JP2003507319A - 広い電子的帯域ギャップおよび高い結合エネルギーを有する材料の沈積方法および装置 - Google Patents

広い電子的帯域ギャップおよび高い結合エネルギーを有する材料の沈積方法および装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い成長率で非常に均一に沈積させることができる方法および装置を提供する。 【解決手段】 ＳｉＣおよび／またはＳｉＣｘＧｅ１−ｘ（ｘ＝０−１）半導体被膜または、広い（電子的）帯域ギャップおよび特に高い結合エネルギーを有する関連する材料（例えばＡｌＮまたはＧａＮ）をＣＶＤ方法によって沈積する方法および装置が説明されている。本発明による方法およびそれに対応する装置は少なくとも一つの基板が約１１００ないし１８００℃の温度に加熱され、少なくとも一つの基板がすべての側面から積極的に加熱される流体ダクト反応炉内で回転され、かつホモエピクタシーまたはヘテロエピクタシー沈積が行われることを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＳｉＣおよび／またはＳｉＣｘＧｅ１−ｘ（ｘ＝０−１）半導体被膜
および、例えばＡｌＮまたはＧａＮのような広い電子的帯域ギャップおよび高い
結合エネルギーを有する関連する材料を、特にＣＶＤ法によりガス相から沈積す
る方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
広い帯域ギャップを有する半導体はその物理的な特性から、ＳｉまたはＧａＡ
ｓによる電子的半導体素子の使用範囲を超えた適用に適している。化学的ガス相
エピタキシー（ＣＶＤ）は、高温、高周波および高負荷の電子素子に使用される
ＳｉＣおよび／またはＳｉＣｘＧｅ１−ｘ（ｘ＝０−１）のような電気的に活性
な皮膜を製造するのに最適な方法である。
【０００３】 例えばショットキーダイオードまたはｐｎダイオードのような垂直な空間電荷
帯制御素子の場合は、典型的な適用負荷に対してＵ＞１０ｋＶの範囲の遮断電圧
を備えなければならない。したがって１００μｍまでの厚さのエピタクシャー沈
積皮膜を持つ必要がある。
【０００４】 高い能力にはＩ＞１０Ａの大電流を遮断できることも含まれる。広い面積の素
子だけがこの大電流を通過領域に導くことができる。このようにして絶えず高ま
る要求は最小直径４インチの基板を必要とし、エピタクシーのために大きな面積
で均一な加熱特性の基板が要求される。
【０００５】 現在２インチの基板にＳｉＣ被膜を沈積するため、普通は回転する基板ではな
い高温壁反応炉が使用される。
【０００６】 この反応炉は成長率がガスの通路に沿って著しく低下する欠点がある。この効
果を補正するため、従来の技術では均一な成長がウエハで可能となるよう、反応
炉の高さを通路長さに沿って変化させる。
【０００７】 別の欠点は、壁の影響による流れの方向に垂直な不均一な成長である。壁にお
いて成長が生じ、その結果処理ガスが追加して消費される。さらに壁は反応炉の
流れの分布に不利に作用する。従来の技術では、処理圧力および／または流れを
変化させるか、または壁とウエハの間の距離を増加させることにより改善が可能
である。
【０００８】 さらに別の欠点は、通路の方向および通路に直角な方向のドーピングの不均一
性である。この場合は何よりも温度の不均一性が決定的な役割を果たし、回転の
ない高温壁反応炉では装置に多大な費用を掛けることだけによって解決できる。
【０００９】 ＥＰ−Ａ−Ｏ１６４９２８号により、基板が互いに上下に積み重ねられる垂直
高温壁反応炉が開示されている。これは機械的な駆動を必要とする。
【００１０】 基板を回転させる機械的駆動には高温基板容器に対する機械的な通路が必要と
なる。この通路のため基板容器の温度が不均一となり、例えば歯車のような機械
的要素は必要とする１４００℃を超える温度で駆動され、一方では粒子が生成さ
れ他方では材料が放出され、沈積される被膜に好ましくないドーピング雰囲気を
作り出す。
【００１１】 さらに別の欠点は、基板容器または基板保持体のグラファイトに処理されるグ
ラファイト表面をガス気密とするための塗装である。この塗装は従来の技術では
ＳｉＣが使用される。ＳｉＣを使用すると、処理に必要な１４００℃を超える温
度でＳｉＣの塗装は反応性水素基によって腐食され、したがってグラファイトは
