JP2014043394A - 炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】坩堝2として容器本体2aにSi含有物21を配置すると共に蓋体2bを用意し、この坩堝2の外周に坩堝2の外周を囲むようにSiを吸収させていない黒鉛製の断熱材20を配置し、坩堝2を加熱することで、Si含有物21を加熱することにより坩堝2から漏れた昇華ガスを断熱材20に吸収させるSiを吸収させる工程を行う。この後、坩堝2として容器本体2aに粉末原料5を配置すると共に蓋体2bに設けられた台座3に種結晶4を配置した坩堝2を用意し、Siを吸収させる工程で得られたSiを吸収させた断熱材11をこの坩堝2の外周に坩堝2の外周を囲むように配置した状態で坩堝2を加熱することにより、種結晶4上にSiC単結晶6を成長させる成長工程を行う。
【選択図】図1
Description
Dispersive X-ray Spectroscopy:エネルギー分散型X線分析)等が挙げられる。
Spectrometry:誘導結合プラズマ発光分光分析)等が挙げられる。
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。図1は、本実施形態に係るSiC単結晶製造装置1の断面構成図である。この図に示されるように、SiC単結晶製造装置1は、有底円筒状の容器本体2aとこの容器本体2aを蓋閉めするための円形状の蓋体2bとによって構成された黒鉛製の中空状の坩堝2を備えている。
本実施形態では、主に第1実施形態と異なる部分について説明する。上記第1実施形態では、Siを吸収させた断熱材11を予め用意してSiC単結晶6を製造していたが、本実施形態では、Siが含まれていない通常の新品の黒鉛製の断熱材20にSiを吸収させた後、このSiを吸収させた断熱材11を用いてSiC単結晶6を製造することが特徴となっている。すなわち、本実施形態では、SiC単結晶6を成長させる際には通常の新品の黒鉛製の断熱材は用いられず、Siを吸収させた断熱材11が用いられる。以下、図2および図3を参照して説明する。
本実施形態では、主に第1実施形態と異なる部分について説明する。図4は、本実施形態に係るSiC単結晶製造装置の断面構成図である。なお、図4では、外部チャンバ15を省略してある。
上記各実施形態では、断熱材11を外周部11a、蓋部11b、および底部11cに3分割していたが、これは断熱材11の構成の一例であり、断熱材11が2分割や4分割等で構成されていても良い。黒鉛製の断熱材20についても同様である。
2a 容器本体
2b 蓋体
3 台座
4 種結晶
5 粉末原料
6 SiC単結晶
9、10 ヒータ
11 Siを吸収させた断熱材
20 Siを吸収させていない黒鉛製の断熱材
21 Si含有物
Claims (2)
- 有底円筒状の容器本体(2a)と当該容器本体(2a)を蓋閉めするための蓋体(2b)を有した中空状の円柱形状をなす坩堝(2)を有し、前記蓋体(2b)に設けられた台座(3)に炭化珪素単結晶基板からなる種結晶(4)を配置すると共に前記容器本体(2a)に炭化珪素原料(5)を配置し、前記炭化珪素原料(5)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(4)と前記炭化珪素原料(5)との間の空間にて構成される成長空間領域において前記種結晶(4)上に炭化珪素単結晶(6)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法であって、
珪素を吸収させた断熱材(11)を用意する工程と、
前記珪素を吸収させた断熱材(11)を当該坩堝(2)の外周に当該坩堝(2)の外周を囲むように配置した状態で前記坩堝(2)を加熱することにより、前記種結晶(4)上に前記炭化珪素単結晶(6)を成長させる成長工程と、を含み、
前記珪素を吸収させた断熱材(11)を用意する工程は、前記坩堝(2)として前記容器本体(2a)に珪素含有物(21)を配置すると共に前記蓋体(2b)を用意し、当該坩堝(2)の外周に当該坩堝(2)の外周を囲むように珪素を吸収させていない黒鉛製の断熱材(20)を配置し、前記坩堝(2)を加熱することで、前記珪素含有物(21)を加熱することにより前記坩堝(2)から漏れた昇華ガスを前記珪素を吸収させていない黒鉛製の断熱材(20)に珪素を吸収させる工程を含んでおり、
前記珪素を吸収させる工程では、前記珪素を吸収させていない黒鉛製の断熱材(20)を前記坩堝(2)の外壁に接触させた状態で前記坩堝(2)から漏れた昇華ガスを前記珪素を吸収させていない黒鉛製の断熱材(20)に吸収させ、
前記成長工程では、前記珪素を吸収させる工程の後、前記坩堝(2)として前記容器本体(2a)に前記炭化珪素原料(5)を配置すると共に前記台座(3)に前記種結晶(4)を配置した坩堝(2)を用意し、前記珪素を吸収させる工程で得られた珪素を吸収させた断熱材(11)を当該坩堝(2)の外周に当該坩堝(2)の外周を囲むように配置した状態で前記坩堝(2)を加熱することにより、前記種結晶(4)上に前記炭化珪素単結晶(6)を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記成長工程では、前記珪素を吸収させた断熱材(11)を前記坩堝(2)の外壁に接触させた状態で前記坩堝(2)を加熱することにより、前記種結晶(4)上に前記炭化珪素単結晶(6)を成長させることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
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JP2014043394A true JP2014043394A (ja) | 2014-03-13 |
JP5783230B2 JP5783230B2 (ja) | 2015-09-24 |
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