JP2000031064A - 横型気相エピタキシャル成長方法及びその装置 - Google Patents
横型気相エピタキシャル成長方法及びその装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】横型気相エピタキシャル成長法において、エピ
タキシャル成長膜のキャリア濃度の均一化を図ると共
に、キャリア濃度分布を自由にコントロールすることを
可能にする。 【解決手段】反応容器２内で縦軸線を中心に回転するサ
セプタ３に、該縦軸線のまわりに複数の開口５を設け、
各開口内に結晶成長用基板４を下向きに収納して下面を
露出させた状態に支持すると共に、この基板４の上に重
ねて前記各開口内に均熱板７を収納配置し、このサセプ
タ３を上方のメインヒータ２１及び側方の外周ヒータ２
２により加熱し、横方向から反応容器２内に原料ガス及
びドーパントガスを流し、熱分解反応により基板表面に
薄膜を成長させるエピタキシャル成長装置において、均
熱板の厚さを、該均熱板と前記基板との厚さの和が、サ
セプタの厚さよりも薄くなるように設定し、外周ヒータ
の寄与度を大きくする。
タキシャル成長膜のキャリア濃度の均一化を図ると共
に、キャリア濃度分布を自由にコントロールすることを
可能にする。 【解決手段】反応容器２内で縦軸線を中心に回転するサ
セプタ３に、該縦軸線のまわりに複数の開口５を設け、
各開口内に結晶成長用基板４を下向きに収納して下面を
露出させた状態に支持すると共に、この基板４の上に重
ねて前記各開口内に均熱板７を収納配置し、このサセプ
タ３を上方のメインヒータ２１及び側方の外周ヒータ２
２により加熱し、横方向から反応容器２内に原料ガス及
びドーパントガスを流し、熱分解反応により基板表面に
薄膜を成長させるエピタキシャル成長装置において、均
熱板の厚さを、該均熱板と前記基板との厚さの和が、サ
セプタの厚さよりも薄くなるように設定し、外周ヒータ
の寄与度を大きくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造に用
いられる横型気相エピタキシャル成長方法及び装置に関
するものである。
いられる横型気相エピタキシャル成長方法及び装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】横型気相エピタキシャル成長法は、反応
炉内のサセプタを回転しつつ、これに保持したウェハ上
に原料ガスを流して薄膜を形成するものであり、ＧａＡ
ｓやＡｌＧａＡｓなどの化合物半導体の薄膜単結晶を成
長するのに用いられる。原料ガスとして、高純度の有機
金属・水素化物・キャリアガスを用いており、分子線エ
ピタキシーのような超高真空を必要としないので量産性
に優れている。
炉内のサセプタを回転しつつ、これに保持したウェハ上
に原料ガスを流して薄膜を形成するものであり、ＧａＡ
ｓやＡｌＧａＡｓなどの化合物半導体の薄膜単結晶を成
長するのに用いられる。原料ガスとして、高純度の有機
金属・水素化物・キャリアガスを用いており、分子線エ
ピタキシーのような超高真空を必要としないので量産性
に優れている。
【０００３】典型的な横型気相エピタキシャル成長装置
にあっては、ウェハを支持するサセプタを回転しつつ、
ヒータによりサセプタを介してウェハを加熱し、サセプ
タと平行に原料ガスを流してウェハ上に薄膜を形成す
る。
にあっては、ウェハを支持するサセプタを回転しつつ、
ヒータによりサセプタを介してウェハを加熱し、サセプ
タと平行に原料ガスを流してウェハ上に薄膜を形成す
る。
【０００４】図６は、従来の横型気相エピタキシャル成
長装置を示した縦断面図、図７はその横断面図である。
長装置を示した縦断面図、図７はその横断面図である。
【０００５】横型気相エピタキシャル成長装置１の上下
方向の中間部には、片側に原料ガス供給口２ａ、反対側
にガス排気口２ｂを備えた横型反応容器２が配置されて
おり、その横型反応容器２の中心部には、複数の半導体
基板４を保持するサセプタ３が回転可能に配設されてい
る。
方向の中間部には、片側に原料ガス供給口２ａ、反対側
にガス排気口２ｂを備えた横型反応容器２が配置されて
おり、その横型反応容器２の中心部には、複数の半導体
基板４を保持するサセプタ３が回転可能に配設されてい
る。
【０００６】サセプタ３は図７に示すように円板形をし
ており、その円板面内には同一円上に均等に６つの円形
の開口５がサセプタを上下に貫いて設けられ、各々の開
口５内には、半導体基板４がその表面を下にして収納配
置され、さらにその上に均熱板７が重ねて収納配置され
る。この半導体基板４を開口５内に載置し支持する構造
を得るため、開口５の下面周縁部には、図８に示すよう
に開口５の中心方向に張り出した段差から成る基板支持
部６が一体に形成されており、半導体基板４は、この基
板支持部６に外周部が支えられて開口５の下面に保持さ
れる。
ており、その円板面内には同一円上に均等に６つの円形
の開口５がサセプタを上下に貫いて設けられ、各々の開
口５内には、半導体基板４がその表面を下にして収納配
置され、さらにその上に均熱板７が重ねて収納配置され
る。この半導体基板４を開口５内に載置し支持する構造
を得るため、開口５の下面周縁部には、図８に示すよう
に開口５の中心方向に張り出した段差から成る基板支持
部６が一体に形成されており、半導体基板４は、この基
板支持部６に外周部が支えられて開口５の下面に保持さ
れる。
【０００７】上記サセプタ３は、その回転軸８が上方に
延在して反応容器２の外に露出しており、この回転軸８
に磁気シールドユニット９を介して接続されたモータ１
０により回転される。サセプタ３を回転しつつ薄膜を形
成するのは、サセプタ３が静止していると、半導体基板
つまりウェハに成長する結晶の膜厚が、原料ガスの流れ
方向にばらつきを持つためであり、サセプタ３を回転し
て膜厚ばらつきを少なくしている。
延在して反応容器２の外に露出しており、この回転軸８
に磁気シールドユニット９を介して接続されたモータ１
０により回転される。サセプタ３を回転しつつ薄膜を形
成するのは、サセプタ３が静止していると、半導体基板
つまりウェハに成長する結晶の膜厚が、原料ガスの流れ
方向にばらつきを持つためであり、サセプタ３を回転し
て膜厚ばらつきを少なくしている。
【０００８】一方、反応容器２の内部には、サセプタ３
の上方を被うようにカーボン製のメインヒータ２１が配
置されると共に、このメインヒータ２１とサセプタ３と
の間においてサセプタ３の両側に位置するように２つの
