KR101154416B1 - 단결정 성장 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 입도가 10nm 내지 90nm인 원료 물질을 이용하여 단결정을 성장시키는 단결정 성장 방법에 관한 것이다.
따라서, 본 발명에 의하면 10nm 내지 90nm인 원료 물질을 이용하여 단결정을 성장시킴으로써, 단결정의 성장 속도를 향상시킬 수 있다. 이로 인해, 단결정을 성장시키는 공정 시간을 단축하는 효과가 있다. 또한, 마이크로 파이프(micro pipe) 결함이 적고, 전기적 특성이 우수한 단결정을 제작할 수 있다.
단결정, 6H-SiC, 파우더, 입도, 성장속도, 이동도

Description

단결정 성장 방법{Single crystal method}
본 발명은 우수한 전기적 특성을 갖는 단결정을 성장시키는 단결정 성장 방법에 관한 것이다.
대표적인 반도체 소자 재료로 사용된 Si이 물리적 한계를 보이게 됨에 따라, 차세대 반도체 소자 재료로서 SiC, GaN, AlN 및 ZnO 등의 광대역 반도체 재료가 각광을 받고 있다. 여기서, GaN, AlN 및 ZnO에 비해 SiC는 열적 안정성이 우수하고, 내산화성이 우수한 특징을 가지고 있다. 또한, SiC는 4.6W/cm℃ 정도의 우수한 열전도도를 가지고 있으며, 직경 2인치 이상의 대구경의 기판으로서 생산 가능하다는 장점이 있어, GaN, AlN 및 ZnO 등의 기판에 비해 각광을 받고 있다.
이러한 SiC 단결정을 성장시키기 위해서는 일반적으로 PVT법(Physical Vapor Transport)을 이용한다. 즉, 먼저 SiC로 이루어진 종자정을 종자정 홀더에 부착하고, 이를 성장장치 내부에 장입한다. 그리고 도가니의 내부에 장입된 원료 물질 즉, SiC 파우더를 가열하고, 이를 승화시켜 종자정에 단결정을 성장시킨다. 이러한 SiC 파우더의 입도는 단결정 성장 속도 및 상기 단결정의 특성에 영향을 미친다.
한편, 종래에는 1㎛ 내지 100㎛의 SiC 파우더를 사용하여, SiC 단결정을 제 작하였다. 하지만, 상기와 같은 1㎛ 내지 100㎛의 SiC 파우더를 이용하여 단결정을 제작하는 경우, 상기 단결정의 성장 속도가 낮은 단점이 있다. 이에 원하는 크기의 단결정을 성장시키기 위해서 공정 시간이 길어지는 문제가 있다. 또한, 마이크로 파이프(micro pipe) 결함이 다수 존재하고 캐리어 이동도가 낮아, 소자의 동작 특성을 저하시키는 문제가 있다.
본 발명의 일 기술적 과제는 입도가 10nm 내지 90nm의 원료 물질을 사용하여, 성장 속도가 빠르고 전기적 특성이 우수한 단결정을 제작할 수 있는 단결정 성장 방법을 제공하는데 있다.
본 발명에 따른 단결정 성장 방법은 입도가 10nm 내지 90nm인 원료 물질을 이용하여 단결정을 성장시킨다.
상기 원료 물질로 SiC를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 원료 물질로 SiC를 사용한다.
상기 원료 물질이 장입되는 도가니, 종자정이 부착되는 종자정 홀더, 도가니를 가열하는 가열 수단을 포함하는 성장장치를 이용하여, 상기 원료물질을 승화시켜 단결정을 성장시키는 단결정 성장 방법에 있어서, 상기 종자정 홀더에 종자정을 부착시키는 단계, 상기 종자정이 부착된 종자정 홀더를 성장장치 내로 인입시키는 단계, 상기 원료 물질을 성장장치 내부에 배치된 도가니에 장입시키는 단계 및 상기 가열 수단을 이용하여 도가니를 가열시켜, 상기 도가니 내에 장입된 원료물질을 승화시켜 종자정에 단결정을 성장시키는 단계를 포함한다.
