に収容されたＳｉＣ原料Ｍに対して化学反応して化合物が生じることのない伝熱材料を用いる必要がある。即ち、常温からＳｉＣ原料Ｍの昇華温度までの幅広い温度範囲において、ＳｉＣ原料Ｍに対して不活性で、かつ固体状態を保つ伝熱材料を選択する。

このような、熱伝導性に優れ、融点や昇華点が高く、かつＳｉＣに対して不活性な伝熱材料として、等方性高密度黒鉛材料が挙げられる。等方性高密度黒鉛材料は、気孔の少ない緻密な表面を持ち、ＳｉＣに対して不活性であり、ＳｉＣ原料Ｍの昇華温度を超えて固体状態を保つことができ、熱伝導率が約１２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上と高い。

伝熱部材２３は輻射熱を吸収させる目的があるため、放射率が大きい方がよい。放射率が大きいほど輻射熱の吸収が高められる。伝熱部材２３の放射率は、好ましくは０．５以上、より好ましくは０．７以上とするのがよい。また、伝熱部材２３の外径部表面を粗く加工するなどして放射率を増加させてもよい。

（ＳｉＣ単結晶の製造方法）
以上のような構成の本実施形態のＳｉＣ単結晶成長用坩堝の作用、およびＳｉＣ単結晶の製造方法について図１、図３を参照して説明する。
本実施形態の坩堝１１を備えた単結晶製造装置１０を用いてＳｉＣ単結晶を製造する際には、原料収容部２１の内底面２１ａの中心に伝熱部材２３の下端２３ｅが接するように伝熱部材２３を直立させた状態で保持し、所定量のＳｉＣ原料Ｍを原料収容部２１に収容（充填）するか、あるいは、原料収容部２１に所定量のＳｉＣ原料Ｍを収容した後に、ＳｉＣ原料Ｍの中心に伝熱部材２３を直立状態で挿入する。

これにより、原料収容部２１に収容されたＳｉＣ原料Ｍの中心に下部２３ｂが挿入され、上部２３ａがＳｉＣ原料Ｍの表面Ｍｆから上方に向けて突出した状態で、円柱棒状の伝熱部材２３が坩堝１１内に配置される。

次に、内側に結晶成長用基板（種結晶）Ｓを支持させた蓋体（種結晶支持部）２２を原料収容部２１に被せて、結合部分を密着させる。

次に、加熱手段（コイル）１２に高周波電流を流し、電磁誘導によって、原料収容部２１に収容されたＳｉＣ原料Ｍを昇華温度まで加熱する。これにより、ＳｉＣ原料Ｍから原料昇華ガスが発生する。そして、ＳｉＣ原料Ｍと種結晶Ｓとの間の温度勾配（原料温度＞種結晶温度）によって原料昇華ガスが種結晶Ｓの近傍に拡散、輸送される。そして、原料昇華ガスは温度差により過飽和状態となって種結晶Ｓ上に再析出する。こうした過程が継続することにより、種結晶Ｓ上にＳｉＣ単結晶が成長する。

こうした結晶成長工程において、伝熱部材２３は、坩堝１１からＳｉＣ原料Ｍの表面Ｍｆよりも上方に放射された輻射熱Ｑを伝熱部材２３の上部２３ａで吸収し、吸収した輻射熱Ｑを伝熱部材２３の下部２３ｂに向けて伝搬させる。これにより、坩堝１１から離れたＳｉＣ原料Ｍの中心部分の温度低下を防止し、ＳｉＣ原料Ｍの直径方向の温度差を低減させる。

このように、ＳｉＣ原料Ｍの直径方向の中心に配した伝熱部材２３によって、原料収容部２１に収容されたＳｉＣ原料Ｍの中央部の温度を高くすることができ、温度分布の均一性を高くすることができる。よって、本実施形態のＳｉＣ単結晶成長用坩堝１１によれば、温度分布の均一性が高められ、原料収容部２１の中央部でＳｉＣが析出することが起こりにくくなり、ＳｉＣ原料Ｍを有効に利用することが可能となる。

