JP3100279B2 - 真空装置への高周波電力供給方法 - Google Patents
真空装置への高周波電力供給方法Info
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- JP3100279B2 JP3100279B2 JP06005687A JP568794A JP3100279B2 JP 3100279 B2 JP3100279 B2 JP 3100279B2 JP 06005687 A JP06005687 A JP 06005687A JP 568794 A JP568794 A JP 568794A JP 3100279 B2 JP3100279 B2 JP 3100279B2
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- frequency
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイス、薄膜
半導体、光センサなどの薄膜を成膜あるいはエッチング
する装置等の真空装置への高周波電力供給方法に関す
る。
半導体、光センサなどの薄膜を成膜あるいはエッチング
する装置等の真空装置への高周波電力供給方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の装置を図４により説明する。真空
装置１内にヒータ６を有する基板ホルダー４が設けられ
る。基板ホルダー４の面に対向して、平板ボックス型で
対向面側に複数の孔を有する高周波電極３が設けられ
る。高周波電極３の裏側中央部には外部から導入パイプ
９がつながれている。導入パイプ９は真空容器１を貫通
しフランジを持つ取付管１０内に絶縁材を介して通され
ている。そのフランジに高周波電極３の裏面に隙間をあ
けてシールド板２が取付けられている。
装置１内にヒータ６を有する基板ホルダー４が設けられ
る。基板ホルダー４の面に対向して、平板ボックス型で
対向面側に複数の孔を有する高周波電極３が設けられ
る。高周波電極３の裏側中央部には外部から導入パイプ
９がつながれている。導入パイプ９は真空容器１を貫通
しフランジを持つ取付管１０内に絶縁材を介して通され
ている。そのフランジに高周波電極３の裏面に隙間をあ
けてシールド板２が取付けられている。
【０００３】導入パイプ９は反応ガス供給源および高周
波電源につながれている。図中７は基板である。
波電源につながれている。図中７は基板である。
【０００４】以上において、平板ボックス型の高周波電
極３に導入パイプ９から高周波電力の供給が行われる。
これと同時に導入パイプ９の内部はガス導入パイプとな
り、反応ガスが供給される。そして高周波電極３でプラ
ズマ化され、反応して基板７上に化学気相成長する。こ
のとき高周波電極３本体から導入パイプ９まで、その外
部をアースシールド板２によって覆い、導入パイプ９の
回り及び高周波電極３の裏面にプラズマが発生しないよ
うになっている。
極３に導入パイプ９から高周波電力の供給が行われる。
これと同時に導入パイプ９の内部はガス導入パイプとな
り、反応ガスが供給される。そして高周波電極３でプラ
ズマ化され、反応して基板７上に化学気相成長する。こ
のとき高周波電極３本体から導入パイプ９まで、その外
部をアースシールド板２によって覆い、導入パイプ９の
回り及び高周波電極３の裏面にプラズマが発生しないよ
うになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法では、
高周波の供給用導入パイプが高周波電極の支持、高周波
電力の供給及び反応ガスの供給の三つの働きを兼ねてい
るために、その構造が非常に複雑になっている。特に高
周波給電のためのアースシールド板は絶縁用碍子の１mm
以下のギャップの中に入れて、絶縁を保持させるが、こ
の状態が少しでも変化するとプラズマ放電の安定的な発
生が困難となる脆さがあり問題点となっていた。
高周波の供給用導入パイプが高周波電極の支持、高周波
電力の供給及び反応ガスの供給の三つの働きを兼ねてい
るために、その構造が非常に複雑になっている。特に高
周波給電のためのアースシールド板は絶縁用碍子の１mm
以下のギャップの中に入れて、絶縁を保持させるが、こ
の状態が少しでも変化するとプラズマ放電の安定的な発
生が困難となる脆さがあり問題点となっていた。
【０００６】また、従来の方法では、装置を大面積化す
ればするほど、大変な重量物となるので、装置のメイン
テナンスはかなりの肉体的負担となっていた。
ればするほど、大変な重量物となるので、装置のメイン
テナンスはかなりの肉体的負担となっていた。
【０００７】本発明はこのような問題点を解決すべき課
題としてなされたものである。
題としてなされたものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため次の手段を講ずる。 （１）真空容器内に設置された、高周波電極と、同電極
の放電によって薄膜を成長させるための基板と、同基板
を加熱するヒータと、真空容器内にガスを供給するガス
供給ボックスとを有する真空装置において、高周波電源
からマッチングボックスを介して供給される高周波電力
を、同軸ケーブル、同同軸ケーブルに接続された高周波
コネクター、同コネクターが取付けられる真空容器に設
けられたフランジ及び前記高周波コネクターに接続され
前記フランジを通って前記真空容器内へ配設される真空
用同軸ケーブルを用いて誘導結合型の上記高周波電極に
供給する真空装置への高周波電力給電方法。 （２）上記１記載の真空装置において、真空容器への反
応ガスの供給を、高周波電力の供給とは独立に行う真空
装置への高周波電力給電方法。
するため次の手段を講ずる。 （１）真空容器内に設置された、高周波電極と、同電極
の放電によって薄膜を成長させるための基板と、同基板
を加熱するヒータと、真空容器内にガスを供給するガス
供給ボックスとを有する真空装置において、高周波電源
からマッチングボックスを介して供給される高周波電力
を、同軸ケーブル、同同軸ケーブルに接続された高周波
コネクター、同コネクターが取付けられる真空容器に設
けられたフランジ及び前記高周波コネクターに接続され
前記フランジを通って前記真空容器内へ配設される真空
用同軸ケーブルを用いて誘導結合型の上記高周波電極に
供給する真空装置への高周波電力給電方法。 （２）上記１記載の真空装置において、真空容器への反
応ガスの供給を、高周波電力の供給とは独立に行う真空
装置への高周波電力給電方法。
【０００９】
【作用】（１）上記発明１において、誘導結合型の高周
波電極に同軸ケーブル、高周波コネクター、フランジ及
びフランジを通って真空容器内へ配設される真空用同軸
ケーブルを介して高周波電力が供給される。そして高周
波電極でプラズマが発生される。
波電極に同軸ケーブル、高周波コネクター、フランジ及
びフランジを通って真空容器内へ配設される真空用同軸
ケーブルを介して高周波電力が供給される。そして高周
波電極でプラズマが発生される。
【００１０】高周波電力は同軸ケーブル、高周波コネク
ター、フランジ及び真空用同軸ケーブルを通るために外
部への漏れがなく効率よく高周波電極に供給される。 （２）上記発明２において、反応ガスはガス供給ボック
スに専用の配管を通して供給される。
ター、フランジ及び真空用同軸ケーブルを通るために外
部への漏れがなく効率よく高周波電極に供給される。 （２）上記発明２において、反応ガスはガス供給ボック
スに専用の配管を通して供給される。
【００１１】従って、同軸ケーブル、高周波コネクタ
ー、フランジ及び真空用同軸ケーブルからなる高周波電
力の供給とガス供給専用の配管は別系統となり、構成が
簡単になるとともに、調整や操作も容易となる。
ー、フランジ及び真空用同軸ケーブルからなる高周波電
力の供給とガス供給専用の配管は別系統となり、構成が
簡単になるとともに、調整や操作も容易となる。
【００１２】
【実施例】本発明の一実施例を図１〜図３により説明す
る。図１にて、真空ポンプ５につながれた真空容器１内
にヒータを有する基板ホルダー１１が設けられる。基板
ホルダー１１の面に対向して、図３に示すような平面型
でラダ状の誘導結合型の高周波電極２０が設けられる。
その裏面側に前面に複数の孔を持つガス供給ボックス１
９が、基板ホルダー１１に対向して設けられる。ボック
ス１９の裏側中央部はガス供給源に配管３０でつながれ
る。
る。図１にて、真空ポンプ５につながれた真空容器１内
にヒータを有する基板ホルダー１１が設けられる。基板
ホルダー１１の面に対向して、図３に示すような平面型
でラダ状の誘導結合型の高周波電極２０が設けられる。
その裏面側に前面に複数の孔を持つガス供給ボックス１
９が、基板ホルダー１１に対向して設けられる。ボック
ス１９の裏側中央部はガス供給源に配管３０でつながれ
る。
【００１３】真空容器１には２カ所にフランジ２３が設
けられ、フランジ内に高周波コネクター１８が取付けら
れている。各コネクター１８の真空容器１内側には真空
用同軸ケーブル１２の一端がつながれる。他端の心線は
高周波電極２０の端につながれる（図３参照）。
けられ、フランジ内に高周波コネクター１８が取付けら
れている。各コネクター１８の真空容器１内側には真空
用同軸ケーブル１２の一端がつながれる。他端の心線は
高周波電極２０の端につながれる（図３参照）。
【００１４】各コネクター１８の外側には同軸ケーブル
１７、１７ａの１端がつながれる。同軸ケーブル１７ａ
