JPH08264465A - 処理装置 - Google Patents
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- JPH08264465A JPH08264465A JP7091672A JP9167295A JPH08264465A JP H08264465 A JPH08264465 A JP H08264465A JP 7091672 A JP7091672 A JP 7091672A JP 9167295 A JP9167295 A JP 9167295A JP H08264465 A JPH08264465 A JP H08264465A
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Classifications
-
- H01L21/203—
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 減圧雰囲気の処理室内で被処理体に対して処
理を施す如く構成された装置において、処理室内に位置
する給電経路の端子接続部に反応生成物が付着するのを
防止する。 【構成】 処理室内に位置するレセプタクル端子３２と
プラグ端子４４との接触によって、処理室内にある載置
台２１内の発熱体２４に処理室外部から給電する場合、
プラグ端子４４の周囲に隙間ｄを確保して絶縁パイプ４
２を配置する。レセプタクル端子３２とプラグ端子４４
との接触部近傍に、隙間ｄを通じて処理室外部からＮ2
を供給する。接触部近傍に処理ガスが侵入せず、反応生
成物が付着しない。
理を施す如く構成された装置において、処理室内に位置
する給電経路の端子接続部に反応生成物が付着するのを
防止する。 【構成】 処理室内に位置するレセプタクル端子３２と
プラグ端子４４との接触によって、処理室内にある載置
台２１内の発熱体２４に処理室外部から給電する場合、
プラグ端子４４の周囲に隙間ｄを確保して絶縁パイプ４
２を配置する。レセプタクル端子３２とプラグ端子４４
との接触部近傍に、隙間ｄを通じて処理室外部からＮ2
を供給する。接触部近傍に処理ガスが侵入せず、反応生
成物が付着しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、処理装置に関するもの
である。
である。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスを
例にとっていうと、デバイスが形成される半導体ウエハ
（以下、「ウエハ」という）の表面に、各種薄膜を形成
する場合、従来からＣＶＤ装置が用いられている。その
中で例えば枚葉式の減圧型ＣＶＤ装置においては、減圧
自在な処理室を内部に形成する処理容器内に設けられた
載置台に被処理体となるウエハを載置させ、このウエハ
を所定温度にまで加熱すると共に、処理容器内に所定の
処理ガスを導入して所定の減圧雰囲気にまで真空引きす
ることによって、このウエハの表面に所定の薄膜を形成
するように構成されている。
例にとっていうと、デバイスが形成される半導体ウエハ
（以下、「ウエハ」という）の表面に、各種薄膜を形成
する場合、従来からＣＶＤ装置が用いられている。その
中で例えば枚葉式の減圧型ＣＶＤ装置においては、減圧
自在な処理室を内部に形成する処理容器内に設けられた
載置台に被処理体となるウエハを載置させ、このウエハ
を所定温度にまで加熱すると共に、処理容器内に所定の
処理ガスを導入して所定の減圧雰囲気にまで真空引きす
ることによって、このウエハの表面に所定の薄膜を形成
するように構成されている。
【０００３】かかる場合、ウエハを載置台に保持する必
要があるため、例えば前記載置台の上部には、直流電圧
の印加によって生ずるクーロン力などを利用した静電チ
ャックが用いられ、またウエハを加熱するため、前記載
置台の内部には電力の供給によって発熱する構成の加熱
装置などが収容されている。従って、この種の装置の処
理室内には、処理の際に電力の供給を必要とする被給電
部が配されている。
要があるため、例えば前記載置台の上部には、直流電圧
の印加によって生ずるクーロン力などを利用した静電チ
ャックが用いられ、またウエハを加熱するため、前記載
置台の内部には電力の供給によって発熱する構成の加熱
装置などが収容されている。従って、この種の装置の処
理室内には、処理の際に電力の供給を必要とする被給電
部が配されている。
【０００４】前記静電チャックや加熱装置などの被給電
部に、処理容器外部からの電力供給源から給電する場
合、前記載置台内に例えばレセプタクル端子などの受容
端子を設け、この受容端子内に接点部を形成し、他方前
記電力供給源から処理容器の底部を絶縁状態で貫通する
支持部材に、前記電力供給源と導通するプラグ端子など
の挿入端子を設け、この挿入端子を前記受容端子内に圧
入して、挿入端子を受容端子内の接点部と接触させる構
成が採られる。
部に、処理容器外部からの電力供給源から給電する場
合、前記載置台内に例えばレセプタクル端子などの受容
端子を設け、この受容端子内に接点部を形成し、他方前
記電力供給源から処理容器の底部を絶縁状態で貫通する
支持部材に、前記電力供給源と導通するプラグ端子など
の挿入端子を設け、この挿入端子を前記受容端子内に圧
入して、挿入端子を受容端子内の接点部と接触させる構
成が採られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
技術のままでは、例えばＣＶＤ処理の際に処理室内に導