短い寿命しか期待できない欠点がある。さらに基板の背面は、狭い空間のエピク
タシーの結果、塗装されたグラファイト表面からのＳｉＣによって望ましくない
被膜を生ずることがある。材料の転移によってＳｉＣの塗装に穴が生じる。その
上グラファイトのＳｉＣ塗装の穴から不純物が放散され、電気的に活性な異物原
子として半導体被膜に結合され、皮膜の電気的特性に影響を与える。高い処理温
度の場合は、グラファイトのＳｉＣ塗装の穴から炭化水素が放出され、ＳｉＣエ
ピクタシー用のガス相の炭素の成分を増加させて処理の制御が困難となる。
【００１２】 さらに従来の技術に関連して、ここでは詳しく説明しなかったその他の詳細に
ついて下記の文書が明確に記述している；ＤＥ１９５２２５７４Ａ１号、ＷＯ９
８／４２８９７号、ＷＯ９９／３１３０６号
【００１３】
【本発明が解決しようとする課題】
本発明は、特にホモエクスタピシーまたはヘテロエクスタピシーのＳｉＣおよ
び／またはＳｉＣｘＧｅ１−ｘ（ｘ＝０−１）の被膜を、高い成長率で非常に均
一に沈積させることができる方法および装置を提供することを課題としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この課題は、ＳｉＣおよび／またはＳｉＣｘＧｅ１−ｘ（ｘ＝０−１）半導体
被膜および、例えばＡｌＮまたはＧａＮのような広い電子的帯域ギャップおよび
高い結合エネルギーを有する関連する材料を、ガス相から沈積する方法および装
置によって解決され、ここで沈積は全面が加熱される流体ダクト内で、同じ材料
（ホモエピクタシー）または例えばシリコン、絶縁体上のシリコン、サファイア
などの他の適切な材料（ヘテロエピクタシー）の回転基板を使用して実施される
。
【００１５】 本発明は関連する方法および関連する装置を基礎としている。
【００１６】 本発明は、基板を取り囲みすべての側面から加熱される流体ダクトとして構成
され、グラファイトのような耐高温性の導電材料から成る基板容器または基板保
持体内で、１つまたは多数の基板容器または基板皿が回転することを特徴として
いる。
【００１７】 別の実施態様において、回転する基板を有する加熱流体ダクトは半径方向流反
応炉として構成される。この構成においては多数のウエハが同時に同じ処理条件
で被膜できる利点がある。半径方向流反応炉として構成される形状において、処
理ガスは中央から温度調整されたガス入口を通り、外側に向かって回転する基板
の上を基板容器または基板保持体の外周の排ガス収集器に流れる。半径方向流反
応炉は壁がなく、したがって前に説明した不利な高温流体ダクト反応炉の側壁効
果が回避できる利点がある。
【００１８】 基板皿の回転は好都合にガス翼回転によって実施することができ、これによっ
て機械的な磨耗および複雑な機械的支持および駆動を避けることができる。
【００１９】 基板の回転によって、通路長さで低下する成長率の補正および通路長さと直角
な方向に生じ得る基板容器または基板保持体の温度勾配を均等化する利点が達成
される。
【００２０】 回転および特にガス翼回転による回転によって、被膜厚さおよびドーピングの
均等な成長および均等な温度分布の利点が達成される。さらに、一方ではガス翼
回転の使用によって粒子の生成を非常に少なくすることができる。その上ガス翼
回転によって、従来解決することができなかった温度の均一性および部品の寿命
に悪影響のない高温における機械的回転の問題が解消される。
【００２１】 処理ガスに対面する隔離壁、特に基板容器および回転基板は高周波加熱、ラン
プ加熱、抵抗加熱またはそれら加熱法の任意の組み合わせによって１８００℃ま
で加熱される。この場合同一または異なった温度に加熱する都合の良い温度制御
または温度調整装置を使用することができる。これによって非常に特定な処理条
件に制御するかまたは設定することができる。
【００２２】 加熱特に高周波加熱に対し、熱の伝達を最適化し、損失および制御または調整
の問題を少なくするため、１つまたは多数のコイルをサセプタまたは基板容器の
周囲または上下に配置することができる。
【００２３】 この場合、流体加熱ダクトの２つまたはそれぞれ向かい合う２つの境界壁の温
度を別々に制御するため、それぞれが独自の制御ができる２つの分割した加熱回
路を使用することも可能である。
