JP2002339070A - Ｃｖｄ反応室を洗浄する高周波プラズマ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ反応室を洗浄する高周波プラズマ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＶＤ反応室を洗浄する高周波プラズマ装置
を提供する。 【解決手段】 ガス拡散板（１４）に構成された高周波
電極と、上記高周波電極（１４）に植立された管（１
６、２２）に構成された高周波電源の入力リード線と、
高周波電源を上記入力リード線（１６、２２）に接続す
る手段（８８、８９、９０、９２、９４）を設ける。
を提供する。 【解決手段】 ガス拡散板（１４）に構成された高周波
電極と、上記高周波電極（１４）に植立された管（１
６、２２）に構成された高周波電源の入力リード線と、
高周波電源を上記入力リード線（１６、２２）に接続す
る手段（８８、８９、９０、９２、９４）を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＶＤ反応室を洗浄す
る高周波プラズマ装置に関する。
る高周波プラズマ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ法、特にタングステンＣＶＤ法に
おいては、一般的に、反応ガスを分散させるために、反
応ガスが析出されるウェーハ上に多孔ガス拡散板を配置
することが行われている。しかし、このような組立体を
用いたときに、ガス拡散板それ自体の表面及び反応室内
の表面にタングステン（或いはその他の材料）の望まし
くない析出が起こる問題点がある。析出した材料の粒子
がその後のＣＶＤ工程中にウェーハ上に拡散板から落下
する可能性もあり、それによって最終製品に好ましくな
い影響を及ぼすことになる。したがって、そのような析
出が起こらないように拡散板を清潔に維持することが必
要である。これを実行する方法の一つは、拡散板の温度
の精密な制御により、望ましくない析出を完全に阻止す
るようすることである。しかしながら、事前の予防措置
にかかわらず、望ましくない析出がウェーハ支持板（加
熱用サセプタ）を含むＣＶＤ反応室のその他の表面上に
よく発生するので、ＣＶＤ反応室に発生する高周波プラ
ズマを用いた洗浄をしばしば行わなければならなかっ
た。これを行うためには、高周波電極として、ガス拡散
板を使用することが知られている。
おいては、一般的に、反応ガスを分散させるために、反
応ガスが析出されるウェーハ上に多孔ガス拡散板を配置
することが行われている。しかし、このような組立体を
用いたときに、ガス拡散板それ自体の表面及び反応室内
の表面にタングステン（或いはその他の材料）の望まし
くない析出が起こる問題点がある。析出した材料の粒子
がその後のＣＶＤ工程中にウェーハ上に拡散板から落下
する可能性もあり、それによって最終製品に好ましくな
い影響を及ぼすことになる。したがって、そのような析
出が起こらないように拡散板を清潔に維持することが必
要である。これを実行する方法の一つは、拡散板の温度
の精密な制御により、望ましくない析出を完全に阻止す
るようすることである。しかしながら、事前の予防措置
にかかわらず、望ましくない析出がウェーハ支持板（加
熱用サセプタ）を含むＣＶＤ反応室のその他の表面上に
よく発生するので、ＣＶＤ反応室に発生する高周波プラ
ズマを用いた洗浄をしばしば行わなければならなかっ
た。これを行うためには、高周波電極として、ガス拡散
板を使用することが知られている。
【０００３】従来、ガス拡散板に一体的に設けられた導
管又はガス拡散板上に設けられた金属管を介してガス拡
散板に空気或いは冷却水を接触させることにより、ガス
拡散板の温度を制御することが知られている。または、
ガス拡散板が載置されている空冷或いは水冷の放熱板を
介して間接的に放熱を行うようにすることが知られてい
る。何れの場合でも、温度制御の方法によってガス拡散
板上での望ましくない析出を阻止することは、 １） ウェーハからガス拡散板への高能率の放射エネル
ギの放射、 ２） ガス拡散板を通じてガス流動パターンを乱すこと
なく温度制御を得ること、 ３） 金属管中であれ、導管中であれ、反応室の内部に
冷却用の液体を導入することなく温度制御を行うこと、 ４） ガス拡散板を均等に冷却すること、 ５） 許容範囲内にガス拡散の温度を制御する十分な冷
却率を得ること の点において幾つかの問題点がある。
管又はガス拡散板上に設けられた金属管を介してガス拡
散板に空気或いは冷却水を接触させることにより、ガス
拡散板の温度を制御することが知られている。または、
ガス拡散板が載置されている空冷或いは水冷の放熱板を
介して間接的に放熱を行うようにすることが知られてい
る。何れの場合でも、温度制御の方法によってガス拡散
板上での望ましくない析出を阻止することは、 １） ウェーハからガス拡散板への高能率の放射エネル
ギの放射、 ２） ガス拡散板を通じてガス流動パターンを乱すこと
なく温度制御を得ること、 ３） 金属管中であれ、導管中であれ、反応室の内部に
冷却用の液体を導入することなく温度制御を行うこと、 ４） ガス拡散板を均等に冷却すること、 ５） 許容範囲内にガス拡散の温度を制御する十分な冷
却率を得ること の点において幾つかの問題点がある。
【０００４】英国特許出願−Ａ―２２１９３１１には、
本体とは反対側に配置した半導体ウェーハ上にプロセス
ガスを本体中に供給するガス注入用アタッチメント及び
プロセスガスを放出するための放出用アタッチメントを
本体の相対向する位置に設けたものが記載している。冷
却用の導管は、ガス注入機構及びガス放出機構が設けら
れた下方側の本体の底部側に配置されている。したがっ
て、その出願に記載される事項は、上述した従来例の一
例である。その他の例として、米国特許第１４７４３５
７０号、第５２３２５０８号、第５０００１１３号に記
載されたものがある。
本体とは反対側に配置した半導体ウェーハ上にプロセス
ガスを本体中に供給するガス注入用アタッチメント及び