外周ヒータ２２が配設され、両ヒータ２１、２２によ
り、反応容器２、半導体基板４及びサセプタ３が加熱さ
れる。このヒータ２１、２２の熱を半導体基板４に均一
に付与するため、上記開口５内には半導体基板４の上面
（非処理面）上に均熱板７が装着される。即ち、各開口
５内には、半導体基板４と均熱板７とが重ねた状態で配
設され、それらの均熱板７の厚さはその表面がサセプタ
３と同じ面一になる寸法になっている。
の上方を被うようにカーボン製のメインヒータ２１が配
置されると共に、このメインヒータ２１とサセプタ３と
の間においてサセプタ３の両側に位置するように２つの
外周ヒータ２２が配設され、両ヒータ２１、２２によ
り、反応容器２、半導体基板４及びサセプタ３が加熱さ
れる。このヒータ２１、２２の熱を半導体基板４に均一
に付与するため、上記開口５内には半導体基板４の上面
（非処理面）上に均熱板７が装着される。即ち、各開口
５内には、半導体基板４と均熱板７とが重ねた状態で配
設され、それらの均熱板７の厚さはその表面がサセプタ
３と同じ面一になる寸法になっている。
【０００９】このような構成の気相エピタキシャル成長
装置にあって、ガス供給口２ａからは、原料ガスである
トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ｇ、ＴＭＡ：有機金属）やアルシン（ＡｓＨ3 ）、又は
ドーパントガスであるジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）等が反応
容器２に供給される。例えば、ＧａＡｓを成長する場合
は、ＴＭＧとＡｓＨ3 が反応容器２内へ送り込まれ、Ｇ
ａＡｓ基板４上でＴＭＧとＡｓＨ3 の熱分解が生じ、Ｇ
ａＡｓ結晶が成長する。ＡｌＧａＡｓ結晶の場合には、
ＴＭＧ，ＴＭＡ，ＡｓＨ3 を同時に流す。そして化合物
半導体のｎ型の結晶成長時には、同時に、Ｓｉの原料と
なるジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）をｎ型ドーパントとして反
応容器２へごく微量流す。
装置にあって、ガス供給口２ａからは、原料ガスである
トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ｇ、ＴＭＡ：有機金属）やアルシン（ＡｓＨ3 ）、又は
ドーパントガスであるジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）等が反応
容器２に供給される。例えば、ＧａＡｓを成長する場合
は、ＴＭＧとＡｓＨ3 が反応容器２内へ送り込まれ、Ｇ
ａＡｓ基板４上でＴＭＧとＡｓＨ3 の熱分解が生じ、Ｇ
ａＡｓ結晶が成長する。ＡｌＧａＡｓ結晶の場合には、
ＴＭＧ，ＴＭＡ，ＡｓＨ3 を同時に流す。そして化合物
半導体のｎ型の結晶成長時には、同時に、Ｓｉの原料と
なるジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）をｎ型ドーパントとして反
応容器２へごく微量流す。
【００１０】半導体基板４はヒータ２１、２２によって
加熱されているため、基板近傍に到達した原料ガスは熱
分解反応を起こし、エピタキシャル成長が行われる。こ
の際、過剰になった原料ガスは、ガス排気口２ｂから排
気される。熱分解反応中はモータ１０によってサセプタ
３を回転し、半導体基板４上に膜厚の均一なエピタキシ
ャル層が形成されるようにする。
加熱されているため、基板近傍に到達した原料ガスは熱
分解反応を起こし、エピタキシャル成長が行われる。こ
の際、過剰になった原料ガスは、ガス排気口２ｂから排
気される。熱分解反応中はモータ１０によってサセプタ
３を回転し、半導体基板４上に膜厚の均一なエピタキシ
ャル層が形成されるようにする。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
横型気相エピタキシャル成長装置でＧａＡｓ基板上にｎ
型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓを成長させる場合、以下
に述べる問題点があった。
横型気相エピタキシャル成長装置でＧａＡｓ基板上にｎ
型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓを成長させる場合、以下
に述べる問題点があった。
【００１２】即ち、ｎ型ドーパントであるジシランは、
温度の上昇に伴い熱分解が促進されるため、エピタキシ
ャル層のキャリア濃度はサセプタ３の温度分布で決ま
る。よって外周ヒータ２２の温度を上昇させるとサセプ
タ３の中心から周縁方向の温度勾配が変化し、これに伴
ってエピタキシャル層のキャリア濃度はサセプタ３の中
心から周縁方向であるほど高くなっていく、という点で
ある。このようにキャリア濃度が不均一になると、製品
の品質向上、歩留り向上が悪くなる。
温度の上昇に伴い熱分解が促進されるため、エピタキシ
ャル層のキャリア濃度はサセプタ３の温度分布で決ま
る。よって外周ヒータ２２の温度を上昇させるとサセプ
タ３の中心から周縁方向の温度勾配が変化し、これに伴
ってエピタキシャル層のキャリア濃度はサセプタ３の中
心から周縁方向であるほど高くなっていく、という点で
ある。このようにキャリア濃度が不均一になると、製品
の品質向上、歩留り向上が悪くなる。
【００１３】そこで本発明は、上記課題を解決し、Ｇａ
Ａｓ又はＡｌＧａＡｓ層等のエピタキシャル成長膜のキ
ャリア濃度分布を均一にすることができると共に、キャ
リア濃度を自由にコントロールすることができる横型気
相エピタキシャル成長方法及び装置を提供することを目
的としている。
Ａｓ又はＡｌＧａＡｓ層等のエピタキシャル成長膜のキ
ャリア濃度分布を均一にすることができると共に、キャ
リア濃度を自由にコントロールすることができる横型気
相エピタキシャル成長方法及び装置を提供することを目
的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、次のように構成したものである。
め、本発明は、次のように構成したものである。
【００１５】（１）請求項１に記載の発明は、反応容器
内で縦軸線を中心に回転するサセプタに、該縦軸線のま
わりに複数の開口を設け、各開口内に結晶成長用基板を
下向きに収納して下面を露出させた状態に支持すると共
に、この結晶成長用基板の上に重ねて前記各開口内に均
熱板を収納配置し、このサセプタを上方のメインヒータ
