KR101724290B1 - 탄화규소 단결정 성장장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 탄화규소 단결정 성장장치에 관한 것이다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장장치는 도가니본체;와, 상기 도가니본체를 수용하는 석영관;과, 상기 석영관의 외부에 배치되어, 상기 석영관을 통하여 상기 도가니본체에 열을 가하는 제1가열유닛;과, 상기 석영관의 내부 및 상기 도가니본체의 외부에 배치되어, 상기 도가니본체에 열을 가하는 제2가열유닛;과, 상기 도가니본체의 외주를 감싸는 단열수단; 및 상기 석영관에 연결되고, 상기 단열수단의 외부에 배치되어 외주가 상기 단열수단의 외주와 접촉하며, 상기 도가니본체와 상기 단열수단을 지지하는 지지프레임;을 포함하되, 상기 제2가열유닛은, 상기 지지프레임의 내부에 배치되어, 상기 지지프레임에 수용되고, 상기 지지프레임은, 상기 단열수단과 상기 제2가열유닛의 접촉을 차단하게 제공될 수 있다.

Description

탄화규소 단결정 성장장치{Apparatus for growing silicon carbide single crystal}
본 발명은 탄화규소 단결정 성장장치에 관한 것이다.
대표적인 차세대 반도체 소자 재료인 탄화규소(SiC)는 열적 안정과 내산화성이 우수한 특징이 있다. 또한, 열전도도가 4.6W/Cm℃ 정도로서 매우 우수하고, 직경 4inch이상의 대구경의 기판으로서 생산 가능하다는 장점이 있다.
이와 같이 우수한 물리적 특징과 큰 잠재력을 가진 탄화규소는 유망한 와이드 밴드갭 반도체 물질 중 하나이다. 와이드 밴드갭 반도체 물질은 실리콘(Si)을 대신하여 전력변환 시 전력손실을 대폭 줄일 수 있는 차세대 반도체 물질을 말한다.
이러한 탄화규소의 단결정 성장 방법 중 하나인 물리적 기상 수송법(PVT : Physical Vapor Transport)은 대구경화와 높은 성장률을 가지기 때문에 탄화규소의 단결정 성장 방법으로 널리 이용되고 있다.
물리적 기상 수송법을 통한 탄화규소 단결정 성장 방법은 도가니를 포함하는 성장장비 내부에 탄화규소 종자정을 부착한다. 그리고 도가니 내부에 탄화규소 파우더를 장입하고 가열한 뒤, 이를 승화시켜 종자정에 단결정을 성장시키는 방법이다.
그러나 이와 같은 물리적 기상 수송법을 통해 단결정을 성장시키는 동안 압력, 온도 및 여러 변수들의 제어가 쉽지 않으며 특히, 원료물질인 탄화규소 파우더를 가열하고 이를 승화시키는 과정에서 발생하는 열의 전도 및 복사를 제어하기가 쉽지 않다.
또한 이러한 단결정 성장 방법에 있어서, 구경의 크기는 성장된 단결정의 품질 특성과 수율에 큰 영향을 미치게 된다. 이는 구경의 크기가 커질수록 열의 전도 및 복사를 제어하기 어렵기 때문인데 이와 관련하여, 도 1과 도 2를 참조하면 도가니(10)의 열해석 결과를 알 수 있다.
도 1에서 도가니(10)의 중심으로부터 외주까지의 거리(D1)와, 도 2에서 도가니(10)의 중심으로부터 외주까지의 거리(D2)를 비교하면 도 1에 나타난 D1보다 도 2에 나타난 D2의 값이 더 크다. 즉, 도 2에서 나타난 구경의 크기가 도 1에 나타난 구경의 크기보다 더 큰 것을 알 수 있고, 도 2에 나타난 열해석 결과에서 도가니(10)의 직경방향으로 온도편차가 더 큰 것을 알 수 있다.
이와 같이 구경의 크기가 커질수록 도가니(10)의 크기도 커지게 되어 도가니 직경방향으로의 온도편차가 많이 생기게 되고, 이러한 온도편차는 원료 파우더의 균일한 승화를 어렵게 만들어 폴리타입(polytype), 적층 불량(stacking faults), 마이크로 파이프(micropipe) 등의 결함을 유발하는 원인이 된다.
