CN114981475A - 用于原子层沉积前驱物输送的喷头 - Google Patents

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Abstract

本文提供在处理腔室中使用的喷头的多个实施方式。在一些实施方式中，一种喷头，包括第一螺旋通道，从喷头的中心区域延伸至周围区域；第二螺旋通道，从喷头的中心区域延伸至周围区域，其中第二螺旋通道与第一螺旋通道交错且与第一螺旋通道流体独立；多个第一通道，从第一螺旋通道延伸至在喷头的下部表面上的多个第一气体分配孔，其中每个第一通道是以一个角度延伸的单一通道；和多个第二通道，从第二螺旋通道延伸至在喷头的下部表面上的多个第二气体分配孔，其中每个第二通道是以一个角度延伸的单一通道。

Description

用于原子层沉积前驱物输送的喷头
领域
本公开内容的多个实施方式一般涉及基板处理装备。
背景
沉积腔室通常用于在形成于基板上的特征结构之上沉积材料层。原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)是用于沉积材料层的沉积技术。ALD处理的一个范例包括气体的脉冲通过气体分配装置(例如喷头)的依序引导(sequential introduction)。举例而言，用于气体的脉冲的依序引导的一个循环可含有第一反应物气体的脉冲，随后是净化气体的脉冲和/或泵排空，随后是第二反应物气体的脉冲，且随后是净化气体的脉冲和/或泵排空。第一反应物和第二反应物的分开的脉冲的依序引导可导致在基板的表面上反应物的单层的交替自我限制吸收(alternating self-limiting absorption)，因此对各个循环形成材料的单层。可重复循环直到达成沉积的材料的期望厚度。在第一反应物气体的脉冲与第二反应物气体的脉冲之间的净化气体的脉冲和/或泵排空，用来减少由于残留在腔室中过量的反应物的反应物的气相反应的可能性。然而，发明人已观察到气体分配装置难以清洁或净化，且在一些沉积处理期间，气体的脉冲通过气体分配装置的引导导致遍及(across)基板的沉积非均匀性。
因此，发明人已提供在沉积腔室中使用的强化的气体分配装置。
发明内容
本文提供在处理腔室中使用的喷头的多个实施方式。在一些实施方式中，一种在处理腔室中使用的喷头，包括第一螺旋通道，从喷头的中心区域延伸至喷头的周围区域；第二螺旋通道，从喷头的中心区域延伸至喷头的周围区域，其中第二螺旋通道与第一螺旋通道交错且与第一螺旋通道流体独立；多个第一通道，从第一螺旋通道延伸至在喷头的下部表面上的多个第一气体分配孔，其中各个第一通道是相对于垂直于喷头的下部表面的轴以一个角度延伸的单一通道；和多个第二通道，从第二螺旋通道延伸至在喷头的下部表面上的多个第二气体分配孔，其中各个第二通道是相对于垂直于喷头的下部表面的轴以一个角度延伸的单一通道。
在一些实施方式中，一种在处理腔室中使用的喷头，包括喷头的下部表面，具有多个第一气体分配孔和多个第二气体分配孔；喷头的上部表面，具有界定第一表面的凹槽；第一螺旋通道，以螺旋图案从第一表面的中心区域延伸至第一表面的周围区域；多个第一通道，从第一螺旋通道延伸至多个第一气体分配孔；第二螺旋通道，以螺旋图案从第一表面的中心区域延伸至第一表面的周围区域，其中第二螺旋通道流体独立于第一螺旋通道；和多个第二通道，从第二螺旋通道延伸至多个第二气体分配孔，其中多个第一气体分配孔和多个第二气体分配孔相对于垂直于喷头的下部表面的轴以约2度至约9度的角度延伸。
