JPS59200752A - 成膜部材加熱装置 - Google Patents
成膜部材加熱装置Info
- Publication number
- JPS59200752A JPS59200752A JP7554783A JP7554783A JPS59200752A JP S59200752 A JPS59200752 A JP S59200752A JP 7554783 A JP7554783 A JP 7554783A JP 7554783 A JP7554783 A JP 7554783A JP S59200752 A JPS59200752 A JP S59200752A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- casing
- heater
- forming member
- film
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はプソメマＣＶＤ装置における成膜部材加熱装置
の改良に関する。
の改良に関する。
（吻 従来技術
従来この種加熱装置は、只空′４器内において、成膜部
材が載置される回転円板の１〜方にヒータが設けられ、
該回１臥円板を均一加熱することによシ前記成膜部拐が
加熱されるようになっていた。しかし、この力仄による
とと一タが真空容器内にあるため、各器内の貞空度によ
ってヒータからの熱輻射１１昆にむしができて温度差が
生じる。従って、温度調理棺度が安定しないという欠点
があった。
材が載置される回転円板の１〜方にヒータが設けられ、
該回１臥円板を均一加熱することによシ前記成膜部拐が
加熱されるようになっていた。しかし、この力仄による
とと一タが真空容器内にあるため、各器内の貞空度によ
ってヒータからの熱輻射１１昆にむしができて温度差が
生じる。従って、温度調理棺度が安定しないという欠点
があった。
ｅ→目的
本発明は上記欠点を除き、安定した温度調節精度が得ら
れるような加熱装置を提供うることを目的とする。
れるような加熱装置を提供うることを目的とする。
に）構成
上記目的を達成するため不完１す」の構成は、成膜部材
全取付ける回１獣ケーシングが、真空谷ｋｇ内で七の壁
ｆ：気密的に貫通して回転自在に設けられ、６ｉＪ記ケ
ーシングは内部が大気圧ときれ心と共に、内部に間隔を
任してヒータが設げられ、かつ、ｎＩＪ記真全真空容器
外側の部分にケーシング動力駆動部が連結されたことで
ある。
全取付ける回１獣ケーシングが、真空谷ｋｇ内で七の壁
ｆ：気密的に貫通して回転自在に設けられ、６ｉＪ記ケ
ーシングは内部が大気圧ときれ心と共に、内部に間隔を
任してヒータが設げられ、かつ、ｎＩＪ記真全真空容器
外側の部分にケーシング動力駆動部が連結されたことで
ある。
（ホ）実施例
以Ｆ本考案の芙施態様を一実施例にもとづいて説明する
。
。
本発明の加熱装置は真空状態に督封された容器１と、該
容器１丙に設置さね、内部が大気圧とされた回Ｉ肱ケー
シング１０と、該ケーシングｌＯ内に定置されたヒータ
４０とを有する。
容器１丙に設置さね、内部が大気圧とされた回Ｉ肱ケー
シング１０と、該ケーシングｌＯ内に定置されたヒータ
４０とを有する。
回転ケーシング１０は１τ部開放の短円筒状をなすケー
シング蓋体１１ａとケーシング底板１１ｂとが組付けら
れてなる中空円盤状ケーシング本体１１と、前記ケーシ
ング底板１１ｂと一体で鉛直垂下するケーシング管状部
１２とからなる。ケーシング蓋体１１ａとケーシング紙
板１１ｂとはその周縁部に装着されたシーリング材ｔａ
ａおよび締付ボ／Ｖ ） １８ｂからなる密封部材１３
により前記誓封容器１に対し気密が保持されている。ケ
ーシング管状部１２は、容器１に連列してその底壁から
垂下した管状支持部２０の外筒２１を貫挿して設置され
、ベアリング２２を介して回転自在とされるとともに、
これら管状部１２ｂと管状支持部２０との隙間は上下一
対のゴムムリング２８．２８によってシールされている
。
シング蓋体１１ａとケーシング底板１１ｂとが組付けら
れてなる中空円盤状ケーシング本体１１と、前記ケーシ
ング底板１１ｂと一体で鉛直垂下するケーシング管状部
１２とからなる。ケーシング蓋体１１ａとケーシング紙
板１１ｂとはその周縁部に装着されたシーリング材ｔａ
ａおよび締付ボ／Ｖ ） １８ｂからなる密封部材１３
により前記誓封容器１に対し気密が保持されている。ケ
ーシング管状部１２は、容器１に連列してその底壁から