（ＳｉＣ単結晶成長用坩堝：第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態に係るＳｉＣ単結晶成長用坩堝を構成する伝熱部材の配置状態を示した模式図である。
この第２実施形態のＳｉＣ単結晶成長用坩堝では、複数、例えば７本の円柱棒状の伝熱部材３３，３３…をＳｉＣ原料Ｍに配している。複数の伝熱部材３３，３３…は、そのうちの１本がＳｉＣ原料Ｍの中心に配され、残りの６本が、ＳｉＣ原料Ｍの中心の周囲の同心円上を均等な間隔で取り巻くように対称に配されている。

このような実施形態では、伝熱部材３３，３３…を複数配することによって、ＳｉＣ原料Ｍの中央部から幅広い範囲で温度を高くすることができ、温度分布の均一性をより一層高くすることができる。

（ＳｉＣ単結晶成長用坩堝：第３実施形態）
図５は、本発明の第３実施形態に係るＳｉＣ単結晶成長用坩堝を構成する伝熱部材の配置状態を示した模式図である。
この第３実施形態のＳｉＣ単結晶成長用坩堝では、複数、例えば７本の円柱棒状の伝熱部材４３，４３…をＳｉＣ原料Ｍに配している。複数の伝熱部材４３，４３…は、そのうちの１本の伝熱部材４３ＡがＳｉＣ原料Ｍの中心に配され、残りの６本の伝熱部材４３Ｂが、ＳｉＣ原料Ｍの中心の周囲の同心円上を均等な間隔で取り巻くように対称に配されている。そして、ＳｉＣ原料Ｍの中心に配された伝熱部材４３Ａは、それよりも周縁側に配された伝熱部材４３Ｂよりも、上部４３ａの高さが高くなるように形成されている。

このような実施形態では、ＳｉＣ原料Ｍの中心に配された伝熱部材４３Ａは、それよりも周縁側に配された伝熱部材４３Ｂよりも上部４３ａの露出表面積が大きくなる。このため、伝熱部材４３Ｂよりも坩堝１１から離れた伝熱部材４３Ａの輻射熱の吸収力が高められ、ＳｉＣ原料Ｍの温度分布の均一性をより一層高くすることができる。

（ＳｉＣ単結晶成長用坩堝：第４実施形態）
図６は、本発明の第４実施形態に係るＳｉＣ単結晶成長用坩堝を構成する伝熱部材の配置状態を示した模式図である。
この第４実施形態のＳｉＣ単結晶成長用坩堝では、湾曲した板状の伝熱部材５３，５３…をＳｉＣ原料Ｍに配している。それぞれの伝熱部材５３は、筒状体を長手方向に複数に分割した形状を成す。こうした伝熱部材５３，５３…が、ＳｉＣ原料Ｍの中心を取り巻くように、２つの同心円上に配置されている。

このような実施形態の伝熱部材５３，５３…は、例えば円柱棒状の伝熱部材と比べて上部の露出面積が大きくなるので、坩堝１１から放射された輻射熱の吸収力が高められ、ＳｉＣ原料Ｍの温度分布の均一性をより一層高くすることができる。

以上、本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
例えば、コイルと坩堝の間に発熱体を設けて、坩堝を間接的に加熱する形態も本発明の範囲に含まれる。

（実施例）
本発明の効果を検証した。
検証にあたって、図３に示すようなモデルを用いて、伝熱部材を備えた本発明のＳｉＣ単結晶成長用坩堝と、伝熱部材を有しない従来のＳｉＣ単結晶成長用坩堝を用いて、種結晶の表面温度のシミュレーションを行った。

シミュレーションは、STR-Group Ltd社製の気相結晶成長解析ソフト「Virtual Reactor」を用いて行った。シミュレーションに用いた単結晶製造装置の構造モデルとしては、伝熱部材によるＳｉＣ原料の中心側への熱伝搬の改善効果を確認するために、円柱状の原料収容部と、蓋体の内側裏面に台座と、原料収容部にＳｉＣ原料とを有し、台座に種結晶を配置したシンプルな構造を採用した。
伝熱部材は、直径２０ｍｍ、長さ１２０ｍｍの円柱棒状（図２に相当）のものと、縦方向の長さ１２０ｍｍ、厚み１０ｍｍの湾曲板状（図５に相当：但し、モデルとして湾曲板状部材どうしの間も繋がった円筒形とした）のものをそれぞれ用いた。