在一些实施方式中，一种处理腔室，包括腔室主体，具有处理空间；基板支撑件，设置于处理空间中，且具有基板支撑表面，以支撑具有外部边缘的基板；喷头，设置于处理空间中相对于基板支撑件，其中喷头包含：第一螺旋通道和第二螺旋通道，从喷头的中心区域延伸至喷头的周围区域，其中第一螺旋通道与第二螺旋通道交错且流体独立；多个第一通道，从第一螺旋通道延伸至在喷头的下部表面上的多个第一气体分配孔；多个第二通道，从第二螺旋通道延伸至在喷头的下部表面上的多个第二气体分配孔，其中多个第一气体分配孔和多个第二气体分配孔相对于垂直于喷头的下部表面的轴以一个角度延伸；和耦接至第一螺旋通道的第一排放口和耦接至第二螺旋通道的第二排放口，其中第一排放口和第二排放口由基板的外部边缘径向向外设置约0.25英寸至约1.50英寸。
以下说明本公开内容的其他和进一步多个实施方式。
附图说明
以上简要概述且以下更详细讨论的本公开内容的多个实施方式可通过参考描绘于附图中的本公开内容的示例性实施方式而理解。然而，附图仅图示本公开内容的多个通常实施方式，且因此不应考虑为范围的限制，因为本公开内容认可其他等效的多个实施方式。
图1根据本公开内容的一些实施方式，描绘处理腔室的概要侧剖面视图。
图2根据本公开内容的一些实施方式，描绘喷头的顶部等距视图。
图3是根据本公开内容的一些实施方式的喷头的部分的剖面侧视图。
图4根据本公开内容的一些实施方式，描绘喷头的底部视图。
图5根据本公开内容的一些实施方式，描绘喷头的侧视图。
图6根据本公开内容的一些实施方式，描绘喷头的部分的顶部视图。
为了促进理解，已尽可能地使用相同的附图标记代表在图式中共通的相同的元件。图式并非按照比例绘制，且可为了清楚而简化。一个实施方式的元件和特征结构可有益地并入其他多个实施方式而无须进一步说明。
具体实施方式
本文提供气体分配设备的多个实施方式，例如喷头。本文提供的喷头有利地提供隔绝的(isolated)流动路径用于多重处理气体，以减少或避免在喷头之中处理气体之间的反应。用于并入本文所述的技术的适合的处理腔室的范例包括可从美国加州圣克拉拉市的应用材料公司取得的高介电常数(即，高k)和金属ALD沉积腔室，尽管可从应用材料公司或其他制造商获得的其他腔室亦可获益。以下处理腔室说明提供用于上下文和范例目的，且不应考虑为本公开内容范围的限制。
图1根据本公开内容的多个实施方式，描绘处理腔室(处理腔室100)的概要侧剖面视图。处理腔室100包括腔室主体102和盖组件104，处理腔室100具有处理空间106界定于腔室主体102之中且在盖组件104下方。在腔室主体102中的狭缝阀120提供机械臂(未显示)的进出(access)，以输送和/或撤回具有外部边缘122的基板112进和出处理腔室100。基板112可以是150mm、200mm、300mm、450mm或类似的半导体晶片、玻璃基板或类似基板。
基板支撑件108在处理腔室100中的基板容纳表面上支撑基板。基板支撑件108固定至升降电机，用于抬升和降低基板支撑件108和当设置于基板支撑件108上时的基板。基板支撑件108可包括真空吸盘(未显示)、静电吸盘(未显示)或夹环(未显示)，用于在处理期间将基板紧固至基板支撑件108。
基板支撑件108的温度可调整以控制基板的温度。举例而言，基板支撑件108可使用嵌入的加热元件加热，例如阻抗加热器(resistive heater)，或可使用辐射加热，例如构造成提供热能量至基板支撑件108的加热灯。
在一些实施方式中，边缘环116可设置于基板支撑件108周围边缘的顶部。边缘环116包括中心开口，经尺寸设计以暴露基板支撑件108的支撑表面。边缘环116可进一步包括裙部，或向下延伸的环状唇部，以保护基板支撑件108的侧面。
在一些实施方式中，衬垫114沿着腔室主体102的内部壁(例如，一个或更多个侧壁)设置，以保护腔室主体102在操作期间不受腐蚀气体或材料沉积的影响。衬垫114包括多个开口128，以将处理空间106流体耦接至泵口126，以促进从处理腔室100的气体排空，且通过耦接至泵口126的真空泵在处理腔室100内部维持预定压强或压强范围。
