JP5573753B2 - SiC成長装置 - Google Patents
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Description
図4に従来のSiC成長装置の一例を示す。例えば図4に示すようなSiC成長装置100を用いる昇華法では、グラファイト製のルツボ101と上蓋102からなる成長容器106内を、2000℃前後ないしそれ以上の高温にして、原料103である粉末のSiCを昇華させて、種基板109上にSiC結晶104を結晶成長させる。
成長容器106は、成長容器106内の熱が失われるのを抑制するために断熱材108で囲われている。この断熱材108には、パイロメーター107で温度測定するための穴105が少なくとも一つ設けられている。
ルツボと側壁がこのような高さの関係であれば、ルツボ底部での温度低下を効果的に抑制して、ルツボ内の温度をより効率的に制御できる装置となる。
このような側壁であれば、局所的に発熱量をより多くできるため、より効率良くルツボ内温度を制御できる装置となる。
図1は、本発明のSiC成長装置の一例を示す概略図である。
成長容器18を構成するルツボ15と上蓋14は、例えば耐熱性のあるグラファイトで形成される。また、結晶成長の際には、不図示の石英管又はチャンバー内に成長容器18をセットして、真空排気しながらAr等の不活性ガスを供給することにより、不活性ガス雰囲気の減圧下で結晶成長を行う。
ヒータ21は、RH(抵抗加熱)又はRF(高周波)加熱を行うものを用いることができる。また、温度測定器17としては、パイロメーターを用いることで、ルツボ15の外部から、断熱材16の温度測定用の穴19を通して、非接触で温度測定を精度良く行うことができる。
このような側壁11を形成することで、例えば高周波加熱コイル等のヒーター21からの磁束や熱を側壁11が受けて、ルツボ15の下部がヒーター21により効率的に加熱される。これにより、断熱材16に、温度測定用の穴19をルツボ15の底部の下面20まで貫通するように形成して多少の熱が漏れたとしても、側壁11の存在によりルツボ15底部の温度低下を効果的に抑制できる。従って、SiC原料22が未昇華のまま残ってしまうこともなく、また、SiC原料22のほとんど全てを所望の温度で昇華させることができるので、生産性良く結晶性の良いSiC結晶13を成長させることができる。この際、ヒーター21はルツボ15底部での発熱を特に高くする等の特別な制御を行う必要が無いため、温度制御が容易である。
以上より、本発明の装置10であれば、ルツボ15底部でのSiC原料22の未昇華を防止でき、さらに、ルツボ15内、特に底部での温度を正確に測定できるため精度良く温度制御でき、結晶性の良いSiC結晶13を成長させることができる。
上記のような外径であれば、特に温度低下する温度測定用の穴19を近くで囲むように側壁11を形成できるため、ルツボ15底部の温度低下をより効果的に抑制できる。
このような側壁11の高さであれば、ルツボ15の底部をより効果的に熱することができ、ルツボ15底部の温度低下をより効率的に防止できる。
まず、SiC原料22としてSiCの粉末原料をルツボ15に収容し、SiC単結晶の種基板12を上蓋14に配置し、上蓋14を閉じる。
そして、成長容器18を不図示の石英管内にセットし、高真空状態にして、例えばArガスを供給することでAr雰囲気にする。昇華速度を上げるために、真空排気とArガスの供給を制御して、成長容器18内を減圧状態に保つ。そして、ヒーター21で加熱して2000℃以上の温度にまで昇温して、温度測定用の穴19を通して温度測定器17によりルツボ15の底部の下面20の温度を測定してルツボ15内の温度を検出しながら、該測定結果を基にヒーター21の出力を制御して温度を調節する。この高温により、SiC原料を昇華させて、種基板12上にSiC結晶13を成長させる。当該結晶成長時には、ルツボ15内でも種基板12の温度がSiC原料22の温度より低くなるように温度制御する。
(実施例)
図1に示すようなSiC成長装置を用いて、昇華法によりSiC結晶成長を行った場合のルツボ内の温度分布をシミュレーションした。側壁は円筒状で、ルツボと同じグラファイト製のものとした。温度測定用の穴は、図1に示すように断熱材のルツボ底部の下面中央に相当する位置に穴を貫通させて形成したものとした。温度分布のシミュレーション結果を図3(a)に示す。
図4に示すようなSiC成長装置を用いた以外は実施例と同様に、昇華法によりSiC結晶成長を行った場合のルツボ内の温度分布をシミュレーションした。温度測定用の穴も同じ位置に形成したものとした。温度分布のシミュレーション結果を図3(b)に示す。
14…上蓋、 15…ルツボ、 16…断熱材、 17…温度測定器、
18…成長容器、 19…温度測定用の穴、 20…ルツボの底部の下面、
21…ヒーター、 22…SiC原料。
Claims (2)
- SiC原料を収容するルツボ及び前記SiC原料に対向するように種基板が取り付けられる上蓋からなる成長容器と、該成長容器を囲う断熱材と、該断熱材に設けられた温度測定用の穴を通して、前記ルツボ内の温度を測定する温度測定器と、前記SiC原料を加熱するヒーターとを備え、昇華法により、前記SiC原料を加熱して昇華させ、前記種基板上にSiCを結晶成長させるSiC成長装置であって、
前記ルツボの底部の下面の少なくとも一部が、該下面から下方に突出した側壁を有し、前記断熱材に設けられた温度測定用の穴が、前記ルツボの底部の下面にまで貫通しているものであり、
前記ルツボの下面から下方に突出した側壁の外径が、前記ルツボの外径よりも小さいものであることを特徴とするSiC成長装置。 - 前記ルツボの高さLと前記側壁の高さTとが、T/L≧0.02を満たすものであることを特徴とする請求項1に記載のSiC成長装置。
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