JPH0382015A - 半導体気相成長装置 - Google Patents
半導体気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0382015A JPH0382015A JP1217845A JP21784589A JPH0382015A JP H0382015 A JPH0382015 A JP H0382015A JP 1217845 A JP1217845 A JP 1217845A JP 21784589 A JP21784589 A JP 21784589A JP H0382015 A JPH0382015 A JP H0382015A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- casing
- susceptor
- gas atmosphere
- semiconductor substrate
- growth layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 7
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体気相成長装置の係わり、特に、ｍ−ｖ
族化合物単導体基板に化学的気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）Ｍを形成す
るのに好適する。
族化合物単導体基板に化学的気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）Ｍを形成す
るのに好適する。
（従来の技術）
ｍ−ｖ族化合物半導体基板例えばＧａＡｓ半導体基板に
ＭＯＣＶＤ （Ｍｅｔａｌ、 Ｏｒｇａｎｊ、ｅ Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤａｐｏｓｉｔｉｏｎ）層
を堆積するのには、いわゆるハイフレ（Ｈｉｇｈ Ｆｒ
ｅｑｕｅｎｃｙ）装置即ち高周波誘導加熱装置を利用し
た方式が利用されており、これを第ｉ図及び第２図によ
り説明する。
ＭＯＣＶＤ （Ｍｅｔａｌ、 Ｏｒｇａｎｊ、ｅ Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤａｐｏｓｉｔｉｏｎ）層
を堆積するのには、いわゆるハイフレ（Ｈｉｇｈ Ｆｒ
ｅｑｕｅｎｃｙ）装置即ち高周波誘導加熱装置を利用し
た方式が利用されており、これを第ｉ図及び第２図によ
り説明する。
第１図の要部を示す斜視図に明らかなように。
石英製反応管１を設置すゐ筐体２内には、高周波誘導加
熱用コイル３（以下コイルヒ省略する）を昇降するいわ
ゆるエレベータ装置４が設けられており、このコイル３
の誘導管５は安全カバー６により高周波発振器７に接続
するが、後述する第１種アース工事に相当する。高周波
発振器７に電気的に接続し３００ＫＨｚ程度を出・力す
るコイル３は、反応ガス導入管８を先端に取付けた石英
製反応管１を囲むように配置して、所定の加熱状態を形
成するが、その位Ｉ！設定は、エレベータ装置４により
行われる。また、このコイル３は中空に形成されており
、中に水を流して冷却する方式が採られている。
熱用コイル３（以下コイルヒ省略する）を昇降するいわ
ゆるエレベータ装置４が設けられており、このコイル３
の誘導管５は安全カバー６により高周波発振器７に接続
するが、後述する第１種アース工事に相当する。高周波
発振器７に電気的に接続し３００ＫＨｚ程度を出・力す
るコイル３は、反応ガス導入管８を先端に取付けた石英
製反応管１を囲むように配置して、所定の加熱状態を形
成するが、その位Ｉ！設定は、エレベータ装置４により
行われる。また、このコイル３は中空に形成されており
、中に水を流して冷却する方式が採られている。
第２図には、石英製反応管１内部と、コイル３を外挿し
た状態を断面図により示した。即ち１石英製反応管１の
内部には、図示しない回転部材に接続して回転可能なカ
ーボンからなるサセプター（Ｓｕｃａｐｔａｒ） ９に
被処理半導体基板１０を載置する外に、温度制御用とし
て機能する熱電対１１を取付ける。勿論熱電対１１は固
定状態とする。一方、被処理半導体基板１０をセットし
た石英製反応管１の外部にコイル３を配置するに当たっ
ては、この被処理半導体基板１０に対応する位置を境に
してその上下のコイル３部分の比が一定になるように、
エレベータ装置４を利用して作業者が調整する０図には
書かれていないが石英製反応管１を収容する炉が設定さ
れている。
た状態を断面図により示した。即ち１石英製反応管１の
内部には、図示しない回転部材に接続して回転可能なカ
ーボンからなるサセプター（Ｓｕｃａｐｔａｒ） ９に
被処理半導体基板１０を載置する外に、温度制御用とし
て機能する熱電対１１を取付ける。勿論熱電対１１は固
定状態とする。一方、被処理半導体基板１０をセットし
た石英製反応管１の外部にコイル３を配置するに当たっ
ては、この被処理半導体基板１０に対応する位置を境に
してその上下のコイル３部分の比が一定になるように、
エレベータ装置４を利用して作業者が調整する０図には
書かれていないが石英製反応管１を収容する炉が設定さ
れている。
（発明が解決しようとする課題）
このように高周波誘導加熱装置を利用する方式では、高