气体输送系统118耦接至盖组件104以供例如处理气体和/或净化气体的气体通过喷头110至处理空间106。喷头110设置于盖组件104中，一般相对于基板支撑件108且包括多个气体分配孔160，以提供处理气体至处理空间106。喷头110包括多个交错的螺旋通道，彼此流体独立以供应多个处理气体至处理空间106，而不会在喷头110中混合。多个交错的螺旋通道流体耦接至多个气体分配孔160的分别的孔。在一些实施方式中，多个交错的螺旋通道包括第一螺旋通道150和第二螺旋通道158。在一些实施方式中，多个交错的螺旋通道包括三个或更多个交错的螺旋通道。
在一些实施方式中，气体输送系统118包括背板124，以包覆(enclose)第一螺旋通道150和第二螺旋通道158。在一些实施方式中，背板124设置于形成于喷头110的背表面上的凹槽168中。在一些实施方式中，背板124的上部表面实质上与喷头110的上部表面共平面。
在具有两个交错的螺旋通道的多个实施方式中，气体输送系统118包括第一供应线132，以从第一气源134提供第一处理气体至喷头110，和第二供应线140，以从第二气源144提供第二处理气体至喷头110。在一些实施方式中，气体输送系统118包括气体歧管(manifold)166。在一些实施方式中，第一供应线132从第一气源134通过气体歧管166和背板124延伸至喷头110。在一些实施方式中，第二供应线140从第二气源144通过气体歧管166和背板124延伸至喷头110。第一入口162耦接至第一螺旋通道150，以从第一供应线132提供第一处理气体至处理空间106。第二入口164流体耦接至第二螺旋通道158，以从第二气源144提供第二处理气体至处理空间106。
喷头包括耦接至第一螺旋通道150的第一排放口152，和耦接至第二螺旋通道158的第二排放口154。第一排放口152通过第一排放线142耦接至第一排放泵136。第一排放泵136构造为排空第一螺旋通道150。第二排放口154通过第二排放线148耦接至第二排放泵146。第二排放泵146构造为排空第二螺旋通道158。在一些实施方式中，第一排放线142和第二排放线148延伸通过气体歧管166。发明人已观察到当第一排放口152和第二排放口154设置于基板112之上时，在基板112上非均匀的沉积。在一些实施方式中，第一排放口152和第二排放口154从基板112的外部边缘122径向向外设置，以当喷头110抽空时有利地减少在基板112上非均匀的沉积。在一些实施方式中，第一排放口152和第二排放口154从基板112的外部边缘径向向外以约0.25英寸至约1.50英寸设置。
在一些实施方式中，气体输送系统118包括净化气源138，以通过一个或多个净化气体供应线170(在图1中显示两个)提供净化气体至处理空间106。在一些实施方式中，一个或多个净化气体供应线170流体耦接至喷头110分别的一个或多个净化气体入口(显示于图2中)。净化气体构造为从净化气体入口通过喷头110与衬垫114之间的间隙流动通过至处理空间106。在一些实施方式中，隔绝器(isolator)156设置于喷头110与衬垫114之间，以减少或避免喷头110与衬垫114之间的电弧。在一些实施方式中，隔绝器156的内部表面的轮廓与喷头110的外部表面的轮廓相对应。在一些实施方式中，净化气体构造为在喷头110与隔绝器156之间流动。在一些实施方式中，隔绝器156在隔绝器156的上部表面处包括环状通道130。环状通道130流体耦接至喷头110的净化气体入口，且构造为引导在隔绝器156与喷头110之间净化气体的流动。
在图示处理操作中，基板112通过狭缝阀120被机械臂(未显示)输送至处理腔室100。基板112通过升降销和机械臂的合作放置于基板支撑件108上。基板支撑件108抬升基板112至与喷头110的下部表面紧密相对(close opposition)。第一气流(例如，来自第一气源134)可通过气体输送系统118而与第二气流(例如，来自第二气源144)一起或依序(例如，脉冲地)注入处理空间106。第一气源134包括第一前驱物且第二气源144包括第二前驱物。第三气流(例如，来自净化气源138)可与第一气流和第二气流一起注入处理空间106，或依序(例如，脉冲地)在第一气流和第二气流的每个气流注入之前或之后注入处理空间106。净化气源包括任何气体而适合用于原位处理。气体接着沉积于基板的表面上。过多的气体、副产物和类似物质流动通过衬垫114中的多个开口128至泵口126，且接着从处理腔室100排放。