상기 SiC로 이루어진 원료 물질을 이용하여 SiC 단결정을 제작한다.
상기 SiC로 이루어진 원료 물질을 이용하여 6H-SiC 단결정을 제작한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예들은 입도가 10nm 내지 90nm의 원료 물질을 사용하여 단결정을 성장시킨다. 이로 인해, 단결정의 성장 속도를 향상시킬 수 있어, 공정 시간을 단축하는 효과가 있다. 또한, 마이크로 파이프(micro pipe) 결함이 적고, 전기적 특성이 우수한 단결정을 제작할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 성장장치를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 성장장치는 원료 물질이 장입되는 내부 공간이 마련된 도가니(100), 종자정(200)이 부착되는 종자정 홀더(300), 도가니(100)를 둘러싸는 단열재(400) 및 석영관(500), 석영관(500) 외부에 마련되어 도가니(100)를 가열하기 위한 가열수단(600)을 포함한다. 또한, 가열수단(600)을 독립적으로 작동시키기 위한 제어장치(미도시)를 더 포함할 수도 있다.
도가니(100)는 SiC의 승화 온도 이상의 융점을 갖는 물질로 제작되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 흑연으로 제작되거나 흑연 재질 상에 SiC의 승화 온도 이상의 융점을 갖는 물질이 도포될 수도 있다. 여기서, 흑연 재질 상에 도포되는 물질은 SiC 단결정이 성장되는 온도에서 실리콘 및 수소에 대해 화학적으로 불활성인 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 금속 탄화물로는 금속 질화물을 이용할 수 있으며, 특히 Ta, Hf, Nb, Zr, W, V과 이들 중 적어도 둘 이상의 혼합물과 탄소가 이루는 탄화물과, Ta, Hf, Nb, Zr, W, V과 이들 중 적어도 둘 이상의 혼합물과 질소가 이루는 질화물을 이용할 수 있다. 또한, 이러한 도가니(100) 내에는 원료 물질이 장입되는데, 상기 원료 물질는 파우더 형태인 것이 바람직하다. 실시예에서는 원료 물질로 10nm 내지 90nm, 바람직하게는 10nm 내지 20nm의 입도를 갖는 SiC 파우더를 사용한다. 원료 물질의 입도에 따른 단결정의 특성은 하기에서 설명하기로 한다.
종자정 홀더(300)는 종자정(200)을 지지하는 수단으로써, 고밀도의 흑연을 이용하여 제작된다. 그리고 종자정(200)이 부착된 종자정 홀더(300)를 도가니(100) 내의 상부에 장착하여, 상기 종자정(200) 상에 단결정을 형성한다.
단열재(400) 및 석영관(500)은 도가니(100) 외부에 마련되며, 도가니(100)의 온도를 결정 성장 온도로 유지하도록 한다. 이때, SiC의 결정 성장 온도가 매우 높기 때문에, 흑연 섬유를 압착시켜 일정 두께의 관상 원통형으로 제작된 흑연 펠트를 단열재(400)로 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 단열재(400)는 복수의 층으로 형성되어 도가니(100)를 둘러쌀 수도 있다.
가열수단(600)은 석영관(500) 외부에 마련되며, 예를 들어, 고주파 유도 코일이 이용될 수 있다. 고주파 유도 코일에 고주파 전류를 흐르게 함으로써 도가니(100)를 가열하고, 원료 물질을 원하는 온도로 가열한다.
하기에서는 도 1을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 단결정 성장 방법을 설명한다.
실시예에서는 PVT(Physical Vapor Transport) 방법을 이용하여 종자정(200) 상에 6H-SiC로 이루어진 단결정을 성장시킨다. 이를 위해 먼저, SiC로 이루어진 종자정(200)을 마련하고, 접착제를 이용하여 종자정(200)을 종자정 홀더(300)에 부착한다. 이때, 종자정(200)의 m-면(1-100) 또는 a-면(11-20)이 성장면이 되도록 종자정 홀더(300)에 부착하는 것이 바람직하다. 물론 이에 한정되지 않고 종자정(200)의 다른 면이 성장면이 되도록 종자정 홀더(300)에 부착할 수 있다.