周波発振器が必要となり、出力が２００にＨｚ程度のも
ので約６００万円と非常に高価であり、しかも、高周波
発振器は、 １０にＶ以上の高出力を使用するために外
形も大きくなり反応管１を収容する筐体２Ｃ；収容でき
ず、自立形として設置せざるを得す、当然であるがスペ
ーサが必要となる。この高周波誘導加熱装置に必要な高
周波発振器では、第１種アース工事即ち離れた場所に独
立した接地棒を地中に埋込む義務が生じる外に、接続用
誘導管を天井に敷設したり、安全カバーの取付けなどに
も費用が要ることになる。
周波発振器が必要となり、出力が２００にＨｚ程度のも
ので約６００万円と非常に高価であり、しかも、高周波
発振器は、 １０にＶ以上の高出力を使用するために外
形も大きくなり反応管１を収容する筐体２Ｃ；収容でき
ず、自立形として設置せざるを得す、当然であるがスペ
ーサが必要となる。この高周波誘導加熱装置に必要な高
周波発振器では、第１種アース工事即ち離れた場所に独
立した接地棒を地中に埋込む義務が生じる外に、接続用
誘導管を天井に敷設したり、安全カバーの取付けなどに
も費用が要ることになる。
高価な石英製反応管を取外すには、反応ガス導入管に設
置する継手（Ｊｏｉｎｔ）をはずしてから、コイルを専
用のエレベータ装置により高く上げる手順の作業となり
、多大の注意が必要となる。このような作業を終えると
、再び石英製反応管とコイルを元の位置に設定しなけれ
ばならないが、コイルとサセプターの位置関係がばらつ
くと被処理半導体基板の温度もばらついて堆積する膜厚
にも変化が生れる難点がある。
置する継手（Ｊｏｉｎｔ）をはずしてから、コイルを専
用のエレベータ装置により高く上げる手順の作業となり
、多大の注意が必要となる。このような作業を終えると
、再び石英製反応管とコイルを元の位置に設定しなけれ
ばならないが、コイルとサセプターの位置関係がばらつ
くと被処理半導体基板の温度もばらついて堆積する膜厚
にも変化が生れる難点がある。
更に、最近のように生産性の向上により進められている
半導体基板の大口径化及び被処理枚数の増大により、サ
セプターの径も大きくする必要にせまられているが、単
に径大なサセプターを使用しても均熱が採れな、くなる
外に、上記位置関係のより厳格な調整が要る。
半導体基板の大口径化及び被処理枚数の増大により、サ
セプターの径も大きくする必要にせまられているが、単
に径大なサセプターを使用しても均熱が採れな、くなる
外に、上記位置関係のより厳格な調整が要る。
本発明は、このような事情により成されたもので、特に
、量産性に富みしかも安価な半導体気相成長装置を提供
することを目的とする。
、量産性に富みしかも安価な半導体気相成長装置を提供
することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
所定の気体雰囲気で気相成長層を堆積する半導体基板を
固定するサセプターと、これに係止し回転自在なケーシ
ングと、ケーシングに設置する回転機構と、回転自在な
ケーシング内に非接触状態で配置し固定状態を維持する
支持台と、サセプターに対向する支持台端部に取付ける
抵抗発熱体と、ケーシング内に配置し、抵抗発熱体と絶
縁してサセプターに固定する温度測定器と、ケーシング
に形成し所定の気体雰囲気へ流出する他の気体用孔部を
具備し、所定の温度を維持して回転する半導体基板を所
定の気体雰囲気にさらして気相成長層を堆積する点に本
発明に係わる半導体気相成長装置の特徴がある。
固定するサセプターと、これに係止し回転自在なケーシ
ングと、ケーシングに設置する回転機構と、回転自在な
ケーシング内に非接触状態で配置し固定状態を維持する
支持台と、サセプターに対向する支持台端部に取付ける
抵抗発熱体と、ケーシング内に配置し、抵抗発熱体と絶
縁してサセプターに固定する温度測定器と、ケーシング
に形成し所定の気体雰囲気へ流出する他の気体用孔部を
具備し、所定の温度を維持して回転する半導体基板を所
定の気体雰囲気にさらして気相成長層を堆積する点に本
発明に係わる半導体気相成長装置の特徴がある。
（作 用）
本発明では、被処理半導体基板を回転させながら気相成
長層を堆積する方式を採っている。と言うのは、回転状
態の被処理半導体基板に気相成長反応に必要な気体を流
すと、一定した反応速度が得られて気相成長層の歩留り
が向上する事実を基に完成されたものである。このため
に、被処理半導体基板を載置するサセプターを回転自在
とし。
長層を堆積する方式を採っている。と言うのは、回転状
態の被処理半導体基板に気相成長反応に必要な気体を流
すと、一定した反応速度が得られて気相成長層の歩留り
が向上する事実を基に完成されたものである。このため
に、被処理半導体基板を載置するサセプターを回転自在
とし。
このサセプターに対向して配置する抵抗発熱体は固定状
態とする方式を採った。この結果、半導体基板に堆積す
る気相成長層の歩留りを従来方式よりほぼ１０％向上す
ることができた。
態とする方式を採った。この結果、半導体基板に堆積す
る気相成長層の歩留りを従来方式よりほぼ１０％向上す
ることができた。
（実施例）
第３図乃至第５図により本発明に係わる一実施例を説明
する。第３図に示す半導体気相成長装置は。回転自在な
ケーシング２０と、この中に配置する固定状態が維持さ
れる支持台２１から構成され、この端部に抵抗発熱体２