入される各種処理ガスが、前記受容端子と挿入端子の接
触部周辺に入り込んで、そこでそのまま滞留する場合が
ある。その結果、当該接触部の周辺に各種の反応生成物
が付着してしまうが、この反応生成物が、例えば石英系
の反応生成物（いわゆるシリコンデポ）であると、導体
となってしまう。そのためこの反応生成物を介してリー
ク電流が発生し、被給電部の所期の効果が得られないお
それが生ずる。さらに反応生成物が付着すると接触部の
腐食や処理室内汚染の原因となるおそれもある。
技術のままでは、例えばＣＶＤ処理の際に処理室内に導
入される各種処理ガスが、前記受容端子と挿入端子の接
触部周辺に入り込んで、そこでそのまま滞留する場合が
ある。その結果、当該接触部の周辺に各種の反応生成物
が付着してしまうが、この反応生成物が、例えば石英系
の反応生成物（いわゆるシリコンデポ）であると、導体
となってしまう。そのためこの反応生成物を介してリー
ク電流が発生し、被給電部の所期の効果が得られないお
それが生ずる。さらに反応生成物が付着すると接触部の
腐食や処理室内汚染の原因となるおそれもある。
【０００６】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、受容端子と挿入端子との接触によって減圧雰囲
気内での給電経路を形成する場合に、前記したような反
応生成物の付着を防止して、リーク電流や腐食、汚染の
防止を図ることをその目的とするものである。
であり、受容端子と挿入端子との接触によって減圧雰囲
気内での給電経路を形成する場合に、前記したような反
応生成物の付着を防止して、リーク電流や腐食、汚染の
防止を図ることをその目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１は、減圧自在な処理室内で被処理体に対し
て処理を施す如く構成された装置であって、前記処理室
内に位置し、被処理体の処理に際して電力供給を要する
被給電部と、この被給電部と電気的に接続される例えば
レセプタクル端子などの受容端子と、前記受容端子内に
挿入された際に、受容端子内に設けられた接点部と電気
的に接続される例えばプラグ端子などの挿入端子とを具
備した処理装置において、前記接点部近傍における処理
室内雰囲気と接触する部分に、例えばＮ2（窒素ガス）
その他の不活性ガスなどのパージガスが供給される如く
構成されたことを特徴とする。
め、請求項１は、減圧自在な処理室内で被処理体に対し
て処理を施す如く構成された装置であって、前記処理室
内に位置し、被処理体の処理に際して電力供給を要する
被給電部と、この被給電部と電気的に接続される例えば
レセプタクル端子などの受容端子と、前記受容端子内に
挿入された際に、受容端子内に設けられた接点部と電気
的に接続される例えばプラグ端子などの挿入端子とを具
備した処理装置において、前記接点部近傍における処理
室内雰囲気と接触する部分に、例えばＮ2（窒素ガス）
その他の不活性ガスなどのパージガスが供給される如く
構成されたことを特徴とする。
【０００８】また請求項２は、減圧自在な処理室内で被
処理体に対して処理を施す如く構成された装置であっ
て、前記処理室内に位置し、被処理体の処理に際して電
力供給を要する被給電部と、この被給電部と電気的に接
続される受容端子と、前記受容端子内に挿入された際
に、受容端子内に設けられた接点部と電気的に接続され
る挿入端子とを具備した処理装置において、前記挿入端
子の支持部外周には、隙間を空けて略筒状の絶縁部材が
配置され、前記隙間を通じて、前記接点部近傍における
処理室内雰囲気と接触する部分にパージガスが供給され
る如く構成されたことを特徴とする。
処理体に対して処理を施す如く構成された装置であっ
て、前記処理室内に位置し、被処理体の処理に際して電
力供給を要する被給電部と、この被給電部と電気的に接
続される受容端子と、前記受容端子内に挿入された際
に、受容端子内に設けられた接点部と電気的に接続され
る挿入端子とを具備した処理装置において、前記挿入端
子の支持部外周には、隙間を空けて略筒状の絶縁部材が
配置され、前記隙間を通じて、前記接点部近傍における
処理室内雰囲気と接触する部分にパージガスが供給され
る如く構成されたことを特徴とする。
【０００９】さらに請求項３は、減圧自在な処理室内で
被処理体に対して処理を施す如く構成された装置であっ
て、前記処理室内に位置し、被処理体の処理に際して電
力供給を要する被給電部と、この被給電部と電気的に接
続される受容端子と、前記受容端子内に挿入された際
に、受容端子内に設けられた接点部と電気的に接続され
る挿入端子とを具備した処理装置において、前記挿入端
子の支持部外周には、隙間を空けて略筒状の絶縁部材が
配置され、前記隙間を通じて前記接点部近傍における処
理室内雰囲気と接触する部分にパージガスが供給される
如く構成され、さらに前記処理室外における前記絶縁部
材には、前記隙間に通ずるガス導入口が形成され、この
ガス導入口における圧力が１００Ｔｏｒｒ以上となるよ
うに、前記パージガスの供給（例えば供給圧、供給量な
ど）が設定されたことを特徴とするものである。
被処理体に対して処理を施す如く構成された装置であっ
て、前記処理室内に位置し、被処理体の処理に際して電
力供給を要する被給電部と、この被給電部と電気的に接
続される受容端子と、前記受容端子内に挿入された際
に、受容端子内に設けられた接点部と電気的に接続され
る挿入端子とを具備した処理装置において、前記挿入端
子の支持部外周には、隙間を空けて略筒状の絶縁部材が