プロセスガスを放出するための放出用アタッチメントを
本体の相対向する位置に設けたものが記載している。冷
却用の導管は、ガス注入機構及びガス放出機構が設けら
れた下方側の本体の底部側に配置されている。したがっ
て、その出願に記載される事項は、上述した従来例の一
例である。その他の例として、米国特許第１４７４３５
７０号、第５２３２５０８号、第５０００１１３号に記
載されたものがある。
【０００５】上述したように、高周波プラズマ洗浄用の
高周波電極としてガス拡散板を使用するときには、ガス
拡散板上の冷却用の導管を高周波導体として用い、反応
室の残りの部分からは電気的に絶縁する必要がある。一
方、絶縁した電力タップは、反応室の壁面を通過し、且
つ絶縁したガス拡散板に接している。後者の場合には、
冷却用導管は反応室の残部とは電気的に絶縁してなくて
はならない。加熱したウェーハ感知板及びガス拡散板そ
れ自身を高周波洗浄する目的のためよく温度制御された
ガス拡散板に高周波電源を供給するときに幾つかの問題
点が生ずる。これらの問題点は以下のようなものであ
る。 １） ガス拡散板上で高周波電源から反応室の残部を絶
縁すること。 ２） 温度制御システムに影響を与えることなくガス拡
散板上に均等に高周波電源を供給するために高周波電源
の入力位置を決めること。 ３） 電気抵抗による大きな高周波電源の損失を発生さ
せることなく供給を行うこと。
高周波電極としてガス拡散板を使用するときには、ガス
拡散板上の冷却用の導管を高周波導体として用い、反応
室の残りの部分からは電気的に絶縁する必要がある。一
方、絶縁した電力タップは、反応室の壁面を通過し、且
つ絶縁したガス拡散板に接している。後者の場合には、
冷却用導管は反応室の残部とは電気的に絶縁してなくて
はならない。加熱したウェーハ感知板及びガス拡散板そ
れ自身を高周波洗浄する目的のためよく温度制御された
ガス拡散板に高周波電源を供給するときに幾つかの問題
点が生ずる。これらの問題点は以下のようなものであ
る。 １） ガス拡散板上で高周波電源から反応室の残部を絶
縁すること。 ２） 温度制御システムに影響を与えることなくガス拡
散板上に均等に高周波電源を供給するために高周波電源
の入力位置を決めること。 ３） 電気抵抗による大きな高周波電源の損失を発生さ
せることなく供給を行うこと。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ガス拡散板
の温度制御に関して、上述した種々の問題点を解決する
ＣＶＤ反応室を洗浄する高周波プラズマ装置を提供する
ことを目的とする。
の温度制御に関して、上述した種々の問題点を解決する
ＣＶＤ反応室を洗浄する高周波プラズマ装置を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＣＶＤ反応
室の高周波プラズマ洗浄装置は、ガス拡散板の中に設け
られた高周波電極、この電極に植立された中空の管状を
なすチューブの形態をした高周波電源供給用の入力リー
ド線、更にこの入力リード線を高周波電源に接続するた
めの手段からなる。ここで、ガス拡散板には、この拡散
板の温度制御用にガス拡散板に植立されたヒートパイプ
が設けられている。
室の高周波プラズマ洗浄装置は、ガス拡散板の中に設け
られた高周波電極、この電極に植立された中空の管状を
なすチューブの形態をした高周波電源供給用の入力リー
ド線、更にこの入力リード線を高周波電源に接続するた
めの手段からなる。ここで、ガス拡散板には、この拡散
板の温度制御用にガス拡散板に植立されたヒートパイプ
が設けられている。
【０００８】すなわち、本発明は、ガス拡散板組立体を
改良したガス拡散板（高周波電極）に植立された管（高
周波電源入力）の形態を備える高周波プラズマ洗浄装置
である。本発明は、ガス拡散板の冷却及び高周波プラズ
マ洗浄のための従来の装置に比し多くの利点を有する。
特に、本発明の装置を使用してのガス拡散板の冷却は、
実質的に均等に行われ、反応室内に液体は導入されるこ
とがなく、したがって反応室内での漏洩の危険を防止し
ている。加えて、拡散板に通じるガス流動妨害は、最小
限に止められており、冷却効率はヒートパイプの直接の
液体冷却により最適化されている。更に、高周波入力部
として植立された管を用いることにより、高周波入力抵
抗を極少にしており、電気的絶縁は単一の入力によって
より容易に行われる。
改良したガス拡散板（高周波電極）に植立された管（高
周波電源入力）の形態を備える高周波プラズマ洗浄装置
である。本発明は、ガス拡散板の冷却及び高周波プラズ
マ洗浄のための従来の装置に比し多くの利点を有する。
特に、本発明の装置を使用してのガス拡散板の冷却は、
実質的に均等に行われ、反応室内に液体は導入されるこ
とがなく、したがって反応室内での漏洩の危険を防止し
ている。加えて、拡散板に通じるガス流動妨害は、最小
限に止められており、冷却効率はヒートパイプの直接の
液体冷却により最適化されている。更に、高周波入力部
として植立された管を用いることにより、高周波入力抵
抗を極少にしており、電気的絶縁は単一の入力によって
より容易に行われる。
【０００９】上記の利点は、改良されたガス拡散板組立
体及び高周波電極を使用することによって達成される。
本発明の一態様では、改良されたガス拡散板組立体は、
ＣＶＤ装置に使用するためのガス拡散板及びＣＶＤ装置
の間にガス拡散板の温度制御のためにガス拡散板に取り
付けられたヒートパイプを有している。好ましい実施例
において、ヒートパイプ又は高周波入力部は、ガス拡散
板に取り付けられており、その組立体は、更に反応室の
内部及びガス分散部品の高周波プラズマ洗浄装置の間
に、過剰なプラズマが形成されるのを阻止するためヒー
トパイプの一部分を少なくとも囲む絶縁チューブが設け
られている。ヒートパイプは、一般的にはガス拡散板の
上表面と直角に、そして上向きに（すなわち、ウェーハ
支持板の反対側の表面に）且つ拡散板の軸と同軸に延長
されている。
体及び高周波電極を使用することによって達成される。
本発明の一態様では、改良されたガス拡散板組立体は、