이어서, 종자정(200)이 부착된 종자정 홀더(300)를 성장장치 내로 인입시키고, 이를 도가니(100) 내부 상부에 장착한다. 이때, 종자정 홀더(300)에 부착된 종자정(200)의 성장면이 도가니(100) 내부 상측에 배치되도록 하는 것이 바람직하다. 실시예에서는 m-면(1-100) 또는 a-면(11-20)이 도가니(100)의 내부 상측에 대응 배치되도록 한다. 그리고, 도가니(100)의 내부에 원료 물질 예를 들어 SiC 분말을 장입한다. 실시예에서는 원료 물질로 10nm 내지 90nm, 바람직하게는 10nm 내지 20nm의 SiC 파우더를 사용한다. 그리고 1300℃ 내지 1500℃의 온도와 진공압력으로 2 시간 내지 3시간 동안 가열하여 도가니(100)에 포함된 불순물을 제거한다. 이후, 불활성 가스 예를 들어, 아르곤(Ar) 가스를 주입하여 도가니(100) 내부 및 도가니(100)와 단열재(400) 사이에 남아있는 공기를 제거한다. 이어서 압력을 대기압으로 높인 후, 가열수단(600)을 이용하여 도가니(100)를 2000℃ 내지 2300℃의 온도로 가열한다. 여기서, 대기압을 유지하는 이유는 결정 성장 초기에 원하지 않는 결정 다형의 발생을 방지하기 위함이다. 즉, 먼저 대기압을 유지하며 원료 물질을 성 장 온도까지 승온시킨다. 그리고, 성장장치 내부를 20mbar 내지 60mbar으로 감압하여 성장 압력으로 유지시키면서, 원료 물질을 승화시켜 단결정을 성장시킨다. 이때, 성장된 단결정은 6H-SiC이다.
하기에서는 원료 물질의 입도에 따른 원료 물질 및 상기 원료 물질을 이용하여 성장된 단결정의 특성을 비교한다. 이를 위하여, SiC로 이루어진 3개의 종자정(200)을 마련하고, 성장장치를 이용하여 상기 3개의 종자정(200) 각각에 단결정을 성장시킨다. 이때, 3개의 종자정(200) 각각에 성장되는 단결정은 서로 다른 입도를 가지는 원료 물질을 사용한다. 즉, 실시예에 따른 10nm 내지 20nm의 원료 물질, 실시예의 제 1 비교예에 따른 100nm 내지 200nm의 원료 물질 및 실시예의 제 2 비교예에 따른 1㎛ 내지 100㎛의 원료 물질을 사용한다. 여기서, 3개의 원료 물질는 모두 SiC 파우더이다.
도 2a는 실시예에 따른 원료 물질을 나타낸 사진이고, 도 2b는 실시예의 제 1 비교예에 따른 원료 물질을 나타낸 사진이며, 도 2c는 실시예의 제 2 비교예에 따른 원료 물질을 나타낸 사진이다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 실시예, 제 1 비교예 및 제 2 비교예에 따른 원료 물질의 입도가 서로 다름을 알 수 있다. 이때, 실시예에 따른 원료 물질의 입도는 전술한 바와 같이 10nm 내지 20nm이다. 또한, 실시예의 제 1 비교예에 따른 원료 물질의 입도는 100nm 내지 200nm이며, 제 2 비교예에 따른 원료 물질의 입도는 1 내지 100㎛이다. 그리고 하기에서는 실시예에 따른 원료 물질을 이용하여 제작된 단결정을 제 1 단결정, 제 1 비교예에 따른 원료 물질을 이용하여 제작된 단 결정을 제 2 단결정, 제 2 비교예에 따른 원료 물질을 이용하여 제작된 단결정을 제 3 단결정이라 정의한다.
구분 제 1 단결정
 제 2 단결정 제 3 단결정
성장 속도(㎛/h) 153.2 115.8 101.4
표 1은 제 1 단결정, 제 2 단결정 및 제 3 단결정의 성장 속도를 나타낸 표이다.
