JP5392236B2 - 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 - Google Patents
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Description
図1に、本実施形態のSiC単結晶製造装置1の断面図を示す。以下、この図を参照してSiC単結晶製造装置1の構造について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して第1外周断熱材10の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して第1外周断熱材10の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対して第1外周断熱材10の構成を変更したものであり、その他に関しては第2実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記各実施形態では、黒鉛シート10bや高融点金属炭化膜10cによって断熱基材10aの内周面や外周面を覆うようにしているが、断熱基材10aの軸方向両端の端面も黒鉛シート10bや高融点金属炭化膜10cによって覆うこともできる。
3 原料ガス
5 種結晶
6 真空容器
8 加熱容器
8a ガス導入口
9 台座
10 第1外周断熱材
10a 断熱基材
10b 黒鉛シート
10c 高融点金属炭化膜
12 第2外周断熱材
13 第1加熱装置
14 第2加熱装置
Claims (7)
- 台座(9)に対して炭化珪素単結晶基板にて構成された種結晶(5)を配置し、該種結晶(5)の下方から炭化珪素の原料ガス(3)を供給することにより、前記種結晶(5)の表面に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記台座(9)よりも前記原料ガス(3)の流動経路上流側に配置され、前記原料ガス(3)の加熱を行う加熱容器(8)と、
前記加熱容器(8)の外周を囲んで配置された円筒形状の外周断熱材(10)とを備え、
前記外周断熱材(10)は、
多孔質もしくは繊維状の組織を有する黒鉛にて構成された円筒形状の断熱基材(10a)と、
前記断熱基材(10a)の内周面を覆い、かつ、浸透性が前記断熱基材(10a)を構成する黒鉛よりも小さい黒鉛にて構成された円筒形状の黒鉛シート(10b)と、
高融点金属を炭化することにより構成され、前記黒鉛シート(10b)の内周面の少なくとも一部を覆う高融点金属炭化膜(10c)と、を有した構成とされていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記外周断熱材(10)は、前記黒鉛シート(10b)にて前記断熱基材(10a)の外周面も覆われた構造とされていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記外周断熱材(10)は、前記高融点金属炭化膜(10c)にて、前記断熱基材(10a)の外周面を覆う前記黒鉛シート(10b)の外周面も覆った構造とされていることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記断熱基材(10a)の内周面側に備えられた前記高融点金属炭化膜(10c)は、前記外周断熱材(10)のうち、前記台座(9)と前記加熱容器(8)の間を流動する前記原料ガス(3)が最初に衝突する位置において前記黒鉛シート(10b)を覆っていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記断熱基材(10a)には、該断熱基材(10a)の中心軸方向に貫通するガス排出部(10d)が備えられ、該ガス排出部(10d)内に不活性ガスが導入されることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記外周断熱材(10)における前記断熱基材(10a)の内壁面と前記加熱容器(8)の該壁面の距離が20mm以内であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 台座(9)に対して炭化珪素単結晶基板にて構成された種結晶(5)を配置し、炭化珪素の原料ガス(3)を下方から供給することで上方に位置する前記種結晶(5)に供給し、前記種結晶(5)の表面に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
中空円筒状部材にて構成される加熱容器(8)の中空部をガス供給経路として、該加熱容器(8)の外周を囲むように、多孔質もしくは繊維状の組織を有する黒鉛にて構成された円筒形状の断熱基材(10a)と、前記断熱基材(10a)の内周面を覆い、かつ、浸透性が前記断熱基材(10a)を構成する黒鉛よりも小さい黒鉛にて構成された円筒形状の黒鉛シート(10b)と、高融点金属を炭化することにより構成され、前記黒鉛シート(10b)の内周面の少なくとも一部を覆う高融点金属炭化膜(10c)と、を有した外周断熱材(10)を配置し、
この状態で、前記加熱容器(8)を加熱装置(13、14)にて加熱しつつ、前記加熱容器(8)の一端側から前記原料ガス(3)を導入し、前記加熱容器(8)の他端側から前記原料ガス(3)を導出することで前記種結晶(5)に対して供給して前記炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
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