JP6184479B2 - 化学蒸着のための強磁性流体シールを有する回転円盤反応器 - Google Patents
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Description
本願は、米国仮特許出願第61/648,640号(2012年5月18日出願、名称“Rotating Disk For Chemical Vapor Deposition,”)、米国仮特許出願第61/781,858号(2013年3月14日出願、名称“Rotating Disk Reactor with Ferrofluid Seal for Chemical Vapor Deposition,”)、および米国仮特許出願第61/648,646号(2012年5月18日出願、名称“Substrate Carrier For Chemical Vapor Deposition.”)を基礎とする優先権を主張する。米国仮特許出願第61/648,640号、第61/781,858号、および第61/648,646号の内容全体は、参照により本明細書に援用される。
例えば、本願発明は以下の項目を提供する。
(項目1)
化学蒸着のための回転円盤反応器であって、前記反応器は、
a)真空チャンバと、
b)モータシャフトを前記真空チャンバ内に通過させる強磁性流体フィードスルーであって、前記強磁性流体フィードスルーは、上側および下側強磁性流体シールを備えている、強磁性流体フィードスルーと、
c)前記上側強磁性流体シールと前記下側強磁性流体シールとの間の大気領域内に位置付けられているモータであって、前記モータは、前記モータシャフトに連結されている、モータと、
d)前記真空チャンバ内に位置付けられ、前記モータが所望の回転率において前記回転板を回転させるように、前記モータシャフトに連結されている回転板と、
e)前記回転板に連結されている誘電支持体であって、前記回転板は、前記シャフトによって駆動されると、前記誘電支持体を回転させる、誘電支持体と、
f)前記誘電支持体上に位置付けられている基板ホルダーであって、前記基板ホルダーは、化学蒸着処理のために、基板を前記真空チャンバ内で支持する、基板ホルダーと、
g)前記基板ホルダーに近接して位置付けられているヒータであって、前記ヒータは、化学蒸着プロセスのために、前記基板ホルダーの温度を所望の温度に制御する、ヒータと
を備えている、反応器。
(項目2)
前記強磁性流体フィードスルーは、前記ヒータまたは冷却ラインに給電し、前記真空チャンバ内の温度を制御する電極のうちの少なくとも1つを通過させるための中空導管を形成している、項目1に記載の反応器。
(項目3)
前記モータは、前記モータシャフトに直接連結されている、項目1に記載の反応器。
(項目4)
前記モータシャフトは、前記回転板に機械的に連結されている、項目1に記載の反応器。
(項目5)
前記モータシャフトは、前記回転板に磁気的に連結されている、項目1に記載の反応器。
(項目6)
前記モータシャフトは、前記回転板の回転中心からオフセットされた領域内において、前記回転板に連結されている、項目1に記載の反応器。
(項目7)
前記モータシャフトは、誘電材料から形成されている、項目1に記載の反応器。
(項目8)
前記誘電支持体は、可撓性締結具を用いて、前記回転板に連結されている、項目1に記載の反応器。
(項目9)
前記可撓性締結具は、前記回転板に対して前記誘電支持体を中心付け、係止する傾斜コイルばねを備えている、項目8に記載の反応器。
(項目10)
前記誘電支持体は、約10W/(mK)未満の熱伝導性を有する誘電材料から形成されている、項目1に記載の反応器。
(項目11)
前記誘電支持体は、処理中の基板と前記真空チャンバ内の冷却領域との間に熱障壁を形成する材料から形成されている、項目1に記載の反応器。
(項目12)
前記誘電支持体は、石英から形成されている、項目1に記載の反応器。
(項目13)
前記誘電支持体は、円筒形外側表面を備えている、項目1に記載の反応器。
(項目14)
前記基板ホルダーは、前記誘電支持体の上部表面と前記基板ホルダーの底部表面との間の摩擦によって、前記誘電支持体の上部に保持されている、項目1に記載の反応器。