の他端はマッチングボックス１３の出力コネクター１５
につながれる。また同軸ケーブル１７の他端の心線はマ
ッチングボックス１３のシャーシー２２にアースされ
る。さらにマッチングボックス１３と１３、５６ＭＨｚ
の高周波電源１６間は同軸ケーブル１４でつながれる。
図中、２４ＥC は真空容器１のチャンバーアース、２５
ＥB はマッチングボックスのシャーシーアース、２６Ｅ
は電源アースである。
１７、１７ａの１端がつながれる。同軸ケーブル１７ａ
の他端はマッチングボックス１３の出力コネクター１５
につながれる。また同軸ケーブル１７の他端の心線はマ
ッチングボックス１３のシャーシー２２にアースされ
る。さらにマッチングボックス１３と１３、５６ＭＨｚ
の高周波電源１６間は同軸ケーブル１４でつながれる。
図中、２４ＥC は真空容器１のチャンバーアース、２５
ＥB はマッチングボックスのシャーシーアース、２６Ｅ
は電源アースである。
【００１５】以上の電気回路を図２に示す。
【００１６】以上において、１３、５６ＭＨｚの高周波
電源１６から出力された高周波電力はマッチングボック
ス１３により、インピーダンスマッチングされ同軸ケー
ブル（ロード）１７ａを通じて出力される。この同軸ケ
ーブル１７ａのシールドはマッチングボックス１３端側
を、同ボックス１３のシャーシーアース２５ＥB に、真
空容器１端側は同容器１本体のチャンバーアース（真空
容器）２４ＥC に接地されており、これによって外部空
間への電波の漏れが防止されている。
電源１６から出力された高周波電力はマッチングボック
ス１３により、インピーダンスマッチングされ同軸ケー
ブル（ロード）１７ａを通じて出力される。この同軸ケ
ーブル１７ａのシールドはマッチングボックス１３端側
を、同ボックス１３のシャーシーアース２５ＥB に、真
空容器１端側は同容器１本体のチャンバーアース（真空
容器）２４ＥC に接地されており、これによって外部空
間への電波の漏れが防止されている。
【００１７】真空容器１内では絶縁性、耐久性のよい真
空用同軸ケーブル１２を用いているが、このシールドは
真空導入用高周波用コネクター１８部でチャンバーアー
ス（真空容器）２４ＥC に接地されている。この真空用
同軸ケーブル１２によって、真空容器１内でのケーブル
１２からの電波の漏れを無くし、且つシースシールドの
役目も果たしているので、ケーブル１２での無駄な放電
がない。
空用同軸ケーブル１２を用いているが、このシールドは
真空導入用高周波用コネクター１８部でチャンバーアー
ス（真空容器）２４ＥC に接地されている。この真空用
同軸ケーブル１２によって、真空容器１内でのケーブル
１２からの電波の漏れを無くし、且つシースシールドの
役目も果たしているので、ケーブル１２での無駄な放電
がない。
【００１８】同様に、アース側の接続についても真空容
器１内では、真空用同軸ケーブル１２を用い、シールド
はチャンバーアース（真空容器）２４ＥC に接地してい
る。また、同真空容器１外部では同軸ケーブル（アー
ス）１７を用いてシャーシーアース２５ＥB に接続して
いるが、アース線ではあっても高周波では分布定数を有
しているため、この同軸ケーブル１７によって電波の漏
洩を防いでいる。
器１内では、真空用同軸ケーブル１２を用い、シールド
はチャンバーアース（真空容器）２４ＥC に接地してい
る。また、同真空容器１外部では同軸ケーブル（アー
ス）１７を用いてシャーシーアース２５ＥB に接続して
いるが、アース線ではあっても高周波では分布定数を有
しているため、この同軸ケーブル１７によって電波の漏
洩を防いでいる。
【００１９】そしてこの場合、同軸のシールドはチャン
バーアース（真空容器）２４ＥC に接地することで、漏
れを無くすことが出来る。アース同志の結線について
は、シャーシーアース２５ＥB を真空容器１本体アース
２４ＥC に充分に接続し、真空容器１のアース２４ＥC
は電源アース２６Ｅに接続する。
バーアース（真空容器）２４ＥC に接地することで、漏
れを無くすことが出来る。アース同志の結線について
は、シャーシーアース２５ＥB を真空容器１本体アース
２４ＥC に充分に接続し、真空容器１のアース２４ＥC
は電源アース２６Ｅに接続する。
【００２０】以上のように外部への漏れがなく、真空用
同軸ケーブルのアースシールドは絶縁の質が良いため、
長時間、長期間に亘り安定したプラズマを発生させるこ
とが出来る。また、ロスが少ないので効率良くプラズマ
を発生でき、大電力の供給も可能である。
同軸ケーブルのアースシールドは絶縁の質が良いため、
長時間、長期間に亘り安定したプラズマを発生させるこ
とが出来る。また、ロスが少ないので効率良くプラズマ
を発生でき、大電力の供給も可能である。
【００２１】このようにして、１．０Torr程度の真空容