２を固定する。これは、タングステン、モリブデンまた
は炭素からなる材料を渦巻状に形成してほぼ閂盤状ヒし
、（第４図参照）その中央部分には絶縁リング２３を嵌
込んで熱電対４５を挿入できるように成形する。この抵
抗発熱体２２は、終端付近に一対の脚部２４殺設け、支
持台２１とのねじ止めに備えるやこの支持台２１には。
する。第３図に示す半導体気相成長装置は。回転自在な
ケーシング２０と、この中に配置する固定状態が維持さ
れる支持台２１から構成され、この端部に抵抗発熱体２
２を固定する。これは、タングステン、モリブデンまた
は炭素からなる材料を渦巻状に形成してほぼ閂盤状ヒし
、（第４図参照）その中央部分には絶縁リング２３を嵌
込んで熱電対４５を挿入できるように成形する。この抵
抗発熱体２２は、終端付近に一対の脚部２４殺設け、支
持台２１とのねじ止めに備えるやこの支持台２１には。
抵抗発熱体２２に取付ける両端子２５ａ、 ２５ｂを鉛
直方向に延長させて（第１図参照）半導体気相成長装置
外からの電力供給ができるようにする。
直方向に延長させて（第１図参照）半導体気相成長装置
外からの電力供給ができるようにする。
第１図に明らかなようにケーシング２０の開口面には、
モリブデンもしくはグラファイト（Ｇｒａｐｈｉｔｅ）
からなるサセプター２６を固定して、被処理半導体基板
即ちｍ−ｖ族化合物半導体基板例えばＧ ａ、Ａ ｓ半
導体基板２７を載置するが、ＭＯＣＶＤ被膜またはＣＶ
Ｄ （Ｃｈｅ＋５ｉｅａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）被膜を堆積するために、所定の気体雰囲気
にさらされる。
モリブデンもしくはグラファイト（Ｇｒａｐｈｉｔｅ）
からなるサセプター２６を固定して、被処理半導体基板
即ちｍ−ｖ族化合物半導体基板例えばＧ ａ、Ａ ｓ半
導体基板２７を載置するが、ＭＯＣＶＤ被膜またはＣＶ
Ｄ （Ｃｈｅ＋５ｉｅａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）被膜を堆積するために、所定の気体雰囲気
にさらされる。
従って、ケーシング２０には、サセプター２６などを囲
いかつ気体の漏洩を防ぐような気密な外壁２８が一体に
形成されているが、本発明では、ケーシング２０に包含
するものである。
いかつ気体の漏洩を防ぐような気密な外壁２８が一体に
形成されているが、本発明では、ケーシング２０に包含
するものである。
第３＠に示すように、この外壁２８とケーシング２０は
、鉛直方向に延長した抵抗発熱体２２用端子２５ａ、
２５ｂｉ分ヒ機械的に結合きれており、また。
、鉛直方向に延長した抵抗発熱体２２用端子２５ａ、
２５ｂｉ分ヒ機械的に結合きれており、また。
ケーシング２０の外壁２８には磁性流体シール（Ｓｅａ
ｌ）部２９を設置している。
ｌ）部２９を設置している。
この磁性流体シール部２９は、第５図ａに明らかなよう
に、ケーシング２０の外壁２８を挟んで環状ボス３０を
取付け、ここには、非磁性マス３１を設置する。更に、
環状ボス３０と非磁性マス３１の間に磁石３２を固定す
るヒ共に、磁石３２及び非磁性マス３１間に磁性流体Ｍ
３３を配置する。更にまた。この配置に当たっては、非
磁性マス３１ヒ環状ボス３０間に多少の隙間３４を形成
する。また、半導体気相成長装置ヒしでは、加熱状態が
不可欠であるので環状ボス３０などには、水冷方式によ
り冷却する。
に、ケーシング２０の外壁２８を挟んで環状ボス３０を
取付け、ここには、非磁性マス３１を設置する。更に、
環状ボス３０と非磁性マス３１の間に磁石３２を固定す
るヒ共に、磁石３２及び非磁性マス３１間に磁性流体Ｍ
３３を配置する。更にまた。この配置に当たっては、非
磁性マス３１ヒ環状ボス３０間に多少の隙間３４を形成
する。また、半導体気相成長装置ヒしでは、加熱状態が
不可欠であるので環状ボス３０などには、水冷方式によ
り冷却する。
この磁性流体シール部２９は、第５図すにあるように、
二本シール構造に形成され、軸受３５を設置して回転自
在とし、更に、ケーシング２０の外壁２８に０リング３
６により気密性を保持している。更にまた。ケーシング
２０を２０００回／分に回転自在セするために、外壁２
８にはプーリ３７、ベルト３８更に他のプーリ３９を介
してモータ４０を設置する。
二本シール構造に形成され、軸受３５を設置して回転自
在とし、更に、ケーシング２０の外壁２８に０リング３
６により気密性を保持している。更にまた。ケーシング
２０を２０００回／分に回転自在セするために、外壁２
８にはプーリ３７、ベルト３８更に他のプーリ３９を介
してモータ４０を設置する。
第３図にあるように、水冷管４１を取付けて反応管の一
部を構成する縦部分４２横部分４３を外壁２８に付設し
て被処理半導体基板２７を所定の気体雰囲気にさらせる
ようにするヒ共に、多数の０リング３６・・・を利用し
ている。サセプター２６を固定した付近のケーシング２
０には、孔部・・・（図示せず）を設置して所定の気体
雰囲気がケーシング２０内に入らないようにするため不
活性気体例えば窒素な流出させる。所定の気体雰囲気の
流量を例えば、１５〜２０Ｑ／分、不活性気体の流量を
例えば１〜２Ｑ／分とする。更に、横部分４ｚには、排
気孔４４を設置している。
部を構成する縦部分４２横部分４３を外壁２８に付設し