원료 물질의 승화속도는 단결정의 성장 속도에 영향을 미치게 되는데, 원료 물질의 입도에 따라 승화되는 속도가 다르다. 이때, 실시예에 따른 원료 물질의 승화 속도가 제 1 비교예 및 제 2 비교예에 따른 원료 물질의 승화 속도에 비해 빠르다. 또한, 제 1 비교예에 따른 원료 물질의 승화 속도가 제 2 비교예에 따른 원료 물질의 승화 속도에 비해 빠르다. 전술한 바와 같이 이러한 각각의 원료 물질의 승화 속도는 단결정의 성장 속도에 영향을 미친다. 표 1을 참조하면, 제 1 단결정의 성장 속도는 153.2㎛/h이고, 제 2 단결정의 성장 속도는 115.8㎛/h이며, 제 3 단결정의 성장 속도는 101.4㎛/h이다. 즉, 제 1 단결정의 성장속도가 제 2 단결정 및 제 3 단결정의 성장 속도에 비해 빠르며, 제 2 단결정의 성장 속도가 제 3 단결정의 성장 속도에 비해 빠르다.
도 3a는 제 1 단결정을 나타낸 사진이고, 도 3b는 제 2 단결정을 나타낸 사진이며, 도 3c는 제 3 단결정을 나타낸 사진이다. 도 4는 제 1 단결정, 제 2 단결정 및 제 3 단결정 각각의 투과율을 도시한 그래프이다.
도 3a 내지 도 3b 및 도 4를 참조하면, 제 1 단결정, 제 2 단결정 및 제 3 단결정의 투과율이 각기 다르다. 예를 들어 450nm 내지 800nm 파장에서의 제 1 단결정의 투과율은 60% 내지 65%이고, 제 2 단결정의 투과율은 27% 내지 32%이며, 제 3 단결정의 투과율은 53% 내지 57%이다. 즉, 제 1 단결정의 투과율이 제 2 및 제 3 단결정의 투과율에 비해 높고, 제 3 단결정의 투과율이 제 2 단결정의 투과율에 비해 높다.
도 5는 제 1 단결정, 제 2 단결정 및 제 3 단결정 각각의 광흡수 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 5에 도시된 제 1 단결정, 제 2 단결정 및 제 3 단결정의 광흡수 스펙트럼 값을 Varshni 공식에 적용하여 에너지 밴드갭(Eg)를 계산한 결과 제 1 단결정의 에너지 밴드갭은 3.05eV이고, 제 2 및 제 3 단결정의 에너지 밴드갭은 3.04eV이다. 여기서, 6H-SiC의 에너지 밴드갭은 약 3.04eV이므로, 상기 제 1 단결정, 제 2 단결정 및 제 3 단결정은 6H-SiC 임을 알 수 있다. 즉, 원료 물질의 입도는 결정구조에 영향을 미치지 않음을 알 수 있다.
도 6a는 제 1 단결정의 로킹 커브(Rocing curve)를 나타낸 그래프이고, 도 6b는 제 2 단결정의 로킹 커브(Rocing curve)를 나타낸 그래프이며, 도 6c는 제 3 단결정의 로킹 커브(Rocing curve)를 나타낸 그래프이다.
도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 제 1 단결정의 반치폭(FWHM: full width at half maximum)은 113arcesd이고, 제 2 단결정의 반치폭은 131arces이다. 또한, 제 3 단결정의 반치폭은 111arces이다. 여기서, 단결정의 반치폭은 상기 단결정의 결정질을 나타내는 척도이며, 반치폭이 낮을수록 결정질이 우수함을 의미한다. 하지만 제 1 단결정, 제 2 단결정 및 제 3 단결정의 반치폭 값이 차이가 있으나, 그 차이가 크지 않다. 이에, 제 1 단결정, 제 2 단결정 및 제 3 단결정의 결정질이 유사하다는 것을 알 수 있다.