ＣＶＤ装置に使用するためのガス拡散板及びＣＶＤ装置
の間にガス拡散板の温度制御のためにガス拡散板に取り
付けられたヒートパイプを有している。好ましい実施例
において、ヒートパイプ又は高周波入力部は、ガス拡散
板に取り付けられており、その組立体は、更に反応室の
内部及びガス分散部品の高周波プラズマ洗浄装置の間
に、過剰なプラズマが形成されるのを阻止するためヒー
トパイプの一部分を少なくとも囲む絶縁チューブが設け
られている。ヒートパイプは、一般的にはガス拡散板の
上表面と直角に、そして上向きに（すなわち、ウェーハ
支持板の反対側の表面に）且つ拡散板の軸と同軸に延長
されている。
【００１０】従来から知られているように、ガス拡散板
は、多くのガス拡散孔を有する。本発明に用いるガス拡
散板組立体では、植立されたヒートパイプは絶縁管を支
えるためのガス拡散板の上表面に隣接し且つ平行で、円
形の支持フランジを備えている。この配置により、ガス
拡散用のホールパターンは、支持フランジの下方に広が
り、この結果、ガス流動障害が最小限となるようにして
いる。好ましい実施例では、改良されたガス拡散板組立
体は、ＣＶＤ装置の中でガス分散カバーを貫通するの
で、ヒートパイプを密封するためのシール部分を更に備
えている。加えて、この組立体は、反応室の外側でヒー
トパイプの部分の回りに付着させた非導電性の冷却ジャ
ケットを有している。冷却用ジャケットは、ヒートパイ
プからの熱を放熱するために、冷却液体が流れる入口及
び出口を備えている。最終的には、ガス拡散板の下表面
（例えば、取り付けられたヒートパイプの反対側の表
面）に、ＣＶＤ加工中の過剰な放射エネルギ熱の増加を
防止するため、高度に研磨した最終物を供給することが
好ましい。このことはガス拡散板の温度を更に正確に制
御することに役立つ。
は、多くのガス拡散孔を有する。本発明に用いるガス拡
散板組立体では、植立されたヒートパイプは絶縁管を支
えるためのガス拡散板の上表面に隣接し且つ平行で、円
形の支持フランジを備えている。この配置により、ガス
拡散用のホールパターンは、支持フランジの下方に広が
り、この結果、ガス流動障害が最小限となるようにして
いる。好ましい実施例では、改良されたガス拡散板組立
体は、ＣＶＤ装置の中でガス分散カバーを貫通するの
で、ヒートパイプを密封するためのシール部分を更に備
えている。加えて、この組立体は、反応室の外側でヒー
トパイプの部分の回りに付着させた非導電性の冷却ジャ
ケットを有している。冷却用ジャケットは、ヒートパイ
プからの熱を放熱するために、冷却液体が流れる入口及
び出口を備えている。最終的には、ガス拡散板の下表面
（例えば、取り付けられたヒートパイプの反対側の表
面）に、ＣＶＤ加工中の過剰な放射エネルギ熱の増加を
防止するため、高度に研磨した最終物を供給することが
好ましい。このことはガス拡散板の温度を更に正確に制
御することに役立つ。
【００１１】本発明に係る装置は、ＣＶＤ反応室の高周
波プラズマ洗浄のために使用される。この装置では、ガ
ス拡散板は高周波電極として用いられ、植立した管（ヒ
ートパイプチューブ）は電極に取り付けられた高周波電
源の入力リード線として機能する。更に、この装置は、
高周波電源に入力リード線を接続する手段を備えてい
る。好ましい実施例では、高周波プラズマ洗浄中に過剰
な高周波プラズマ洗浄を防止し、且つ入力リード線とＣ
ＶＤ反応容器との間の電気的短絡を防ぐため、更に高周
波プラズマ洗浄装置は、少なくとも高周波電源入力リー
ド線の部分を覆う１個以上の絶縁体チューブを有してい
る。更に、高周波プラズマ洗浄装置は、ＣＶＤ反応容器
に高周波電極を取り付ける手段を備えている。この取り
付け手段は、好ましくは反応容器から電極を絶縁するた
めの石英リングを備え、更に、容器からの電極を確実に
絶縁するため、多重ペアの組合せセラミック絶縁体から
構成されている。
波プラズマ洗浄のために使用される。この装置では、ガ
ス拡散板は高周波電極として用いられ、植立した管（ヒ
ートパイプチューブ）は電極に取り付けられた高周波電
源の入力リード線として機能する。更に、この装置は、
高周波電源に入力リード線を接続する手段を備えてい
る。好ましい実施例では、高周波プラズマ洗浄中に過剰
な高周波プラズマ洗浄を防止し、且つ入力リード線とＣ
ＶＤ反応容器との間の電気的短絡を防ぐため、更に高周
波プラズマ洗浄装置は、少なくとも高周波電源入力リー
ド線の部分を覆う１個以上の絶縁体チューブを有してい
る。更に、高周波プラズマ洗浄装置は、ＣＶＤ反応容器
に高周波電極を取り付ける手段を備えている。この取り
付け手段は、好ましくは反応容器から電極を絶縁するた
めの石英リングを備え、更に、容器からの電極を確実に
絶縁するため、多重ペアの組合せセラミック絶縁体から
構成されている。
【００１２】本発明に係る装置は、改良されたガス拡散
板組立体を有するＣＶＤ装置に組み合わせることができ
る。この実施例は、化学的気相成長に使用するためのガ
ス拡散板を備え、このガス拡散板は高周波プラズマ洗浄
のための高周波電極として機能する。ヒートパイプはＣ
ＶＤ工程中に拡散板の温度を制御するためにガス拡散板
に取り付けられており、パイプもまた高周波電極に取り
付けられている高周波電源の入力リード線として作用し
ている。更に、この装置は高周波電源に、高周波電源の
入力リード線を接続するための手段をも備えている。こ
の実施例は、プラズマ化学的気相成長法（ＰＥＣＶＤ）
に使用できることが可能である。
板組立体を有するＣＶＤ装置に組み合わせることができ
る。この実施例は、化学的気相成長に使用するためのガ
ス拡散板を備え、このガス拡散板は高周波プラズマ洗浄
のための高周波電極として機能する。ヒートパイプはＣ
ＶＤ工程中に拡散板の温度を制御するためにガス拡散板
に取り付けられており、パイプもまた高周波電極に取り
付けられている高周波電源の入力リード線として作用し
ている。更に、この装置は高周波電源に、高周波電源の
入力リード線を接続するための手段をも備えている。こ
の実施例は、プラズマ化学的気相成長法（ＰＥＣＶＤ）
に使用できることが可能である。
【００１３】本発明の更に他の特徴及び利点は、図面と
ともに説明される発明の詳細な説明から当業者において
一層明らかにされるであろう。
ともに説明される発明の詳細な説明から当業者において
一層明らかにされるであろう。
【００１４】
【発明の実施の形態】図を参照して説明すると、真空反
応室を区画するＣＶＤ装置のハウジング１０を備え、こ
れに本発明に係る装置１２が組み込まれている。図示す
るように、装置１２は、ここで開示する各実施例のため
に本発明の全ての態様を包含している。以下に記載する
幾つかの特徴は、本発明の全部ではないが、１以上の実
施例に関係していることは当業者には理解されているで
あろう。
応室を区画するＣＶＤ装置のハウジング１０を備え、こ
れに本発明に係る装置１２が組み込まれている。図示す
るように、装置１２は、ここで開示する各実施例のため
に本発明の全ての態様を包含している。以下に記載する
幾つかの特徴は、本発明の全部ではないが、１以上の実
施例に関係していることは当業者には理解されているで
あろう。
【００１５】第１の実施例では、ガス拡散板１４には、
ヒートパイプ取付軸１６が設けられている。好ましく
は、ヒートパイプ取付軸１６は、熱伝導効率を増加する
ためにガス拡散板１４の上表面１８の中心に位置し、か
つ一体的に組み合わせている。ヒートパイプ２０は、ヒ
ートパイプ取付軸１６及びヒートパイプを一定の長さと
なるように連結される細管２２を備えている。２４は、
その溶着部を示す。ガス拡散板１４と一体に連結された
ヒートパイプ取付軸１６及びヒートパイプ用の細管２２
は、６０６１ Ｔ６アルミニウムのような高熱伝導性の
材料を用いることが望ましい。更に、ニッケル２００の
ような、その他の高熱伝導性の材料を使用することがで
きることを当業者は理解するであろう。
ヒートパイプ取付軸１６が設けられている。好ましく
は、ヒートパイプ取付軸１６は、熱伝導効率を増加する
ためにガス拡散板１４の上表面１８の中心に位置し、か
つ一体的に組み合わせている。ヒートパイプ２０は、ヒ
ートパイプ取付軸１６及びヒートパイプを一定の長さと
なるように連結される細管２２を備えている。２４は、
その溶着部を示す。ガス拡散板１４と一体に連結された
ヒートパイプ取付軸１６及びヒートパイプ用の細管２２
は、６０６１ Ｔ６アルミニウムのような高熱伝導性の
材料を用いることが望ましい。更に、ニッケル２００の
ような、その他の高熱伝導性の材料を使用することがで
きることを当業者は理解するであろう。
【００１６】ガス拡散板１４は、ＣＶＤ工程中に万遍な
く反応ガスを配分するために、ガス拡散孔パターンで多
孔形成されている。図に示すように、植立したヒートパ
イプ取付軸１６には、ガス拡散板１４に近接しかつ平行
で、円形をなす支持フランジ２８が設けられている。支
持フランジ２８は、拡散板の上表面１８上に離間して位
置され、支持フランジ２８のためガス拡散孔パターン
は、支持フランジの下方に延長され、それによってガス
の流動妨害を最も小さくしている。ガス拡散板１４の下
表面３０は、点線で表示された加熱保持体（ウェーハ支
持板）３２から放射される熱の放熱を増大するため、Ｎ
ｏ．４の最終仕上げに高度に研磨されることが好まし
い。加熱保持体（ウェーハ支持板）３２は、具体的に
は、ガス拡散板１４の下方に約１インチ離間するように
配置されている。回転するウェーハ保持体を備える望ま
しいＣＶＤ装置の具体的な構成は、１９９２年６月１５
日に出願された出願中の米国出願特許０７／８９８，５
６０に開示されており、その出願の開示内容をここで完
全に引用する。
く反応ガスを配分するために、ガス拡散孔パターンで多
孔形成されている。図に示すように、植立したヒートパ
イプ取付軸１６には、ガス拡散板１４に近接しかつ平行
で、円形をなす支持フランジ２８が設けられている。支
持フランジ２８は、拡散板の上表面１８上に離間して位
置され、支持フランジ２８のためガス拡散孔パターン
は、支持フランジの下方に延長され、それによってガス
の流動妨害を最も小さくしている。ガス拡散板１４の下
表面３０は、点線で表示された加熱保持体（ウェーハ支
持板）３２から放射される熱の放熱を増大するため、Ｎ
ｏ．４の最終仕上げに高度に研磨されることが好まし
い。加熱保持体（ウェーハ支持板）３２は、具体的に
は、ガス拡散板１４の下方に約１インチ離間するように
配置されている。回転するウェーハ保持体を備える望ま
しいＣＶＤ装置の具体的な構成は、１９９２年６月１５
日に出願された出願中の米国出願特許０７／８９８，５
６０に開示されており、その出願の開示内容をここで完
全に引用する。
【００１７】本発明に係るガス拡散板組立体は、更にそ
れぞれ第１及び第２のセラミック絶縁管３４，３６を備
えており、これらは、それぞれヒートパイプ２０の少な
くとも一部を囲んで同心円状に配されている。図示のよ
うに、環状をなすセラミック絶縁管３４、３６は、円形
の支持フランジ２８に支持されている。これらの環状の
絶縁管は、ＣＶＤ反応室の反応ガスから高温の管を絶縁
することにより、ＣＶＤ工程中にヒートパイプの周囲で
過剰な高周波プラズマが発生するのを防止するものであ
る。加えて、以下に更に詳細に示すように、セラミック
絶縁管３４、３６は、ガス分散カバー３８（接地位置に
ある）及びガス分散カバー３８を貫通している場所での
ヒートパイプ２０との間の電気的短絡を防いでいる。ガ
ス分散カバー３８は、複数の固定ネジ４０を用いて、ハ
ウジング１０に取り付けられている。図示したように、
４本の同心円のガス分散リングからなるプラズマガス生
成部４２（点線で示した）がガス分散カバー３８のすぐ
下に配置されており、プラズマガス生成部４２は、ＣＶ
Ｄ反応ガスを反応室に供給する。
れぞれ第１及び第２のセラミック絶縁管３４，３６を備
えており、これらは、それぞれヒートパイプ２０の少な
くとも一部を囲んで同心円状に配されている。図示のよ
うに、環状をなすセラミック絶縁管３４、３６は、円形
の支持フランジ２８に支持されている。これらの環状の
絶縁管は、ＣＶＤ反応室の反応ガスから高温の管を絶縁
することにより、ＣＶＤ工程中にヒートパイプの周囲で
過剰な高周波プラズマが発生するのを防止するものであ
る。加えて、以下に更に詳細に示すように、セラミック
絶縁管３４、３６は、ガス分散カバー３８（接地位置に
ある）及びガス分散カバー３８を貫通している場所での
ヒートパイプ２０との間の電気的短絡を防いでいる。ガ
ス分散カバー３８は、複数の固定ネジ４０を用いて、ハ
ウジング１０に取り付けられている。図示したように、
４本の同心円のガス分散リングからなるプラズマガス生
成部４２（点線で示した）がガス分散カバー３８のすぐ
下に配置されており、プラズマガス生成部４２は、ＣＶ
Ｄ反応ガスを反応室に供給する。
【００１８】本発明の全ての実施例では、ヒートパイプ
２０がガス分散カバー３８を通過するところで、真空漏
れを阻止するシールを設けることが必要である。これ
は、シャフトシールとフランジシールによって達成され
る。図に示すように、セラミックシール板５６は、２本
のステンレススティールの保持体５８によって下方に向
かって押圧支持されている。確実にシールできるように
するために、所定の下向きの力をシール部品上に加え、
シール材料の公差を許容し、更にＣＶＤ工程中に発生す
る熱膨脹による大きさの変化を吸収するため、保持体５
８は、ガス分散カバー３８に対してスプリングワッシャ
と固定ネジからなる取付具６０によって付勢力が与えら
れている。セラミックシール板５６は、下向きにステン
レススティール製のフェール６２に押圧され、逆にこの
フェール６２は、セラミック製のシール体６６中に配設
されたＯ−リング６４側に押圧されている。保持体５８
がセラミックシール板５６を押圧する押圧力もガス分散
カバー３８に向かって下方に向かってシール体６６を押
圧しており、この保持体５８はシール体６６及びガス分
散カバー３８の間にあるＯ−リング６８を押圧付勢して
いる。但し、シール体６６は、ガス分散カバー３８を貫
通したその全長に亘ってヒートパイプ２０の外周囲に位
置し下方に向かって延長された環状のフランジ部７０が
設けられている。この環状のフランジ部７０の下端縁７
２は、セラミック絶縁管３４に連続する位置まで下方に
向かって延長されている。図示したように、ガス分散カ
バー３８とヒートパイプ２０との間で、各先端側が一直
線上に位置しないように、外周側のセラミック製の絶縁
管３６は、内周側のセラミック絶縁管３４より更に上方
に延長されている。以下に示すように、このことがヒー
トパイプ２０を高周波電源の入力リード線として使用す
る時に放電の発生を防止している。
２０がガス分散カバー３８を通過するところで、真空漏
れを阻止するシールを設けることが必要である。これ
は、シャフトシールとフランジシールによって達成され
る。図に示すように、セラミックシール板５６は、２本
のステンレススティールの保持体５８によって下方に向
かって押圧支持されている。確実にシールできるように
するために、所定の下向きの力をシール部品上に加え、
シール材料の公差を許容し、更にＣＶＤ工程中に発生す
る熱膨脹による大きさの変化を吸収するため、保持体５
８は、ガス分散カバー３８に対してスプリングワッシャ
と固定ネジからなる取付具６０によって付勢力が与えら
れている。セラミックシール板５６は、下向きにステン
レススティール製のフェール６２に押圧され、逆にこの
フェール６２は、セラミック製のシール体６６中に配設
されたＯ−リング６４側に押圧されている。保持体５８
がセラミックシール板５６を押圧する押圧力もガス分散
カバー３８に向かって下方に向かってシール体６６を押
圧しており、この保持体５８はシール体６６及びガス分
散カバー３８の間にあるＯ−リング６８を押圧付勢して
いる。但し、シール体６６は、ガス分散カバー３８を貫
通したその全長に亘ってヒートパイプ２０の外周囲に位
置し下方に向かって延長された環状のフランジ部７０が
設けられている。この環状のフランジ部７０の下端縁７
２は、セラミック絶縁管３４に連続する位置まで下方に
向かって延長されている。図示したように、ガス分散カ
バー３８とヒートパイプ２０との間で、各先端側が一直
線上に位置しないように、外周側のセラミック製の絶縁
管３６は、内周側のセラミック絶縁管３４より更に上方
に延長されている。以下に示すように、このことがヒー
トパイプ２０を高周波電源の入力リード線として使用す
る時に放電の発生を防止している。
【００１９】ヒートパイプ２０に関して、上述したよう
な構成はそれ自体公知であり、かつ合成樹脂の技術分野
では型冷却用に使用されており、したがって、ヒートパ
イプの具体的な構成は当業者には公知である。一般的に
言えば、本発明では、ヒートパイプ２０は、加熱された
加熱保持板３２から放射エネルギによって及びガス拡散
板１４に供給された高周波エネルギによって生じた熱
を、ガス拡散板１４から放熱するために使用されてい
る。ヒートパイプ２０は、フェルト或いはその他の適し
た毛のように細い芯素材（図示せず）を備えている。ヒ
ートパイプ２０は、全ての内部表面を湿らす毛管のよう
な素材の孔に浸入する自身の蒸気圧の元で、その中に液
体（例えばアセトン）を封入している。ヒートパイプ２
０の表面に沿う如何なる地点にでも熱を加えることによ
って、その液体は、その地点で沸騰して蒸気状態にな
る。これが起こると、芯素材中の液体は蒸発の潜熱を吸
い上げて、その時に高い気圧にある蒸気は、密封された
パイプ内で冷たい部分に移り、そこで蒸気は凝縮し、線
状体の中に入っていく。かくして、蒸気は蒸発の潜熱を
放出して、ヒートパイプの入力端側から出力端に熱を移
動させる。一般的に、熱は約５００ｍｐｈの速度でヒー
トパイプに沿って移動する。
な構成はそれ自体公知であり、かつ合成樹脂の技術分野
では型冷却用に使用されており、したがって、ヒートパ
イプの具体的な構成は当業者には公知である。一般的に
言えば、本発明では、ヒートパイプ２０は、加熱された
加熱保持板３２から放射エネルギによって及びガス拡散
板１４に供給された高周波エネルギによって生じた熱
を、ガス拡散板１４から放熱するために使用されてい
る。ヒートパイプ２０は、フェルト或いはその他の適し
た毛のように細い芯素材（図示せず）を備えている。ヒ
ートパイプ２０は、全ての内部表面を湿らす毛管のよう
な素材の孔に浸入する自身の蒸気圧の元で、その中に液
体（例えばアセトン）を封入している。ヒートパイプ２
０の表面に沿う如何なる地点にでも熱を加えることによ
って、その液体は、その地点で沸騰して蒸気状態にな
る。これが起こると、芯素材中の液体は蒸発の潜熱を吸
い上げて、その時に高い気圧にある蒸気は、密封された
パイプ内で冷たい部分に移り、そこで蒸気は凝縮し、線
状体の中に入っていく。かくして、蒸気は蒸発の潜熱を
放出して、ヒートパイプの入力端側から出力端に熱を移
動させる。一般的に、熱は約５００ｍｐｈの速度でヒー
トパイプに沿って移動する。
【００２０】本発明において、ヒートパイプ２０の入力
端は、ガス拡散板１４に固定されている側の端部であ
る。出力端は、図中上方側端部であって、その外周囲を
密閉する液体冷却用の外装体８０が設けられている。外
装体８０による出力端側のシールは、Ｏリング状の軸シ
ール８２ａ及び８２ｂによって行われる。冷却用の外装
体８０は、好ましくは高分子材料により形成され、この
冷却用の外装体８０には、テフロン（登録商標）製の連
結管８６を接続するためのテフロン製の圧縮接続部材８
４ａ，８４ｂが設けられている。例えば水のような冷却
用液体が連結管８６及び冷却用の外装体８０を流動する
ことによって、熱をヒートパイプ２０から放熱する。こ
のため、ヒートパイプ２０から効果的に熱伝導されるよ
うに、ヒートパイプを冷却用液体と直接接触させてい
る。加えて、この構成によって、従来の装置のように、
このＣＶＤ反応室は、内部の冷却液体が漏洩することが
全くなくなり、高周波伝送液体によって金属管が腐食す
ることを防止することができる。上述したように、ヒー
トパイプ２０を介して伝導される熱に応じて多種類の液
体を使用することもできるが、テフロン製の連結管８６
を流動し熱をヒートパイプ２０から放熱させる液体は水
であってもよい。ヒートパイプ２０は、適当な位置に一
体的に取り付けられたキャップ１００と、所望の液体で
ヒートパイプに充填される所望の液体を充填するための
充填用の管１０２を備えている。
端は、ガス拡散板１４に固定されている側の端部であ
る。出力端は、図中上方側端部であって、その外周囲を
密閉する液体冷却用の外装体８０が設けられている。外
装体８０による出力端側のシールは、Ｏリング状の軸シ
ール８２ａ及び８２ｂによって行われる。冷却用の外装
体８０は、好ましくは高分子材料により形成され、この
冷却用の外装体８０には、テフロン（登録商標）製の連
結管８６を接続するためのテフロン製の圧縮接続部材８
４ａ，８４ｂが設けられている。例えば水のような冷却
用液体が連結管８６及び冷却用の外装体８０を流動する
ことによって、熱をヒートパイプ２０から放熱する。こ
のため、ヒートパイプ２０から効果的に熱伝導されるよ
うに、ヒートパイプを冷却用液体と直接接触させてい
る。加えて、この構成によって、従来の装置のように、
このＣＶＤ反応室は、内部の冷却液体が漏洩することが
全くなくなり、高周波伝送液体によって金属管が腐食す
ることを防止することができる。上述したように、ヒー
トパイプ２０を介して伝導される熱に応じて多種類の液
体を使用することもできるが、テフロン製の連結管８６
を流動し熱をヒートパイプ２０から放熱させる液体は水
であってもよい。ヒートパイプ２０は、適当な位置に一
体的に取り付けられたキャップ１００と、所望の液体で
ヒートパイプに充填される所望の液体を充填するための
充填用の管１０２を備えている。
【００２１】本発明では、ガス拡散板１４の温度を１０
０℃或いはそれ以下に維持するためには、冷却用の水は
１５℃で使用する必要がある。ガス拡散板１４の温度を
２００℃或いはそれ以下に維持する場合には、冷却用の
水を４０℃にする必要があり、実際には、拡散板の温度
はＣＶＤ工程中約１４０℃に維持する。
０℃或いはそれ以下に維持するためには、冷却用の水は
１５℃で使用する必要がある。ガス拡散板１４の温度を
２００℃或いはそれ以下に維持する場合には、冷却用の
水を４０℃にする必要があり、実際には、拡散板の温度
はＣＶＤ工程中約１４０℃に維持する。
【００２２】他の実施例では、本発明に係る組立体は、
高周波プラズマ洗浄に有用である。この実施例では、ガ
ス拡散板は高周波電極として用いられる。このため、ガ
ス拡散板１４は、反応室の他の部分から電気的に絶縁す
る必要がある。図示したように、アルミニウム製のスペ
ーサ４４は、ガス拡散板とウェーハの間隔を変更するの
に用いられる。好ましくはＮＦ３プラズマの雰囲気中で
腐食しにくい材料によって形成された固定ネジ４６によ
ってガス拡散板１４に固定されている。この固定ネジ４
６を構成する材料として、インディアナ州のココモ（Ko
komo）のヘインズ インターナショナル社（Hanes Inte
rnational）の商品であるハステロイ（Hastelloy）Ｃ−
２２がある。この材料を用いて形成した固定ネジは、ア
リゾナ州のテンペ（Tempe）のピンナックル（Pinnacl
e）社から入手することができる。石英リング４８は、
ガス拡散板１４をアルミニウム製のスペーサ４４から電
気的に絶縁する。接地電位にある固定ネジ４６は、互い
に連結された２つのセラミック製の絶縁スリープ５０及
び５２によって、ガス拡散板１４から絶縁されている。
石英は、熱衝撃抵抗が極めて高いため石英リング４８に
使用される。特に、石英リング４８の下方に配置される
ガス拡散板１４は、高温に加熱されるので、石英リング
４８上のアルミニウム製のスペーサ４４より速く加熱さ
れ、この石英リング４８内に熱衝撃及び熱歪みを引き起
こしている。固定ネジ４６と同様の材料により形成され
ている固定ネジ５４は、アルミニウム製のスペーサ４４
をハウジング１０に固定するために用いられる。なお、
スペーサ４４は、本構成において、必須の構成要素とな
るものではない。
高周波プラズマ洗浄に有用である。この実施例では、ガ
ス拡散板は高周波電極として用いられる。このため、ガ
ス拡散板１４は、反応室の他の部分から電気的に絶縁す
る必要がある。図示したように、アルミニウム製のスペ
ーサ４４は、ガス拡散板とウェーハの間隔を変更するの
に用いられる。好ましくはＮＦ３プラズマの雰囲気中で
腐食しにくい材料によって形成された固定ネジ４６によ
ってガス拡散板１４に固定されている。この固定ネジ４
６を構成する材料として、インディアナ州のココモ（Ko
komo）のヘインズ インターナショナル社（Hanes Inte
rnational）の商品であるハステロイ（Hastelloy）Ｃ−
２２がある。この材料を用いて形成した固定ネジは、ア
リゾナ州のテンペ（Tempe）のピンナックル（Pinnacl
e）社から入手することができる。石英リング４８は、
ガス拡散板１４をアルミニウム製のスペーサ４４から電
気的に絶縁する。接地電位にある固定ネジ４６は、互い
に連結された２つのセラミック製の絶縁スリープ５０及
び５２によって、ガス拡散板１４から絶縁されている。
石英は、熱衝撃抵抗が極めて高いため石英リング４８に
使用される。特に、石英リング４８の下方に配置される
ガス拡散板１４は、高温に加熱されるので、石英リング
４８上のアルミニウム製のスペーサ４４より速く加熱さ
れ、この石英リング４８内に熱衝撃及び熱歪みを引き起
こしている。固定ネジ４６と同様の材料により形成され
ている固定ネジ５４は、アルミニウム製のスペーサ４４
をハウジング１０に固定するために用いられる。なお、
スペーサ４４は、本構成において、必須の構成要素とな
るものではない。
【００２３】本実施例では、植立したヒートパイプ取付
軸１６及びヒートパイプ用の細管２２は、高周波電極
（ガス拡散板）１４へ高周波電源を供給する高周波電源
の入力リード線として用いられる。更に、１個以上のセ
ラミック絶縁体３４，３６は電気的に絶縁するものであ
って、細管２２と、ガス分散カバー３８を含む反応室又
はハウジングのいかなる部分との間にも放電が発生する
ことを防止する。更に、この装置は上述した説明及び図
示するように、ガス分散カバー３８を貫通する位置で、
細管２２の周囲を密封する手段を備える。
軸１６及びヒートパイプ用の細管２２は、高周波電極
（ガス拡散板）１４へ高周波電源を供給する高周波電源
の入力リード線として用いられる。更に、１個以上のセ
ラミック絶縁体３４，３６は電気的に絶縁するものであ
って、細管２２と、ガス分散カバー３８を含む反応室又
はハウジングのいかなる部分との間にも放電が発生する
ことを防止する。更に、この装置は上述した説明及び図
示するように、ガス分散カバー３８を貫通する位置で、
細管２２の周囲を密封する手段を備える。
【００２４】そして、本実施例の装置は、高周波電源
（図示せず）に接続され、かつ一端では雌型のＵＨＦコ
ネクタ８９を一端側に設けた電気的にシールドされた高
周波電源供給ケーブル８８を備えている。雌型のコネク
タ８９は、雄型のＵＨＦコネクタ９０に結合されてい
る。雄型のＵＨＦコネクタ９０は、ヒートパイプ２０の
上端部に取り付けられたステンレススティール製の軸環
９４に一定長さの１２番ゲージのワイヤ９２を介して接
続されている。この構成では、高周波電流の抵抗を極め
て小さくすることができる。ヒートパイプ２０の軸環９
４上に突出した部分は、合成樹脂製のキャップ９８によ
って電気的に接地された金属製のシールド枠９６に対し
絶縁されている。この装置は、４５０ｋＨｚの２５０〜
３００ワットのプラズマ洗浄用電源を高周波電極に供給
することができる。
（図示せず）に接続され、かつ一端では雌型のＵＨＦコ
ネクタ８９を一端側に設けた電気的にシールドされた高
周波電源供給ケーブル８８を備えている。雌型のコネク
タ８９は、雄型のＵＨＦコネクタ９０に結合されてい
る。雄型のＵＨＦコネクタ９０は、ヒートパイプ２０の
上端部に取り付けられたステンレススティール製の軸環
９４に一定長さの１２番ゲージのワイヤ９２を介して接
続されている。この構成では、高周波電流の抵抗を極め
て小さくすることができる。ヒートパイプ２０の軸環９
４上に突出した部分は、合成樹脂製のキャップ９８によ
って電気的に接地された金属製のシールド枠９６に対し
絶縁されている。この装置は、４５０ｋＨｚの２５０〜
３００ワットのプラズマ洗浄用電源を高周波電極に供給
することができる。
【００２５】本発明に係る装置は、ガス拡散板１４の温
度を、ヒートパイプ２２を用いることにより非常に狭い
許容範囲内で正確に制御することができる。また、ＣＶ
Ｄ反応室の高周波洗浄を行うこときには、高周波電源の
入力リード線（ヒートパイプ２２）を介して、高周波電
源から高周波電流を高周波電極（ガス拡散板１４）に供
給する。本発明に係る装置は、例えば、プラズマ化学的
気相成長法（ＰＥＣＶＤ）に適用した場合には、前述し
たと同様に高周波電流を供給すると同時に、ガス拡散板
１４の冷却を行うことにも用いることができる。
度を、ヒートパイプ２２を用いることにより非常に狭い
許容範囲内で正確に制御することができる。また、ＣＶ
Ｄ反応室の高周波洗浄を行うこときには、高周波電源の
入力リード線（ヒートパイプ２２）を介して、高周波電
源から高周波電流を高周波電極（ガス拡散板１４）に供
給する。本発明に係る装置は、例えば、プラズマ化学的
気相成長法（ＰＥＣＶＤ）に適用した場合には、前述し
たと同様に高周波電流を供給すると同時に、ガス拡散板
１４の冷却を行うことにも用いることができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、ガス拡散板（１４）に構成さ
れた高周波電極と、上記高周波電極（１４）に植立され
た管（１６、２２）に構成された高周波電源の入力リー
ド線と、高周波電源を上記入力リード線（１６、２２）
に接続する手段（８８、８９、９０、９２、９４）を設
けることで、（１）ガス拡散板上で高周波電源から反応
室の残部を絶縁すること、（２） 温度制御システムに
影響を与えることなくガス拡散板上に均等に高周波電源
を供給するために高周波電源の入力位置を決めること、
（３） 電気抵抗による大きな高周波電源の損失を発生
させることなく供給を行うこと等の問題点を解決するこ
とができる。
れた高周波電極と、上記高周波電極（１４）に植立され
た管（１６、２２）に構成された高周波電源の入力リー
ド線と、高周波電源を上記入力リード線（１６、２２）
に接続する手段（８８、８９、９０、９２、９４）を設
けることで、（１）ガス拡散板上で高周波電源から反応
室の残部を絶縁すること、（２） 温度制御システムに
影響を与えることなくガス拡散板上に均等に高周波電源
を供給するために高周波電源の入力位置を決めること、
（３） 電気抵抗による大きな高周波電源の損失を発生
させることなく供給を行うこと等の問題点を解決するこ
とができる。
【図１】本発明が適用されたＣＶＤ反応室の一部を破断
して示す断面図である。
して示す断面図である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年３月２８日（２００２．３．２
８）
８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＣＶＤ反応
室の高周波プラズマ洗浄装置は、ガス拡散板に構成され
た高周波電極と、高周波電源から上記高周波電極に高周
波電流を供給する手段とを備える。具体的に、本発明に
係るＣＶＤ反応室の高周波プラズマ洗浄装置は、ガス拡
散板の中に設けられた高周波電極、この電極に植立され
た中空の管状をなすチューブの形態をした高周波電源供
給用の入力リード線、更にこの入力リード線を高周波電
源に接続するための手段からなってもよい。ここで、ガ
ス拡散板には、この拡散板の温度制御用にガス拡散板に
植立されたヒートパイプが設けられてもよい。
室の高周波プラズマ洗浄装置は、ガス拡散板に構成され
た高周波電極と、高周波電源から上記高周波電極に高周
波電流を供給する手段とを備える。具体的に、本発明に
係るＣＶＤ反応室の高周波プラズマ洗浄装置は、ガス拡
散板の中に設けられた高周波電極、この電極に植立され
た中空の管状をなすチューブの形態をした高周波電源供
給用の入力リード線、更にこの入力リード線を高周波電
源に接続するための手段からなってもよい。ここで、ガ
ス拡散板には、この拡散板の温度制御用にガス拡散板に
植立されたヒートパイプが設けられてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】
【発明の効果】本発明の態様の一例によれば、ガス拡散
板に構成された高周波電極と、上記高周波電極に植立さ
れた管に構成された高周波電源の入力リード線と、高周
波電源を上記入力リード線に接続する手段を設けること
で、（１）ガス拡散板上で高周波電源から反応室の残部
を絶縁すること、（２）温度制御システムに影響を与え
ることなくガス拡散板上に均等に高周波電源を供給する
ために高周波電源の入力位置を決めること、（３）電気
抵抗による大きな高周波電源の損失を発生させることな
く供給を行うこと等の問題点を解決することができる。
板に構成された高周波電極と、上記高周波電極に植立さ
れた管に構成された高周波電源の入力リード線と、高周
波電源を上記入力リード線に接続する手段を設けること
で、（１）ガス拡散板上で高周波電源から反応室の残部
を絶縁すること、（２）温度制御システムに影響を与え
ることなくガス拡散板上に均等に高周波電源を供給する
ために高周波電源の入力位置を決めること、（３）電気
抵抗による大きな高周波電源の損失を発生させることな
く供給を行うこと等の問題点を解決することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 BA20 DA06 FA01 KA30
Claims (7)
- 【請求項１】 ガス拡散板（１４）に構成された高周波
電極と、上記高周波電極（１４）に植立された管（１
６、２２）に構成された高周波電源の入力リード線と、
高周波電源を上記入力リード線（１６、２２）に接続す
る手段（８８、８９、９０、９２、９４）を備えるＣＶ
Ｄ反応室を洗浄する高周波プラズマ装置。 - 【請求項２】 ＣＶＤ工程中に上記ガス拡散板（１４）
の温度を制御するための上記ガス拡散板（１４）に取り
付けられたヒートパイプ（２０）を備え、上記ヒートパ
イプ（２０）は上記高周波電源の入力リード線（１６、
２２）として用いられることを特徴とする請求項１記載
のＣＶＤ反応室を洗浄する高周波プラズマ装置。 - 【請求項３】 上記高周波電源の入力リード線管（１
６、２２）を上記高周波電極（１４）に一体的に取り付
けたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＣＶ
Ｄ反応室を洗浄する高周波プラズマ装置。 - 【請求項４】 高周波プラズマ洗浄中に、過剰な高周波
プラズマの発生を防止するため、上記高周波電源の入力
リード線管（１６、２２）の少なくとも一部を覆うと共
に電気的な短絡を防止する少なくとも１の絶縁管（３
４、３６）を備えることを特徴とする請求項１乃至請求
項３の内何れか１項記載のＣＶＤ反応室を洗浄する高周
波プラズマ装置。 - 【請求項５】 ＣＶＤ反応室中のハウジング（１０）に
高周波電極を取り付ける手段（４４、４６、４８、５
０）を備えることを特徴とする請求項４記載のＣＶＤ反
応室を洗浄する高周波プラズマ装置。 - 【請求項６】 上記取付手段は、取り付け時に、ＣＶＤ
反応室の上記ハウジング（１０）から上記高周波電極
（１４）を絶縁するための石英リング（４８）により形
成されていることを特徴とする請求項５記載のＣＶＤ反
応室を洗浄する高周波プラズマ装置。 - 【請求項７】 上記取付手段は、取り付け時に、上記Ｃ
ＶＤ反応室のハウジング（１０）から上記高周波電極
（１４）を絶縁するための互いに連結されたセラミック
製の絶縁体（５０、５２）を更に備えることを特徴とす
る請求項６記載のＣＶＤ反応室を洗浄する高周波プラズ
マ装置。
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