图2根据本公开内容的一些实施方式，描绘喷头的顶部等距视图。第一螺旋通道150和第二螺旋通道158从喷头110的中心区域延伸至喷头110的周围区域。在一些实施方式中，喷头110的上部表面202包括凹槽168。凹槽168界定第一表面204和第二表面218。在一些实施方式中，第一表面204包括在第一螺旋通道150和第二螺旋通道158四周环状延伸的密封沟槽210。O形环可设置于密封沟槽210中以密封第一螺旋通道150和第二螺旋通道158。在一些实施方式中，第一表面204实质上平行于上部表面202。
在一些实施方式中，喷头110的上部表面202包括多个开口206，构造为容纳固定螺钉(mounting screw)。在一些实施方式中，多个开口206促进将喷头110耦接至背板124。在一些实施方式中，多个开口206设置于从上部表面202凹陷的特征结构220中。在一些实施方式中，特征结构220从凹槽168的第二表面218径向向外延伸。在一些实施方式中，特征结构220轴对称地设置于喷头110的四周。在一些实施方式中，喷头的上部表面202包括多个对齐特征结构208，以将喷头110与背板124对齐。在一些实施方式中，对齐特征结构208设置于特征结构220之间。
在一些实施方式中，喷头110的外部表面212包括一个或多个沟槽214，构造成将喷头110与盖组件104对齐。在一些实施方式中，一个或多个沟槽214是轴对称地设置于喷头110四周的三个沟槽。在一些实施方式中，上部表面202包括一个或多个净化气体入口216，构造成使净化气体(例如，来自净化气源138)通过喷头110。在一些实施方式中，一个或多个净化气体入口216包括径向相对的两个入口。
图3根据本公开内容的一些实施方式，是喷头的部分的剖面侧视图。多个气体分配孔160包含多个第一通道302和多个第二通道304。多个第一通道302从第一螺旋通道150延伸至喷头110的下部表面314上的多个第一气体分配孔306。多个第二通道304从第二螺旋通道158延伸至喷头的下部表面314上的多个第二气体分配孔308。
第一螺旋通道150和第二螺旋通道158具有的整体长度相对应于在分别的第一入口162和第二入口164与第一排放口152和第二排放口154之间的距离。第一气体分配孔306沿着第一螺旋通道150的整体长度间隔开。第二气体分配孔308沿着第二螺旋通道158的整体长度间隔开。在一些实施方式中，第一螺旋通道150和第二螺旋通道158的整体长度是约120英寸至约168英寸。在一些实施方式中，第一螺旋通道150包括约800至约900个第一气体分配孔306。在一些实施方式中，第二螺旋通道158包括约800至约900个第二气体分配孔308。
第一螺旋通道150和第二螺旋通道158可具有适合用于被处理腔室100实行的处理的空间。较小的空间允许第一螺旋通道150和第二螺旋通道158更快的饱和(saturation)和排空，且提供更少量的处理气体至处理空间106。较小的空间更适合用于薄膜沉积的更短脉冲时间的处理。较大的空间允许用于第一螺旋通道150和第二螺旋通道158更慢的饱和和排空，且提供更大量的处理气体至处理空间106。如此，第一螺旋通道150和第二螺旋通道158的空间可与期望膜厚度和脉冲时间相对应。