及び側方の外周ヒータにより加熱し、横方向から反応容
器内にIII 族原料ガス、Ｖ族原料ガス及びドーパントガ
スのジシラン又はシランを流し、熱分解反応により結晶
成長用基板表面に薄膜を成長させるエピタキシャル成長
方法において、前記均熱板は、該均熱板と前記結晶成長
用基板との厚さの和が、サセプタの厚さよりも薄くなる
ように設定し、これにより前記外周ヒータによりエピタ
キシャル層のキャリア濃度がサセプタの中心から周縁方
向であるほど高くなっていく傾向を抑制して均一化し、
そのキャリア濃度分布が均一な状態下で、前記外周ヒー
タの温度を変化させることによりキャリア濃度をコント
ロールし、ｎ型III −Ｖ族化合物半導体結晶を成長する
ものである。
内で縦軸線を中心に回転するサセプタに、該縦軸線のま
わりに複数の開口を設け、各開口内に結晶成長用基板を
下向きに収納して下面を露出させた状態に支持すると共
に、この結晶成長用基板の上に重ねて前記各開口内に均
熱板を収納配置し、このサセプタを上方のメインヒータ
及び側方の外周ヒータにより加熱し、横方向から反応容
器内にIII 族原料ガス、Ｖ族原料ガス及びドーパントガ
スのジシラン又はシランを流し、熱分解反応により結晶
成長用基板表面に薄膜を成長させるエピタキシャル成長
方法において、前記均熱板は、該均熱板と前記結晶成長
用基板との厚さの和が、サセプタの厚さよりも薄くなる
ように設定し、これにより前記外周ヒータによりエピタ
キシャル層のキャリア濃度がサセプタの中心から周縁方
向であるほど高くなっていく傾向を抑制して均一化し、
そのキャリア濃度分布が均一な状態下で、前記外周ヒー
タの温度を変化させることによりキャリア濃度をコント
ロールし、ｎ型III −Ｖ族化合物半導体結晶を成長する
ものである。
【００１６】従来では、均熱板の厚さがサセプタと等し
く、正確にはサセプタと同じ面一になるよう定められて
いることが原因となって、メインヒータと外周ヒータの
幅射熱で生じるサセプタの中心から周縁方向の温度分布
が均一でなく、キャリア濃度分布を自由にコントロール
することができなかった、と考えられる。
く、正確にはサセプタと同じ面一になるよう定められて
いることが原因となって、メインヒータと外周ヒータの
幅射熱で生じるサセプタの中心から周縁方向の温度分布
が均一でなく、キャリア濃度分布を自由にコントロール
することができなかった、と考えられる。
【００１７】（２）請求項２に記載の発明は、前記結晶
成長用基板がＧａＡｓ基板であり、このＧａＡｓ基板上
に前記III −Ｖ族化合物半導体結晶としてｎ型のＧａＡ
ｓ又はＡｌＧａＡｓを成長させるものである。
成長用基板がＧａＡｓ基板であり、このＧａＡｓ基板上
に前記III −Ｖ族化合物半導体結晶としてｎ型のＧａＡ
ｓ又はＡｌＧａＡｓを成長させるものである。
【００１８】（３）請求項３に記載の発明は、反応容器
内で縦軸線を中心に回転するサセプタに、該縦軸線のま
わりに複数の開口を設け、各開口内に結晶成長用基板を
下向きに収納して下面を露出させた状態に支持すると共
に、この結晶成長用基板の上に重ねて前記各開口内に均
熱板を収納配置し、このサセプタを上方のメインヒータ
及び側方の外周ヒータにより加熱し、横方向から反応容
器内に原料ガス及びドーパントガスを流し、熱分解反応
により結晶成長用基板表面に薄膜を成長させるエピタキ
シャル成長装置において、前記均熱板は、該均熱板と前
記結晶成長用基板との厚さの和が、サセプタの厚さより
も薄くなるように設定したものである。
内で縦軸線を中心に回転するサセプタに、該縦軸線のま
わりに複数の開口を設け、各開口内に結晶成長用基板を
下向きに収納して下面を露出させた状態に支持すると共
に、この結晶成長用基板の上に重ねて前記各開口内に均
熱板を収納配置し、このサセプタを上方のメインヒータ
及び側方の外周ヒータにより加熱し、横方向から反応容
器内に原料ガス及びドーパントガスを流し、熱分解反応
により結晶成長用基板表面に薄膜を成長させるエピタキ
シャル成長装置において、前記均熱板は、該均熱板と前
記結晶成長用基板との厚さの和が、サセプタの厚さより
も薄くなるように設定したものである。
【００１９】この発明の前提となる、サセプタを上方の
メインヒータ及び側方の外周ヒータにより加熱するとい
う構成の下では、外周ヒータ温度を上昇させたとき、サ
セプタの中心から周縁方向の温度勾配が変化し、これに
伴ってエピタキシャル層のキャリア濃度がサセプタの中
心から周縁方向であるほど高くなっていくという特性を
呈する。本発明者等がその原因について追究考察した結
果、従来では、均熱板の厚さがサセプタと等しくなるよ
うに、正確にはサセプタと同じ面一になるよう定められ
ていたことが原因の一つであることを確認した。
メインヒータ及び側方の外周ヒータにより加熱するとい
う構成の下では、外周ヒータ温度を上昇させたとき、サ
セプタの中心から周縁方向の温度勾配が変化し、これに
伴ってエピタキシャル層のキャリア濃度がサセプタの中
心から周縁方向であるほど高くなっていくという特性を
呈する。本発明者等がその原因について追究考察した結
果、従来では、均熱板の厚さがサセプタと等しくなるよ
うに、正確にはサセプタと同じ面一になるよう定められ
ていたことが原因の一つであることを確認した。
【００２０】そこで、本発明においては、サセプタの各
開口内に結晶成長用基板に重ねて配設される均熱板に着
目し、均熱板と結晶成長用基板との厚さの和が、サセプ
タの厚さよりも薄くなるように設定し、これによりエピ
タキシャル層の均一なキャリア濃度とすることができ
た。この理由は定かでないが、縦軸線のまわりに配置さ
れるサセプタの開口の部分の熱容量が小さくなる結果、
全体としての温度の均一化が図られ、サセプタの中心か
ら周縁方向であるほど高くなっていくという従来の傾向
がなくなるものと考えられる。
開口内に結晶成長用基板に重ねて配設される均熱板に着
目し、均熱板と結晶成長用基板との厚さの和が、サセプ
タの厚さよりも薄くなるように設定し、これによりエピ
タキシャル層の均一なキャリア濃度とすることができ
た。この理由は定かでないが、縦軸線のまわりに配置さ
れるサセプタの開口の部分の熱容量が小さくなる結果、
全体としての温度の均一化が図られ、サセプタの中心か
ら周縁方向であるほど高くなっていくという従来の傾向
がなくなるものと考えられる。
【００２１】この横型気相エピタキシャル成長装置にお
いては、エピタキシャル層のキャリア濃度がサセプタの
中心から周縁方向であるほど高くなっていく傾向を抑制
して均一化し、そのキャリア濃度分布が均一な状態下