(項目15)
前記基板ホルダーは、単一基板ホルダーを備えている、項目1に記載の反応器。
(項目16)
前記ヒータは、前記基板ホルダーに近接して、前記誘電支持体の内側に位置付けられている、項目1に記載の反応器。
(項目17)
前記ヒータは、少なくとも2つの独立ヒータゾーンを備えている、項目1に記載の反応器。
(項目18)
前記ヒータは、黒鉛ヒータを備えている、項目1に記載の反応器。
(項目19)
前記ヒータは、タングステンまたはレニウムのうちの少なくとも1つから形成されているコイルヒータを備えている、項目1に記載の反応器。
(項目20)
前記誘電支持体は、スロットが付けられている、項目1に記載の反応器。
(項目21)
スロットが付けられた誘電支持体を前記基板ホルダーに固定するための係止ピンをさらに備えている、項目20に記載の反応器。
(項目22)
化学蒸着の方法であって、前記方法は、
a)モータシャフトを真空チャンバ内に通過させる上側および下側強磁性流体シールを備えている強磁性流体フィードスルーを提供することと、
b)前記上側強磁性流体シールと前記下側強磁性流体シールとの間の大気領域内に位置付けられているモータを前記モータシャフトに連結することと、
c)前記真空チャンバ内に位置付けられている回転板を前記モータシャフトに連結することであって、前記モータシャフトは、前記回転板を回転させる、ことと、
d)誘電支持体を前記回転板に連結することと、
e)少なくとも1つの基板を支持する基板ホルダーを前記誘電支持体に連結することであって、前記モータシャフトは、化学蒸着処理のために、前記所望の回転率において、前記回転板、前記誘電支持体、および前記基板ホルダーを回転させる、ことと、
f)化学蒸着処理のために、前記基板ホルダーによって支持されている前記少なくとも1つの基板を所望のプロセス温度に加熱することと、
g)プロセスガスを前記少なくとも1つの基板に近接する反応区域内に導入し、それによって、前記少なくとも1つの基板の表面に化学蒸着反応を形成することと
を含む、方法。
(項目23)
前記モータシャフトへの前記真空チャンバ内に位置付けられている回転板の連結は、機械的連結を含む、項目22に記載の方法。
(項目24)
前記モータシャフトへの前記真空チャンバ内に位置付けられている回転板の連結は、磁気連結を含む、項目22に記載の方法。
(項目25)
前記モータシャフトへの前記真空チャンバ内に位置付けられている回転板の連結は、前記回転板の回転中心からオフセットされた領域内において連結することを含む、項目22に記載の方法。
(項目26)
前記誘電支持体への前記少なくとも1つの基板を支持する基板ホルダーの連結は、前記誘電支持体の上部表面と前記基板ホルダーの底部表面との間の摩擦のみを用いて連結することを含む、項目22に記載の方法。
(項目27)
プロセスガスが前記誘電支持体の内側に流入することを防止することをさらに含む、項目22に記載の方法。
(項目28)
前記誘電支持体を前記回転板に可撓性に取り付けることをさらに含む、項目22に記載の方法。
(項目29)
処理中の基板と前記真空チャンバ内の冷却領域との間に熱障壁を形成することをさらに含む、項目22に記載の方法。
(項目30)
所望のプロセス温度への前記基板ホルダー上の少なくとも1つの基板の加熱は、少なくとも2つの独立加熱ゾーン内において前記少なくとも1つの基板を加熱することを含む、項目22に記載の方法。
(項目31)
化学蒸着のための単一基板ホルダーであって、前記基板ホルダーは、
a)本体と、
b)基板を受け取るための陥凹区域を有する上部表面と、
c)前記基板を覆って流動するプロセスガスの熱損失を低減させ、均一性を増加させる形状を有する丸みを帯びた縁と、
d)回転誘電支持体の上部に位置付けるための前記丸みを帯びた縁の底部における実質的に平坦な表面と、
e)前記丸みを帯びた縁に近接して位置付けられている垂直リムであって、前記垂直リムは、前記基板ホルダーが前記回転支持体の上部に位置付けられている場合、前記基板ホルダーの揺れを低減させる、垂直リムと
を備えている、基板ホルダー。