구분 제 1 단결정 제 2 단결정 제 3 단결정
마이크로 파이프(micro pipe)
개수[/cm2)
20 내지35
55 내지 65
30 내지 40
도 7a는 제 1 단결정의 표면을 나타낸 사진이고, 도 7b는 제 2 단결정의 표면을 나타낸 사진이며, 도 7c는 제 3 단결정의 표면을 나타낸 사진이다. 표 1은 제 1 단결정, 제 2 단결정 및 제 3 단결정의 마이크로 파이프(micro pipe) 결함의 개수를 나타낸 표이다.
도 7a 내지 도 7b을 참조하면, 제 1 단결정에 존재하는 에지 피트(etch pit) 및 마이크로 파이프(micro pipe) 결함이 제 2 및 제 3 단결정에 존재하는 에지 피트(etch pit) 및 마이크로 파이프(micro pipe) 결함에 비해 적다. 여기서 마이크로 파이프(micro pipe) 결함은 단결정의 전기적 특성을 저하시키는 요인으로 작용한다. 표 1을 참조하면, 제 1 단결정에서 cm2 당 존재하는 마이크로 파이프(micro pipe) 결함은 20 내지 35개이고, 제 2 단결정은 55 내지 65 개이다. 또한 제 3 단결정에서 cm2 당 존재하는 마이크로 파이프(micro pipe) 결함은 30 내지 40개이다. 이를 통해, 실시예에 따른 원료 물질을 이용하여 제작된 제 1 단결정에 존재하는 마이크로 파이프(micro pipe) 결함이 제 2 단결정 및 제 3 단결정에 존재하는 마이크로 파이프(micro pipe) 결함에 비해 적음을 알 수 있다.
구분 제 1 단결정 제 2 단결정 제 3 단결정
캐리어 농도[/cm3] 2.34×1017 1.41×1017 1.09×1017
저항[Ωcm] 0.13 0.23 0.14
이동도[cm2/Vs] 255.9 191.9 40.1
표 3은 제 1 단결정, 제 2 단결정 및 3 단결정의 캐리어 농도(/cm3), 저항(Ω cm) 및 이동도(cm2/Vs)를 나타낸 표이다.
표 3을 참조하면, 제 1 단결정의 캐리어 농도는 2.34×1017/cm3이고, 제 2 단결정의 캐리어 농도는 1.41×1017/cm3이며, 제 3 단결정의 캐리어 농도 1.09×1017/cm3이다. 즉, 제 1 단결정의 캐리어 농도가 제 2 단결정 및 제 3 단결정의 캐리어 농도에 비해 크고, 제 2 단결정의 캐리어 농도가 제 3 단결정의 캐리어 농도에 비해 크다. 또한, 제 1 단결정의 저항은 0.13Ωcm이고, 제 2 단결정의 저항은 0.23Ωcm이며, 제 3 단결정의 저항은 0.14Ωcm이다. 즉, 제 1 단결정의 저항은 제 2 단결정 및 제 3 단결정의 저항에 비해 작고, 제 3 단결정의 저항이 제 2 단결정의 저항에 비해 작다. 그리고, 제 1 단결정의 캐리어 이동도는 255.9cm2/Vs이고, 제 2 단결정의 캐리어 농도는 191.9cm2/Vs이며, 제 3 단결정의 캐리어 이동도는 40.2cm2/Vs이다. 즉, 제 1 단결정의 캐리어 이동도가 제 2 단결정 및 제 3 단결정의 캐리어 이동도에 비해 빠르다. 이때, 제 1 단결정의 캐리어 이동도는 제 3 단결정의 캐리어 이동도에 비해 약 6.4배 빠르다.
한편, 예를 들어 10nm 미만의 SiC로 이루어진 원료 물질을 제작할 경우, 결정다형 또는 결함이 발생할 수 있다. 이는, 원료 물질의 사이즈가 작을 경우, 상기 원료 물질의 승화 속도가 빨라지게 된다. 하지만, 원료 물질의 사이즈가10nm 미만으로 작을 경우, 성장 온도에서 승화되어야 할 원료 물질이 승화 온도 전에 먼저 승화되어 결정 다형을 발생시킬 수 있다. 또한, 온도 구배가 완전히 이루어지지 않은 상태에서 원료 물질이 승화됨에 따라, 종자정(300)에 부착되어 결함을 발생시킬 수 있기 때문이다.