で、前記外周ヒータの温度を変化させることによりキャ
リア濃度をコントロールすることができる。
いては、エピタキシャル層のキャリア濃度がサセプタの
中心から周縁方向であるほど高くなっていく傾向を抑制
して均一化し、そのキャリア濃度分布が均一な状態下
で、前記外周ヒータの温度を変化させることによりキャ
リア濃度をコントロールすることができる。
【００２２】（４）請求項４に記載の発明は、上記横型
気相エピタキシャル成長装置において、前記の均熱板
を、前記結晶成長用基板よりも厚くしたものであり、結
晶成長用基板に対する均熱効果を良好に作用させること
ができる。
気相エピタキシャル成長装置において、前記の均熱板
を、前記結晶成長用基板よりも厚くしたものであり、結
晶成長用基板に対する均熱効果を良好に作用させること
ができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を基に説明する。
て図面を基に説明する。
【００２４】図１は本発明による横型気相エピタキシャ
ル成長装置の実施の形態を示す縦断面図、図２はその横
断面図である。
ル成長装置の実施の形態を示す縦断面図、図２はその横
断面図である。
【００２５】図１において、横型気相エピタキシャル成
長装置１の上下方向の中間部には、片側に原料ガス供給
口２ａ、反対側にガス排気口２ｂを備えた横型反応容器
２が配置されており、その横型反応容器２の中心部に
は、複数の半導体基板４を保持するサセプタ３が縦軸線
（回転軸８）のまわりに回転可能に配設されている。
長装置１の上下方向の中間部には、片側に原料ガス供給
口２ａ、反対側にガス排気口２ｂを備えた横型反応容器
２が配置されており、その横型反応容器２の中心部に
は、複数の半導体基板４を保持するサセプタ３が縦軸線
（回転軸８）のまわりに回転可能に配設されている。
【００２６】サセプタ３は円板形をしており、その円板
面内にはサセプタ３の縦軸線のまわりに同一円上に均等
に６つの円形の開口５がサセプタを上下に貫通して設け
られ、各々の開口５内には、エピタキシャル成長の対象
である結晶成長用基板としての半導体基板（ウェハ）４
がその表面を下にして収納配置され、さらにその上に均
熱板７が重ねて収納配置される。
面内にはサセプタ３の縦軸線のまわりに同一円上に均等
に６つの円形の開口５がサセプタを上下に貫通して設け
られ、各々の開口５内には、エピタキシャル成長の対象
である結晶成長用基板としての半導体基板（ウェハ）４
がその表面を下にして収納配置され、さらにその上に均
熱板７が重ねて収納配置される。
【００２７】この半導体基板４を開口５内に載置し支持
する構造を得るため、開口５の下面周縁部には、図３に
示すように開口５の中心方向に一部が張り出した金属製
のツメ１１から成る基板支持部（内向フランジ）６が設
けられており、この基板支持部６に半導体基板４の外周
部が支えられ、半導体基板４の下面が開口５の下面から
露出する。
する構造を得るため、開口５の下面周縁部には、図３に
示すように開口５の中心方向に一部が張り出した金属製
のツメ１１から成る基板支持部（内向フランジ）６が設
けられており、この基板支持部６に半導体基板４の外周
部が支えられ、半導体基板４の下面が開口５の下面から
露出する。
【００２８】この金属製のツメ１１は、底部開口５の端
面にサセプタ３とは別体に取り付けた厚さの薄い基板支
持片から成る。ツメ１１の本数は、底部開口端面の周方
向に沿って等間隔に例えば４本設けられるが、３本ある
いは５本以上でもよい。こらのツメ１１には、予めねじ
を切ったロッド１２をツメ１１の面に対して垂直に固着
しておき、ツメ１１の取り付け箇所の容器壁に軸方向に
ロッド挿通穴を明け、その挿通穴にツメのロッド１２を
通し、ナット１３で締め付けることにより、サセプタ３
の底部開口端面にツメ１１を固定する。サセプタ３内に
納めた半導体基板４は、その底部のツメ１１に基板外周
部を支えられてサセプタ３に保持される。このときエピ
タキシャル成長させる表面を下にして、基板表面がサセ
プタ３の底部開口より下方を臨むようにする。半導体基
板４を支えるツメ１１は原料ガスと反応しない金属で構
成することが好ましく、本例ではモリブデンで製作して
ある。
面にサセプタ３とは別体に取り付けた厚さの薄い基板支
持片から成る。ツメ１１の本数は、底部開口端面の周方
向に沿って等間隔に例えば４本設けられるが、３本ある
いは５本以上でもよい。こらのツメ１１には、予めねじ
を切ったロッド１２をツメ１１の面に対して垂直に固着
しておき、ツメ１１の取り付け箇所の容器壁に軸方向に
ロッド挿通穴を明け、その挿通穴にツメのロッド１２を
通し、ナット１３で締め付けることにより、サセプタ３
の底部開口端面にツメ１１を固定する。サセプタ３内に
納めた半導体基板４は、その底部のツメ１１に基板外周
部を支えられてサセプタ３に保持される。このときエピ
タキシャル成長させる表面を下にして、基板表面がサセ
プタ３の底部開口より下方を臨むようにする。半導体基
板４を支えるツメ１１は原料ガスと反応しない金属で構
成することが好ましく、本例ではモリブデンで製作して
ある。
【００２９】しかし、この基板支持部６は、別部材とせ
ず、従来の図８で述べたように、開口下縁から開口５の
中心方向に張り出した段差（内向フランジ）によって一
体に形成することもできる。
ず、従来の図８で述べたように、開口下縁から開口５の
中心方向に張り出した段差（内向フランジ）によって一
体に形成することもできる。
【００３０】図１に戻り、上記サセプタ３は、その回転
軸８が上方に延在して反応容器２の外に露出しており、
この回転軸８に磁気シールドユニット９を介して接続さ
れたモータ１０により回転される。
軸８が上方に延在して反応容器２の外に露出しており、
この回転軸８に磁気シールドユニット９を介して接続さ
れたモータ１０により回転される。
【００３１】一方、反応容器２の内部には、サセプタ３
の上方に長方形のメインヒータ２１が、サセプタ３の領
域を被う大きさで設けられると共に、原料の流下方向に
みてサセプタ３の側方（両側）に、外周ヒータ２２が設
けられている。この実施形態では、外周ヒータ２２は、
メインヒータ２１とサセプタ３との間において、かつ、
メインヒータ２１より内側において、メインヒータ２１
の円弧に合わせた形状で設けられている。
の上方に長方形のメインヒータ２１が、サセプタ３の領
域を被う大きさで設けられると共に、原料の流下方向に
みてサセプタ３の側方（両側）に、外周ヒータ２２が設