て被処理半導体基板２７を所定の気体雰囲気にさらせる
ようにするヒ共に、多数の０リング３６・・・を利用し
ている。サセプター２６を固定した付近のケーシング２
０には、孔部・・・（図示せず）を設置して所定の気体
雰囲気がケーシング２０内に入らないようにするため不
活性気体例えば窒素な流出させる。所定の気体雰囲気の
流量を例えば、１５〜２０Ｑ／分、不活性気体の流量を
例えば１〜２Ｑ／分とする。更に、横部分４ｚには、排
気孔４４を設置している。
このようにして本発明に係わる半導体気相成長装置とし
ては、第３図の終端に付加した部分があるが、本発明に
直接関係がないので省略しており、従って、ケーシング
２０の外ｆ２８に抵抗発熱体２２に取付ける両端子２５
ａ、 ２５ｂの終端部分についても割愛しており、外壁
２８の気密性を保つために終端を形成しているこヒを付
記しておく、このような半導体気相成長装置は、従来技
術欄の第２図に示したように筐体内に設置するが、エレ
ベータなどの付属設備なしで、ケーシング及び電力供給
ユニット［（Ｕｎｉｔ）温度調整８備εトランスなど〕
だげが設置されることになることも合せて付記する。
ては、第３図の終端に付加した部分があるが、本発明に
直接関係がないので省略しており、従って、ケーシング
２０の外ｆ２８に抵抗発熱体２２に取付ける両端子２５
ａ、 ２５ｂの終端部分についても割愛しており、外壁
２８の気密性を保つために終端を形成しているこヒを付
記しておく、このような半導体気相成長装置は、従来技
術欄の第２図に示したように筐体内に設置するが、エレ
ベータなどの付属設備なしで、ケーシング及び電力供給
ユニット［（Ｕｎｉｔ）温度調整８備εトランスなど〕
だげが設置されることになることも合せて付記する。
本発明に係わる半導体気相成長装置では、従来Ｍε違っ
てエレベータなどは必要でなく１回転している被処理半
導体基板を所定の雰囲気にきらして加熱する方式を採用
している。しかも、加熱手段は、固定状態に保持した抵
抗加熱方式によっており１歩留りが従来方式より約１０
％向上し、量産上の効果は極めて大きい。
てエレベータなどは必要でなく１回転している被処理半
導体基板を所定の雰囲気にきらして加熱する方式を採用
している。しかも、加熱手段は、固定状態に保持した抵
抗加熱方式によっており１歩留りが従来方式より約１０
％向上し、量産上の効果は極めて大きい。
更に、抵抗加熱方式によっているので極めて安価（１５
０万Ｆ（）である上に、抵抗加熱用電力供給用ユニット
は、高周波発振器より小形でが体内に収容できてスペー
スが差はどいらない。
０万Ｆ（）である上に、抵抗加熱用電力供給用ユニット
は、高周波発振器より小形でが体内に収容できてスペー
スが差はどいらない。
反応管４１．４２の外周に高周波コイルを配置する必要
がないので、取外しや取付けが容易となり作業性が向上
するし、エレベータ装置も不要とな゛ってコンパクト（
ｃｏｇｉｐａｃｔ）化が促進され、当然コスト（Ｃｏｓ
ｔ）削減に寄与することになる。しかも、反応管４１．
４２は、高価な石英製から水冷管４１を取付けた安価な
ステンレス環に切替えることができるので、作業性及び
寿命が長くなる利点も大きい。
がないので、取外しや取付けが容易となり作業性が向上
するし、エレベータ装置も不要とな゛ってコンパクト（
ｃｏｇｉｐａｃｔ）化が促進され、当然コスト（Ｃｏｓ
ｔ）削減に寄与することになる。しかも、反応管４１．
４２は、高価な石英製から水冷管４１を取付けた安価な
ステンレス環に切替えることができるので、作業性及び
寿命が長くなる利点も大きい。
しかも、アース工事などの省略ができるのでやはり経費
削減に大きく寄与することになる。
削減に大きく寄与することになる。
一方、半導体基板の大口径化及び処理枚数の増大に伴っ
て、サセプターの外形寸法が大きくなると、高周波誘導
加熱方式では、全面の均熱が採れず温度分布のバラツキ
が大きくなり、これに伴う弊害が発生するが１本発明の
ような抵抗加熱方式にあっては、このような心配は全く
無く、上記のように歩留りの向上が得られる。
て、サセプターの外形寸法が大きくなると、高周波誘導
加熱方式では、全面の均熱が採れず温度分布のバラツキ
が大きくなり、これに伴う弊害が発生するが１本発明の
ような抵抗加熱方式にあっては、このような心配は全く
無く、上記のように歩留りの向上が得られる。
第１図は、従来の半導体気相成長装置の要部を示す斜視
図、第２１３！！ｌは、その部品の断面図、第３図は、
本発明の一実施例を示す断面図、第４図及び第５図ａ、
ｂは、その部品の断面図である。 １、４１．４２：反応管、２０：ケーシング。 ２：筐体、３：コイル、４：エレベータ、１０．２７２
半導体基板、２１：支持台。 ２２：抵抗発熱体、５：端子、２６：サセプター２８：
外壁、２９＝磁性シール、４３：孔部。
図、第２１３！！ｌは、その部品の断面図、第３図は、
本発明の一実施例を示す断面図、第４図及び第５図ａ、
ｂは、その部品の断面図である。 １、４１．４２：反応管、２０：ケーシング。 ２：筐体、３：コイル、４：エレベータ、１０．２７２
半導体基板、２１：支持台。 ２２：抵抗発熱体、５：端子、２６：サセプター２８：
外壁、２９＝磁性シール、４３：孔部。
Claims (1)
- 所定の気体雰囲気で気相成長層を堆積する半導体基板を