垂下した管状支持部２０の外筒２１を貫挿して設置され
、ベアリング２２を介して回転自在とされるとともに、
これら管状部１２ｂと管状支持部２０との隙間は上下一
対のゴムムリング２８．２８によってシールされている
。
管状部１２の下部はケーシング駆動部３０に連結される
。即ち、ケーシング駆動部３０は、前記管状支持部２０
の下端に取付けられたギヤボックス３１内に収納されて
、モーフ３２により回転付与される＝ ！ｌ１７１ギヤ
３３と、それに噛合って前記管状部１２の下端に外嵌固
定された従動ギヤ３４とをもつ。
。即ち、ケーシング駆動部３０は、前記管状支持部２０
の下端に取付けられたギヤボックス３１内に収納されて
、モーフ３２により回転付与される＝ ！ｌ１７１ギヤ
３３と、それに噛合って前記管状部１２の下端に外嵌固
定された従動ギヤ３４とをもつ。
ヒータ４０は、前記ケーシング本体１１内に収容さｆた
円盤状のヒータ本体４１と、該ヒータ本質・４１の下部
にｔａ定された棒状のヒータ脚部４２とからなシ、ヒー
タ１諌部４２内には配、促が〃匿される。ヒータ＋４部
４２は前記ケーシング管状部１２内に同心に間隔を存し
て設けら！し、その下端はシュー４２ａとなシυ 前記ギヤボックス３１≠底板上に定着される。
円盤状のヒータ本体４１と、該ヒータ本質・４１の下部
にｔａ定された棒状のヒータ脚部４２とからなシ、ヒー
タ１諌部４２内には配、促が〃匿される。ヒータ＋４部
４２は前記ケーシング管状部１２内に同心に間隔を存し
て設けら！し、その下端はシュー４２ａとなシυ 前記ギヤボックス３１≠底板上に定着される。
まだ、ヒータ脚部４２はケーシング管状部１２内に２い
て、そのネック部分をｌｌ１１熱リング２を介して支承
される。従って、ケーシング管状部１２はこの自熱リン
グ２を回４云ガイドとしてヒータ脚部４２のまわシに回
転自在とされでいる。
て、そのネック部分をｌｌ１１熱リング２を介して支承
される。従って、ケーシング管状部１２はこの自熱リン
グ２を回４云ガイドとしてヒータ脚部４２のまわシに回
転自在とされでいる。
１１１１記上下一対のゴムリング２８．２３によって仕
切られる、外筒２１とケーシング管状部１２とのｐｉｉ
、間には排気管３が開口される。
切られる、外筒２１とケーシング管状部１２とのｐｉｉ
、間には排気管３が開口される。
該排気管３は、もし、目１■記隙間に外気が侵入した；
祭、この外気が真空容器１内に入るのを防ぐために役豆
つ。
祭、この外気が真空容器１内に入るのを防ぐために役豆
つ。
外筒２１のネック部には、該ネック部を螺旋状にと９ま
く冷却水管４が設けらｎ、ヒー防止きれている。
く冷却水管４が設けらｎ、ヒー防止きれている。
また、必妥に応じて（特に高温加熱の場合）ケーシング
本体１１の側部および底部をｆｒ熱材５で被覆して放熱
を防止する。
本体１１の側部および底部をｆｒ熱材５で被覆して放熱
を防止する。
以上において、真空容器１内において、祇物苗を兼ねる
ケーシング１０上に成膜部材Ａが１１置されて回転し、
ヒータ４０により均一加熱が行なわれて真空ふん囲気内
で蒸着成膜される。本発明によると、この加熱に際し、
ヒータ４０が大気圧のケーシング１０内に収納されてい
るため、従来の真空中にある場合に比べて熱輻側能にむ
らがなく一定湿度に加熱昇温される。
ケーシング１０上に成膜部材Ａが１１置されて回転し、
ヒータ４０により均一加熱が行なわれて真空ふん囲気内
で蒸着成膜される。本発明によると、この加熱に際し、
ヒータ４０が大気圧のケーシング１０内に収納されてい
るため、従来の真空中にある場合に比べて熱輻側能にむ
らがなく一定湿度に加熱昇温される。
上記実施例では真空容器１とケーシングｌＯとは′眠気
的に同″眠位であるが、両老間に絶縁物を介することに
よシ成１１央部材にバイアス電圧をかけることもできる
。
的に同″眠位であるが、両老間に絶縁物を介することに
よシ成１１央部材にバイアス電圧をかけることもできる
。
（ト）効果
以上の如く本発明によると、ヒータが大気圧をイＪする
ケーシング内に収納されていて、しかもそのケーシング
は載物台を兼ねるので熱輻射能が真空度に左右されるこ
とがなく、従って、前記載物台たるケーシングの温度を
常に一定に保つことができ、高い温度調節精度のもとに
良質な製品が得られることとなった。
ケーシング内に収納されていて、しかもそのケーシング
は載物台を兼ねるので熱輻射能が真空度に左右されるこ
とがなく、従って、前記載物台たるケーシングの温度を
常に一定に保つことができ、高い温度調節精度のもとに