配置され、前記隙間を通じて前記接点部近傍における処
理室内雰囲気と接触する部分にパージガスが供給される
如く構成され、さらに前記処理室外における前記絶縁部
材には、前記隙間に通ずるガス導入口が形成され、この
ガス導入口における圧力が１００Ｔｏｒｒ以上となるよ
うに、前記パージガスの供給（例えば供給圧、供給量な
ど）が設定されたことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】請求項１の処理装置においては、受容端子内と
挿入端子の接点部近傍における処理室内雰囲気と接触す
る部分に、パージガスが供給されるので、当該部分に処
理の際の処理ガスが入り込むことはなく、反応生成物の
付着を防止することができる。
挿入端子の接点部近傍における処理室内雰囲気と接触す
る部分に、パージガスが供給されるので、当該部分に処
理の際の処理ガスが入り込むことはなく、反応生成物の
付着を防止することができる。
【００１１】また請求項２の処理装置においては、前記
挿入端子の支持部外周に、隙間を空けて略筒状の絶縁部
材が配置され、この隙間を通じて前記接点部近傍におけ
る処理室内雰囲気と接触する部分にパージガスが供給さ
れるので、前記請求項１の作用に加え、処理室を内部に
形成する処理容器を貫通させて、処理容器外部からパー
ジガスを供給することが容易となっている。
挿入端子の支持部外周に、隙間を空けて略筒状の絶縁部
材が配置され、この隙間を通じて前記接点部近傍におけ
る処理室内雰囲気と接触する部分にパージガスが供給さ
れるので、前記請求項１の作用に加え、処理室を内部に
形成する処理容器を貫通させて、処理容器外部からパー
ジガスを供給することが容易となっている。
【００１２】さらに請求項３の処理装置においては、前
記請求項２のように挿入端子の支持部外周と絶縁部材の
間の隙間を通じてパージガスを供給する場合、隙間に通
ずるガス導入口の圧力が１００Ｔｏｒｒ以上となるよう
に設定されているので、パージガス供給管端部と挿入端
子との間の放電を抑制することができる。即ち真空中の
ガス絶縁破壊現象は、０．５Ｔｏｒｒ付近から１００Ｔ
ｏｒｒに近い値での圧力で最も顕著であることが知られ
ている。一方既述した例えば減圧型のＣＶＤ装置では、
０．１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒに近い値の間でのプロ
セス圧力が多く使用される。
記請求項２のように挿入端子の支持部外周と絶縁部材の
間の隙間を通じてパージガスを供給する場合、隙間に通
ずるガス導入口の圧力が１００Ｔｏｒｒ以上となるよう
に設定されているので、パージガス供給管端部と挿入端
子との間の放電を抑制することができる。即ち真空中の
ガス絶縁破壊現象は、０．５Ｔｏｒｒ付近から１００Ｔ
ｏｒｒに近い値での圧力で最も顕著であることが知られ
ている。一方既述した例えば減圧型のＣＶＤ装置では、
０．１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒに近い値の間でのプロ
セス圧力が多く使用される。
【００１３】そうするとそのままでは、挿入端子の支持
部外周と絶縁部材の間の隙間に通ずるガス導入口の部分
も同一圧力になってしまい、例えばガス供給管としてス
テンレス鋼の管を使用すると、当該ガス供給管の端部
と、挿入端子の支持部との間で放電が生じやすくなる。
部外周と絶縁部材の間の隙間に通ずるガス導入口の部分
も同一圧力になってしまい、例えばガス供給管としてス
テンレス鋼の管を使用すると、当該ガス供給管の端部
と、挿入端子の支持部との間で放電が生じやすくなる。
【００１４】この点、請求項３の処理装置では、ガス導
入口の圧力が１００Ｔｏｒｒ以上となるようにパージガ
スの供給圧等が設定されているので、ガス供給管として
ステンレス鋼の管を使用した場合でも、例えば前出ＣＶ
Ｄ装置において通常使用される加熱装置に要する２００
Ｖ程度の交流電圧や、静電チャックに要する３ｋＶの直
流電圧が、挿入端子に供給されても、当該ガス供給管の
端部との間で放電が生ずるおそれはない。
入口の圧力が１００Ｔｏｒｒ以上となるようにパージガ
スの供給圧等が設定されているので、ガス供給管として
ステンレス鋼の管を使用した場合でも、例えば前出ＣＶ
Ｄ装置において通常使用される加熱装置に要する２００
Ｖ程度の交流電圧や、静電チャックに要する３ｋＶの直
流電圧が、挿入端子に供給されても、当該ガス供給管の
端部との間で放電が生ずるおそれはない。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき説明す
れば、図１は、本発明が適用された実施例にかかる枚葉
式のＣＶＤ装置１の断面を模式的に示しており、処理室
２は、例えば略筒状の処理容器３及び当該処理容器３の
上部に気密に設けられているシャワーヘッド４によって
処理容器３内に形成されている。
れば、図１は、本発明が適用された実施例にかかる枚葉
式のＣＶＤ装置１の断面を模式的に示しており、処理室
２は、例えば略筒状の処理容器３及び当該処理容器３の
上部に気密に設けられているシャワーヘッド４によって
処理容器３内に形成されている。
【００１６】前記処理容器２の外周付近の底部は、環状
に下方に突出した形態を有しており、当該底部近傍に
は、真空ポンプなどの真空引き手段５に通ずる排気管６
が設けられており、当該真空引き手段５の作動により、
前記処理室２は、所定の減圧雰囲気、例えば０．１Ｔｏ
ｒｒまで減圧自在である。前記処理容器３の中央底部に