固定するサセプターと、これに係止し回転自在なケーシ
ングと、ケーシングに設置する回転機構と、回転自在な
ケーシング内に非接触状態で配置し固定状態を維持する
支持台と、サセプターに対向する支持台端部に取付ける
抵抗発熱体と、ケーシング内に配置し、抵抗発熱体と絶
縁してサセプターに固定する温度測定器と、ケーシング
に形成し所定の気体雰囲気へ流出する他の気体用孔部を
具備し、所定の温度を維持して回転する半導体基板を所
定の気体雰囲気にさらして気相成長層を堆積することを
特徴とする半導体気相成長装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1217845A JPH0687463B2 (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体気相成長装置 |
| US07/570,555 US5063031A (en) | 1989-08-24 | 1990-08-21 | Apparatus for growing vapor phase layer on semiconductor substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1217845A JPH0687463B2 (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382015A true JPH0382015A (ja) | 1991-04-08 |
| JPH0687463B2 JPH0687463B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=16710663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1217845A Expired - Fee Related JPH0687463B2 (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体気相成長装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5063031A (ja) |
| JP (1) | JPH0687463B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427427B1 (ko) * | 1995-06-16 | 2004-07-12 | 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 박막기상증착장치 |
| JP2006286633A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-19 | Huettinger Elektronik Gmbh & Co Kg | 真空プラズマ発生器 |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0447155B1 (en) * | 1990-03-12 | 1995-07-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Wafer heaters for use in semi-conductor-producing apparatus, heating units using such wafer heaters, and production of heaters |
| US5252132A (en) * | 1990-11-22 | 1993-10-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for producing semiconductor film |
| US5204144A (en) * | 1991-05-10 | 1993-04-20 | Celestech, Inc. | Method for plasma deposition on apertured substrates |
| US5434110A (en) * | 1992-06-15 | 1995-07-18 | Materials Research Corporation | Methods of chemical vapor deposition (CVD) of tungsten films on patterned wafer substrates |
| US5534072A (en) * | 1992-06-24 | 1996-07-09 | Anelva Corporation | Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates |
| JPH06244269A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法 |
| JPH0799162A (ja) * | 1993-06-21 | 1995-04-11 | Hitachi Ltd | Ｃｖｄリアクタ装置 |
| JPH07111244A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-04-25 | Mitsubishi Electric Corp | 気相結晶成長装置 |