본 발명은 고품질의 탄화규소 단결정을 구현하는 것을 일 목적으로 한다.
구체적으로, 구경의 크기가 커질 때 온도편차가 발생하는 것을 방지하고, 탄화규소 분말을 균일하게 승화시키는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 단결정을 성장시키는 공정시간을 단축하여 공정의 효율성을 증대시키는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 탄화규소 단결정 성장장치에 관한 것이다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장장치는 도가니본체;와, 상기 도가니본체를 수용하는 석영관;과, 상기 석영관의 외부에 배치되어, 상기 석영관을 통하여 상기 도가니본체에 열을 가하는 제1가열유닛;과, 상기 석영관의 내부 및 상기 도가니본체의 외부에 배치되어, 상기 도가니본체에 열을 가하는 제2가열유닛;과, 상기 도가니본체의 외주를 감싸는 단열수단; 및 상기 석영관에 연결되고, 상기 단열수단의 외부에 배치되어 외주가 상기 단열수단의 외주와 접촉하며, 상기 도가니본체와 상기 단열수단을 지지하는 지지프레임;을 포함하되, 상기 제2가열유닛은, 상기 지지프레임의 내부에 배치되어, 상기 지지프레임에 수용되고, 상기 지지프레임은, 상기 단열수단과 상기 제2가열유닛의 접촉을 차단하게 제공될 수 있다.
바람직하게는, 상기 제2가열유닛은, 상기 도가니본체의 수평온도편차를 차단하도록 상기 도가니본체의 하부에서 상기 도가니본체의 직경방향으로 배치될 수 있다.
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보다 바람직하게는, 상기 지지프레임을 관통하여 구비되되, 상기 제2가열유닛에 대면하게 배치되는 온도측정용홀;을 더 포함할 수 있다.
보다 바람직하게는, 상기 제2가열유닛은, 상기 도가니본체의 하부에 대면하는 중공부를 구비하는 고주파 유도 코일로 구비될 수 있다.
보다 바람직하게는, 상기 제2가열유닛은, 상기 도가니본체의 원주방향으로 복수회 감기게 놓이는 나선형 고주파 유도 코일로 구비되고, 상기 중공부의 직경은 20mm이상 50mm이하의 범위의 값일 수 있다.
보다 바람직하게는, 상기 제1가열유닛은, 상기 제2가열유닛이 상기 도가니본체로부터 이격되는 거리보다 상기 도가니본체로부터 더 멀리 이격될 수 있다.
보다 바람직하게는, 상기 도가니본체의 벽 두께는, 15mm이상 25mm이하의 범위의 값이고, 상기 제1가열유닛은, 고주파 유도 코일로 구비되고, 주파수 8kHz이상 12kHz이하이며, 상기 제2가열유닛은, 고주파 유도 코일로 구비되고, 주파수 19kHz이상 22kHz미만일 수 있다.
본 발명에 따르면 도가니에서 발생하는 온도편차 특히, 직경방향으로의 온도편차를 방지할 수 있다.
또한, 구경의 크기가 커지더라도 탄화규소 분말의 균일한 승화가 가능하며, 잉곳의 수율이 증대되는 효과가 있다.
이로써, 탄화규소 단결정의 품질이 향상되고, 공정의 효율성이 증대되는 효과가 있다.
도 1은 종래 탄화규소 단결정 성장장치의 도가니 열해석 결과이다.
도 2는 종래 탄화규소 단결정 성장장치의 도가니 열해석 결과이다.
도 3은 본 발명에 따른 탄화규소 단결정 성장장치의 개념도이다.
도 4는 본 발명에 따른 탄화규소 단결정 성장장치의 제2가열유닛의 개념도이다.
도 5는 종래 탄화규소 단결정 성장장치의 도가니 열해석 결과이다.
도 6은 본 발명에 따른 탄화규소 단결정 성장장치의 도가니 열해석 결과이다.
도 7은 종래 탄화규소 단결정 성장장치에서 성장된 탄화규소 단결정의 단면이다.