は、底板１１が設けられており、この底板１１内には、
冷却水溜１２が形成され、この冷却水溜１２の内部を処
理容器３外部から供給される冷却水が循環して、底板１
１が冷却される構成を有している。
に下方に突出した形態を有しており、当該底部近傍に
は、真空ポンプなどの真空引き手段５に通ずる排気管６
が設けられており、当該真空引き手段５の作動により、
前記処理室２は、所定の減圧雰囲気、例えば０．１Ｔｏ
ｒｒまで減圧自在である。前記処理容器３の中央底部に
は、底板１１が設けられており、この底板１１内には、
冷却水溜１２が形成され、この冷却水溜１２の内部を処
理容器３外部から供給される冷却水が循環して、底板１
１が冷却される構成を有している。
【００１７】前記底板１１の上面には支持部材１４、１
５によって支持された載置台２１が設置されている。こ
の載置台２１は、図２、図３に示された構造を有し、基
材２２の表面に、例えばＢＮ（窒化ホウ素）などの絶縁
材からなる絶縁被膜２３が形成されている。このような
絶縁被膜２３の基材２２表面への形成は、例えばＣＶＤ
処理によって行うことができる。そしてこの載置台２１
における底部には、基材２２下面とと絶縁被膜２３との
間に発熱体２４が渦巻状に封入されており、処理容器３
外部に位置する交流電源２５から交流電流が供給される
と、例えば４００℃〜２０００℃までの任意の温度にま
で載置台２１を加熱する機能を有している。
５によって支持された載置台２１が設置されている。こ
の載置台２１は、図２、図３に示された構造を有し、基
材２２の表面に、例えばＢＮ（窒化ホウ素）などの絶縁
材からなる絶縁被膜２３が形成されている。このような
絶縁被膜２３の基材２２表面への形成は、例えばＣＶＤ
処理によって行うことができる。そしてこの載置台２１
における底部には、基材２２下面とと絶縁被膜２３との
間に発熱体２４が渦巻状に封入されており、処理容器３
外部に位置する交流電源２５から交流電流が供給される
と、例えば４００℃〜２０００℃までの任意の温度にま
で載置台２１を加熱する機能を有している。
【００１８】またこの載置台２１の上部には、基材２２
上面と絶縁被膜２３との間に略半円形の薄板形状の導電
体２６、２７が封入されており、処理容器３外部に位置
する高圧直流電源２８、２９から、例えば２ｋＶの高圧
直流電流が各々極性を逆にして印加されると、載置台２
１の上面に載置された被処理体、例えば半導体ウエハ
（以下、「ウエハ」という）Ｗを、静電気力によって吸
着保持する構成となっている。
上面と絶縁被膜２３との間に略半円形の薄板形状の導電
体２６、２７が封入されており、処理容器３外部に位置
する高圧直流電源２８、２９から、例えば２ｋＶの高圧
直流電流が各々極性を逆にして印加されると、載置台２
１の上面に載置された被処理体、例えば半導体ウエハ
（以下、「ウエハ」という）Ｗを、静電気力によって吸
着保持する構成となっている。
【００１９】前記した載置台２１の発熱体２４及び導電
体２６、２７への大気中に位置する各電源からの電力の
給電機構は、基本的にはそれぞれ同様な構成を有してい
る。例えば交流電源２５から発熱体２４への給電経路等
を図４に基づいて説明すると、基材２２の環状突出底部
には下面から取付穴３１が形成され、この取付穴３１の
表面にも前記絶縁被膜２３が形成されており、当該取付
穴３１内に、受容端子となる有底開口形状のレセプタク
ル端子３２が取り付けられている。このレセプタクル端
子３２は、適宜の導体３３によって発熱体２４と導通し
ている。そして接点部はこのレセプタクル端子３２の内
面側周に設定されている。
体２６、２７への大気中に位置する各電源からの電力の
給電機構は、基本的にはそれぞれ同様な構成を有してい
る。例えば交流電源２５から発熱体２４への給電経路等
を図４に基づいて説明すると、基材２２の環状突出底部
には下面から取付穴３１が形成され、この取付穴３１の
表面にも前記絶縁被膜２３が形成されており、当該取付
穴３１内に、受容端子となる有底開口形状のレセプタク
ル端子３２が取り付けられている。このレセプタクル端
子３２は、適宜の導体３３によって発熱体２４と導通し
ている。そして接点部はこのレセプタクル端子３２の内
面側周に設定されている。
【００２０】一方処理容器３の底板１１には、貫通孔４
１が形成され、この中に例えばＳｉ3Ｎ4や石英などの絶
縁材からなる絶縁パイプ４２が貫設されており、この絶
縁パイプ４２内に、交流電源２５からの供給リード（図
示せず）と導通する導電材の支持部材４３が挿入されて
いる。この支持部材４３は、前記絶縁パイプ４２の内径
よりも小さい外径を有しており、両者の間には、例えば
０．１mm程度の隙間ｄが確保されている。
１が形成され、この中に例えばＳｉ3Ｎ4や石英などの絶
縁材からなる絶縁パイプ４２が貫設されており、この絶
縁パイプ４２内に、交流電源２５からの供給リード（図
示せず）と導通する導電材の支持部材４３が挿入されて
いる。この支持部材４３は、前記絶縁パイプ４２の内径
よりも小さい外径を有しており、両者の間には、例えば
０．１mm程度の隙間ｄが確保されている。
【００２１】前記支持部材４３の上部には、挿入端子と
なるプラグ端子４４が固着され、またこのプラグ端子４
４の上部には、上端からスリット４４ａが形成されてい
る。かかる構成のプラグ端子４４が前記レセプタクル端
子３２内に圧入されると、プラグ端子４４の外周がレセ
プタクル端子３２内の接点部と圧接し、両者の導通状態
が得られる。このとき前記スリット４４ａの存在によ
り、かかる圧接は無理なく良好なものとなっている。そ