| US5486380A (en) * | 1993-12-30 | 1996-01-23 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Apparatus and method for depositing a substance on a rotating surface |
| US5595241A (en) * | 1994-10-07 | 1997-01-21 | Sony Corporation | Wafer heating chuck with dual zone backplane heating and segmented clamping member |
| US5551983A (en) * | 1994-11-01 | 1996-09-03 | Celestech, Inc. | Method and apparatus for depositing a substance with temperature control |
| JPH08264465A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| US5830277A (en) * | 1995-05-26 | 1998-11-03 | Mattson Technology, Inc. | Thermal processing system with supplemental resistive heater and shielded optical pyrometry |
| US5679404A (en) * | 1995-06-07 | 1997-10-21 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Method for depositing a substance with temperature control |
| DE19622322C2 (de) * | 1995-06-15 | 1999-02-25 | Toshiba Ceramics Co | Vorrichtung zum Züchten aus der Dampfphase |
| US6173672B1 (en) | 1997-06-06 | 2001-01-16 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
| US6406760B1 (en) | 1996-06-10 | 2002-06-18 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
| WO1998023788A1 (en) * | 1996-11-27 | 1998-06-04 | Emcore Corporation | Chemical vapor deposition apparatus |
| US6014082A (en) * | 1997-10-03 | 2000-01-11 | Sony Corporation | Temperature monitoring and calibration system for control of a heated CVD chuck |
| WO1999023690A1 (en) * | 1997-11-03 | 1999-05-14 | Asm America, Inc. | Method of processing wafers with low mass support |
| JP3477062B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2003-12-10 | 京セラ株式会社 | ウエハ加熱装置 |
| US6183564B1 (en) | 1998-11-12 | 2001-02-06 | Tokyo Electron Limited | Buffer chamber for integrating physical and chemical vapor deposition chambers together in a processing system |
| US6646236B1 (en) * | 1999-01-25 | 2003-11-11 | Ibiden Co., Ltd. | Hot plate unit |
| US6140624A (en) * | 1999-07-02 | 2000-10-31 | Advanced Ceramics Corporation | Pyrolytic boron nitride radiation heater |
| JP4430769B2 (ja) * | 1999-12-09 | 2010-03-10 | 信越化学工業株式会社 | セラミックス加熱治具 |
| US6686570B2 (en) * | 2000-02-10 | 2004-02-03 | Tokyo Electron Limited | Hot plate unit |
