KR102431354B1 - 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

화학기상 증착장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102431354B1
KR102431354B1 KR1020170087963A KR20170087963A KR102431354B1 KR 102431354 B1 KR102431354 B1 KR 102431354B1 KR 1020170087963 A KR1020170087963 A KR 1020170087963A KR 20170087963 A KR20170087963 A KR 20170087963A KR 102431354 B1 KR102431354 B1 KR 102431354B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
backing plate
insulator
chamber
susceptor
chemical vapor
Prior art date
Application number
KR1020170087963A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190007141A (ko
Inventor
박종훈
정석원
주현우
최재혁
민경주
박원웅
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170087963A priority Critical patent/KR102431354B1/ko
Priority to US15/994,486 priority patent/US11302517B2/en
Priority to EP23188261.4A priority patent/EP4243052A3/en
Priority to EP18177532.1A priority patent/EP3428312B1/en
Priority to CN202210522180.4A priority patent/CN114807895A/zh
Priority to CN201810650227.9A priority patent/CN109234708B/zh
Publication of KR20190007141A publication Critical patent/KR20190007141A/ko
Priority to US17/718,047 priority patent/US11842883B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102431354B1 publication Critical patent/KR102431354B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096—Flat-bed apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4411—Cooling of the reaction chamber walls
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45572—Cooled nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32467—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32577—Electrical connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Abstract

화학기상 증착장치는 챔버, 기판을 지지하는 서셉터, 전원이 인가되는 백킹 플레이트, 증착 가스를 제공하는 디퓨저, 제1 절연체, 및 제2 절연체를 포함한다. 상기 제1 절연체는 상기 백킹 플레이트의 상면을 커버하는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 조립되며 상기 백킹 플레이트의 측면을 커버하는 제2 부분을 포함할 수 있다. 상기 제2 절연체는 상기 제1 절연체의 하부에 배치되어 상기 제1 절연체와 조립되며, 상기 챔버 및 상기 디퓨저와 직접적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 부분은 상기 제1 부분의 가장자리로부터 상기 백킹 플레이트를 향하여 돌출된 복수의 돌출부들을 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 제2 부분의 상면으로부터 함몰되어 상기 복수의 돌출부들과 각각 대응되는 복수의 체결부들을 포함하며, 상기 복수의 돌출부들과 상기 복수의 체결부들은 서로 결합될 수 있다.

Description

화학기상 증착장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법{CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마 방식을 이용한 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
표시장치의 제조공정은 기판 표면에 박막을 형성하는 박막증착(deposition)공정, 포토리소그라피(photolithography)공정, 및 식각(etching)공정 등이 있다. 예시적으로, 박막증착공정은 스퍼터링 증착 방식(sputtering)과 화학기상증착 방식(Chemical Vapor Deposition: CVD)이 있다. 스퍼터링 방식은 박막입자를 직접적으로 기판에 충돌 및 흡착 시키는 물리적 증착 방식이다.
화학기상증착 방식은 기판 상부에서 라디컬(radical)의 화학반응을 유도하여 그 반응결과물인 박막입자를 낙하 및 흡착시키는 증착 방식이다. 특히, 화학기상 증착 방식으로, 플라즈마(plazma)의 높은 에너지와 풍부한 라디컬을 이용하는 플라즈마 화학기상증착이 사용된다.
본 발명의 목적은 백킹 플레이트에 인가된 고주파 전원이 누설되는 것을 방지할 수 있는 화학기상 증착장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 기판 상에 무기 봉지층을 균일하게 형성할 수 있는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상 증착 장치는 챔버, 서셉터, 백킹 플레이트, 디퓨저, 및 절연체를 포함할 수 있다.
상기 챔버 내부에는 상기 서셉터, 상기 백킹 플레이트, 상기 디퓨저, 및 상기 절연체가 배치될 수 있다. 상기 챔버 내부 온도는 약 80도 이상 내지 약 100도 이하일 수 있다.
상기 서셉터는 유기발광소자가 구비된 기판을 지지할 수 있다.
상기 백킹 플레이트는 상기 서셉터 상부에 위치하며, 상기 서셉터와 소정 간격 이격되어 있다. 상기 백킹 플레이트는 13.56MHz 이상의 주파수의 전원을 수신할 수 있다.
상기 디퓨저는 상기 백킹 플레이트와 상기 서셉터 사이에 위치하고, 상기 기 판에 증착 가스를 제공할 수 있다. 상기 증착 가스는 실란(SiH4), 암모니아(NH3), 수소(H2), 아산화질소(N2O), 질소(N2) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 증착 가스는 비활성기체를 더 포함할 수 있다.
상기 절연체는 제1 절연체 및 상기 제1 절연체와 조립되는 제2 절연체를 포함할 수 있다.
상기 제1 절연체는 상기 백킹 플레이트의 상면을 커버하는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 조립되며 상기 백킹 플레이트의 측면을 커버하는 제2 부분을 포함할 수 있다.
상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 각각은 조립된 복수의 블록들을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분은 상기 백킹 플레이트의 상기 상면을 전체적으로 커버할 수 있다. 상기 제1 부분은 상기 제1 부분의 가장자리로부터 상기 백킹 플레이트를 향하여 돌출된 복수의 돌출부들을 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 제2 부분의 상면으로부터 함몰되어 상기 복수의 돌출부들과 각각 대응되는 복수의 체결부들을 포함하며, 상기 복수의 돌출부들과 상기 복수의 체결부들은 서로 결합될 수 있다.
상기 제1 절연체는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 생폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE), 폴리플루오린화비닐리덴(PVDF), 폴리플루오린화비닐(PVF) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 절연체는 상기 챔버 및 상기 디퓨저와 직접적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 절연체는 상기 디퓨저를 노출시키는 프레임 형상을 가지며, 조립된 복수의 블록들을 포함할 수 있다.
상기 제2 절연체는 세라믹(ceramic)을 포함하며, 상기 챔버와 상기 디퓨저를 절연시킬 수 있다.
상기 백킹 플레이트는 도전성 플레이트, 상기 도전성 플레이트에 내장되고(embedded) 냉각수가 흐르는 냉각수관, 및 절연포트를 포함할 수 있다.
상기 절연포트는 상기 도전성 플레이트의 상기 상면 상에 배치되고, 상기 냉각수관의 입구 및 출구에 정렬된 연결관들을 구비할 수 있다.
상기 절연포트는 플라스틱을 포함하며, 상기 제1 부분에 의해 적어도 일부분이 둘러싸일 수 있다.