してこのプラグ端子４４とレセプタクル端子３２との導
通により、交流電源２５からの交流電流が、処理室２内
に位置する載置台２１内の発熱体２４へと供給可能とな
っている。
なるプラグ端子４４が固着され、またこのプラグ端子４
４の上部には、上端からスリット４４ａが形成されてい
る。かかる構成のプラグ端子４４が前記レセプタクル端
子３２内に圧入されると、プラグ端子４４の外周がレセ
プタクル端子３２内の接点部と圧接し、両者の導通状態
が得られる。このとき前記スリット４４ａの存在によ
り、かかる圧接は無理なく良好なものとなっている。そ
してこのプラグ端子４４とレセプタクル端子３２との導
通により、交流電源２５からの交流電流が、処理室２内
に位置する載置台２１内の発熱体２４へと供給可能とな
っている。
【００２２】前記底板１１に形成された貫通孔４１の大
気側周縁には、Ｏリング５１を備えた気密支持体５２
が、例えばボルト等の固着手段によって気密に取り付け
られている。またこの気密支持体５２の下方には、パー
ジガス供給源５３から供給される例えばＮ2（窒素ガ
ス）などのパージガスを、前記隙間ｄ内に供給するため
のアタッチメント５４が、前記絶縁パイプ４２の外周を
囲むようにして取り付けられている。なおパージガス供
給源５３からの供給路には、バルブ５５及び流量調節機
能を有するマスフローコントローラ５６が介在してい
る。
気側周縁には、Ｏリング５１を備えた気密支持体５２
が、例えばボルト等の固着手段によって気密に取り付け
られている。またこの気密支持体５２の下方には、パー
ジガス供給源５３から供給される例えばＮ2（窒素ガ
ス）などのパージガスを、前記隙間ｄ内に供給するため
のアタッチメント５４が、前記絶縁パイプ４２の外周を
囲むようにして取り付けられている。なおパージガス供
給源５３からの供給路には、バルブ５５及び流量調節機
能を有するマスフローコントローラ５６が介在してい
る。
【００２３】このアタッチメント５４には、前記パージ
ガス供給源に通ずるパージガス供給管５７が接続されて
おり、また内部にはパージガス供給管５７に通ずる供給
空間５８が形成されている。そして前記絶縁パイプ４２
には、この供給空間５８内に開口したガス導入口４２ａ
が形成されている。なお供給空間５８の上下におけるア
タッチメント５４と絶縁パイプ４２との間には、Ｏリン
グ５９が介在して気密性が確保されている。
ガス供給源に通ずるパージガス供給管５７が接続されて
おり、また内部にはパージガス供給管５７に通ずる供給
空間５８が形成されている。そして前記絶縁パイプ４２
には、この供給空間５８内に開口したガス導入口４２ａ
が形成されている。なお供給空間５８の上下におけるア
タッチメント５４と絶縁パイプ４２との間には、Ｏリン
グ５９が介在して気密性が確保されている。
【００２４】なお前記アタッチメント５４の下面には、
適宜の支持体６０が取り付けられ、絶縁パイプ４２を支
持している。
適宜の支持体６０が取り付けられ、絶縁パイプ４２を支
持している。
【００２５】前記載置台２１の中心部には、図１に示し
たように、底板１１を貫通した伝熱媒体供給管６１、及
びこの伝熱媒体供給管６１と通ずる流路６２が設けられ
ており、処理室２外部から前記伝熱媒体供給管６１を通
じて供給される例えばＨｅガス（ヘリウムガス）などの
伝熱媒体が、載置台２１の上面に載置されたウエハＷの
裏面に供給されるようになっている。
たように、底板１１を貫通した伝熱媒体供給管６１、及
びこの伝熱媒体供給管６１と通ずる流路６２が設けられ
ており、処理室２外部から前記伝熱媒体供給管６１を通
じて供給される例えばＨｅガス（ヘリウムガス）などの
伝熱媒体が、載置台２１の上面に載置されたウエハＷの
裏面に供給されるようになっている。
【００２６】また載置台２１の基材２２内部には、温度
センサ６３の検知部６３ａが位置しており、基材２２の
温度を逐次検出できるようになっている。そしてこの温
度センサ６３からの温度検出信号に基づいて、前記発熱
体２４へ供給する交流電源２５のパワーや前記Ｈｅガス
（ヘリウムガス）の流量等が制御され、載置台２１の載
置面を所定温度に調整し、ウエハＷを所定のＣＶＤ処理
に適した温度に維持することが可能になっている。
センサ６３の検知部６３ａが位置しており、基材２２の
温度を逐次検出できるようになっている。そしてこの温
度センサ６３からの温度検出信号に基づいて、前記発熱
体２４へ供給する交流電源２５のパワーや前記Ｈｅガス
（ヘリウムガス）の流量等が制御され、載置台２１の載
置面を所定温度に調整し、ウエハＷを所定のＣＶＤ処理
に適した温度に維持することが可能になっている。
【００２７】前記載置台２１上のウエハＷは、載置台２
１の側周外方に位置するリフター７１によって担持自在
である。即ちこのリフター７１は、略Ｃ型の一対の載置
部材７２、７３及び各載置部材７２、７３を支持する支
持柱７４、７５とによって構成されており、前記支持柱
７４、７５が上下動することにより、ウエハＷは、その
周縁部が支持されて載置台２１からリフトアップ−リフ
トダウンされる構成となっている。なおこれら支持柱７
４、７５は、ベローズ７６、７６を介して、処理容器３
外部へと気密に突出し、適宜の昇降装置（図示せず）に
取り付けられている。
１の側周外方に位置するリフター７１によって担持自在
である。即ちこのリフター７１は、略Ｃ型の一対の載置
部材７２、７３及び各載置部材７２、７３を支持する支
持柱７４、７５とによって構成されており、前記支持柱
７４、７５が上下動することにより、ウエハＷは、その