도 8은 본 발명에 따른 탄화규소 단결정 성장장치에서 성장된 탄화규소 단결정의 단면이다.
본 발명의 실시예에 관한 설명의 이해를 돕기 위하여 첨부된 도면에 동일한 부호로 기재된 요소는 동일한 요소이고, 각 실시예에서 동일한 작용을 하는 구성요소 중 관련된 구성요소는 동일 또는 연장 선상의 숫자로 표기하였다.
또한, 본 발명의 요지를 명확히 하기 위하여 종래의 기술에 의해 익히 알려진 요소와 기술에 대한 설명은 생략하며, 이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명에 관하여 상세히 설명하도록 한다.
다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시예에 제한되지 아니하고, 당업자에 의해 특정 구성요소가 추가, 변경, 삭제된 다른 형태로도 제안될 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명과 동일한 사상의 범위 내에 포함됨을 밝혀 둔다.
본 발명은 탄화규소 단결정 특히, 탄화규소 대구경 단결정의 품질을 향상시키는 것을 일 목적으로 한다. 이를 위하여, 구경의 크기가 증가할 때 함께 증가하는 도가니의 크기에 의하여 도가니에서 온도편차가 발생하는 것을 방지하는 것을 일 목적으로 한다.
특히, 도 1 및 도 2에서 보이는 것처럼 도가니(10)의 크기가 증가할 때 도가니(10)의 직경방향으로 온도편차가 많이 발생함에 따라, 도가니(10)의 직경방향 즉, 수평온도편차를 방지하여 중심부가 볼록하지 않은 고품질의 잉곳을 얻음으로써 고품질의 탄화규소 단결정을 얻는 것을 일 목적으로 한다.
먼저, 도 3에서 보이듯이, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장장치(100)는 도가니본체(110)와, 상기 도가니본체(110)를 수용하는 석영관(120) 및 상기 석영관(120)의 외부와 내부에 각각 배치되어 열을 가하는 가열수단(150)을 포함한다.
석영관(120)의 수용공간(121)에 수용된 도가니본체(110)의 내부에는 탄화규소 분말(20)이 장입되어 상기 도가니본체(110)의 하부에 위치하게 되며, 도가니본체(110)의 상부에는 탄화규소로 이루어진 종자정이 결합된 종자정 홀더가 장착된다.
그리고, 1000℃ 미만의 온도와 진공압력으로 2~3시간 동안 도가니본체(110)를 가열하여 불순물을 제거하는 공정이 실시된다.
이와 같이 도가니본체(110)를 가열하기 위하여 가열수단(150)이 구비되며, 상기 가열수단(150)은 바람직하게 고주파 유도 코일로 구비될 수 있다. 그리고, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면 상기 가열수단(150)은 석영관(120)의 외부에 배치되는 제1가열유닛(130)과 상기 석영관(120)의 내부에 배치되는 제2가열유닛(140)을 포함할 수 있다.
먼저, 제1가열유닛(130)은 석영관(120)의 외부에서 상기 석영관(120)을 감싸는 고주파 유도 코일로 구비될 수 있다. 그리고, 제2가열유닛(140)은 상기 석영관(120)의 수용공간(121)에 설치되며, 도가니본체(110)의 하부 즉, 탄화규소 분말(20)의 하부에 배치된다.
이때 바람직하게, 도가니본체(110)의 단열을 위하여 상기 도가니본체(110)의 외부에는 단열수단(160)이 배치되고, 상기 단열수단(160)은 도가니본체(110)를 감싸서 단열작용을 수행할 수 있다. 이러한 경우, 상기 제2가열유닛(140)은 단열수단(160)의 외부에 배치되게 된다.
도 4에는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 제2가열유닛(140)이 도시되어 있다. 상기 제2가열유닛(140)은 도가니본체(110)의 하부에 대면하는 중공부(141)를 구비하는 고주파 유도 코일(142)로 구비될 수 있다.