(項目32)
前記本体は、円形である、項目31に記載の基板ホルダー。
(項目33)
前記基板ホルダーは、黒鉛、SiC、金属、およびセラミック材料のうちの少なくとも1つから形成されている、項目31に記載の基板ホルダー。
(項目34)
前記基板ホルダーの前記陥凹区域は、局所区域内において、所定の深度輪郭に機械加工されており、前記陥凹区域は、前記基板ホルダーにわたる所望の熱特性をもたらす、項目31に記載の基板ホルダー。
(項目35)
前記基板ホルダーの前記陥凹区域は、局所区域内に材料のインサートを備え、前記陥凹区域は、前記基板ホルダーにわたる所望の熱特性をもたらす、項目31に記載の基板ホルダー。
(項目36)
前記局所区域内の前記材料の少なくとも1つの熱特性は、前記基板ホルダーを形成する材料の熱特性と異なる、項目35に記載の基板ホルダー。
(項目37)
前記基板ホルダーの前記陥凹区域は、多レベル底部表面を備えている、項目31に記載の基板ホルダー。
(項目38)
前記陥凹区域は、前記基板を支持するためのタブを備えている、項目31に記載の基板ホルダー。
(項目39)
前記タブは、三角形形状である、項目38に記載の基板ホルダー。
(項目40)
前記タブは、基板ホルダーが前記基板に対して拡張するときに生成される力の少なくとも一部を吸収する材料から形成されている、項目38に記載の基板ホルダー。
(項目41)
前記タブは、前記基板ホルダーの温度が増加する場合の前記基板の機械的応力を低減させる、項目38に記載の基板ホルダー。
(項目42)
前記丸みを帯びた縁は、縁全体にわたり均一に丸みを帯びている、項目31に記載の基板ホルダー。
(項目43)
前記丸みを帯びた縁は、非均一に丸みを帯びている、項目31に記載の基板ホルダー。
(項目44)
前記基板ホルダーの重量は、処理およびパージの間、前記基板ホルダーが、誘電支持体の上部表面に摩擦で取り付けられるように選定されている、項目31に記載の基板ホルダー。
(項目45)
前記垂直リムは、所望の回転率において、誘電支持体の上部に前記基板ホルダーを固定するように寸法を決定されている、項目31に記載の基板ホルダー。
(項目46)
前記基板ホルダーは、前記基板ホルダーを前記回転誘電支持体の上部によりしっかりと保持する前記基板ホルダーの拡張をもたらす熱膨張係数を有する材料から形成されている、項目31に記載の基板ホルダー。
(項目47)
化学蒸着のための多基板ホルダーであって、前記多基板ホルダーは、
a)本体と、
b)複数の基板を受け取るための複数の陥凹区域を有する上部表面と、
c)前記複数の基板を覆って流動するプロセスガスの熱損失を低減させ、均一性を増加させる形状を有する丸みを帯びた縁と、
d)回転誘電支持体の上部に位置付けるための前記丸みを帯びた縁の底部の実質的に平坦な表面と、
e)前記丸みを帯びた縁に近接して位置付けられている垂直リムであって、前記垂直リムは、前記基板ホルダーが前記回転誘電支持体の上部に位置付けられている場合、前記基板ホルダーの揺れを低減させる、垂直リムと、
f)前記多基板ホルダーを回転させるシャフトのためのアタッチメントであって、前記アタッチメントは、前記多基板ホルダーの底部表面上に位置付けられている、アタッチメントと
を備えている、多基板ホルダー。
(項目48)
前記本体は、円形である、項目47に記載の多基板ホルダー。
(項目49)
前記多基板ホルダーは、黒鉛、SiC、金属、およびセラミック材料のうちの少なくとも1つから形成されている、項目47に記載の多基板ホルダー。
(項目50)
前記多基板ホルダーの前記複数の陥凹区域のうちの少なくとも2つは、異なる寸法を有する、項目47に記載の多基板ホルダー。
(項目51)
前記陥凹区域のうちの少なくとも1つは、局所区域内において、所定の深度輪郭に機械加工され、前記陥凹区域のうちの少なくとも1つは、前記多基板ホルダーにわたる所望の熱特性をもたらす、項目47に記載の多基板ホルダー。
(項目52)
前記多基板ホルダーの前記陥凹区域のうちの少なくとも1つは、局所区域内に材料のインサートを備え、前記陥凹区域のうちの少なくとも1つは、前記多基板ホルダーの少なくとも一部にわたる所望の熱特性をもたらす、項目47に記載の多基板ホルダー。