【００２４】 特に、それぞれが固有の制御を備えた２つの分離した加熱回路を使用して、基
板側の境界壁の温度をそれに対向する流体ダクトの境界壁に対して別に制御する
ことによって、基板に垂直な温度勾配を好都合に設定できる。このようにしてガ
ス流のＳｉクラスタおよびシリコン核の低減が達成される。
【００２５】 基板側の境界壁および対向する境界壁のそれぞれの温度に、２つの分割して制
御される加熱回路を使用する場合は温度も別々に調整することができる。こうす
ることによって基板および対向する流体ダクトの境界壁の間に好都合に一定の温
度勾配を設定することができる。
【００２６】 さらに処理ガスに面した加熱流体ダクトの境界壁、特に基板皿および基板容器
を、水素基によって腐食されず１８００℃までの温度で昇華しない例えばＴａＣ
の塗装を基板皿または基板容器のグラファイトの上に施し、高温で長い使用時間
においても塗装表面がそのまま残るようにすると好都合である。露出したグラフ
ァイト表面を防ぐことによってグラファイトからの不純物の放出が好都合に低減
される。これによって好ましくないドーピング雰囲気を５×１０−１４ｃｍ−３ に制限することができる。安定したガス気密の密封によって炭化水素の追加形成
が都合よく抑制される。基板の直ぐ近くのシリコンおよび炭素から構成されるガ
ス相の成分の制御が容易になる。
【００２７】 基板背面の近接空間エピタクシーは耐熱性があり水素基に対する耐食性のある
塗装を使用することによって好都合に防止できる。グラファイト製の基板皿に対
するこのような塗装は、特に例えばＴａＣから構成される。
【００２８】 流体ダクトとして形成される基板容器または基板保持体に進入するガスは、積
極的に冷却される入口によって、入口の直ぐ手前まで処理ガスの分解温度のずっ
と下に保たれる。したがって処理ガスの分解は、好都合に基板の寸前まで回避さ
れる。したがってガス相からの沈積は基板の上で始めて行われる。
【００２９】 冷却された入口およびは高温の基板容器または基板保持体は、狭い高度に熱絶
縁された区間だけによって熱的に分離され、互いに結合されることが好ましい。
これは簡単なので有利な熱絶縁である。
【００３０】 この前述の両方の特徴によって、ガスは基板の寸前で分解されるので沈積され
る処理ガスの効率を高くすることができる。さらに急激な温度変化によって、あ
る種類のガスに対する特定の温度範囲における選択的な劣化が抑制され、基板の
直ぐ傍のガス相の成分の制御が容易になる。
【００３１】 高温の流体ダクト内での基板容器または基板保持体に垂直な方向の小さな温度
勾配によって、原料ガスの効果的な分解が達成される。ガス入口および基板容器
または基板保持体間の急激な温度変化、および基板容器または基板保持体に垂直
な方向の小さな温度勾配は、ガス流中のＳｉクラスタまたはＳｉ核の生成の確率
を低減する。これによって成長率の増加が好都合に達成される。
【００３２】 このような基板容器または基板保持体が内蔵された流体ダクトにおいて、１０
μｍ／ｈを超える成長率が達成される。
【００３３】 基板容器または基板保持体の下流側に種々の不活性材料から構成される出口区
間を備えた流体ダクトの形態によって、流出するガスの反応は防止され、生産さ
れる材料の均一性はさらに改善される。処理条件は再現可能である。流出ガスの
反応による制御できない影響は排除される。
【００３４】 別の伝導率を有する不活性材料（例えばＴａ、Ｍｏ）の薄い物体を基板容器上
または基板容器内に取り付けることによって、コイル位置と関係なく温度分布に
好都合な影響を与える。
【００３５】 半径方向流れ反応炉の形態の、回転基板を備えた加熱流体ダクトの別の実施態
様では、さらに基板に対向する加熱流体ダクトの境界壁が、加熱流体ダクトの基
板側の境界と一定の距離で回転するように結合されるという利点がある。これに
よって流体ダクト内で少なくとも１つの基板の回転運動が改善され、生産される
半導体被膜の最適な均一性が達成される。
【００３６】 さらに基板に対向する加熱流体ダクトの境界壁を、ガス状媒体によって希望す
る温度勾配に積極的に冷却できるようにすると好都合である。このようにして温
度勾配および温度の時間的経過に好都合な影響を与えることができる。
【００３７】 回転基板は加熱流体ダクトの任意の境界壁に配置される基板容器に置くことが
できるので、重力効果を処理を最適化するため好都合に利用することができる。