器１内に高周波電力約３００Ｗ程度を供給し、誘導結合
型の電極２０部にプラズマを発生させる。そして、ヒー
タで加熱した基板ホルダー１１上の基板７の温度を３５
０〜４００℃に維持し、ガス供給ボックス１９より反応
ガスとしてのＳｉＨ、ＮＨ3 、Ｎ2 を適当流量流すと、
基板７上に上質のＳｉＮX 薄膜が成膜できる。
器１内に高周波電力約３００Ｗ程度を供給し、誘導結合
型の電極２０部にプラズマを発生させる。そして、ヒー
タで加熱した基板ホルダー１１上の基板７の温度を３５
０〜４００℃に維持し、ガス供給ボックス１９より反応
ガスとしてのＳｉＨ、ＮＨ3 、Ｎ2 を適当流量流すと、
基板７上に上質のＳｉＮX 薄膜が成膜できる。
【００２２】このように、本実施例は高周波電力の外部
への漏れがない。また、真空用同軸ケーブル１２のアー
スシールドは絶縁の質が良いため、長時間、長期間に亘
り安定したプラズマを発生させることが出来る。さら
に、ロスが少ないので効率良くプラズマを発生でき、大
電力の供給も可能である。このように、単純な構造であ
りながら、信頼性が高く、再現性、耐久性のある優れた
プラズマを発生することが出来る。
への漏れがない。また、真空用同軸ケーブル１２のアー
スシールドは絶縁の質が良いため、長時間、長期間に亘
り安定したプラズマを発生させることが出来る。さら
に、ロスが少ないので効率良くプラズマを発生でき、大
電力の供給も可能である。このように、単純な構造であ
りながら、信頼性が高く、再現性、耐久性のある優れた
プラズマを発生することが出来る。
【００２３】上記のように高周波電力の供給方法とし
て、同軸ケーブルを使用し、高周波電極として誘導結合
型の電極２０を採用することにより軽量化されるので、
支持するためのパイプのような部材は必要でない。また
従来のようにガス供給ボックス１９との兼用を考えるこ
ともなくなり、真空容器１への反応ガス供給は、配管３
０と供給ボックス１９から電気系統とは独立に行われ、
真空容器１内構造は単純化し、且つメィンテナンス容易
となる。
て、同軸ケーブルを使用し、高周波電極として誘導結合
型の電極２０を採用することにより軽量化されるので、
支持するためのパイプのような部材は必要でない。また
従来のようにガス供給ボックス１９との兼用を考えるこ
ともなくなり、真空容器１への反応ガス供給は、配管３
０と供給ボックス１９から電気系統とは独立に行われ、
真空容器１内構造は単純化し、且つメィンテナンス容易
となる。
【００２４】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれば
高周波電力を同軸ケーブル、高周波コネクター、フラン
ジ及び真空用同軸ケーブルを用いて誘導結合型の高周波
電極に供給するので、高効率となり、かつ装置が簡単に
なり、半導体デバイス、光センサなどの半導体関連薄膜
の形成のためのプラズマＣＶＤ装置や、スパッタリング
装置等の成膜装置あるいはエッチング装置等の真空装置
に用いられる高周波電力供給方法として非常に有用であ
る。
高周波電力を同軸ケーブル、高周波コネクター、フラン
ジ及び真空用同軸ケーブルを用いて誘導結合型の高周波
電極に供給するので、高効率となり、かつ装置が簡単に
なり、半導体デバイス、光センサなどの半導体関連薄膜
の形成のためのプラズマＣＶＤ装置や、スパッタリング
装置等の成膜装置あるいはエッチング装置等の真空装置
に用いられる高周波電力供給方法として非常に有用であ
る。
【図１】本発明の一実施例の全体構成断面図である。
【図２】同実施例の電気回路図である。
【図３】同実施例の高周波電極の平面図である。
【図４】従来例の真空容器部の断面図である。
１ 真空容器 ２ アースシールド板 ３ 高周波電極 ４ 基板ホルダー ５ 真空ポンプ ６ ヒータ ７ 基板 ８ 反応ガス ９ 導入パイプ １１ 基板ホルダー（加熱ヒータ） １２ 真空用同軸ケーブル １３ マッチングボックス １４ 同軸ケーブル １５ コネクター １６ 高周波電源 １７、１７ａ 同軸ケーブル １８ 真空導入用高周波用コネクター １９ ガス供給ボックス ２０ 誘導結合型電極 ２１ 給電端 ２２ アース ２３ フランジ ２４ ＥC ：チャンバーアース（真空容器） ２５ ＥB ：シャーシーアース ２６ Ｅ ：電源アース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ // Ｃ３０Ｂ 25/02 Ｃ３０Ｂ 25/02 Ｐ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｃ (56)参考文献 特開 