図７に、シミュレーションによる温度分布像を示す。
このうち、（ａ）は、円柱棒状の伝熱部材を用いたもの（本発明例）、（ｂ）は、湾曲板状の伝熱部材を用いたもの（本発明例）、（ｃ）は、伝熱部材を用いないもの（従来例）の結果を示している。

図６に示すシミュレーション結果によれば、伝熱部材を備えない従来例と比較して、２つの本発明例は、いずれも中心付近までより温度が高くなっており、輻射熱を伝熱部材が吸収してＳｉＣ原料に伝搬させることにより、ＳｉＣ原料の温度均一性が向上することが確認された。

１０…単結晶製造装置
１１…ＳｉＣ単結晶成長用坩堝（坩堝）
１２…加熱手段（コイル）
１３…断熱筐体（外装体）
２１…原料収容部
２２…蓋体（種結晶支持部）
２３…ＳｉＣ単結晶成長用伝熱部材（伝熱部材）
Ｍ…ＳｉＣ原料
Ｓ…結晶成長用基板（種結晶）

なお、伝熱部材２３に用いる伝熱材料は成長させるＳｉＣ単結晶が不純物により汚染されないよう、高純度化処理したものが好ましい。
伝熱部材２３の熱伝導率としては、８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましく、１２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがさらに好ましい。

Claims

ＳｉＣ原料を収容する原料収容部と、前記原料収容部の上方に配置され種結晶を支持する種結晶支持部とを備えたＳｉＣ単結晶成長用坩堝に設けられるＳｉＣ単結晶成長用伝熱部材であって、
前記原料収容部に収容された前記ＳｉＣ原料に下部が挿入され、上部が前記ＳｉＣ原料の表面よりも上方に向けて突出するように配される熱伝導性材料からなることを特徴とするＳｉＣ単結晶成長用伝熱部材。
ＳｉＣ原料を収容する原料収容部と、前記原料収容部の上方に配置され種結晶を支持する種結晶支持部と、を備え、
前記原料収容部には、収容された前記ＳｉＣ原料に下部が挿入され、上部が前記ＳｉＣ原料の表面よりも上方に向けて突出する、熱伝導性材料からなる伝熱部材が配されることを特徴とするＳｉＣ単結晶成長用坩堝。
前記伝熱部材は前記原料収容部の中心軸に対して対称に複数個配されていることを特徴とする請求項２に記載のＳｉＣ単結晶成長用坩堝。
前記原料収容部の中心に近い位置に配された伝熱部材は、それよりも周縁側に配された伝熱部材よりも、前記上部の高さが高くなるように形成されていることを特徴とする請求項３に記載のＳｉＣ単結晶成長用坩堝。
前記伝熱部材は円柱棒状に形成されていることを特徴とする請求項２から４のいずれか一項に記載のＳｉＣ単結晶成長用坩堝。
前記伝熱部材は湾曲板状に形成されていることを特徴とする請求項２から４のいずれか一項に記載のＳｉＣ単結晶成長用坩堝。
前記伝熱部材は黒鉛材料からなることを特徴とする請求項２から６のいずれか一項に記載のＳｉＣ単結晶成長用坩堝。
請求項２から７のいずれか一項に記載のＳｉＣ単結晶成長用坩堝を用いたＳｉＣ単結晶の製造方法であって、
前記ＳｉＣ単結晶成長用坩堝の外側に配された加熱手段によって、前記ＳｉＣ原料を加熱、昇華させる際に、前記ＳｉＣ単結晶成長用坩堝から前記ＳｉＣ原料の表面よりも上方に放射された輻射熱を前記伝熱部材の前記上部で吸収し、吸収した輻射熱を前記伝熱部材の前記下部に向けて伝搬させて、前記ＳｉＣ原料の直径方向の温度差を低減させることを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造方法。