【００３８】 基板容器のガス出口がガス分配リングとして形成されると、ガスは均等に周囲
から流体ダクトから放出される。種々の不活性材料によってガス分配リングを形
成すると、温度勾配および温度の時間的経過に好都合な影響を与える。ここでも
影響を与えることができる処理パラメータの数を有利な方法で増加させることが
できる。排出されたガスの反応はこうして防止される。
【００３９】 本発明による適切な方法において、適切な処理ガスおよび搬送ガスを使用して
、適切な圧力と組み合わせた最適温度操作によって高い成長率を有する被膜が非
常に均一に沈積するよう好都合に実施される。これにより、特にＣＶＤ、ＭＯＣ
ＶＤ、またはＭＯＶＰＥ法のような既知の沈積方法が改善される。
【００４０】 処理温度よりずっと低く冷却された処理ガスおよび搬送ガスを高温の基板の直
前に導入することによって、原料ガスの早期の分解および分解生成物によるガス
流の局所的過飽和は回避される。
【００４１】 本発明による方法において、製作される半導体被膜の品質に好都合な影響を与
える選択された処理ガスおよび搬送ガスが使用される。
【００４２】 特に５×１０１４ｃｍ−３ないし５×１０１９ｃｍ−３のドーピングが達成さ
れる。
【００４３】 基板容器の均等な温度分布に基づく基板の前または基板上での原料ガスの完全
な分解によって、１０μｍまたはそれ以上のＳｉＣおよび／またはＳｉＣｘＧｅ
１−ｘ（ｘ＝０−１）の半導体被膜の成長率が達成される。
【００４４】 本発明による方法によって得られる基板に垂直な方向の小さな温度勾配によっ
て、ガス流内のＳｉクラスタおよびＳｉ核の低減が好都合に達成される。
【００４５】 ホモエピクタシーまたはヘテロエピクタシー沈積が好都合に可能である。
【００４６】 本発明を以下本発明の一般的な考え方に制約されることなく、開示に関して文
章では詳しく説明することができない本発明の詳細について明確に示した図面を
参照して、代表的な実施例について説明する。
【００４７】
【発明の実施の形態】
図１による実施例において、本発明によるシステムまたは本発明による装置の
下記の要素に参照符号を付ける。
【００４８】 参照符号１は積極的に冷却される入口を示す。参照符号２は低温の入口１およ
び加熱流体ダクト間の高度な絶縁性の耐熱材料（たとえば発泡グラファイト）か
ら構成される短い絶縁区間を示す。
【００４９】 参照符号３ａは、ガス翼回転によって回転する基板皿４を備えた基板容器また
は基板保持体を示し、これらは両者とも不活性で１８００℃まで水素基に対して
抵抗のある塗装（たとえばＴａＣ）を備えた耐熱性および伝導性の材料（例えば
グラファイト）から構成される。基板容器３ａに向かい合って設けられる流体ダ
クトの上部境界３ｂは、（図示しない）側壁とともにガスの流れの方向と垂直な
閉鎖された流体ダクトを構成し、その内部に基板容器３ａが内蔵されている。基
板容器３ａに別の境界壁に配置することもできる。参照符号５は１つまたは多数
のコイルを示し、閉じられた基板容器３ａの周囲または上下に配置され、流体ダ
クト全体を積極的に加熱する。参照符号６は種々の材料から構成される１つまた
は多数の出口区間を示し、受納部およびガス出口の間の温度を連続的に低下させ
る。参照符号８は、コイルの位置と関係なく温度分布に影響を与えるため、基板
容器と別の導電率を有し不活性である（例えばＭｏ、Ｔｅ）材料から構成される
基板容器３ａに比べて薄い板を示す。
【００５０】 図２はシステム内部における場所と関連したシステムの処理ガスの温度分布を
示す。このとき処理ガスは加熱される流体ダクトの入口まで冷却して導かれ、続
いて非常に速く処理ガスの熱分解に必要な一定温度に加熱されることが分る。出
口の後で出口区間によって連続的で制御された処理ガスの冷却が行われる。
【００５１】 図３は、二重回転の半径方向流反応炉として構成される本発明によるシステム
、または本発明による装置の別の実施例を示す。反応炉は図３の左側の一点鎖線
に対し対称に形成されるので半分だけが図示されている。ここでも参照符号２は
積極的に冷却される入口を示す。参照符号２は低温の入口１および高温のサセプ
タ間の高度な絶縁性の耐熱材料（たとえば発泡グラファイト）から構成される短
い絶縁区間を示す。参照符号３ａは、ガス翼回転によって回転する基板皿４を備
えた基板容器または基板保持体を示し、これらは両者とも不活性で１８００℃ま