けられている。この実施形態では、外周ヒータ２２は、
メインヒータ２１とサセプタ３との間において、かつ、
メインヒータ２１より内側において、メインヒータ２１
の円弧に合わせた形状で設けられている。
【００３２】そしてこのメインヒータ２１と外周ヒータ
２２は独立に通電して温度をコントロールできるように
なっている。
２２は独立に通電して温度をコントロールできるように
なっている。
【００３３】さて、両ヒータ２１、２２の熱を半導体基
板４に均一に付与するため、上記開口５内には均熱板７
が装着され、上記半導体基板４の上面（非処理面）の上
に重ねられる。
板４に均一に付与するため、上記開口５内には均熱板７
が装着され、上記半導体基板４の上面（非処理面）の上
に重ねられる。
【００３４】この均熱板７は、図３に示すように均熱板
７の厚さをサセプタよりも薄くなるように、正確には均
熱板７と前記半導体基板４との厚さの和が、サセプタの
厚さよりも薄くなるように設定されている。この実施形
態の場合、均熱板７の厚さはサセプタ３の厚さの半分
（３mm）としている。これは、前記外周ヒータ２２によ
りエピタキシャル層のキャリア濃度がサセプタ３の中心
から周縁方向であるほど高くなっていく傾向を抑制し
て、キャリア濃度の均一化を図るためである。従って、
サセプタの裏面（上面）には開口部５において凹部が形
成されることになるが、原料ガスの流下と成長はサセプ
タの表面（下面）側にて行われるので問題はない。
７の厚さをサセプタよりも薄くなるように、正確には均
熱板７と前記半導体基板４との厚さの和が、サセプタの
厚さよりも薄くなるように設定されている。この実施形
態の場合、均熱板７の厚さはサセプタ３の厚さの半分
（３mm）としている。これは、前記外周ヒータ２２によ
りエピタキシャル層のキャリア濃度がサセプタ３の中心
から周縁方向であるほど高くなっていく傾向を抑制し
て、キャリア濃度の均一化を図るためである。従って、
サセプタの裏面（上面）には開口部５において凹部が形
成されることになるが、原料ガスの流下と成長はサセプ
タの表面（下面）側にて行われるので問題はない。
【００３５】この均熱板７の厚さをサセプタよりも薄く
する構造は、従来の構造、つまり厚さの大きい均熱板７
を用い、その均熱板７の表面がサセプタ３と同じ面一に
なるようにしたものと大きく異なる。
する構造は、従来の構造、つまり厚さの大きい均熱板７
を用い、その均熱板７の表面がサセプタ３と同じ面一に
なるようにしたものと大きく異なる。
【００３６】このように、片側に原料ガス供給口２ａ、
反対側にガス排気口２ｂを備える反応容器２の内部の中
心部に、回転する円板型のサセプタ３が配設され、この
サセプタ３に図７で示した複数の半導体基板４がセット
されて、半導体基板４が回転される。また反応容器２の
上部に配設したメインヒータ２１及び側方に配設した外
周ヒータ２２により、反応容器２、半導体基板４、サセ
プタ３が加熱される。
反対側にガス排気口２ｂを備える反応容器２の内部の中
心部に、回転する円板型のサセプタ３が配設され、この
サセプタ３に図７で示した複数の半導体基板４がセット
されて、半導体基板４が回転される。また反応容器２の
上部に配設したメインヒータ２１及び側方に配設した外
周ヒータ２２により、反応容器２、半導体基板４、サセ
プタ３が加熱される。
【００３７】ここで、均熱板７がサセプタ３と同じ面一
になるような厚いものである場合は、外周ヒータ２２に
よりエピタキシャル層のキャリア濃度がサセプタ３の中
心から周縁方向であるほど高くなっていく傾向を示す
が、上記のように均熱板７の厚さをサセプタの厚さの半
分（３mm）に設定すると、上記傾向を抑制して、キャリ
ア濃度の均一化を図ることができる。即ち、均熱板７の
厚さをサセプタ３の厚さの半分（３mm）と薄くすること
により、メインヒータ２１と外周ヒータ２２の輻射熱で
生じるサセプタ３の中心から周縁方向の温度分布を均一
にすることができ、これによってキャリア濃度の均一化
を図ることができる。この理由は定かでないが、縦軸線
のまわりに円弧に沿って複数個配置されるサセプタの開
口５の部分の熱容量が小さくなる結果、全体としての温
度の均一化が図られ、サセプタ３の中心から周縁方向で
あるほど高くなっていくという従来の傾向がなくなるも
のと考えられる。
になるような厚いものである場合は、外周ヒータ２２に
よりエピタキシャル層のキャリア濃度がサセプタ３の中
心から周縁方向であるほど高くなっていく傾向を示す
が、上記のように均熱板７の厚さをサセプタの厚さの半
分（３mm）に設定すると、上記傾向を抑制して、キャリ
ア濃度の均一化を図ることができる。即ち、均熱板７の
厚さをサセプタ３の厚さの半分（３mm）と薄くすること
により、メインヒータ２１と外周ヒータ２２の輻射熱で
生じるサセプタ３の中心から周縁方向の温度分布を均一
にすることができ、これによってキャリア濃度の均一化
を図ることができる。この理由は定かでないが、縦軸線
のまわりに円弧に沿って複数個配置されるサセプタの開
口５の部分の熱容量が小さくなる結果、全体としての温
度の均一化が図られ、サセプタ３の中心から周縁方向で
あるほど高くなっていくという従来の傾向がなくなるも
のと考えられる。
【００３８】また、均熱板７の厚さはサセプタ３の厚さ
の半分とすることにより、外周ヒータ２２の寄与の程度
が大きくなり、外周ヒータ２２の温度を変化させてキャ
リア濃度分布をコントロールすることができるようにな
る。よって外周ヒータ２２の温度を変化させることによ
り、サセプタ３の中心から周縁方向のキャリア濃度分布
を自由にコントロールすることができる。
の半分とすることにより、外周ヒータ２２の寄与の程度
が大きくなり、外周ヒータ２２の温度を変化させてキャ
リア濃度分布をコントロールすることができるようにな
る。よって外周ヒータ２２の温度を変化させることによ
り、サセプタ３の中心から周縁方向のキャリア濃度分布
を自由にコントロールすることができる。
【００３９】
【実施例】次に、本発明の実施例として、ＧａＡｓ基板
上にｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓをエピタキシャル
成長させた場合について説明する。
上にｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓをエピタキシャル
成長させた場合について説明する。
【００４０】本発明による気相エピタキシャル成長装置
で、ＧａＡｓを成長する場合は、トリメチルガリウム