그리고, 상기 제2가열유닛(140)은 도가니본체(110)의 원주방향으로 복수회 감기게 놓이는 나선형의 고주파 유도 코일(142)로 구비될 수 있는데, 이와 같이 구비되는 제2가열유닛(140)은 제1가열유닛(130)보다 크기의 제약이 적기 때문에, 석영관(120) 내부에 위치하여 도가니본체(110)의 하단부를 보다 효율적으로 가열할 수 있다.
여기서, 상기 고주파 유도 코일(142)이 감기는 횟수는 도가니본체(110)의 직경에 따라 달라지게 되며, 도가니본체(110)의 직경이 커질수록 더 많은 횟수가 감기게 된다.
즉, 고주파 유도 코일(142)의 외주가 도 3에 도시된 도가니본체(110)의 외주에 대응될 때까지 감기는 것이 바람직하다. 이와 같이 고주파 유도 코일(142)이 점차 감기게 되면 고주파 유도 코일(142)의 직경이 점차 증가하게 됨에 따라 상기 고주파 유도 코일(142)의 외주는 점차 도가니본체(110)의 직경방향으로 전진 배치되면서 결국 상기 고주파 유도 코일(142)의 외주가 도가니본체(110)의 외주에 다다르게 된다.
이와 같이 구성되는 제2가열유닛(140)에 따르면 도가니본체(110)의 크기가 증가하여 도가니본체(110)의 직경이 커지더라도 증가된 도가니본체(110)의 직경에맞추어 제2가열유닛(140)의 크기를 증가시킬 수 있다.
따라서, 구경이 커져 도가니본체(110)의 직경이 커지더라도 도가니본체(110)의 직경방향으로 발생하는 수평온도편차를 방지할 수 있는 효과가 있다.
이와 같이 구성되는 가열수단(150)을 통하여 석영관(120) 및 도가니본체(110)에 열을 가하여 불순물을 제거하는 공정이 실시된다. 이후, 불활성 가스 예를 들어, 아르곤(Ar) 가스를 주입하여 도가니본체(110) 내부와, 도가니본체(110)와 단열수단(160) 사이에 남아있는 공기를 제거하는 공정이 실시된다.
불활성 가스를 이용한 이와 같은 공정을 퍼징(purging) 공정이라 하는데, 이와 같은 퍼징 공정을 2~3회 반복하는 것이 바람직하다.
이어서 압력을 대기압으로 높인 후, 가열수단(150)을 이용하여 도가니본체(110)를 2000℃~2300℃의 온도로 가열한다. 여기서, 대기압을 유지하는 이유는 결정 성장 초기에 원하지 않는 결정다형(polymorphism)의 발생을 방지하기 위함이다.
즉, 대기압을 유지하며 탄화규소 분말(20)의 성장 온도에 이를 때까지 가열한 뒤, 1 torr~20 torr 로 감압하여 성장 압력으로 유지시키면서 탄화규소 분말을 승화시켜 단결정을 성장시킨다.
이때, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면 상기 도가니본체(110)의 벽 두께는 약 15mm~25mm로 구비될 수 있다. 이러한 경우, 제1가열유닛(130)의 코일 주파수는 8kHz이상 12kHz이하로 하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 제2가열유닛(140)의 코일 주파수는 19kHz이상 22kHz미만인 것이 바람직하다. 즉, 제2가열유닛(140)은 제1가열유닛(130)보다 도가니본체(110)에 더욱 가깝게 배치되기 때문에 19kHz이상 22kHz미만의 주파수를 유지하는 것이 바람직하다.
이와 같은 주파수를 유지하는 이유는 제2가열유닛(140)의 주파수가 18kHz이하인 경우에는 제1가열유닛(130)과 간섭이 일어날 확률이 높고, 22kHz이상인 경우 침투 깊이가 얇아져 효율이 떨어지게 되기 때문이다.
따라서, 도가니본체(110)의 벽 두께가 15mm~25mm인 경우에, 제1가열유닛(130)의 주파수는 8kHz이상 12kHz이하로 하고, 제2가열유닛(140)의 주파수는 19kHz이상 22kHz미만으로 하는 것이 고품질의 단결정을 구현함에 있어 효과적일 수 있다.