(項目53)
前記局所区域内の前記材料の少なくとも1つの熱特性は、前記基板ホルダーを形成する材料の熱特性と異なる、項目52に記載の多基板ホルダー。
(項目54)
前記基板ホルダーの前記陥凹区域のうちの少なくとも1つは、多レベル底部表面を備えている、項目47に記載の多基板ホルダー。
(項目55)
前記陥凹区域のうちの少なくとも1つは、前記基板を支持するためのタブを備えている、項目47に記載の多基板ホルダー。
(項目56)
前記タブは、三角形形状である、項目55に記載の多基板ホルダー。
(項目57)
前記丸みを帯びた縁は、縁全体にわたり均一に丸みを帯びている、項目47に記載の多基板ホルダー。
(項目58)
前記丸みを帯びた縁は、非均一に丸みを帯びている、項目47に記載の多基板ホルダー。
(項目59)
前記基板ホルダーの重量は、処理およびパージの間、前記基板ホルダーが、回転誘電支持体の上部表面に摩擦で取り付けられるように選定されている、項目47に記載の多基板ホルダー。
(項目60)
前記垂直タブは、所望の回転率において、回転誘電支持体の上部に前記基板ホルダーを固定するように寸法を決定されている、項目47に記載の多基板ホルダー。
本出願人の教示が、種々の実施形態に関連して説明されたが、本出願人の教示が、そのような実施形態に限定されることを意図するものではない。対照的に、本出願人の教示は、当業者によって理解されるように、本教示の精神および範囲から逸脱することなく、本明細書に成され得る、種々の代替、修正、および均等物を包含する。
Claims (56)
- 化学蒸着のための回転円盤反応器であって、前記反応器は、
a)真空チャンバと、
b)モータシャフトを前記真空チャンバ内に通過させる強磁性流体フィードスルーであって、前記強磁性流体フィードスルーは、上側強磁性流体シールと下側強磁性流体シールとを備えている、強磁性流体フィードスルーと、
c)前記上側強磁性流体シールと前記下側強磁性流体シールとの間の大気領域内に位置付けられているモータであって、前記モータは、前記モータシャフトに連結されている、モータと、
d)前記真空チャンバ内に位置付けられている回転板であって、前記回転板は、前記モータが所望の回転率において前記回転板を回転させるように前記モータシャフトに連結されている、回転板と、
e)前記回転板に連結されている誘電支持体であって、前記回転板は、前記シャフトによって駆動されると、前記誘電支持体を回転させる、誘電支持体と、
f)前記誘電支持体上に位置付けられている基板ホルダーであって、前記基板ホルダーは、化学蒸着処理のために、基板を前記真空チャンバ内で支持する、基板ホルダーと、
g)前記基板ホルダーに近接して位置付けられているヒータであって、前記ヒータは、化学蒸着プロセスのために、前記基板ホルダーの温度を所望の温度に制御する、ヒータと
を備え、
前記モータシャフトは、前記回転板に磁気的に連結されている、反応器。 - 化学蒸着のための回転円盤反応器であって、前記反応器は、
a)真空チャンバと、
b)モータシャフトを前記真空チャンバ内に通過させる強磁性流体フィードスルーであって、前記強磁性流体フィードスルーは、上側強磁性流体シールと下側強磁性流体シールとを備えている、強磁性流体フィードスルーと、
c)前記上側強磁性流体シールと前記下側強磁性流体シールとの間の大気領域内に位置付けられているモータであって、前記モータは、前記モータシャフトに連結されている、モータと、
d)前記真空チャンバ内に位置付けられている回転板であって、前記回転板は、前記モータが所望の回転率において前記回転板を回転させるように前記モータシャフトに連結されている、回転板と、
e)前記回転板に連結されている誘電支持体であって、前記回転板は、前記シャフトによって駆動されると、前記誘電支持体を回転させる、誘電支持体と、
f)前記誘電支持体上に位置付けられている基板ホルダーであって、前記基板ホルダーは、化学蒸着処理のために、基板を前記真空チャンバ内で支持する、基板ホルダーと、