（ＴＭＧ）とアルシン（ＡｓＨ3 ）を反応容器２内へ送
り込むことによって、ＧａＡｓ基板４上でＴＭＧとＡｓ
Ｈ3 の熱分解を生じさせ、ＧａＡｓ結晶を成長させた。
ＡｌＧａＡｓ結晶の場合には、ＴＭＧ，トリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡ），ＡｓＨ3 を同時に流した。そして
化合物半導体のｎ型の結晶成長時には、同時に、Ｓｉの
原料となるジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）をｎ型ドーパントと
して反応容器２へごく微量流した。
で、ＧａＡｓを成長する場合は、トリメチルガリウム
（ＴＭＧ）とアルシン（ＡｓＨ3 ）を反応容器２内へ送
り込むことによって、ＧａＡｓ基板４上でＴＭＧとＡｓ
Ｈ3 の熱分解を生じさせ、ＧａＡｓ結晶を成長させた。
ＡｌＧａＡｓ結晶の場合には、ＴＭＧ，トリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡ），ＡｓＨ3 を同時に流した。そして
化合物半導体のｎ型の結晶成長時には、同時に、Ｓｉの
原料となるジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）をｎ型ドーパントと
して反応容器２へごく微量流した。
【００４１】本発明による横型気相エピタキシャル成長
装置で上記ｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓをエピタキ
シャル成長を行ったときのキャリア濃度分布と外周ヒー
タ温度依存性は、図４に示す通りである。本発明者等
は、均熱板の厚さがサセプタ３の厚さ６mmに対し１／
３、１／２、２／３のものについて検討したが、これら
は全て同じ傾向を示すので、ここでは代表的に、サセプ
タ３の厚さ６mmに対し１／２の（３mm）厚さとしたもの
についての測定結果を図４に示した。横軸のウェハ中心
からの距離（mm）は、サセプタ３の中心側になる方向の
距離をプラスとし、サセプタ３の外周側になる方向の距
離をマイナスとして示した。メインヒータ２１の温度は
８２５℃とし、外周ヒータ２２の温度については、９０
０℃、９５０℃、１０００℃に変化させた。成長後のキ
ャリア濃度（×１０17cm-3）については１５mmピッチで
測定した。
装置で上記ｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓをエピタキ
シャル成長を行ったときのキャリア濃度分布と外周ヒー
タ温度依存性は、図４に示す通りである。本発明者等
は、均熱板の厚さがサセプタ３の厚さ６mmに対し１／
３、１／２、２／３のものについて検討したが、これら
は全て同じ傾向を示すので、ここでは代表的に、サセプ
タ３の厚さ６mmに対し１／２の（３mm）厚さとしたもの
についての測定結果を図４に示した。横軸のウェハ中心
からの距離（mm）は、サセプタ３の中心側になる方向の
距離をプラスとし、サセプタ３の外周側になる方向の距
離をマイナスとして示した。メインヒータ２１の温度は
８２５℃とし、外周ヒータ２２の温度については、９０
０℃、９５０℃、１０００℃に変化させた。成長後のキ
ャリア濃度（×１０17cm-3）については１５mmピッチで
測定した。
【００４２】また、図９は、従来の気相エピタキシャル
成長装置でエピタキシャル成長を行ったときの、キャリ
ア濃度分布の外周ヒータ温度依存性を示す特性図であ
り、本発明との比較のために示した。図４の場合と同じ
く、メインヒータ２１の温度は８２５℃とし、外周ヒー
タ２２の温度については、９００℃、９５０℃、１００
０℃に変化させた。また成長後の膜厚についても、図
４、図５の場合と同じとし、キャリア濃度はウェハの中
心から１５mmピッチで測定した。
成長装置でエピタキシャル成長を行ったときの、キャリ
ア濃度分布の外周ヒータ温度依存性を示す特性図であ
り、本発明との比較のために示した。図４の場合と同じ
く、メインヒータ２１の温度は８２５℃とし、外周ヒー
タ２２の温度については、９００℃、９５０℃、１００
０℃に変化させた。また成長後の膜厚についても、図
４、図５の場合と同じとし、キャリア濃度はウェハの中
心から１５mmピッチで測定した。
【００４３】図４に示すように、本発明による気相エヒ
タキシャル成長装置では、外周ヒーター温度を上昇させ
ると、サセプタ３の周縁方向のキャリア濃度を高くする
ことができるだけでなく、外周ヒーター温度１０００℃
において非常に均一なキャリア濃度分布を得た。
タキシャル成長装置では、外周ヒーター温度を上昇させ
ると、サセプタ３の周縁方向のキャリア濃度を高くする
ことができるだけでなく、外周ヒーター温度１０００℃
において非常に均一なキャリア濃度分布を得た。
【００４４】これに対し従来の気相エピタキシャル成長
装置では、図９に示すように、サセプタ外周側３０mm位
置のキャリア濃度は外周ヒーター温度を上昇させると高
くなっていくがサセプタ外周側１５mm位置では大きく変
化しなかった。また、従来の従来の気相エピタキシャル
成長装置では、いずれの外周ヒーター温度においても均
一なキャリア濃度分布を得ことはできなかった。これ
は、均熱板の厚みに起因する温度分布の不均一による影
響であると考えられる。
装置では、図９に示すように、サセプタ外周側３０mm位
置のキャリア濃度は外周ヒーター温度を上昇させると高
くなっていくがサセプタ外周側１５mm位置では大きく変
化しなかった。また、従来の従来の気相エピタキシャル
成長装置では、いずれの外周ヒーター温度においても均
一なキャリア濃度分布を得ことはできなかった。これ
は、均熱板の厚みに起因する温度分布の不均一による影
響であると考えられる。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
のような優れた効果が得られる。
のような優れた効果が得られる。
【００４６】（１）請求項１に記載の発明によれば、サ
セプタに設けた複数の開口内に結晶成長用基板に重ねて
収納配置される均熱板に着目し、その均熱板と結晶成長
用基板との厚さの和が、サセプタの厚さよりも薄くなる
ように設定し、これにより前記外周ヒータによりエピタ
キシャル層のキャリア濃度がサセプタの中心から周縁方
向であるほど高くなっていく傾向を抑制して均一化し、
そのキャリア濃度分布が均一な状態下で、前記外周ヒー
タの温度を変化させることによりキャリア濃度をコント