良質な製品が得られることとなった。
図は本発明の一実施例を示す縦断面図である。
１・・・真空容器、３・・排気管、４・・・冷却水管、
１０・・・回１肱ケーンング、１１・・ケーシング本体
、１２・・・ケーシング管状部、２０・・・管状支持部
、２１・・・外筒、３０・・ケーシング駆動部、４０−
・・ヒータ４１・・・ヒータ本体、４２・・・ヒータ脚
部代理人 弁理士犬飼新平
１０・・・回１肱ケーンング、１１・・ケーシング本体
、１２・・・ケーシング管状部、２０・・・管状支持部
、２１・・・外筒、３０・・ケーシング駆動部、４０−
・・ヒータ４１・・・ヒータ本体、４２・・・ヒータ脚
部代理人 弁理士犬飼新平
Claims (2)
- （１）成）挨部材を取付ける回転ケーシングが、真空谷
ｇｔ内でその壁を気密的に頁゛通して回転自在に設けら
れ、前記ケーシングは内部が大気圧とされると共に、内
部に間隔を存してヒータが設けられ、かつ、前記真空容
器よシ外側の部分にケーシング動力駆動部が連結された
ことを特徴とする成膜部材側熱装置。 - （２） 回転ケーシングは前記真空容器内に位置して
外表面に成膜部材を取付ける中空盤状本体と、その−壁
から回転軸線上に延びて容器壁−を貝°通し、端部で大
気圧に開放されたケーシング・ｄ状部とを含春、前記ヒ
ータはＡｉｌ記ケーシング本俸円に収容された盤状ヒー
タ本体と該ヒータ本体の一側曲から突設され″：！：商
記ケーシング官状部を貫通するヒータ脚部とを含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の成膜部材ｍ熱
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7554783A JPS59200752A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 成膜部材加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7554783A JPS59200752A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 成膜部材加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200752A true JPS59200752A (ja) | 1984-11-14 |
| JPH059515B2 JPH059515B2 (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=13579327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7554783A Granted JPS59200752A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 成膜部材加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200752A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5063031A (en) * | 1989-08-24 | 1991-11-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for growing vapor phase layer on semiconductor substrate |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP7554783A patent/JPS59200752A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5063031A (en) * | 1989-08-24 | 1991-11-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for growing vapor phase layer on semiconductor substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH059515B2 (ja) | 1993-02-05 |
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