周縁部が支持されて載置台２１からリフトアップ−リフ
トダウンされる構成となっている。なおこれら支持柱７
４、７５は、ベローズ７６、７６を介して、処理容器３
外部へと気密に突出し、適宜の昇降装置（図示せず）に
取り付けられている。
【００２８】前出シャワーヘッド４には、処理ガス導入
管８１が設けられており、この処理ガス導入管８１は、
バルブ８２、８３及びマスフローコントローラ８４を介
して、ＳｉＨ4（シラン）を供給する処理ガス供給源８
５、並びにバルブ８２、８６及びマスフローコントロー
ラ８７を介して、Ｎ2（窒素ガス）を供給する処理ガス
供給源８８と接続されている。またシャワーヘッド４に
おける載置台２１との対向面には、多数の吐出口８９が
形成されており、前記各処理ガスは、この吐出口８９を
通じて、載置台２１上のウエハＷに対して均一に吐出さ
れる構成となっている。
管８１が設けられており、この処理ガス導入管８１は、
バルブ８２、８３及びマスフローコントローラ８４を介
して、ＳｉＨ4（シラン）を供給する処理ガス供給源８
５、並びにバルブ８２、８６及びマスフローコントロー
ラ８７を介して、Ｎ2（窒素ガス）を供給する処理ガス
供給源８８と接続されている。またシャワーヘッド４に
おける載置台２１との対向面には、多数の吐出口８９が
形成されており、前記各処理ガスは、この吐出口８９を
通じて、載置台２１上のウエハＷに対して均一に吐出さ
れる構成となっている。
【００２９】前記処理容器３には、ゲートバルブ９１を
介してロードロック室９２が隣接しており、さらにこの
ロードロック室９２内には、前記処理室２内の載置台２
１にウエハＷを搬送するための搬送アーム９３を備えた
搬送手段９４が設けられている。なおこのロードロック
室９２の底部にも真空引き手段に通ずる排気管９５が設
けられており、このロードロック室９２は、所定の減圧
度、例えば１０-4Ｔｏｒｒまで減圧自在な構成となって
いる。
介してロードロック室９２が隣接しており、さらにこの
ロードロック室９２内には、前記処理室２内の載置台２
１にウエハＷを搬送するための搬送アーム９３を備えた
搬送手段９４が設けられている。なおこのロードロック
室９２の底部にも真空引き手段に通ずる排気管９５が設
けられており、このロードロック室９２は、所定の減圧
度、例えば１０-4Ｔｏｒｒまで減圧自在な構成となって
いる。
【００３０】本実施例にかかるＣＶＤ装置１は以上のよ
うに構成されており、次にその動作等を説明すると、処
理室２とロードロック室９２とが同一減圧度になった時
点でゲートバルブ９１が開放され、成膜処理されるウエ
ハＷが搬送アーム９３によって処理室２内の載置台２１
の上方まで搬送される。このときリフター７１の各載置
部材７２、７３は上昇しており、担持待機状態となって
いる。そして搬送アーム９３が下降するとウエハＷはリ
フター７１の各載置部材７２、７３によって担持され
る。
うに構成されており、次にその動作等を説明すると、処
理室２とロードロック室９２とが同一減圧度になった時
点でゲートバルブ９１が開放され、成膜処理されるウエ
ハＷが搬送アーム９３によって処理室２内の載置台２１
の上方まで搬送される。このときリフター７１の各載置
部材７２、７３は上昇しており、担持待機状態となって
いる。そして搬送アーム９３が下降するとウエハＷはリ
フター７１の各載置部材７２、７３によって担持され
る。
【００３１】次いで搬送アーム９３がロードロック室９
２内に待避してゲートバルブ９１が閉鎖されると、リフ
ター７１の各載置部材７２、７３が下降してウエハＷは
載置台２１上に載置される。そして高圧直流電源２８、
２９から所定電圧の電圧が導電体２６、２７に印加され
ると、ウエハＷは載置台２１上に吸着保持される。
２内に待避してゲートバルブ９１が閉鎖されると、リフ
ター７１の各載置部材７２、７３が下降してウエハＷは
載置台２１上に載置される。そして高圧直流電源２８、
２９から所定電圧の電圧が導電体２６、２７に印加され
ると、ウエハＷは載置台２１上に吸着保持される。
【００３２】そしてその後交流電源２５から所定の電流
が載置台２１内の発熱体２４に供給されるとウエハＷは
所定の処理温度、例えば６００℃まで加熱され、また処
理室内が所定の減圧度、例えば０．５Ｔｏｒｒにまで真
空引きされ、さらに処理ガス導入管８１から処理ガスで
あるＳｉＨ4ガスが処理室２内に導入されると、ウエハ
Ｗに対して所定のポリシリコン膜が形成されるのであ
る。
が載置台２１内の発熱体２４に供給されるとウエハＷは
所定の処理温度、例えば６００℃まで加熱され、また処
理室内が所定の減圧度、例えば０．５Ｔｏｒｒにまで真
空引きされ、さらに処理ガス導入管８１から処理ガスで
あるＳｉＨ4ガスが処理室２内に導入されると、ウエハ
Ｗに対して所定のポリシリコン膜が形成されるのであ
る。
【００３３】かかる成膜処理の間、ウエハＷを載置台２
１上に吸着保持するため、載置台２１内の導電体２６、
２７へは高圧直流電源２８、２９からの電圧が印加さ
れ、またウエハＷを所定の温度に維持するため、載置台
２１内の発熱体２４へは交流電源２５から交流電流が印
加されているが、かかる処理の間、パージガス供給源５
３からパージガスとしてＮ2を、絶縁パイプ４２と支持
部材４３との間の隙間ｄに供給する。
１上に吸着保持するため、載置台２１内の導電体２６、
２７へは高圧直流電源２８、２９からの電圧が印加さ
れ、またウエハＷを所定の温度に維持するため、載置台
２１内の発熱体２４へは交流電源２５から交流電流が印
加されているが、かかる処理の間、パージガス供給源５