| JP3594235B2 (ja) * | 2000-05-22 | 2004-11-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ガス漏れ防止機能を有する熱処理炉 |
| US6506252B2 (en) | 2001-02-07 | 2003-01-14 | Emcore Corporation | Susceptorless reactor for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition |
| TW559905B (en) * | 2001-08-10 | 2003-11-01 | Toshiba Corp | Vertical chemical vapor deposition system cross-reference to related applications |
| US9885123B2 (en) | 2011-03-16 | 2018-02-06 | Asm America, Inc. | Rapid bake of semiconductor substrate with upper linear heating elements perpendicular to horizontal gas flow |
| CN102363878B (zh) * | 2011-11-10 | 2014-09-10 | 西安航空制动科技有限公司 | 一种化学气相沉积炉预热装置 |
| US9948214B2 (en) * | 2012-04-26 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | High temperature electrostatic chuck with real-time heat zone regulating capability |
| JP6184479B2 (ja) | 2012-05-18 | 2017-08-23 | ビーコ インストゥルメンツ インコーポレイテッド | 化学蒸着のための強磁性流体シールを有する回転円盤反応器 |
| US9196471B1 (en) | 2012-06-01 | 2015-11-24 | Yen Fui Choo | Scanner for wafers, method for using the scanner, and components of the scanner |
| DE102013113045A1 (de) | 2013-11-26 | 2015-05-28 | Aixtron Se | Heizvorrichtung |
| EP3100298B1 (en) | 2014-01-27 | 2020-07-15 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems |
| TWI616555B (zh) * | 2017-01-17 | 2018-03-01 | 漢民科技股份有限公司 | 應用於半導體設備之噴氣裝置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204717A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置 |
| JPH01145806A (ja) * | 1987-12-01 | 1989-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機金属気相成長装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4466872A (en) * | 1982-12-23 | 1984-08-21 | At&T Technologies, Inc. | Methods of and apparatus for depositing a continuous film of minimum thickness |
| JPS59200752A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Shimadzu Corp | 成膜部材加熱装置 |
| US4777022A (en) * | 1984-08-28 | 1988-10-11 | Stephen I. Boldish | Epitaxial heater apparatus and process |
| US4821674A (en) * | 1987-03-31 | 1989-04-18 | Deboer Wiebe B | Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment |
| US4828224A (en) * | 1987-10-15 | 1989-05-09 | Epsilon Technology, Inc. | Chemical vapor deposition system |