g)前記基板ホルダーに近接して位置付けられているヒータであって、前記ヒータは、化学蒸着プロセスのために、前記基板ホルダーの温度を所望の温度に制御する、ヒータと
を備え、
前記誘電支持体は、可撓性締結具を用いて、前記回転板に連結されている、反応器。 - 前記強磁性流体フィードスルーは、前記ヒータまたは冷却ラインに給電し、前記真空チャンバ内の温度を制御する電極のうちの少なくとも1つを通過させるための中空導管を形成している、請求項1または請求項2に記載の反応器。
- 前記モータは、前記モータシャフトに直接連結されている、請求項1または請求項2に記載の反応器。
- 前記モータシャフトは、前記回転板の回転中心からオフセットされた領域内において、前記回転板に連結されている、請求項1または請求項2に記載の反応器。
- 前記モータシャフトは、誘電材料から形成されている、請求項1または請求項2に記載の反応器。
- 前記可撓性締結具は、傾斜コイルばねを備え、前記傾斜コイルばねは、前記回転板に対して前記誘電支持体を中心付け、係止する、請求項2に記載の反応器。
- 前記誘電支持体は、約10W/(mK)未満の熱伝導性を有する誘電材料から形成されている、請求項1または請求項2に記載の反応器。
- 前記誘電支持体は、処理中の基板と前記真空チャンバ内の冷却領域との間に熱障壁を形成する材料から形成されている、請求項1または請求項2に記載の反応器。
- 前記誘電支持体は、石英から形成されている、請求項1または請求項2に記載の反応器。
- 前記誘電支持体は、円筒形外側表面を備えている、請求項1または請求項2に記載の反応器。
- 前記基板ホルダーは、前記誘電支持体の上部表面と前記基板ホルダーの底部表面との間の摩擦によって、前記誘電支持体の上部に保持されている、請求項1または請求項2に記載の反応器。
- 前記基板ホルダーは、単一の基板ホルダーを備えている、請求項1または請求項2に記載の反応器。
- 前記ヒータは、前記基板ホルダーに近接して、前記誘電支持体の内側に位置付けられている、請求項1または請求項2に記載の反応器。
- 前記ヒータは、少なくとも2つの独立ヒータゾーンを備えている、請求項1または請求項2に記載の反応器。
- 前記ヒータは、黒鉛ヒータを備えている、請求項1または請求項2に記載の反応器。
- 前記ヒータは、タングステンまたはレニウムのうちの少なくとも1つから形成されているコイルヒータを備えている、請求項1または請求項2に記載の反応器。
- 前記誘電支持体は、スロットが付けられている、請求項1または請求項2に記載の反応器。
- スロットが付けられた誘電支持体を前記基板ホルダーに固定するための係止ピンをさらに備えている、請求項18に記載の反応器。
- 化学蒸着の方法であって、前記方法は、
a)モータシャフトを真空チャンバ内に通過させる上側強磁性流体シールおよび下側強磁性流体シールを備えている強磁性流体フィードスルーを提供することと、
b)前記上側強磁性流体シールと前記下側強磁性流体シールとの間の大気領域内に位置付けられているモータを前記モータシャフトに連結することと、
c)前記真空チャンバ内に位置付けられている回転板を前記モータシャフトに連結することであって、前記モータシャフトは、前記回転板を回転させる、ことと、
d)誘電支持体を前記回転板に連結することと、
e)少なくとも1つの基板を支持する基板ホルダーを前記誘電支持体に連結することであって、前記モータシャフトは、化学蒸着処理のために、所望の回転率において、前記回転板と前記誘電支持体と前記基板ホルダーとを回転させる、ことと、
f)化学蒸着処理のために、前記基板ホルダーによって支持されている前記少なくとも1つの基板を所望のプロセス温度に加熱することと、
g)プロセスガスを前記少なくとも1つの基板に近接する反応区域内に導入し、それによって、前記少なくとも1つの基板の表面に化学蒸着反応を形成することと
を含み、
前記真空チャンバ内に位置付けられている前記回転板の前記モータシャフトへの連結は、磁気連結を含む、方法。 - 化学蒸着の方法であって、前記方法は、
a)モータシャフトを真空チャンバ内に通過させる上側強磁性流体シールおよび下側強磁性流体シールを備えている強磁性流体フィードスルーを提供することと、