３からパージガスとしてＮ2を、絶縁パイプ４２と支持
部材４３との間の隙間ｄに供給する。
【００３４】そうすると、Ｎ2が前記給電の経路となっ
ているレセプタクル端子３２とプラグ端子４４との接触
部近傍に供給され、レセプタクル端子３２と絶縁パイプ
４２との間から処理室２内に排出される。従って、処理
ガスであるＳｉＨ4ガスが前記接触部近傍に侵入するこ
とはなく、前記接触部に反応生成物が付着することが防
止される。従って、レセプタクル端子３２やプラグ端子
４４からリーク電流が発生することはなく、また腐食や
処理室２内の汚染も防止される。
ているレセプタクル端子３２とプラグ端子４４との接触
部近傍に供給され、レセプタクル端子３２と絶縁パイプ
４２との間から処理室２内に排出される。従って、処理
ガスであるＳｉＨ4ガスが前記接触部近傍に侵入するこ
とはなく、前記接触部に反応生成物が付着することが防
止される。従って、レセプタクル端子３２やプラグ端子
４４からリーク電流が発生することはなく、また腐食や
処理室２内の汚染も防止される。
【００３５】かかる場合のＮ2の供給は、アタッチメン
ト５４内に開口している絶縁パイプ４２のガス導入口４
２ａでの圧力が、１００Ｔｏｒｒ以上となるように設定
することが好ましい。即ちそのようにガス導入口４２ａ
での圧力が１００Ｔｏｒｒ以上となるように設定すれ
ば、絶縁パイプ４２内に位置している支持部材４３とア
タッチメント５４の供給空間５８周縁部との間では、載
置部材２１の導電体２６、２７に印加する程度の電圧
や、発熱体２４に供給する程度の電流が支持部材４３に
供給されても、絶縁破壊を起こさない程度の絶縁状態が
確保される。その結果前記供給空間５８周縁部と通電状
態の支持部材４３との間の放電を防止することができる
からである。従って、そのような圧力下でパージガスで
あるＮ2を供給することにより、ウエハＷの吸着保持及
び加熱が安定して行え、しかも前記したように、リーク
電流、腐食、汚染を防止することが可能になっている。
ト５４内に開口している絶縁パイプ４２のガス導入口４
２ａでの圧力が、１００Ｔｏｒｒ以上となるように設定
することが好ましい。即ちそのようにガス導入口４２ａ
での圧力が１００Ｔｏｒｒ以上となるように設定すれ
ば、絶縁パイプ４２内に位置している支持部材４３とア
タッチメント５４の供給空間５８周縁部との間では、載
置部材２１の導電体２６、２７に印加する程度の電圧
や、発熱体２４に供給する程度の電流が支持部材４３に
供給されても、絶縁破壊を起こさない程度の絶縁状態が
確保される。その結果前記供給空間５８周縁部と通電状
態の支持部材４３との間の放電を防止することができる
からである。従って、そのような圧力下でパージガスで
あるＮ2を供給することにより、ウエハＷの吸着保持及
び加熱が安定して行え、しかも前記したように、リーク
電流、腐食、汚染を防止することが可能になっている。
【００３６】なお前記した実施例は、ＣＶＤ装置に適用
した例であったが、本発明はこれに限らず、減圧状態の
処理室内で処理を行う処理装置であって、処理室内に処
理室外部から給電を要する静電チャックやヒータなどの
被給電部を備えた、エッチング装置やスパッタリング装
置などの各種処理装置に対して適用可能である。
した例であったが、本発明はこれに限らず、減圧状態の
処理室内で処理を行う処理装置であって、処理室内に処
理室外部から給電を要する静電チャックやヒータなどの
被給電部を備えた、エッチング装置やスパッタリング装
置などの各種処理装置に対して適用可能である。
【００３７】
【発明の効果】請求項１〜３の処理装置においては、受
容端子内と挿入端子の接点部近傍における処理室内雰囲
気と接触する部分に、反応生成物が付着するのを防止で
きるので、リーク電流の発生、腐食、汚染を防止するこ
とができる。また特に請求項２の処理装置においては、
処理室を内部に形成する処理容器を貫通させて、処理容
器外部からパージガスを供給することが容易であり、さ
らに請求項３の処理装置においては、挿入端子と導通す
る部分と、ガス導入口周辺との間の放電を防止すること
ができる。
容端子内と挿入端子の接点部近傍における処理室内雰囲
気と接触する部分に、反応生成物が付着するのを防止で
きるので、リーク電流の発生、腐食、汚染を防止するこ
とができる。また特に請求項２の処理装置においては、
処理室を内部に形成する処理容器を貫通させて、処理容
器外部からパージガスを供給することが容易であり、さ
らに請求項３の処理装置においては、挿入端子と導通す
る部分と、ガス導入口周辺との間の放電を防止すること
ができる。
【図１】本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置の断面説明
図である。
図である。
【図２】図１に示されたＣＶＤ装置における載置台の断
面説明図である。
面説明図である。
【図３】図１に示されたＣＶＤ装置における載置台の外
観を示す斜視図である。
観を示す斜視図である。
【図４】図１に示されたＣＶＤ装置における載置台下部
の端子接続部の構造を示す断面説明図である。
の端子接続部の構造を示す断面説明図である。
１ ＣＶＤ装置 ２ 処理室 ５ 真空引き手段 ６ 排気管 ２１ 載置台 ２４ 発熱体 ２５ 交流電源 ２６、２７ 導電体 ２８、２９ 高圧直流電源 ３２ レセプタクル端子 ４２ 絶縁パイプ ４２ａ ガス導入口 ４３ 支持部材 ４４ プラグ端子 ５３ パージガス供給源 ｄ 隙間 Ｗ ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ３０Ｂ 35/00 7202−4Ｇ Ｃ３０Ｂ 35/00 (72)発明者 荒見 淳一 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内