이에, 실시예에서는 상기에서 설명한 성장 속도, 전기적 특성 및 결함 밀도 특성을 고려하여, 10nm 내지 90nm, 바람직하게는 10nm 내지 20nm의 원료 물질을 사용한다. 이와 같이 실시예에 따른 10nm 내지 90nm의 원료 물질을 이용하여 단결정을 성장시킴으로써, 종래의 원료 물질을 이용하여 단결정을 성장시킬 때에 비해 성장 속도를 향상시킬 수 있다. 이에, 단결정을 성장시키기 위한 공정 시간을 단축할 수 있다. 또한, 10nm 내지 90nm의 원료 물질을 이용함으로써, 우수한 캐리어 이동도를 갖는 단결정을 제작할 수 있고, 이로 인해 상기 단결정을 이용하는 소자의 동작 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 성장장치를 도시한 단면도
도 2a는 실시예에 따른 원료 물질을 나타낸 사진이고, 도 2b는 실시예의 제 1 비교예에 따른 원료 물질을 나타낸 사진이며, 도 2c는 실시예의 제 2 비교예에 따른 원료 물질을 나타낸 사진
도 3a는 제 1 단결정을 나타낸 사진이고, 도 3b는 제 2 단결정을 나타낸 사진이며, 도 3c는 제 3 단결정을 나타낸 사진
도 4는 제 1 단결정, 제 2 단결정 및 제 3 단결정의 투과율을 도시한 그래프
도 5는 실시예에 따른 원료 물질을 이용하여 제작된 제 1 단결정, 제 1 단결정, 제 2 단결정 및 제 3 단결정의 광흡수 스펙트럼을 나타낸 그래프
도 6a는 제 1 단결정의 로킹 커브(Rocing curve)를 나타낸 도면이고, 도 6b는 제 2 단결정의 로킹 커브(Rocing curve)를 나타낸 도면이며, 도 6c는 제 3 단결정의 로킹 커브(Rocing curve)를 나타낸 도면
도 7a는 제 1 단결정의 표면을 나타낸 사진이고, 도 7b는 제 2 단결정의 표면을 나타낸 사진이며, 도 7c는 제 3 단결정의 표면을 나타낸 사진
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 도가니 200: 종자정
300: 종자정 홀더 400: 단열재

Claims (6)

  1. 원료 물질이 장입되는 도가니, 종자정이 부착되는 종자정 홀더, 상기 도가니를 가열하는 가열 수단을 포함하는 성장장치를 이용하여, 상기 원료 물질을 승화시켜 단결정을 성장시키는 단결정 성장 방법에 있어서,
    상기 종자정 홀더에 종자정을 부착시키는 단계;
    상기 종자정이 부착된 종자정 홀더를 성장장치 내로 인입시키는 단계;
    상기 원료 물질을 성장장치 내부에 배치된 도가니에 장입시키는 단계;
    1300℃ 내지 1500℃의 온도와 진공 압력으로 상기 도가니를 가열하여 상기 도가니에 포함된 불순물을 제거하는 단계;
    상기 성장장치 내부를 대기압 상태로 한 상태에서, 상기 도가니를 가열하는 단계; 및
    상기 성장장치 내부를 대기압 상태로부터 감압하여, 상기 도가니 내에 장입된 원료 물질을 승화시켜 종자정에 단결정을 성장시키는 단계를 포함하고,
    상기 원료 물질의 입도가 10nm 내지 90nm인 단결정 성장 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 원료 물질의 입도가 10nm 내지 20nm인 것을 이용하여 단결정을 성장시키는 단결정 성장 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 원료 물질로 SiC를 사용하는 단결정 성장 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 성장장치 내부를 대기압 상태에서 20mbar 내지 60mbar로 감압하는 단결정 성장 방법.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 SiC로 이루어진 원료 물질을 이용하여 SiC 단결정을 제작하는 단결정 성장 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 SiC로 이루어진 원료 물질을 이용하여 6H-SiC 단결정을 제작하는 단결정 성장 방법.
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