b)前記上側強磁性流体シールと前記下側強磁性流体シールとの間の大気領域内に位置付けられているモータを前記モータシャフトに連結することと、
c)前記真空チャンバ内に位置付けられている回転板を前記モータシャフトに連結することであって、前記モータシャフトは、前記回転板を回転させる、ことと、
d)誘電支持体を前記回転板に連結することと、
e)少なくとも1つの基板を支持する基板ホルダーを前記誘電支持体に連結することであって、前記モータシャフトは、化学蒸着処理のために、所望の回転率において、前記回転板と前記誘電支持体と前記基板ホルダーとを回転させる、ことと、
f)化学蒸着処理のために、前記基板ホルダーによって支持されている前記少なくとも1つの基板を所望のプロセス温度に加熱することと、
g)プロセスガスを前記少なくとも1つの基板に近接する反応区域内に導入し、それによって、前記少なくとも1つの基板の表面に化学蒸着反応を形成することと
を含み、
前記誘電支持体を前記回転板に連結することは、前記誘電支持体を前記回転板に可撓性に取り付けることを含む、方法。 - 前記真空チャンバ内に位置付けられている前記回転板を前記モータシャフトに連結することは、前記回転板の回転中心からオフセットされた領域内において連結することを含む、請求項20または21に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの基板を支持する基板ホルダーを前記誘電支持体に連結することは、前記誘電支持体の上部表面と前記基板ホルダーの底部表面との間の摩擦のみを用いて連結することを含む、請求項20または請求項21に記載の方法。
- プロセスガスが前記誘電支持体の内側に流入することを防止することをさらに含む、請求項20または請求項21に記載の方法。
- 処理中の基板と前記真空チャンバ内の冷却領域との間に熱障壁を形成することをさらに含む、請求項20または請求項21に記載の方法。
- 前記基板ホルダー上の前記少なくとも1つの基板を所望のプロセス温度に加熱することは、少なくとも2つの独立加熱ゾーン内において前記少なくとも1つの基板を加熱することを含む、請求項20または請求項21に記載の方法。
- 化学蒸着のための単一の基板ホルダーであって、前記基板ホルダーは、
a)本体と、
b)基板を受け取るための陥凹区域を有する上部表面と、
c)前記基板を覆って流動するプロセスガスの熱損失を低減させ、均一性を増加させる形状を有する丸みを帯びた縁と、
d)前記丸みを帯びた縁の底部における実質的に平坦な表面であって、前記実質的に平坦な表面は、回転誘電支持体の上部表面に接触している、実質的に平坦な表面と、
e)前記丸みを帯びた縁に近接して位置付けられている垂直リムであって、前記垂直リムは、前記基板ホルダーが前記回転支持体の上部に位置付けられている場合、前記基板ホルダーの揺れを低減させる、垂直リムと
を備えている、基板ホルダー。 - 前記本体は、円形である、請求項27に記載の基板ホルダー。
- 前記基板ホルダーは、黒鉛、SiC、金属、セラミック材料のうちの少なくとも1つから形成されている、請求項27に記載の基板ホルダー。
- 前記基板ホルダーの前記陥凹区域は、局所区域内において、所定の深度輪郭に機械加工されており、前記陥凹区域は、前記基板ホルダーにわたる所望の熱特性をもたらす、請求項27に記載の基板ホルダー。
- 前記基板ホルダーの前記陥凹区域は、局所区域内に材料のインサートを備え、前記陥凹区域は、前記基板ホルダーにわたる所望の熱特性をもたらす、請求項27に記載の基板ホルダー。
- 前記局所区域内の前記材料の少なくとも1つの熱特性は、前記基板ホルダーを形成する材料の熱特性と異なる、請求項31に記載の基板ホルダー。
- 前記基板ホルダーの前記陥凹区域は、多レベル底部表面を備えている、請求項27に記載の基板ホルダー。
- 前記陥凹区域は、前記基板を支持するためのタブを備えている、請求項27に記載の基板ホルダー。
- 前記タブは、三角形形状である、請求項34に記載の基板ホルダー。
- 前記タブは、基板ホルダーが前記基板に対して拡張するときに生成される力の少なくとも一部を吸収する材料から形成されている、請求項34に記載の基板ホルダー。