で水素基に対して抵抗のある塗装（たとえばＴａＣ）を施した耐熱性および伝導
性の材料（例えばグラファイト）から構成される。基板容器３ａに向かい合って
設けられる流体ダクトの上部境界３ｂは、（図示しない）側壁とともにガスの流
れの方向と垂直な閉鎖された流体ダクトを構成し、その内部に基板容器３ａが内
蔵されている。基板容器３ａは別の境界壁に配置することもできる。参照符号５
は１つまたは多数のコイルを示し、閉じられた基板容器３ａの周囲または上下に
配置され、流体ダクト全体を積極的に加熱する。参照符号６は種々の材料から構
成される１つまたは多数の出口区間を示し、サセプタおよびガス出口の間の温度
を連続的に低下させる。参照符号８は、コイルの位置と関係なく温度分布に影響
を与えるため、基板容器と別の導電率を有し不活性である（例えばＭｏ、Ｔｅ）
材料から構成される基板容器３ａに比べて薄い板を示す。
【００５２】 図１によるシステムとの相違は、参照符号７で示される二重回転の半径方向流
反応炉としての形態に追加される出口リングで、基板容器の周囲の均等な流れの
配分に寄与する。
【００５３】 図４は、二重回転の半径方向流反応炉として構成されたシステムの温度分布を
示し、この温度分布は図２による温度分布の原理に相当する。
【発明の効果】
半導体被膜の最適な均一性とともに高い被膜の成長率が達成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ガス相からの被膜を沈積する本発明による装置の断面図である。
【図２】 図１による装置内部の場所による温度分布を示す図である。
【図３】 ガス相からの被膜を沈積するため二重回転の半径流反応炉として構成した、本
発明による別の装置の断面図である。
【図４】 図３による装置内部の場所による温度分布を示す図である
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年１０月１５日（２００１．１０．１５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジューゲンセン、ホルガー ドイツ国、52072 アーヘン、ラータウス ストラッセ 43デー Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE08 BE13 BE15 DB04 DB07 EA02 EA03 EG21 HA06 TA04 TB02 TJ03 TJ04 4K030 AA06 AA08 BA37 BA38 FA10 JA01 JA09 JA10 KA22 LA12 LA14 5F045 AA03 AB06 AC01 AC07 AC15 AD15 AD16 AD17 AD18 BB02 DP18 DP27 DQ06 EK02 EM10

Claims (39)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＳｉＣおよび／またはＳｉＣｘＧｅ１−ｘ（ｘ＝０−１）半
    導体被膜または、広い（電子的）帯域ギャップおよび特に高い結合エネルギーを
    有する関連する材料（例えばＡｌＮまたはＧａＮ）をＣＶＤ方法によって沈積す
    る方法において、 少なくとも一つの基板が約１１００ないし１８００℃の温度に加熱され、 少なくとも一つの基板がすべての側面から積極的に加熱される流体ダクト反応
    炉内で回転され、および ホモエピクタシーまたはヘテロエピクタシー沈積が行われることを特徴とする
    方法。
  2. 【請求項２】 制御または調整された流体ダクト反応炉の壁面の加熱である
    ことを特徴とする請求項１による方法。
  3. 【請求項３】 少なくとも１つの基板の回転が機械的に駆動する軸および／
    または望ましくは「ガス翼回転」によって行われることを特徴とする請求項１ま
    たは２の何れかによる方法。
  4. 【請求項４】 基板が少なくとも１つの基板容器内または基板容器上に設置
    される基板皿に配置され、および 基板皿が「ガス翼回転」によって基板容器に対して駆動されることを特徴とす
    る請求項３による方法。
  5. 【請求項５】 反応炉として二重回転の半径方向流反応炉が使用されること
    を特徴とする請求項４による方法。