상기 백킹 플레이트는 상기 절연포트 상에 위치하는 공급관 및 배출관을 더 포함할 수 있다. 상기 공급관은 상기 연결관들 중 하나에 연결되고, 상기 배출관은 상기 연결관들 중 다른 하나에 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치를 이용하여 표시 장치를 제조하는 방법은, 챔버 내부에 배치된 서셉터 상에 유기발광소자가 구비된 기판을 준비하는 단계; 상기 서셉터 상부에 위치하고, 상면 및 측면이 절연체에 의해 커버된 백킹 플레이트에 전원을 인가하여 상기 백킹 프레이트와 상기 서셉서 사이에 플라즈마 영역을 형성하는 단계; 및 상기 플라즈마 영역에 증착 가스를 제공하여 상기 유기발광소자 상에 제1 무기 박막층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 플라즈마를 형성하는 단계에서, 상기 백킹 플레이트에 13.56MHz 이상의 주파수의 전원을 인가할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치를 이용하여 표시 장치를 제조하는 방법은, 상기 제1 무기 박막층 상에 유기 박막층을 형성하는 단계; 및 상기 유기 박막층 상에 제2 무기 박막층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 무기 박막층 및 상기 제2 무기 박막층은 상기 챔버에서 형성되고, 상기 유기 박막층은 상기 챔버와 상이한 챔버에서 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 백킹 플레이트에서의 전원 누설을 방지하여 챔버 내에 균일한 플라즈마를 형성할 수 있다. 그 결과, 공정 시간 및 공정 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 일부분에 대한 분해사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 백킹 플레이트의 사시도이다.
도 4는 도 3의 AA 영역을 확대한 백킹 플레이트의 분해 사시도이다.
도 5는 도 3의 I-I'선에 따른 백킹 플레이트의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 절연체의 분해사시도이다.
도 7은 도 6의 BB 영역을 확대한 제1 절연체의 내부 사시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 절연체의 사시도이다.
도 9는 도 8의 II-II'선에 따른 제2 절연체의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예를 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 다수의 표현을 포함한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 개략적인 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 화학기상 증착장치(CVD)는 플라즈마 화학기상 증착장치(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: PECVD)로 제공될 수 있다. 화학기상 증착장치(CVD)는 집적회로 장치, 표시 장치, 태양전지 등에 적용된 기판을 제조하는 반도체 제조공정에 사용될 수 있다. 특히, 본 발명의 화학기상 증착장치(CVD)는 유기발광소자가 구비된 기판 상에 무기 박막층을 증착하기 위해 사용될 수 있다.
도 1을 참조하면, 화학기상 증착장치(CVD)는 챔버(CB), 서셉터(SP), 디퓨저(GD), 백킹 플레이트(BP, backing plate), 절연체(IS), 가스 주입부(GI), 및 가스 배출부(GEP)를 포함할 수 있다.
챔버(CB)는 상부면(US), 바닥면(DS), 및 상부면(US)과 바닥면(DS)을 연결하는 측면(SW)을 포함한다. 챔버(CB) 내에는 상부면(US), 바닥면(DS), 및 측면(SW)에 의해 둘러싸인 일정 내부 공간이 정의될 수 있으며, 챔버(CB)의 내부 공간에는 화학기상 증착장치(CVD)의 동작에 필요한 구성들이 배치될 수 있다.
특히, 화학기상 증착장치(CVD)의 동작 시에 챔버(CB)의 내부 공간은 외부와 밀폐될 수 있다. 이 경우, 가스 주입부(GI) 및 가스 배출부(GEP)는 외부 공기의 유입을 차단할 수 있다. 또한, 도시되지 않았지만 기판의 이송 등을 위해 챔버(CB)의 일 부분이 개폐될 수 있다. 이 경우, 챔버(CB)의 측면(SW) 중 일 부분이 개폐될 수 있다.
챔버(CB)는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 챔버(CB)는 알루미늄(Aluminium), 인코넬(Inconel), 하스텔로이(Hastelloy) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 챔버(CB)의 일 영역은 외부의 접지 단자(GC)와 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 유기발광소자가 구비된 기판(T) 상에 무기 박막층을 형성하는 공정은 저온에서 이루어질 수 있다. 예를 들어, 공정 시, 챔버(CB)의 내부 공간의 온도는 약 80도 이상 내지 약 100도 이하로 유지될 수 있다.
서셉터(SP)는 기판(T)을 지지할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 기판(T) 상에는 유기발광소자가 구비될 수 있다. 서셉터(SP)는 전도성 있는 금속 물질을 포함할 수 있다.
서셉터(SP)는 기판(T)을 지지하는 제1 서셉터(SP1) 및 제1 서셉터(SP1)에 연결되어 챔버(CB)의 바닥면(DS)을 관통하는 제2 서셉터(SP2)를 포함할 수 있다. 기판(T)은 제1 서셉터(SP1)의 상면에 배치될 수 있다. 제1 서셉터(SP1) 및 제2 서셉터(SP2)는 서로 분리되어 제공되거나, 일체 형상으로 제공될 수 있다. 제1 서셉터(SP1) 및 제2 서셉터(SP2)의 형상은 화학기상 증착장치(CVD)에 포함된 구성에 따라 다양하게 변경 가능하다.
제1 서셉터(SP1)는 기판(T)을 지지하기 위해, 사각형 또는 원형의 플레이트로 제공될 수 있다. 도시되지 않았지만, 서셉터(SP)는 기판(T)을 가열할 수 있는 히팅 라인 및/또는 냉각할 수 있는 냉각라인을 포함할 수 있다. 히팅 라인 및/또는 냉각라인은 제1 서셉터(SP1)에 내장(embedded)될 수 있다.
제2 서셉터(SP2)는 제1 서셉터(SP1)의 중앙 영역에 연결되어, 제1 서셉터(SP1)를 지지할 수 있다. 제2 서셉터(SP2)는 원기둥 또는 사각 기둥의 형상으로 제공될 수 있다.
특히, 제2 서셉터(SP2)는 수직 상승하거나 수직 하강함으로써, 기판(T)을 공정 위치에 도달시킬 수 있다. 이 경우, 제1 서셉터(SP1)는 제2 서셉터(SP2)의 움직임에 따라, 동일한 방향으로 이동될 수 있다. 예를 들어, 챔버(CB)의 측면(SW)을 통해 기판(T)이 외부 공간에서 챔버(CB) 내부 공간으로 이송될 경우, 제2 서셉터(SP2)는 수직 상승할 수 있다. 그 결과, 제1 서셉터(SP1) 상에 기판(T)이 배치될 수 있다. 이 후, 제2 서셉터(SP2)가 하강함으로써 기판(T)이 공정 위치로 도달될 수 있다.
