JP2014012640A - 炭化珪素単結晶の製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単結晶製造装置1は、昇華用原料を収容する坩堝本体5と、昇華用原料と対向する位置に種結晶支持部7を設けた蓋体9と、種結晶支持部7の外周近傍から昇華用原料に向けて円錐台状に径が広がった筒状に延びるガイド部材11と、ガイド部材11の外周側に配設され、円盤形状を有すると共に、単結晶27よりも熱伝導率が低く設定された断熱材21とを備え、断熱材21は、ガイド部材11の上下方向の中間部分の高さ位置において、ガイド部材11の外周面から坩堝本体5の内壁面まで延びるように配設されており、昇華用原料3および種結晶を加熱して単結晶27を成長させるときに、昇華用原料3から種結晶に向かう熱Hの流れを断熱材21によって種結晶に集約させるように構成している。
【選択図】図4
Description
まず、本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本発明の第1実施形態による炭化珪素単結晶の製造装置の説明図である。
次いで、本発明の第2実施形態について説明するが、前述した第1実施形態と同一構造の部位には同一符号を付して説明を省略する。
次いで、本発明の第3実施形態について説明するが、前述した第1および第2実施形態と同一構造の部位には同一符号を付して説明を省略する。
本実施形態においては、坩堝本体5の上部が開口されているが、これに限られず、例えば、坩堝本体5の下部が開口されていてもよい。この場合、ガイド部材は、種結晶支持部の外周近傍から下部の反対側である上部に向けて筒状に延びる。
5 坩堝本体
7 種結晶支持部
9 蓋体
11,33,43 ガイド部材
21,23,25 断熱材
Claims (2)
- 上下方向に延びる筒状に形成され、昇華用原料を収容する坩堝本体と、
前記昇華用原料と対向する位置に種結晶を固定する種結晶支持部を設けた蓋体と、
前記種結晶支持部の外周近傍から前記昇華用原料に向けて円錐台状に径が広がった筒状に延びるガイド部材と、
前記ガイド部材の外周側に配設され、円盤形状を有すると共に、単結晶よりも熱伝導率が低く設定された断熱材と
を備え、
前記断熱材は、前記ガイド部材の前記上下方向の上端と下端を除く中間部分の高さ位置において、前記ガイド部材の外周面から前記坩堝本体の内壁面まで延びるように配設されており、
前記昇華用原料および種結晶を加熱して前記単結晶を成長させるときに、前記昇華用原料から前記種結晶に向かう熱の流れを前記断熱材によって前記種結晶に集約させるように構成したことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記ガイド部材の下端部が坩堝本体の内壁面に係止されることにより保持されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
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