한편, 탄화규소 단결정 성장장치는 온도 측정이 필요한데, 이를 위해 도 3에 보이는 것처럼 석영관(120)의 하부에 지지프레임(170)이 연결될 수 있다. 상기 지지프레임(170)은 석영관(120)의 하부 일측에 연결되어 단열수단(160)까지 연장되며, 이로써 상기 석영관(120) 내부에서 상기 도가니본체(110) 및 단열수단(160)을 지지하게 된다.
일예로, 상기 지지프레임(170)의 내부에는 제2가열유닛(140)이 배치될 수도 있는데, 이와 같이 지지프레임(170)이 상기 제2가열유닛(140)을 수용하도록 하면, 상기 제2가열유닛(140)의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
그리고, 본 발명에 따른 탄화규소 단결정 성장장치는 상기 지지프레임(170)의 일측을 관통하되, 도 4에 보이는 제2가열유닛(140)의 중공부(141)에 대면하는 위치에 구비되는 온도측정용홀(180)을 더 구비할 수 있다.
또한, 단열수단(160)에 접촉하고 있는 지지프레임(170)의 일측에도 상기 온도측정용홀(180)에 대응되는 위치에 관통홀(171)이 구비될 수 있고, 상기 단열수단(160)의 하부 일측에도 상기 관통홀(171)에 대응되는 위치에 배치되는 관통홀(161)이 구비될 수 있다.
이로써, 상기 도가니본체(110)의 하부에서 온도측정용홀(180)과, 관통홀(171,161)이 일직선상에 놓일 수 있다.
그리고, 상기 지지프레임(170)의 하부에 있는 온도측정용홀(180)을 통해 온도측정수단(200)으로 온도를 측정할 수 있다. 바람직하게, 상기 온도측정수단(200)은 고온계(pyrometer)로 구비될 수 있으나, 이는 본 발명에 의해 한정되는 것은 아니며 당업자에 의해 적절히 변경되어 적용될 수 있는 사항이다.
상기 고온계에 의하면 2000℃이상의 고온영역을 용이하게 측정할 수 있는 효과가 있다. 이때, 고온계를 사용하기 위해서는 온도 측정 대상물까지 가려지는 부분이 없어야 하는데 상기의 온도측정용홀(180)과, 관통홀(171,161)이 일직선상에 놓임으로써 고온계에 의한 온도 측정이 가능하다.
아울러, 도 4에 보이는 제2가열유닛(140) 또한 고온계에 의한 온도측정에 간섭을 일으키지 않도록 중공부(141)를 구비한 것이다. 이때, 상기 중공부(141)의 직경은 약 20mm~50mm로 구비될 수 있다.
그 이유는 중공부(141)의 크기가 20mm이하일 때에는 고온계에 의한 온도측정에 간섭을 일으키게 되며, 50mm이상일 때에는 도가니본체(110)의 중심부가 너무 많이 비게 되기 때문에 중심부의 온도가 가장자리부의 온도에 비하여 현저히 떨어지게 되어 수평온도편차 제어에 영향을 미칠 수 있기 때문이다.
그러나, 이는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 것으로서, 도가니본체(110)의 직경, 벽 두께, 구경의 크기 등의 요소를 고려하여 당업자에 의해 적절히 변경될 수 있는 사항이다.
이와 같이 구성되는 본 발명에 따른 탄화규소 단결정 성장장치에 의하여 탄화규소 분말을 가열할 때의 수평방향으로의 온도편차를 방지할 수 있다.
즉, 도 5는 종래 기술에 의해 가열되는 도가니본체(110)의 열해석 결과로서, 도가니본체(110)의 중심에서부터 가장자리까지의 거리(D3)까지의 온도분포를 볼 때, 가장자리부분에 비하여 중심부분의 온도가 더욱 낮아 도가니본체(110)의 직경방향으로 온도편차가 발생하는 것을 알 수 있다.
이에 반해, 도 6은 본 발명에 의해 가열되는 도가니본체(110)의 열해석 결과로서, 도가니본체(110)의 중심에서부터 가장자리까지의 거리(D4)까지의 온도분포를 볼 때, 도 5에 보이는 중심부분의 저온현상이 사라진 것을 알 수 있다. 그리고, 중심부분부터 가장자리까지 이르는 영역에서 균일한 온도분포를 보이는 것을 알 수 있다.