平７−201495（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−85994（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−65833（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−104184（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−362091（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−283300（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−216325（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−343222（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 14/32 H05B 6/04 321 H01L 21/3065
Claims (2)
- 【請求項１】 真空容器内に設置された、高周波電極
と、同電極の放電によって薄膜を成長させるための基板
と、同基板を加熱するヒータと、真空容器内にガスを供
給するガス供給ボックスとを有する真空装置において、
高周波電源からマッチングボックスを介して供給される
高周波電力を、同軸ケーブル、同同軸ケーブルに接続さ
れた高周波コネクター、同コネクターが取付けられる真
空容器に設けられたフランジ及び前記高周波コネクター
に接続され前記フランジを通って前記真空容器内へ配設
される真空用同軸ケーブルを用いて誘導結合型の上記高
周波電極に供給することを特徴とする真空装置への高周
波電力給電方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の真空装置において、真空
容器への反応ガスの供給を、高周波電力の供給とは独立
に行うことを特徴とする真空装置への高周波電力給電方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06005687A JP3100279B2 (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 真空装置への高周波電力供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06005687A JP3100279B2 (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 真空装置への高周波電力供給方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211649A JPH07211649A (ja) | 1995-08-11 |
| JP3100279B2 true JP3100279B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=11618020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06005687A Expired - Lifetime JP3100279B2 (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 真空装置への高周波電力供給方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3100279B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4320019B2 (ja) * | 2006-01-11 | 2009-08-26 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
| JP4704445B2 (ja) * | 2008-01-17 | 2011-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置におけるマッチングボックスの取り付け方法 |
-
1994
- 1994-01-24 JP JP06005687A patent/JP3100279B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07211649A (ja) | 1995-08-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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