  6. 【請求項６】 処理温度よりもずっと低い温度を持つ処理ガスおよび搬送ガ
    スが高温の基板の直前に導入されるので、処理ガスまたは原料ガスの早期の分解
    、および／または分解生成物によるガス流の局部的過飽和が防止できることを特
    徴とする請求項１ないし５の何れかによる方法。
  7. 【請求項７】 導入前のガスが冷却されることを特徴とする請求項６による
    方法。
  8. 【請求項８】 搬送ガスとしてＨ２、Ｎ２、希ガスまたはそれらの混合体を
    使用することを特徴とする請求項１ないし７の何れかによる方法。
  9. 【請求項９】 処理ガスとしてシラン（ＳｉＨ４）またはその他のＳｉを含
    有する無機および有機初期材料、ゲルマン（ＧｅＨ４）およびプロパン（Ｃ３Ｈ
    ８）またはその他の炭化水素ガスを使用することを特徴とする請求項１ないし８
    の何れかによる方法。
  10. 【請求項１０】 ５×１０１４ｃｍ−３ないし５×１０１４ｃｍ−３のドー
    ピング被膜が製作されることを特徴とする請求項１ないし９の何れかによる方法
    。
  11. 【請求項１１】 基板容器の均等な温度分布に基づく基板の前または基板上
    での原料ガスの完全な分解によって、１０μｍまたはそれ以上のＳｉＣおよび／
    またはＳｉＣｘＧｅ１−ｘ（ｘ＝０−１）の成長率が達成されることを特徴とす
    る請求項１ないし１０の何れかによる方法。
  12. 【請求項１２】 基板に垂直な方向の小さな温度勾配によってガス流内のＳ
    ｉクラスタおよびＳｉ核の低減が達成されることを特徴とする請求項１ないし１
    １の何れかによる方法。
  13. 【請求項１３】 被膜が１０ないし１０００ｍｂａｒの処理圧力によって沈
    積されることを特徴とする請求項１ないし１２の何れかによる方法。
  14. 【請求項１４】 基板が同じ材料または別の適切な材料から構成されること
    を特徴とする請求項１ないし１３の何れかによる方法。
  15. 【請求項１５】 ＳｉＣ半導体被膜および広い電子的帯域ギャップおよび高
    い結合エネルギーを有する関連する材料を、ガス相適用法特にＣＶＤ方法によっ
    て製作する装置において、 少なくとも１ガス用ガス入口を備えた反応室、 基板が 水平に（互いに並んで）配置される回転可能な基板容器、 ガス出口、および 被膜する基板表面を１１００ないし１８００℃に、およびこれに対向する反応
    室の壁の領域を制御して高温に加熱する加熱装置 を有する装置。
  16. 【請求項１６】 反応室が回転対称に形成され、中央のガス入口および回転
    対称のガス出口を備えたことを特徴とする請求項１５による装置。
  17. 【請求項１７】 反応空間に向いた反応室の境界壁および基板皿または基板
    容器が連続した、不活性の、１８００℃までの高温に耐え、水素基によって腐食
    されない塗装を施されたことを特徴とする請求項１５または１６の何れかによる
    装置。
  18. 【請求項１８】 塗装がＴａＣ、ＮｂＣなどから構成されることを特徴とす る請求項１７による装置。
  19. 【請求項１９】 反応炉が特に対称に形成された二重回転半径方向流反応炉
    であることを特徴とする請求項１５ないし１８の何れかによる装置。
  20. 【請求項２０】 基板容器内または基板容器上に配置された少なくとも一つ
    の基板を回転する回転装置がガス翼回転であることを特徴とする請求項１５ない
    し１９の何れかによる装置。
  21. 【請求項２１】 基板容器内または基板容器上に配置された少なくとも一つ
    の基板を回転する回転装置が機械的な駆動軸であることを特徴とする請求項１５
    ないし２０の何れかによる装置。
  22. 【請求項２２】 上側、下側および側面のすべての処理ガスに面した境界壁
    によって閉鎖して加熱される流体ダクトを均一な温度にするため、少なくとも一
    つの温度制御または温度調整装置が設けられることを特徴とする請求項１５ない
    し２１の何れかによる装置。
  23. 【請求項２３】 上側、下側および側面のすべての処理ガスに面した境界壁
    によって閉鎖して加熱される流体ダクトを異なった温度にするため、少なくとも
    一つの温度制御または温度調整装置が設けられるであることを特徴とする請求項