ロールし、ｎ型III −Ｖ族化合物半導体結晶を成長する
方法であるので、従来に較べ、外周ヒーターの輻射熱で
生じる温度分布を均一にすることができ、また、キャリ
ア濃度の均一化を図りつつキャリア濃度分布を自由にコ
ントロールすることができる。これにより製品の生産性
の向上が図られる。
セプタに設けた複数の開口内に結晶成長用基板に重ねて
収納配置される均熱板に着目し、その均熱板と結晶成長
用基板との厚さの和が、サセプタの厚さよりも薄くなる
ように設定し、これにより前記外周ヒータによりエピタ
キシャル層のキャリア濃度がサセプタの中心から周縁方
向であるほど高くなっていく傾向を抑制して均一化し、
そのキャリア濃度分布が均一な状態下で、前記外周ヒー
タの温度を変化させることによりキャリア濃度をコント
ロールし、ｎ型III −Ｖ族化合物半導体結晶を成長する
方法であるので、従来に較べ、外周ヒーターの輻射熱で
生じる温度分布を均一にすることができ、また、キャリ
ア濃度の均一化を図りつつキャリア濃度分布を自由にコ
ントロールすることができる。これにより製品の生産性
の向上が図られる。
【００４７】（２）請求項２に記載の発明によれば、上
記成長方法によりＧａＡｓ基板上にIII −Ｖ族化合物半
導体結晶としてｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓを均一
なキャリア濃度分布で成長させることができる。
記成長方法によりＧａＡｓ基板上にIII −Ｖ族化合物半
導体結晶としてｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓを均一
なキャリア濃度分布で成長させることができる。
【００４８】（３）請求項３に記載の発明によれば、サ
セプタの各開口内に結晶成長用基板に重ねて配設される
均熱板に着目し、この均熱板を、該均熱板と前記結晶成
長用基板との厚さの和が、サセプタの厚さよりも薄くな
るように設定したので、エピタキシャル層のキャリア濃
度がサセプタの中心から周縁方向であるほど高くなって
いく傾向を抑制して均一化し、そのキャリア濃度分布が
均一な状態下で、前記外周ヒータの温度を変化させるこ
とによりキャリア濃度をコントロールすることができ
る。従って、製品の生産性の向上が図られる。
セプタの各開口内に結晶成長用基板に重ねて配設される
均熱板に着目し、この均熱板を、該均熱板と前記結晶成
長用基板との厚さの和が、サセプタの厚さよりも薄くな
るように設定したので、エピタキシャル層のキャリア濃
度がサセプタの中心から周縁方向であるほど高くなって
いく傾向を抑制して均一化し、そのキャリア濃度分布が
均一な状態下で、前記外周ヒータの温度を変化させるこ
とによりキャリア濃度をコントロールすることができ
る。従って、製品の生産性の向上が図られる。
【００４９】（４）請求項３に記載の発明によれば、上
記横型気相エピタキシャル成長装置において、均熱板を
結晶成長用基板よりも厚くしたので、均熱板の結晶成長
用基板に対する均熱効果を良好に作用させることができ
る。
記横型気相エピタキシャル成長装置において、均熱板を
結晶成長用基板よりも厚くしたので、均熱板の結晶成長
用基板に対する均熱効果を良好に作用させることができ
る。
【図１】本発明の横型気相エピタキシャル成長装置の実
施の形態を示す縦断面図である。
施の形態を示す縦断面図である。
【図２】本発明の横型気相エピタキシャル成長装置の実
施の形態を示す横断面図である。
施の形態を示す横断面図である。
【図３】本発明の横型気相エピタキシャル成長装置にお
けるサセプタの開口部分の断面図である。
けるサセプタの開口部分の断面図である。
【図４】本発明による横型気相エピタキシャル成長装置
でエピタキシャル成長を行ったときのキャリア濃度分布
の下流ヒータ温度依存性を示す特性図である。
でエピタキシャル成長を行ったときのキャリア濃度分布
の下流ヒータ温度依存性を示す特性図である。
【図５】従来の横型気相エピタキシャル成長装置を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図６】従来の横型気相エピタキシャル成長装置を示す
横断面図である。
横断面図である。
【図７】図５のサセプタの詳細を半導体基板及び均熱板
を装着した状態で示した平面図である。
を装着した状態で示した平面図である。
【図８】従来の横型気相エピタキシャル成長装置におけ
るサセプタの開口部分の断面図である。
るサセプタの開口部分の断面図である。
【図９】従来の横型気相エピタキシャル成長装置でエピ
タキシャル成長を行ったときのキャリア濃度分布の下流
ヒータ温度依存性を示す特性図である。
タキシャル成長を行ったときのキャリア濃度分布の下流
ヒータ温度依存性を示す特性図である。
１ 横型気相エピタキシャル成長装置 ２ 反応容器 ２ａ 原料ガス供給口 ２ｂ ガス排気口 ３ サセプタ ４ 半導体基板（結晶成長用基板） ５ 開口 ６ 基板支持部 ７ 均熱板 ８ 回転軸 ９ 磁気シールドユニット １０ モータ １１ ツメ １２ ロッド ２１ メインヒータ ２２ 外周ヒータ
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G077 AA03 AB02 BE41 BE46 DB08 EB01 ED06 EG25 EH05 EH07 HA12 5F045 AA04 AB10 AB17 AC01 AC08 AF04 BB08 DA62 DP15 DP27 DQ06 EB02 EB03 EK22 EK30 EM02
Claims (4)
- 【請求項１】反応容器内で縦軸線を中心に回転するサセ
プタに、該縦軸線のまわりに複数の開口を設け、各開口
内に結晶成長用基板を下向きに収納して下面を露出させ
た状態に支持すると共に、この結晶成長用基板の上に重
ねて前記各開口内に均熱板を収納配置し、このサセプタ
を上方のメインヒータ及び側方の外周ヒータにより加熱
し、横方向から反応容器内にIII 族原料ガス、Ｖ族原料
ガス及びドーパントガスのジシラン又はシランを流し、
熱分解反応により結晶成長用基板表面に薄膜を成長させ
るエピタキシャル成長方法において、前記均熱板は、該
均熱板と前記結晶成長用基板との厚さの和が、サセプタ
の厚さよりも薄くなるように設定され、これにより前記
外周ヒータによりエピタキシャル層のキャリア濃度がサ
セプタの中心から周縁方向であるほど高くなっていく傾
向を抑制して均一化し、そのキャリア濃度分布が均一な
状態下で、前記外周ヒータの温度を変化させることによ