한편, 도 7에 도시된 것은 종래 기술에 의하여 성장된 탄화수소 단결정(30)의 종단면 사진이고, 도 8에 도시된 것은 본 발명에 의하여 성장된 탄화수소 단결정(30)의 종단면 사진이다.
이를 비교하면 중심부분의 온도가 낮은 상태에서 성장된 탄화수소 단결정은 도 7에서 보이듯이, 미 반응된 탄화규소 분말이 재결정화되어 있음을 알 수 있다.
반면에, 온도편차없이 균일한 온도구배를 가지는 본 발명에 의하여 성장된 탄화수소 단결정은 도 8에서 보이듯이 탄화규소 분말의 하단부 전체가 모두 균일하게 반응하여 카본 ash 상태로 변하였고, heat flux 또한 수직한 방향으로 균일하게 형성되어 있음을 알 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 구경의 크기에 관계없이 중심부가 볼록하지 않은 잉곳을 얻을 수 있고, 이에 따라 고품질의 탄화규소 단결정을 구현할 수 있는 효과가 있는 것이다.
이상에서 설명한 사항은 본 발명의 일 실시예에 관하여 설명한 것이며, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것이 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
10 : 도가니 110 : 도가니본체
120 : 석영관 121 : 수용공간
130 : 제1가열유닛 140 : 제2가열유닛
141 : 중공부 142 : 고주파 유도 코일
150 : 가열수단 160 : 단열수단
170 : 지지프레임 180 : 온도측정용홀
200 : 온도측정수단

Claims (10)

  1. 도가니본체;
    상기 도가니본체를 수용하는 석영관;
    상기 석영관의 외부에 배치되어, 상기 석영관을 통하여 상기 도가니본체에 열을 가하는 제1가열유닛;
    상기 석영관의 내부 및 상기 도가니본체의 외부에 배치되어, 상기 도가니본체에 열을 가하는 제2가열유닛;
    상기 도가니본체의 외주를 감싸는 단열수단; 및
    상기 석영관에 연결되고, 상기 단열수단의 외부에 배치되어 외주가 상기 단열수단의 외주와 접촉하며, 상기 도가니본체와 상기 단열수단을 지지하는 지지프레임;을 포함하되,
    상기 제2가열유닛은,
    상기 지지프레임의 내부에 배치되어, 상기 지지프레임에 수용되고,
    상기 지지프레임은,
    상기 단열수단과 상기 제2가열유닛의 접촉을 차단하게 제공되는 탄화규소 단결정 성장장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2가열유닛은,
    상기 도가니본체의 수평온도편차를 차단하도록 상기 도가니본체의 하부에서 상기 도가니본체의 직경방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 탄화규소 단결정 성장장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 지지프레임을 관통하여 구비되되, 상기 제2가열유닛에 대면하게 배치되는 온도측정용홀;
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 단결정 성장장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2가열유닛은,
    상기 도가니본체의 하부에 대면하는 중공부를 구비하는 고주파 유도 코일로 구비되는 것을 특징으로 하는 탄화규소 단결정 성장장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2가열유닛은,
    상기 도가니본체의 원주방향으로 복수회 감기게 놓이는 나선형 고주파 유도 코일로 구비되고,
    상기 중공부의 직경은 20mm이상 50mm이하의 범위의 값인 것을 특징으로 하는 탄화규소 단결정 성장장치.
  9. 제1항, 제2항, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1가열유닛은,
    상기 제2가열유닛이 상기 도가니본체로부터 이격되는 거리보다 상기 도가니본체로부터 더 멀리 이격되는 것을 특징으로 하는 탄화규소 단결정 성장장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 도가니본체의 벽 두께는,
    15mm이상 25mm이하의 범위의 값이고,
    상기 제1가열유닛은,
    고주파 유도 코일로 구비되고, 주파수 8kHz이상 12kHz이하이며,
    상기 제2가열유닛은,
    고주파 유도 코일로 구비되고, 주파수 19kHz이상 22kHz미만인 것을 특징으로 하는 탄화규소 단결정 성장장치.
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