    １５ないし２２の何れかによる装置。
  24. 【請求項２４】 処理ガスに面した境界壁、特に基板容器を加熱するため１
    つまたは多数の高周波加熱装置が設けられることを特徴とする請求項１５ないし
    ２３の何れかによる装置。
  25. 【請求項２５】 処理ガスに面した境界壁、特に基板容器を加熱するため１
    つまたは多数のランプ加熱装置が設けられることを特徴とする請求項１５ないし
    ２４の何れかによる装置。
  26. 【請求項２６】 処理ガスに面した境界壁、特に基板容器を加熱するため１
    つまたは多数の抵抗加熱装置が設けられることを特徴とする請求項１５ないし２
    ５の何れかによる装置。
  27. 【請求項２７】 処理ガスに面した境界壁、特に基板容器を加熱するため高
    周波加熱装置、ランプ加熱装置および抵抗加熱装置の任意の組み合わせが設けら
    れることを特徴とする請求項１５ないし２６の何れかによる装置。
  28. 【請求項２８】 ２つまたはそれぞれ２つの加熱流体ダクトの対向する境界
    壁の別々の温度制御を、それぞれ固有の制御を備えた２つの別々の加熱回路によ
    って行うことを特徴とする請求項１５ないし２７の何れかによる装置。
  29. 【請求項２９】 加熱流体ダクトの対向する境界壁における基板側の境界壁
    に対する別々の温度制御を、それぞれ固有の制御を備えた２つの別々の加熱回路
    によって行うことを特徴とする請求項１５ないし２７の何れかによる装置。
  30. 【請求項３０】 加熱流体ダクトの処理ガスに面した境界壁、および特に基
    板皿または基板容器が、グラファイトのような高い伝導性材料で構成されること
    を特徴とする請求項１５ないし２９の何れかによる装置。
  31. 【請求項３１】 加熱流体ダクトの処理ガスに面した境界壁、および特に基
    板皿または基板容器に、連続した、不活性で、耐熱性（約１８００℃まで）があ
    り、かつ水素基に腐食されない例えばＴａＣ、ＮｂＣなどの塗装を施したことを
    特徴とする請求項１５ないし３０の何れかによる装置。
  32. 【請求項３２】 加熱流体ダクトの寸前までの入口ガスの冷却装置が、流体
    またはガス状の媒体によって積極的に冷却されることを特徴とする請求項１５な
    いし３１の何れかによる装置。
  33. 【請求項３３】 低温のガス入口が、高度に絶縁された狭い接続片によって
    全面が加熱される流体ダクトに対して気密取り付けされることを特徴とする請求
    項１５ないし３２の何れかによる装置。
  34. 【請求項３４】 積極的に加熱される領域の下流側の流体ダクトが、種々の
    不活性材料（例えばＴａＣ塗装グラファイト、ＳｉＣ塗装グラファイト、石英な
    ど）による出口区間から構成されることを特徴とする請求項１５ないし３３の何
    れかによる装置。
  35. 【請求項３５】 基板容器と異なった導電率を有する不活性材料（例えばＴ
    ａ、Ｍｏ、Ｗ）から構成される、基板容器の厚さに比較して薄い板が、高周波の
    誘起およびそれに伴うエネルギーの集積を局部的なものに制約するため基板容器
    上または基板容器内に取り付けられることを特徴とする請求項１５ないし３４の
    何れかによる装置。
  36. 【請求項３６】 加熱流体ダクトの基板に対向する境界壁が、加熱流体ダク
    トの基板側の境界に対し一定の距離で固定して取り付けられるか、または回転可
    能に取り付けられることを特徴とする請求項１５ないし３５の何れかによる装置
    。
  37. 【請求項３７】 加熱流体ダクトの基板に対向する境界壁が、ガス状の媒体
    によって積極的に冷却できることを特徴とする請求項１５ないし３６の何れかに
    よる装置。
  38. 【請求項３８】 回転する基板が加熱流体ダクトの任意の境界壁に取り付け
    た基板容器に配置することができることを特徴とする請求項１５ないし３７の何
    れかによる装置。
  39. 【請求項３９】 基板容器のガス出口がガス分配リングとして構成されるこ
    とを特徴とする請求項１５ないし３８の何れかによる装置。
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