りキャリア濃度をコントロールし、ｎ型III −Ｖ族化合
物半導体結晶を成長することを特徴とする横型気相エピ
タキシャル成長方法。 - 【請求項２】前記結晶成長用基板がＧａＡｓ基板であ
り、このＧａＡｓ基板上に前記III −Ｖ族化合物半導体
結晶としてｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓを成長させ
ることを特徴とする請求項１記載の横型気相エピタキシ
ャル成長方法。 - 【請求項３】反応容器内で縦軸線を中心に回転するサセ
プタに、該縦軸線のまわりに複数の開口を設け、各開口
内に結晶成長用基板を下向きに収納して下面を露出させ
た状態に支持すると共に、この結晶成長用基板の上に重
ねて前記各開口内に均熱板を収納配置し、このサセプタ
を上方のメインヒータ及び側方の外周ヒータにより加熱
し、横方向から反応容器内に原料ガス及びドーパントガ
スを流し、熱分解反応により結晶成長用基板表面に薄膜
を成長させるエピタキシャル成長装置において、前記均
熱板は、該均熱板と前記結晶成長用基板との厚さの和
が、サセプタの厚さよりも薄くなるように設定したこと
を特徴とする横型気相エピタキシャル成長装置。 - 【請求項４】前記の均熱板は、前記結晶成長用基板より
も厚いことを特徴とする請求項３記載の横型気相エピタ
キシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10195694A JP2000031064A (ja) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | 横型気相エピタキシャル成長方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10195694A JP2000031064A (ja) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | 横型気相エピタキシャル成長方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031064A true JP2000031064A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=16345450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10195694A Pending JP2000031064A (ja) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | 横型気相エピタキシャル成長方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031064A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002175992A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Ee Technologies:Kk | 基板回転機構を備えた成膜装置 |
| JP2002261021A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Japan Pionics Co Ltd | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP2003121107A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-23 | Tadatoshi Goto | 回転型位置検出装置 |
| WO2004079043A2 (en) * | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Cree, Inc. | Susceptor apparatus for inverted type mocvd reactor |
| US8372204B2 (en) | 2002-05-13 | 2013-02-12 | Cree, Inc. | Susceptor for MOCVD reactor |
-
1998
- 1998-07-10 JP JP10195694A patent/JP2000031064A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002175992A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Ee Technologies:Kk | 基板回転機構を備えた成膜装置 |
| JP2002261021A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Japan Pionics Co Ltd | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP2003121107A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-23 | Tadatoshi Goto | 回転型位置検出装置 |
| US8372204B2 (en) | 2002-05-13 | 2013-02-12 | Cree, Inc. | Susceptor for MOCVD reactor |
| WO2004079043A2 (en) * | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Cree, Inc. | Susceptor apparatus for inverted type mocvd reactor |
| WO2004079043A3 (en) * | 2003-03-04 | 2005-01-20 | Cree Inc | Susceptor apparatus for inverted type mocvd reactor |
| US8366830B2 (en) * | 2003-03-04 | 2013-02-05 | Cree, Inc. | Susceptor apparatus for inverted type MOCVD reactor |
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