서셉터(SP)는 기판(T)의 측면을 고정시키기 위한 에지 프레임(EF)을 더 포함할 수 있다. 에지 프레임(EF)은 기판(T)의 가장자리를 커버하며 위치할 수 있다.
서셉터(SP)는 접지 단자(GC)에 연결될 수 있다. 이 경우, 제2 서셉터(SP2)는 챔버(CB)의 바닥면(DS)에 결합되어, 바닥면(DS)과 전기적으로 연결될 수 있다.
디퓨저(GD)는 기판(T) 상부에 위치하며, 서셉터(SP)와 백킹 플레이트(BP) 사이에 배치될 수 있다. 디퓨저(GD)는 백킹 플레이트(BP)에 연결될 수 있다. 도시되지 않았으나, 디퓨저(GD)의 양단부 각각은 백킹 플레이트(BP)에 나사로 체결될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않으며, 디퓨저(GD)는 브래킷(bracket)에 연결되어 백킹 플레이트(BP)에 고정될 수 있다.
디퓨저(GD)와 백킹 플레이트(BP) 사이에는 증착 가스(EG)가 공급되는 일정 공간(A)이 정의될 수 있다. 가스 주입부(GI)로부터 주입된 증착 가스(EG)는 공간(A)으로 제공될 수 있다.
디퓨저(GD)는 알루미늄(Aluminium), 인코넬(Inconel), 하스텔로이(Hastelloy) 중 적어도 어느 하나의 금속 물질을 포함할 수 있다.
디퓨저(GD)는 증착 가스(EG)를 기판(T)에 전달할 수 있다. 디퓨저(GD)에는 복수 개의 관통홀들(D-OP)이 정의될 수 있으며, 관통홀들(D-OP)을 통해 기판(T)으로 증착 가스(EG)가 균일하게 전달될 수 있다.
증착 가스(EG)는 유기발광소자가 구비된 기판 상에 무기 박막층을 증착하기 위한 증착원이 되는 반응 가스 및 챔버(CB) 내부의 압력을 조절하기 위한 안정화 가스를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 반응 가스는 실리콘 질화막의 증착을 위해 실란(SiH4), 암모니아(NH3), 질소(N2)의 혼합 기체를 포함할 수 있으며, 실리콘 산질화막의 증착을 위해 실란(SiH4), 아산화질소(N2O), 암모니아(NH3), 수소(H2)의 혼합 기체를 포함할 수 있다. 안정화 가스는 비활성기체를 포함할 수 있다.
백킹 플레이트(BP)는 서셉터(SP) 상부에 위치하며, 서셉터(SP)와 소정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 백킹 플레이트(BP)는 알루미늄(Aluminium), 인코넬(Inconel), 하스텔로이(Hastelloy) 중 적어도 어느 하나의 금속 물질을 포함할 수 있다.
백킹 플레이트(BP)는 전원 공급부(PW)에 연결되어 있다. 이에, 백킹 플레이트(BP)는 전원 공급부(PW)로부터 공급된 전원을 수신할 수 있다. 전원 공급부(PW)가 13.56MHz 이상의 고주파 전원(RF Power)을 공급함에 따라, 백킹 플레이트(BP)는 고주파 전원을 수신할 수 있다.
백킹 플레이트(BP)는 디퓨저(GD)와 전기적으로 연결된다. 백킹 플레이트(BP)에 인가된 고주파 전원은 백킹 플레이트(BP)에 연결된 디퓨저(GD)에 전달될 수 있다.
백킹 플레이트(BP)에 인가된 고주파 전원에 의해, 디퓨저(GD)와 서셉터(SP) 사이에 플라즈마가 형성될 수 있다. 백킹 플레이트(BP)와 서셉터(SP) 간의 전위차에 의해 증착 가스(EG)는 플라즈마로 여기될 수 있다. 그 결과, 플라즈마의 높은 에너지와 라디칼의 화학반응 결과물이 기판(T) 표면으로 낙하, 흡착되어 박막으로 증착된다.
백킹 플레이트(BP)에 인가된 고주파 전원은 디퓨저(GD)로 전달되고, 디퓨저(GD)에 전달된 고주파 전원은 서셉터(SP)로 전달되며, 서셉터(SP)로 전달된 고주파 전원은 챔버(CB)로 전달될 수 있다. 챔버(CB)에 전달된 고주파 전원이 접지 단자(GC)로 전달될 수 있다. 그러나, 백킹 플레이트(BP)에 인가된 고주파 전원이 디퓨저(GD) 및 서셉터(SP)에 완전히 전달되지 않고, 챔버(CB)를 통해 고주파 전원이 누설되는 경우가 있다.
본 실시예에 따르면, 절연체(IS)는 백킹 플레이트(BP)에 인가된 고주파 전원이 챔버(CB)를 통해 누설되는 것을 방지할 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다.
가스 주입부(GI)는 챔버(CB)의 상부면(US)에 배치될 수 있다. 가스 주입부(GI)는 챔버(CB)의 상부면(US)을 관통하여, 공간(A)에 연결될 수 있다.
가스 배출부(GEP)는 챔버(CB)의 바닥면(DS)에 배치될 수 있다. 가스 배출부(GEP)는 챔버(CB)의 바닥면(DS)을 관통하며, 챔버(CB)의 내부 공간에 유입된 가스를 챔버(CB) 외부로 배출할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 일부분에 대한 분해사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 백킹 플레이트의 사시도이다. 도 4는 도 3의 AA 영역을 확대한 백킹 플레이트의 분해 사시도이고, 도 5는 도 3의 I-I'선에 따른 백킹 플레이트의 단면도이다. 이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 백킹 플레이트(BP)에 대해 설명한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 백킹 플레이트(BP)는 도전성 플레이트(PL), 냉각수관(CP), 및 절연부(ISP)를 포함할 수 있다.
도전성 플레이트(PL)는 제1 도전성 플레이트(PL1) 및 제1 도전성 플레이트(PL1) 하부에 배치된 제2 도전성 플레이트(PL2)로 구분될 수 있다. 제1 도전성 플레이트(PL1)와 제2 도전성 플레이트(PL2)는 서로 분리된 형상으로 제공되거나, 일체로 제공될 수 있다.
제1 도전성 플레이트(PL1) 및 제2 도전성 플레이트(PL2)는 각각 사각형의 판상으로 제공될 수 있다. 본 실시예에서, 제2 도전성 플레이트(PL2)의 면적은 제1 도전성 플레이트(PL1)의 면적보다 작은 것으로 도시되었으나, 이에 반드시 한정되는 것은 아니다.
냉각수관(CP)는 제1 도전성 플레이트(PL1)에 내장(embedded)될 수 있다. 이에, 제1 도전성 플레이트(PL1)의 두께는 냉각수관(CP)의 지름보다 두껍게 제공될 수 있다. 본 실시예에서는 냉각수관(CP)에 냉각수를 공급하여 백킹 플레이트(BP) 및 백킹 플레이트(BP)에 연결된 디퓨저(GD)의 온도를 조절할 수 있다. 이에, 열에 의한 백킹 플레이트(BP) 및 디퓨저(GD)의 손상을 최소화할 수 있다.
본 실시예에서는 냉각수관(CP)이 제1 도전성 플레이트(PL1)에 내장된 것을 도시하였으나, 이에 반드시 한정되지 않으며, 냉각수관(CP)은 제2 도전성 플레이트(PL2)에 내장될 수도 있다. 이때, 제2 도전성 플레이트(PL2)의 두께는 냉각수관(CP)의 지름보다 두껍게 제공될 수 있다.
도 3 내지 도 5를 더 참조하면, 냉각수관(CP)은 냉각수가 주입되는 입구(CP-I) 및 냉각수가 배출되는 출구(CP-O)가 구비될 수 있다. 냉각수관(CP)의 입구(CP-I)는 냉각수관(CP)의 일단이고, 냉각수관(CP)의 출구(CP-O)는 냉각수관(CP)의 일단에 대향하는 타단일 수 있다.
절연부(ISP)는 제1 도전성 플레이트(PL1) 상에 배치되어 냉각수관(CP)으로 냉각수를 공급하거나 냉각수관(CP)으로부터 냉각수를 배출시킬 수 있다. 절연부(ISP)는 절연포트(PT1) 및 도전성 포트(PT2)를 포함할 수 있다.
절연포트(PT1)는 제1 도전성 플레이트(PL1)의 상면 상에 고정될 수 있다. 절연포트(PT1)는 냉각수관(CP)의 입구(CP-I) 및 출구(CP-O)에 정렬된 연결관들을 구비할 수 있다. 연결관들은 냉각수관(CP)의 입구(CP-I)에 연결된 제1 연결관(CL1) 및 냉각수관(CP)의 출구(CP-O)에 연결된 제2 연결관(CL2)을 포함할 수 있다.
절연포트(PT1)는 플라스틱을 포함할 수 있다. 이에, 절연포트(PT1)는 제1 도전성 플레이트(PL1)와 도전성 포트(PT2)를 절연시킬 수 있다. 본 실시예에서는, 절연포트(PT1)가 제1 도전성 플레이트(PL1)의 상면(PL1-U)에 배치됨에 따라, 백킹 플레이트(BP)에 인가된 고주파 전원이 도전성 포트(PT2)를 통해 누설되는 것을 방지할 수 있다.
도전성 포트(PT2)는 절연포트(PT1) 상에 위치하는 공급관(SPP), 배출관(EP), 및 결합부(SEP)를 구비할 수 있다.
공급관(SPP)은 냉각수 공급부(미도시)와 절연포트(PT1)의 제1 연결관(CL1) 사이에 위치하여, 냉각수 공급부에서 제공된 냉각수를 절연포트(PT1)를 통해 냉각수관(CP)에 전달할 수 있다.
배출관(EP)은 냉각수 공급부(미도시)와 절연포트(PT1)의 제2 연결관(CL2) 사이에 위치하여, 냉각수관(CP) 및 절연포트(PT1)를 통해 배출된 냉각수를 챔버(CB) 외부로 배출할 수 있다.
공급관(SPP) 및 배출관(EP)은 결합부(SEP)에 고정되어 절연포트(PT1)와 결합될 수 있다. 공급관(SPP) 및 배출관(EP)은 일정간격 이격되어 위치하며, 결합부(SEP)를 관통할 수 있다. 본 실시예에서, 공급관(SPP), 배출관(EP), 및 결합부(SEP)는 금속 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는, 백킹 플레이트(BP)에 인가된 고주파 전원이 절연부(ISP)를 통해 누설되는 것을 방지함에 따라, 챔버(CB) 내에 균일한 플라즈마가 형성될 수 있다. 그 결과, 공정 시간이 절감되고 공정 신뢰도가 향상될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 절연체의 분해사시도이고, 도 7은 도 6의 BB 영역을 확대한 제1 절연체의 내부 사시도이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 절연체의 사시도이고, 도 9는 도 8의 II-II'선에 따른 제2 절연체의 단면도이다. 이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 절연체(IS)에 대해 설명한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 절연체(IS)는 백킹 플레이트(BP) 및 디퓨저(GD)를 챔버(CB)와 절연시킬 수 있다.
절연체(IS)는 제1 절연체(IS1) 및 제2 절연체(IS2)를 포함할 수 있다.
제1 절연체(IS1)는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 생폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE), 폴리플루오린화비닐리덴(PVDF), 폴리플루오린화비닐(PVF) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 절연체(IS1)는 백킹 플레이트(BP)의 상면을 커버하는 제1 부분(P1) 및 백킹 플레이트(BP)의 측면을 커버하는 제2 부분(P2)을 포함할 수 있다.
제1 부분(P1)은 제1 도전성 플레이트(PL1)의 상면(PL1-U)을 커버할 수 있다. 제1 부분(P1)은 제1 도전성 플레이트(PL1)의 상면(PL1-U)을 전체적으로 커버할 수 있다. 본 실시예에서, 제1 부분(P1)은 제1 도전성 플레이트(PL1)의 상면(PL1-U) 중 절연부(ISP)가 위치하는 일영역을 제외한 나머지 영역을 커버할 수 있다.
본 실시예에서, 제1 부분(P1)에는 절연부(ISP)에 대응하는 위치에 홀(HO)이 구비될 수 있다. 절연부(ISP)는 홀(HO)을 관통하여 제1 부분(P1)과 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 홀(HO)을 관통한 절연부(ISP)의 적어도 일부분은 제1 부분(P1)에 의해 둘러싸일 수 있다. 본 실시예에서는, 절연부(ISP)의 절연포트(PT1)가 제1 부분(P1)에 의해 둘러싸일 수 있다.
제1 부분(P1)이 백킹 플레이트(BP)의 상면을 전체적으로 커버함에 따라, 백킹 플레이트(BP)에 인가된 고주파 전원이 제1 도전성 플레이트(PL1)의 상면(PL1-U)을 통해 챔버(CB)로 누설되는 것을 방지할 수 있다.
도 6을 참조하면, 제1 부분(P1)의 가장자리에는 제2 부분(P2)과 조립되는 돌출부(PR)가 구비될 수 있다. 돌출부(PR)는 복수 개 제공되어 제1 부분(P1)의 가장자리를 따라 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다.
제1 부분(P1)은 조립된 복수의 블록들(P1-B)을 포함할 수 있다. 복수의 블록들 중 서로 조립되는 두 개의 블록들(A1, A2)은 각각 절곡된 형상을 갖는 접촉면을 가지며, 두 개의 블록들(A1, A2)의 접촉면들은 서로 맞닿아 평면상에서 중첩할 수 있다. 이에, 백킹 플레이트(BP)에 인가된 고주파 전원이 제1 부분(P1)을 통해 누설되는 것을 최소화할 수 있다.
도 2 및 도 6을 참조하면, 제2 부분(P2)은 프레임 형상을 가질 수 있다. 제2 부분(P2)은 제1 도전성 플레이트(PL1)의 제1 측면(PL1-S)을 커버하는 제1 측벽부(P2-1) 및 제2 도전성 플레이트(PL2)의 제2 측면(PL2-S)을 커버하는 제2 측벽부(P2-2)를 포함할 수 있다. 또한, 제2 부분(P2)은 제1 측면(PL1-S)과 제2 측면(PL2-S)을 연결하는 제1 도전성 플레이트(PL1)의 하면(PL1-B)이 안착되며, 제1 측벽부(P2-1)와 제2 측벽부(P2-2)를 연결하는 프레임부(P2-3)를 포함할 수 있다.
제1 측벽부(P2-1)에는 제1 부분(P1)의 돌출부(PR)와 체결되는 체결부(PR-I)가 구비될 수 있다. 체결부(PR-I)는 돌출부(PR)의 형상 및 위치에 대응하여 제1 측벽부(P2-1)에 형성된 단차진 부분일 수 있다.
제2 측벽부(P2-2)는 연장되어 디퓨저(GD)의 측면을 더 커버할 수 있다. 제2 측벽부(P2-2)는 제2 절연체(IS2)와 조립될 수 있다. 제2 측벽부(P2-2)의 단부는 단차진 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에서, 제2 부분(P2)이 백킹 플레이트(BP)의 측면을 전체적으로 커버함에 따라, 백킹 플레이트(BP)에 인가된 고주파 전원이 제1 측면(PL1-S), 제2 측면(PL2-S), 및 제1 도전성 플레이트(PL1)의 하면(PL1-B)을 통해 챔버(CB)로 누설되는 것을 방지할 수 있다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 제2 부분(P2) 각각은 조립된 복수의 블록들(P2-B)을 포함할 수 있다. 복수의 블록들(P2-B) 중 서로 조립되는 두 개의 블록들(B1, B2)은 각각 절곡된 형상을 갖는 접촉면을 가지며, 두 개의 블록들(B1, B2)의 접촉면들은 서로 맞닿아 평면상에서 중첩할 수 있다. 이에, 백킹 플레이트(BP)에 인가된 고주파 전원이 제2 부분(P2)을 통해 누설되는 것을 최소화할 수 있다.
제1 부분(P1) 및 제2 부분(P2) 각각이 조립된 복수의 블록들을 포함함에 따라, 면적이 넓은 백킹 플레이트(BP)에 제1 부분(P1) 및 제2 부분(P2)을 용이하게 결합시킬 수 있다.
도 1, 도 8, 및 도 9를 참조하면, 제2 절연체(IS2)는 디퓨저(GD)와 챔버(CB)를 절연시킬 수 있다. 제2 절연체(IS2)는 디퓨저(GD)의 측면을 따라 배치되며, 디퓨저(GD)의 하면을 노출시키는 프레임 형상을 가질 수 있다. 제2 절연체(IS2)는 디퓨저(GD)의 측면에 조립될 수 있다.
제2 절연체(IS2)는 제1 절연체(IS2) 하부에 배치되어 제1 절연체(IS2)와 조립될 수 있다. 제2 절연체(IS2)는 제1 절연체(IS1)의 제2 측벽부(P2-2)와 조립될 수 있다. 제2 절연체(IS2)는 제2 측벽부(P2-2)의 단부를 커버하여 증착 가스(EG)가 제1 절연체(IS2)에 접촉하는 것을 방지할 수 있다.
제2 절연체(IS2)는 조립된 복수의 블록들을 포함할 수 있다. 제2 절연체(IS2)가 조립된 복수의 블록들을 포함함에 따라, 면적이 넓은 디퓨저(GD)에 제2 절연체(IS2)를 용이하게 결합시킬 수 있다.
복수의 블록들 중 서로 조립되는 두 개의 블록들(B3, B4)은 각각 절곡된 형상을 갖는 접촉면을 가지며, 두 개의 블록들(B3, B4)의 접촉면들은 서로 맞닿아 평면상에서 중첩할 수 있다. 이에, 백킹 플레이트(BP) 및 디퓨저(GD)에 인가된 고주파 전원이 제2 절연체(IS2)를 통해 누설되는 것을 최소화할 수 있다.
제2 절연체(IS2)는 세라믹(ceramic)을 포함할 수 있다. 이에, 제2 절연체(IS2)는 증착 가스(EG) 및 열에 의한 제1 절연체(IS1)의 손상을 최소화 할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상 증착장치(CVD)를 이용한 표시 장치(DD)를 제조하는 방법을 설명한다. 설명의 편의를 위해, 화학기상 증착장치(CVD)와 중복되는 설명을 생략한다.
도 1 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)의 제조 방법에 따르면, 베이스 부재(BSM), 회로층(CL), 및 표시층(DPL)이 형성된 기판(T) 상에 박막 봉지층(TFE)을 형성할 수 있다.
베이스 부재(BSM)는 영상이 제공되는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA) 주변의 비표시 영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 베이스 부재(BSM)은 베이스층(SUB) 및 버퍼층(BFL)을 포함할 수 있다.
베이스층(SUB)은 플렉서블한 기판으로 플라스틱 기판, 유리 기판, 메탈 기판, 또는 유/무기 복합재료 기판 등을 포함할 수 있다. 버퍼층(BFL)은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 10에서, 베이스층(SUB)의 일면 상에 기능층의 일 예시로 버퍼층(BFL)이 배치되는 것을 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 기능층으로 배리어층을 포함할 수도 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 버퍼층(BFL)은 생략될 수도 있다.
회로층(CL)은 박막 트랜지스터(TR) 및 적어도 하나의 절연층을 포함한다.
베이스층(SUB) 상에 박막 트랜지스터(TR)의 반도체 패턴(OSP)이 배치된다. 반도체 패턴(OSP)은 아몰포스 실리콘, 폴리 실리콘, 금속 산화물 반도체에서 선택될 수 있다. 절연층은 제1 절연층(10) 및 제2 절연층(20)을 포함할 수 있다.
제1 절연층(10)은 베이스층(SUB) 상에서 반도체 패턴(OSP)를 커버하도록 배치된다. 제1 절연층(10)은 유기층 및/또는 무기층을 포함할 수 있다. 제1 절연층(10)은 복수 개의 무기 박막들을 포함할 수 있다. 복수 개의 무기 박막들은 실리콘 나이트라이드층 및 실리콘 옥사이드 층을 포함할 수 있다.
제1 절연층(10) 상에 박막 트랜지스터(TR)의 제어 전극(GE)이 배치된다. 제1 절연층(10) 상에 제어 전극(GE)을 커버하는 제2 절연층(20)이 배치된다. 제2 절연층(20)은 유기층 및/또는 무기층을 포함한다. 제2 절연층(20)은 복수 개의 무기 박막들을 포함할 수 있다. 복수 개의 무기 박막들은 실리콘 나이트라이드층 및 실리콘 옥사이드층을 포함할 수 있다. 제2 절연층(20)은 제1 절연층(10)과 상이한 물질을 포함할 수 있다.
제2 절연층(20) 상에 박막 트랜지스터(TR)의 입력 전극(SE) 및 출력 전극(DE)이 배치된다. 제2 절연층(20) 상에 복수의 신호 라인들이 배치될 수 있다.
제2 절연층(20) 상에 입력 전극(SE) 및 출력 전극(DE)를 커버하는 제3 절연층(30)이 배치된다. 제3 절연층(30)은 유기층 및/또는 무기층을 포함한다. 제3 절연층(30)은 평탄면을 제공하기 위해서 유기물질을 포함할 수 있다.
제3 절연층(30) 상에 표시층(DPL)이 배치된다. 제3 절연층(30) 상에 화소정의막(PDL) 및 유기발광소자(OLED)가 배치된다. 제3 절연층(30) 상에 애노드(AE)가 배치된다. 애노드(AE)는 제3 절연층(30)을 관통하는 관통홀을 통해 출력전극(DE)에 연결된다. 화소정의막(PDL)에는 발광 영역(OP)이 정의된다. 화소정의막(PDL)의 발광 영역(OP)은 애노드(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다.
애노드(AE) 상에 발광 유닛(EU)이 배치된다. 발광 유닛(EU) 상에 캐소드(CE)가 배치된다. 도시하지는 않았으나, 발광 유닛(EU)은 정공 제어층, 유기 발광층, 및 전자 제어층을 포함할 수 있다.
박막 봉지층(TFE)은 표시층(DPL) 상에 순차적으로 적층된 제1 무기 박막층(IL1), 유기 박막층(OL), 및 제2 무기 박막층(IL2)을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 챔버(CB) 내부에 배치된 서셉터(SP) 상에 기판(T)을 준비한다. 그 후, 기판(T) 상에 플라즈마 영역을 형성하고, 플라즈마 영역에 증착 가스(EG)를 제공하여 표시층(DPL) 상에 제1 무기 박막층(IL1)을 형성한다.
챔버(CB) 내부로 증착에 필요한 증착 가스(EG)를 주입하고, 백킹 플레이트(BP)에 고주파 전원을 인가하여 증착 가스(EG)의 일부를 플라즈마 상태의 가스(이하, 플라즈마)로 만든다. 본 실시예에서, 고주파 전원은 약 13.56MHz 이상의 주파수일 수 있다.
플라즈마가 증착 가스(EG)의 활성화 에너지(activation energy)를 낮춰주므로, 증착 가스(EG)는 낮은 온도에 의해서도 들뜬 상태가 된다. 들뜬상태의 증착 가스(EG)는 반응성 높은 이온과 라디칼로 분리된 준안정 상태의 원자나 분자들을 포함할 수 있다. 이에 따라, 플라즈마 화학 기상 증착 방법은 일반적인 화학 증착 방법 보다 낮은 온도에서 박막을 형성할 수 있다.
준안정 상태의 원자나 분자들은 기판(T)에 흡착되어 제1 무기 박막층(IL1)을 형성한다. 준안정 상태의 원자나 분자들은 기판(T)의 표면에서 재 분포의 물리적, 화학적 반응을 한다. 준안정 상태의 원자나 분자들은 가장 안정된 위치(site)를 찾아 이동하고, 새로운 결합을 만들기도 하면서 기판(T)에 증착된다.
본 실시예에서 제1 무기 박막층(IL1)은 캐소드(CE) 상에 형성된다.
제1 무기 박막층(IL1) 상에는 유기 박막층(OL)이 형성될 수 있다. 제1 무기 박막층(IL1)과 유기 박막층(OL)은 서로 상이한 챔버에서 형성된다.
유기 박막층(OL) 상에는 제2 무기 박막층(IL2)이 형성될 수 있다. 이때, 제2 무기 박막층(IL2)은 제1 무기 박막층(IL1)과 동일한 챔버(CB)에서 제1 무기 박막층(IL1)과 동일한 제조 공정을 통해 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 박막 봉지층(TFE)이 제1 무기 박막층(IL1), 유기 박막층(OL), 및 제2 무기 박막층(IL2)을 포함하는 것을 도시하여 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 박막 봉지층(TFE)은 복수의 무기 박막들 및 유기박막들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 백킹 플레이트(BP)에서의 고주파 전원 누설을 방지하여 챔버(CB) 내에 균일한 플라즈마를 형성할 수 있다. 그 결과, 공정 시간 및 공정 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 기준하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
CB: 챔버 SP: 서셉터
BP: 백킹 플레이트 GD: 디퓨저
IS1: 제1 절연체 IS2: 제2 절연체
PT1: 절연포트

Claims (20)

  1. 챔버;
    상기 챔버 내부에 배치되며 유기발광소자가 구비된 기판을 지지하는 서셉터;
    상기 서셉터 상부에 위치하며, 상기 서셉터와 소정 간격 이격된 백킹 플레이트;
    상기 백킹 플레이트와 상기 서셉터 사이에 위치하고 상기 기판에 증착 가스를 제공하는 디퓨저;
    상기 백킹 플레이트의 상면을 커버하는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 조립되며 상기 백킹 플레이트의 측면을 커버하는 제2 부분을 포함하는 제1 절연체; 및
    상기 제1 절연체의 하부에 배치되어 상기 제1 절연체와 조립되며, 상기 챔버 및 상기 디퓨저와 직접적으로 연결되는 제2 절연체를 포함하고,
    상기 제1 부분은 상기 제1 부분의 가장자리로부터 상기 백킹 플레이트를 향하여 돌출된 복수의 돌출부들을 포함하고,
    상기 제2 부분은 상기 제2 부분의 상면으로부터 함몰되어 상기 복수의 돌출부들과 각각 대응되는 복수의 체결부들을 포함하며,
    상기 복수의 돌출부들과 상기 복수의 체결부들은 서로 결합된 화학기상 증착장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 각각은 조립된 복수의 블록들을 포함하는 화학기상 증착장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 부분은 상기 백킹 플레이트의 상기 상면을 전체적으로 커버하는 화학기상 증착장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 절연체는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 생폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE), 폴리플루오린화비닐리덴(PVDF), 폴리플루오린화비닐(PVF) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 화학기상 증착장치.
  5. 삭제
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 절연체는 상기 디퓨저를 노출시키는 프레임 형상을 가지며, 조립된 복수의 블록들을 포함하는 화학기상 증착장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 절연체는 세라믹(ceramic)을 포함하며, 상기 챔버와 상기 디퓨저를 절연시키는 화학기상 증착장치.
  8. 제3 항에 있어서,
    상기 백킹 플레이트는,
    도전성 플레이트;
    상기 도전성 플레이트에 내장되고(embedded), 냉각수가 흐르는 냉각수관; 및
    상기 도전성 플레이트의 상기 상면 상에 배치되고, 상기 냉각수관의 입구 및 출구에 정렬된 연결관들을 구비한 절연포트를 포함하는 화학기상 증착장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 절연포트는 플라스틱을 포함하며, 상기 제1 부분에 의해 적어도 일부분이 둘러싸이는 화학기상 증착장치.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 백킹 플레이트는 상기 절연포트 상에 위치하는 공급관 및 배출관을 더 포함하며,
    상기 공급관은 상기 연결관들 중 하나에 연결되고, 상기 배출관은 상기 연결관들 중 다른 하나에 연결되는 화학기상 증착장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버 내부 온도는 80도 이상 내지 100도 이하인 화학기상 증착장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 증착 가스는 실란(SiH4), 암모니아(NH3), 수소(H2), 아산화질소(N2O), 질소(N2) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 화학기상 증착장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 증착 가스는 비활성기체를 더 포함하는 화학기상 증착장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 백킹 플레이트는 13.56MHz 이상의 주파수의 전원을 수신하는 화학기상 증착장치.
  15. 챔버;
    상기 챔버 내부에 배치되며 유기발광소자가 구비된 기판을 지지하는 서셉터;
    상기 서셉터 상부에 위치하며, 상기 서셉터와 소정 간격 이격된 백킹 플레이트;
    상기 백킹 플레이트와 상기 서셉터 사이에 위치하고 상기 기판에 증착 가스를 제공하는 디퓨저를 포함하며,
    상기 백킹 플레이트는,
    도전성 플레이트;
    상기 도전성 플레이트에 내장되고(embedded), 냉각수가 흐르는 냉각수관; 및
    상기 도전성 플레이트 상에 배치되어 상기 냉각수관의 입구 및 출구에 정렬된 연결관들을 구비한 절연포트를 포함하는 화학기상 증착장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 절연포트 상에 위치하는 공급관 및 배출관을 더 포함하며,
    상기 공급관은 상기 연결관들 중 하나에 연결되고, 상기 배출관은 상기 연결관들 중 다른 하나에 연결되며,
    상기 절연포트는 상기 공급관 및 상기 배출관을 상기 냉각수관과 절연시키는 화학기상 증착장치.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 도전성 플레이트의 상면 및 측면을 커버하며, 상기 절연포트를 둘러싸는 제1 절연체; 및
    상기 제1 절연체와 조립되며, 상기 챔버 및 상기 디퓨저와 연결되는 제2 절연체를 더 포함하는 화학기상 증착장치.
  18. 챔버 내부에 배치된 서셉터 상에 유기발광소자가 구비된 기판을 준비하는 단계;
    상기 서셉터 상부에 위치하고, 상면 및 측면이 절연체에 의해 커버된 백킹 플레이트에 전원을 인가하여 상기 백킹 플레이트와 상기 서셉터 사이에 플라즈마 영역을 형성하는 단계; 및
    상기 플라즈마 영역에 증착 가스를 제공하여 상기 유기발광소자 상에 제1 무기 박막층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 플라즈마 영역을 형성하는 단계에서,
    상기 백킹 플레이트에 13.56MHz 이상의 주파수의 전원을 인가하는 표시 장치의 제조방법.
  20. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 무기 박막층 상에 유기 박막층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기 박막층 상에 제2 무기 박막층을 형성하는 단계를 더 포함하며,
    상기 제1 무기 박막층과 상기 제2 무기 박막층은 상기 챔버에서 형성되고,
    상기 유기 박막층은 상기 챔버와 다른 챔버에서 형성되는 표시 장치의 제조방법.
KR1020170087963A 2017-07-11 2017-07-11 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 KR102431354B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170087963A KR102431354B1 (ko) 2017-07-11 2017-07-11 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
US15/994,486 US11302517B2 (en) 2017-07-11 2018-05-31 Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same
EP23188261.4A EP4243052A3 (en) 2017-07-11 2018-06-13 Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same
EP18177532.1A EP3428312B1 (en) 2017-07-11 2018-06-13 Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same
CN202210522180.4A CN114807895A (zh) 2017-07-11 2018-06-22 化学气相沉积设备
CN201810650227.9A CN109234708B (zh) 2017-07-11 2018-06-22 化学气相沉积设备和利用其制造显示设备的方法
US17/718,047 US11842883B2 (en) 2017-07-11 2022-04-11 Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170087963A KR102431354B1 (ko) 2017-07-11 2017-07-11 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190007141A KR20190007141A (ko) 2019-01-22
KR102431354B1 true KR102431354B1 (ko) 2022-08-11

Family

ID=62631010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170087963A KR102431354B1 (ko) 2017-07-11 2017-07-11 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11302517B2 (ko)
EP (2) EP4243052A3 (ko)
KR (1) KR102431354B1 (ko)
CN (2) CN114807895A (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114525498B (zh) * 2022-03-07 2022-11-01 苏州迈为科技股份有限公司 下垂罩板及带有该下垂罩板的pecvd设备
CN115341198B (zh) * 2022-07-05 2023-08-04 湖南红太阳光电科技有限公司 一种平板式pecvd设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002503765A (ja) * 1998-02-13 2002-02-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 化学気相堆積用リアクタ

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5647911A (en) 1993-12-14 1997-07-15 Sony Corporation Gas diffuser plate assembly and RF electrode
US5846332A (en) 1996-07-12 1998-12-08 Applied Materials, Inc. Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber
KR100423953B1 (ko) * 2001-03-19 2004-03-24 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 화학기상증착장치
TW573053B (en) * 2001-09-10 2004-01-21 Anelva Corp Surface processing apparatus
US8900366B2 (en) * 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
KR100505367B1 (ko) * 2003-03-27 2005-08-04 주식회사 아이피에스 박막증착용 반응용기
KR100965758B1 (ko) 2003-05-22 2010-06-24 주성엔지니어링(주) 액정표시장치용 플라즈마 강화 화학기상증착 장치의샤워헤드 어셈블리
JP4404303B2 (ja) 2004-02-03 2010-01-27 株式会社アルバック プラズマｃｖｄ装置及び成膜方法
KR101248182B1 (ko) 2004-02-26 2013-03-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ｆｅｏｌ 제조를 위한 인시튜 세정 챔버
US20050230350A1 (en) 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
KR20050116230A (ko) 2004-06-07 2005-12-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 플라즈마 강화 화학기상증착 장치
JP2006128485A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Asm Japan Kk 半導体処理装置
KR20070036844A (ko) * 2005-09-30 2007-04-04 코스텍시스템(주) 반도체 및 액정표시 장치 제조용 플라즈마 화학 증착 챔버
US20080317973A1 (en) * 2007-06-22 2008-12-25 White John M Diffuser support
GB2451239B (en) * 2007-07-23 2009-07-08 Microsaic Systems Ltd Microengineered electrode assembly
US20090071403A1 (en) * 2007-09-19 2009-03-19 Soo Young Choi Pecvd process chamber with cooled backing plate
US8207470B2 (en) * 2008-10-20 2012-06-26 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Apparatus for generating remote plasma
CN102576667A (zh) 2009-07-22 2012-07-11 应用材料公司 中空阴极喷头
KR101062462B1 (ko) * 2009-07-28 2011-09-05 엘아이지에이디피 주식회사 샤워헤드 및 이를 포함하는 화학기상증착장치
CN102918180B (zh) * 2010-05-21 2014-12-17 应用材料公司 大面积电极上的紧密安装的陶瓷绝缘体
JP2012109446A (ja) * 2010-11-18 2012-06-07 Tokyo Electron Ltd 絶縁部材及び絶縁部材を備えた基板処理装置
US20120231181A1 (en) 2011-03-09 2012-09-13 Applied Materials, Inc. Insulation coverage of cvd electrode
US8994511B2 (en) * 2011-09-12 2015-03-31 The Boeing Company Electronic identification package
US20130171545A1 (en) * 2011-12-28 2013-07-04 Enerfuel, Inc. Fuel cell having minimum incidence of leaks
KR101451244B1 (ko) * 2013-03-22 2014-10-15 참엔지니어링(주) 라이너 어셈블리 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
WO2015116245A1 (en) 2014-01-30 2015-08-06 Applied Materials, Inc. Gas confiner assembly for eliminating shadow frame
KR102336686B1 (ko) 2014-12-11 2021-12-08 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치 및 이를 이용한 기상 증착 방법
JP6680271B2 (ja) * 2017-06-23 2020-04-15 日新イオン機器株式会社 プラズマ源

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002503765A (ja) * 1998-02-13 2002-02-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 化学気相堆積用リアクタ

Also Published As

Publication number Publication date
US20190019652A1 (en) 2019-01-17
EP3428312A3 (en) 2019-05-08
KR20190007141A (ko) 2019-01-22
CN109234708B (zh) 2022-06-03
CN109234708A (zh) 2019-01-18
EP4243052A3 (en) 2023-12-06
CN114807895A (zh) 2022-07-29
US20220238306A1 (en) 2022-07-28
EP4243052A2 (en) 2023-09-13
EP3428312A2 (en) 2019-01-16
US11842883B2 (en) 2023-12-12
US11302517B2 (en) 2022-04-12
EP3428312B1 (en) 2024-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6042942B2 (ja) ガス分配装置およびこれを備える基板処理装置
TW201824434A (zh) 氣體供應單元及包括氣體供應單元的基板處理裝置
US20080295772A1 (en) Chemical vapor deposition apparatus and plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus
US20060162661A1 (en) Mixing energized and non-energized gases for silicon nitride deposition
CN105659366A (zh) 使用远程等离子体cvd技术的低温氮化硅膜
US11842883B2 (en) Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same
US20070221129A1 (en) Apparatus for depositing atomic layer using gas separation type showerhead
US20160203954A1 (en) Vapor deposition apparatus, deposition method, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
US20100263594A1 (en) Substrate processing apparatus
US20140251540A1 (en) Substrate supporter and substrate processing apparatus including the same
KR20150001688U (ko) 사분면들을 구비한 기판 지지체
CN114981475A (zh) 用于原子层沉积前驱物输送的喷头
KR20120107331A (ko) 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기 발광 표시 장치
JP2016027551A (ja) 成膜方法および成膜装置
US10944082B2 (en) Vapor deposition apparatus
KR200490445Y1 (ko) 분리된 가스 피드 라인들을 갖는 플라즈마 프로세스 챔버
KR20070094412A (ko) 이 중 열 차단 보호벽을 갖는 플라즈마 화학 증착 챔버
TW200834688A (en) Prevention of film deposition on PECVD process chamber wall
JP6662998B2 (ja) プラズマ処理装置
US20210035849A1 (en) Ceramic pedestal having atomic protective layer
KR20090102256A (ko) 플라즈마 처리장치
WO2017149738A1 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理用反応容器の構造
KR20170033600A (ko) 활성가스라인의 온도조절이 가능한 챔버세정장치
KR20240007595A (ko) 가스 분사 장치, 기판 처리 장치 및 박막 증착 방법
KR101943073B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)