- 前記タブは、前記基板ホルダーの温度が増加する場合の前記基板の機械的応力を低減させる、請求項34に記載の基板ホルダー。
- 前記丸みを帯びた縁は、縁全体にわたり均一に丸みを帯びている、請求項27に記載の基板ホルダー。
- 前記丸みを帯びた縁は、非均一に丸みを帯びている、請求項27に記載の基板ホルダー。
- 前記基板ホルダーの重量は、処理およびパージの間、前記基板ホルダーが、誘電支持体の上部表面に摩擦で取り付けられるように選定されている、請求項27に記載の基板ホルダー。
- 前記垂直リムは、所望の回転率において、誘電支持体の上部に前記基板ホルダーを固定するように寸法を決定されている、請求項27に記載の基板ホルダー。
- 前記基板ホルダーは、前記基板ホルダーを前記回転誘電支持体の上部によりしっかりと保持する前記基板ホルダーの拡張をもたらす熱膨張係数を有する材料から形成されている、請求項27に記載の基板ホルダー。
- 化学蒸着のための多基板ホルダーであって、前記多基板ホルダーは、
a)本体と、
b)複数の基板を受け取るための複数の陥凹区域を有する上部表面と、
c)前記複数の基板を覆って流動するプロセスガスの熱損失を低減させ、均一性を増加させる形状を有する丸みを帯びた縁と、
d)前記丸みを帯びた縁の底部における実質的に平坦な表面であって、前記実質的に平坦な表面は、回転誘電支持体の上部表面に接触している、実質的に平坦な表面と、
e)前記丸みを帯びた縁に近接して位置付けられている垂直リムであって、前記垂直リムは、前記基板ホルダーが前記回転誘電支持体の上部に位置付けられている場合、前記基板ホルダーの揺れを低減させる、垂直リムと、
f)前記多基板ホルダーを回転させるシャフトのためのアタッチメントであって、前記アタッチメントは、前記多基板ホルダーの底部表面上に位置付けられている、アタッチメントと
を備えている、多基板ホルダー。 - 前記本体は、円形である、請求項43に記載の多基板ホルダー。
- 前記多基板ホルダーは、黒鉛、SiC、金属、セラミック材料のうちの少なくとも1つから形成されている、請求項43に記載の多基板ホルダー。
- 前記多基板ホルダーの前記複数の陥凹区域のうちの少なくとも2つは、異なる寸法を有する、請求項43に記載の多基板ホルダー。
- 前記陥凹区域のうちの少なくとも1つは、局所区域内において、所定の深度輪郭に機械加工され、前記陥凹区域のうちの少なくとも1つは、前記多基板ホルダーにわたる所望の熱特性をもたらす、請求項43に記載の多基板ホルダー。
- 前記多基板ホルダーの前記陥凹区域のうちの少なくとも1つは、局所区域内に材料のインサートを備え、前記陥凹区域のうちの少なくとも1つは、前記多基板ホルダーの少なくとも一部にわたる所望の熱特性をもたらす、請求項43に記載の多基板ホルダー。
- 前記局所区域内の前記材料の少なくとも1つの熱特性は、前記基板ホルダーを形成する材料の熱特性と異なる、請求項48に記載の多基板ホルダー。
- 前記基板ホルダーの前記陥凹区域のうちの少なくとも1つは、多レベル底部表面を備えている、請求項43に記載の多基板ホルダー。
- 前記陥凹区域のうちの少なくとも1つは、前記基板を支持するためのタブを備えている、請求項43に記載の多基板ホルダー。
- 前記タブは、三角形形状である、請求項51に記載の多基板ホルダー。
- 前記丸みを帯びた縁は、縁全体にわたり均一に丸みを帯びている、請求項43に記載の多基板ホルダー。
- 前記丸みを帯びた縁は、非均一に丸みを帯びている、請求項43に記載の多基板ホルダー。
- 前記基板ホルダーの重量は、処理およびパージの間、前記基板ホルダーが、回転誘電支持体の上部表面に摩擦で取り付けられるように選定されている、請求項43に記載の多基板ホルダー。
- 前記垂直タブは、所望の回転率において、回転誘電支持体の上部に前記基板ホルダーを固定するように寸法を決定されている、請求項43に記載の多基板ホルダー。
Applications Claiming Priority (7)
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