| US4846102A (en) * | 1987-06-24 | 1989-07-11 | Epsilon Technology, Inc. | Reaction chambers for CVD systems |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP1217845A patent/JPH0687463B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-08-21 US US07/570,555 patent/US5063031A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204717A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置 |
| JPH01145806A (ja) * | 1987-12-01 | 1989-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機金属気相成長装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427427B1 (ko) * | 1995-06-16 | 2004-07-12 | 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 박막기상증착장치 |
| JP2006286633A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-19 | Huettinger Elektronik Gmbh & Co Kg | 真空プラズマ発生器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0687463B2 (ja) | 1994-11-02 |
| US5063031A (en) | 1991-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0382015A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JP3790176B2 (ja) | Ｃｖｄ反応室を洗浄する高周波プラズマ装置 | |
| US5759281A (en) | CVD reactor for uniform heating with radiant heating filaments | |
| US5536918A (en) | Heat treatment apparatus utilizing flat heating elements for treating semiconductor wafers | |
| TW386267B (en) | A high temperature, high flow rate chemical vapor deposition apparatus and related methods | |
| JP4285789B2 (ja) | 縦型電気炉 | |
| KR100810467B1 (ko) | 결정 성장 장비 | |
| US20020104619A1 (en) | Method and system for rotating a semiconductor wafer in processing chambers | |
| US4686113A (en) | Plasma confinement in a low pressure electrically grounded R.F. heated reactor and deposition method | |
| CN101093811A (zh) | 具有双温度区的静电吸盘的衬底支架 | |
| KR20050039709A (ko) | 물품을 제어가능하게 가열하는 방법 및 유도 가열 장치 | |
| TWI330671B (en) | Hydride vpe reactor and method | |
| JP3699142B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH06220619A (ja) | 温度勾配を達成するために加熱器を利用したｍｂｅソース | |
| US6303908B1 (en) | Heat treatment apparatus | |
| KR100344054B1 (ko) | 반도체재료를균일하게처리하기위한방법및장치 | |
| US4891335A (en) | Semiconductor substrate heater and reactor process and apparatus | |
| JPH07216551A (ja) | 回転する表面上の基材に堆積させる装置と方法 | |
| JPH0814761A (ja) | 非接触給電による真空誘導溶解炉の炉体傾動装置 | |
| JP2605810B2 (ja) | 気相成長装置の回転シヤフト | |
| JPH0268924A (ja) | ウエーハ回転形気相成長装置 | |
| JPH0193130A (ja) | 縦型炉 | |
| JPS6056224B2 (ja) | ト−ラス形核融合装置用真空容器内面への金属蒸着法 | |
| JPS6133518Y2 (ja) | ||
| JP2864466B2 (ja) | ダイヤモンド製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |