JP2009088427A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高周波電極12a,12bと接地電極13a,13bとの間にガスを流した状態でプラズマを形成して製膜又はエッチングを行うプラズマ処理装置であって、真空容器11外から供給される高周波電力を高周波電極12a,12bに給電する主給電線24a,24bと、真空容器11内における主給電線24a,24bの全周を、空間ギャップを介して囲むように配置され、分解可能な第1及び第2の金属構造体からなる外周導体15a,15bとを備えた構成とした。
【選択図】図1
Description
まず、真空容器2内を図示しない排気機構で或る程度の真空まで真空引きを行ない、その後に必要に応じて基板8を加熱する図示しないヒーターによって基板8の加熱を行なう。真空引き直後の場合、真空容器2の内壁面や基板8の表面等に水分等が吸着している場合が多く、これらの不純物が十分に脱ガスされない状態で薄膜形成を行なうと、膜中に大量の不純物が含まれてしまい、膜質の低下につながる。そこで、真空容器2内の脱ガスを促進する目的のために、薄膜形成前に図示しないガス導入ラインからガスを導入し、図示しない圧力制御器と図示しない製膜ガス排気ラインによって真空容器2内を一定の圧力に保持したまま真空容器2内の加熱(ベーキング)を行なう。ベーキング中に流すガスは、H2等の熱伝導性が比較的良いガス、He,Ar等の不活性ガス、或いは製膜を行なう際に流す製膜ガス等を採用する。脱ガス後に、基板温度を製膜する際の基板温度に設定し、場合によっては数種類の製膜ガスを適当な流量比で混合した混合ガスを真空容器2内に流して適当な圧力で保持した後に、高周波電極6に電力を供給し、高周波電極6と接地電極7との間にプラズマを発生させて基板8上に薄膜形成を行う。例えば種々の製膜条件で基板上に多層膜を形成し、薄膜太陽電池等を製造する。
図1は、本実施の形態に係るプラズマCVD装置の構成を示す模式図である。このプラズマCVD装置10は、真空容器11内に第1の電極となる高周波電極及び第2の電極となる接地電極の組が2組設置されている。一方の高周波電極12aと接地電極13aとが対向配置されると共に、他方の高周波電極12bと接地電極13bとが対向配置されている。接地電極13a,13bは接地機構18a,18bを介してそれぞれ接地されているが、所定電位の基準電位に接続するように構成しても良い。真空容器11外には各高周波電極12a,12bに対応して高周波電源14a,14bが設けられている。高周波電源14a,14bはそれぞれ対応する中心導体15a,15bを介して高周波電極12a,12bに接続されている。なお、高周波電源14a,14bと中心導体15a,15bとの間には高周波電力を効率よく中心導体15a,15bへ入力するため、インピーダンス整合部16a,16bが設けられている。接地電極13a,13bの電極面上には、被処理体としての可撓性基板17a,17bを設置するための機構(図示せず)が配設されており、接地電極13a,13b内には可撓性基板17a,17bを加熱するための加熱機構(図示せず)が配設されている。
電極接続側給電線25aの端部61に対して、ガイドピン63a,63bを有する角形状フランジ62を固定部材64a,64bで連結固定している。高周波電極12aの背面側に設けた角溝部65に角形状フランジ62を嵌め込むとともに、ガイドピン挿入孔を有するフランジ66で高周波電極12aを挟持した状態で、電極正面側から角形状フランジ62側面に螺合する締結部材67を締め込むことにより、高周波電極12a正面側から給電線15a(25a)と高周波電極12aを接続する構成としている。
11…真空容器
12a,12b…高周波電極
13a,13b…接地電極
14a,14b…高周波電源
15a,15b…中心導体
16a,16b…インピーダンス整合部
17a,17b…可撓性基板
18a,18b…接地機構
21a,21b…給電フランジ
22a,22b…連結導体板
23a,23b…給電フランジ接続側給電線
24a,24b…主給電線
25a,25b…電極接続側給電線
26a,26b…固定体
30a、30b、50a、50b、…外周導体
31、53…第1の金属構造体
32、54…第2の金属構造体
51、52…フラットバー
Claims (3)
- 真空容器と、前記真空容器内に配置された第1及び第2の電極と、前記第1の電極に真空容器外から高周波電力を供給する給電機構と、前記第2の電極を基準電位に接続する機構とを備え、前記第1及び第2の電極間にガスを流した状態でプラズマを形成して製膜又はエッチングを行うプラズマ処理装置であって、
前記給電機構は、前記真空容器外から供給される高周波電力を前記第1の電極に給電する中心導体と、前記真空容器内における前記中心導体の全周を、空間ギャップを介して囲むように配置され、分解可能な複数の金属構造体からなる外周導体とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記中心導体は、前記複数の金属構造体で形成される空間に配置されると共に前記外周導体から絶縁された固定体に固定され、前記複数の金属構造体のうち着脱可能な所定の金属構造体を取り外した状態で前記外周導体外から前記中心導体の固定箇所にアクセス可能にしたことを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記外周導体の内側に所定の剛性を有する骨材を配設することを特徴とする請求項1又は請求項2記載のプラズマ処理装置。
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