Claims (3)
- 【請求項１】 減圧自在な処理室内で被処理体に対して
処理を施す如く構成された装置であって、前記処理室内
に位置し、被処理体の処理に際して電力供給を要する被
給電部と、この被給電部と電気的に接続される受容端子
と、前記受容端子内に挿入された際に、受容端子内に設
けられた接点部と電気的に接続される挿入端子とを具備
した処理装置において、 前記接点部近傍における処理室内雰囲気と接触する部分
に、パージガスが供給される如く構成されたことを特徴
とする、処理装置。 - 【請求項２】 減圧自在な処理室内で被処理体に対して
処理を施す如く構成された装置であって、前記処理室内
に位置し、被処理体の処理に際して電力供給を要する被
給電部と、この被給電部と電気的に接続される受容端子
と、前記受容端子内に挿入された際に、受容端子内に設
けられた接点部と電気的に接続される挿入端子とを具備
した処理装置において、 前記挿入端子の支持部外周には、隙間を空けて略筒状の
絶縁部材が配置され、前記接点部近傍における処理室内
雰囲気と接触する部分に前記隙間からパージガスが供給
される如く構成されたことを特徴とする、処理装置。 - 【請求項３】 減圧自在な処理室内で被処理体に対して
処理を施す如く構成された装置であって、前記処理室内
に位置し、被処理体の処理に際して電力供給を要する被
給電部と、この被給電部と電気的に接続される受容端子
と、前記受容端子内に挿入された際に、受容端子内に設
けられた接点部と電気的に接続される挿入端子とを具備
した処理装置において、 前記挿入端子の支持部外周には、隙間を空けて略筒状の
絶縁部材が配置され、前記接点部近傍における処理室内
雰囲気と接触する部分に、前記隙間からパージガスが供
給される如く構成され、 前記処理室外における前記絶縁部材には、前記隙間に通
ずるガス導入口が形成され、このガス導入口における圧
力が１００Ｔｏｒｒ以上となるように前記パージガスの
供給が設定されたことを特徴とする、処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7091672A JPH08264465A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 処理装置 |
| TW085103287A TW367525B (en) | 1995-03-23 | 1996-03-19 | Handling apparatus |
| US08/619,245 US5618350A (en) | 1995-03-23 | 1996-03-21 | Processing apparatus |
| KR1019960007744A KR100208815B1 (ko) | 1995-03-23 | 1996-03-21 | 처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7091672A JPH08264465A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264465A true JPH08264465A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=14032983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7091672A Pending JPH08264465A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5618350A (ja) |
| JP (1) | JPH08264465A (ja) |
| KR (1) | KR100208815B1 (ja) |
| TW (1) | TW367525B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100433106B1 (ko) * | 1997-06-09 | 2004-09-18 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 피처리체의 가스처리장치 |
| WO2007099957A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置およびそれに用いる基板加熱機構 |
| JP2011063859A (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置および成膜方法 |
| KR20140050560A (ko) * | 2012-10-19 | 2014-04-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
| JP2014099585A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP5964494B1 (ja) * | 2015-12-24 | 2016-08-03 | 布垣 昌伸 | 電流導入端子 |
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