在一些实施方式中，第一螺旋通道150和第二螺旋通道158具有不同的空间。在一些实施方式中，第一螺旋通道150和第二螺旋通道158具有类似的空间，包括相等的空间。在一些实施方式中，第一螺旋通道150的宽度312与第二螺旋通道158的宽度324实质上相同。在一些实施方式中，宽度324和宽度312是约0.1英寸至约0.4英寸。在一些实施方式中，第一螺旋通道150和第二螺旋通道158的深度316是约0.1英寸至约1.20英寸。在一些实施方式中，第一螺旋通道150与第二螺旋通道158之间的壁厚度322是约.02英寸至约.08英寸。
多个第一通道302和多个第二通道304有利地成角度，使得多个第一气体分配孔306和多个第二气体分配孔308在喷头110的下部表面314处沿着螺旋图案以交替的方式汇聚(converge)(例如图4中所显示)。在一些实施方式中，螺旋图案包含从喷头110的中心区域延伸至喷头110的周围区域的两个交错的螺旋图案(见图4)。通过沿着螺旋图案交替和汇聚，第一气体分配孔306和第二气体分配孔308可以用更均匀的方式有利地分别提供第一处理气体和第二处理气体至基板112。
多个第一通道302相对于垂直于喷头110的下部表面314的轴320以第一角度310延伸。多个第一通道302从第一螺旋通道150向外延伸(例如，相对于第一螺旋通道150本身向外)至下部表面314。在一些实施方式中，多个第一通道302从第一螺旋通道150的第一侧342向外延伸。在一些实施方式中，多个第一通道302从多个第一通道302的第二侧352向外延伸。在一些实施方式中，多个第一通道302的一些第一通道302从第一螺旋通道150从第一侧342向外延伸，且多个第一通道302的其他第一通道302从第一螺旋通道150从第二侧352向外延伸。举例而言，多个第一通道302可在从第一侧342向外与从第二侧352向外延伸之间交替(也如图6的部分顶部视图中描绘)。
多个第二通道304相对于垂直于喷头110的下部表面314的轴320以第二角度318延伸。多个第二通道304从第二螺旋通道158向外延伸(例如，相对于第二螺旋通道158本身向外)至下部表面314。在一些实施方式中，多个第二通道304从第二螺旋通道158的第一侧344向外延伸。在一些实施方式中，多个第二通道304从第二螺旋通道158的第二侧354向外延伸。在一些实施方式中，多个第二通道304的一些第二通道304从第二螺旋通道158从第一侧344向外延伸，且多个第二通道304的其他第二通道从第二螺旋通道158从第二侧354向外延伸。举例而言，多个第二通道304可在从第一侧344向外与从第二侧354向外延伸之间交替(也如图6的部分顶部视图中描绘)。
在一些实施方式中，第一角度310是约2度至约40度。在一些实施方式中，第二角度318是约2度至约40度。在一些实施方式中，第一角度310是约2度至约9度。在一些实施方式中，第二角度318是约2度至约9度。第一角度310可基于第一螺旋通道150的宽度312和深度316来决定。第二角度318可基于第二螺旋通道158的宽度324和深度316来决定。在一些实施方式中，第一角度310和第二角度318是实质上相同的。在一些实施方式中，第一角度310与第二角度318彼此在约5度之内。
在一些实施方式中，多个第一通道302从第一螺旋通道150的第一侧342延伸，且多个第二通道304从第二螺旋通道158的第二侧354延伸(即，角度朝向彼此)，使得多个第一气体分配孔306和多个第二气体分配孔308在喷头110的下部表面314处沿着螺旋图案以交替的方式汇聚。在一些实施方式中，多个第一通道302从第一螺旋通道150的第二侧354延伸，且多个第二通道304从第二螺旋通道158的第一侧344延伸，使得多个第一气体分配孔306和多个第二气体分配孔308在喷头110的下部表面314处沿着螺旋图案以交替的方式汇聚。见例如图4和以下相对应的讨论。
图6根据本公开内容的一些实施方式，描绘喷头的部分顶部视图。在一些实施方式中，如图6中所显示，一些多个第一通道302从第一螺旋通道150的第一侧342延伸，且一些多个第二通道304从第二螺旋通道158的第二侧354延伸，且其他多个第一通道302从第一螺旋通道150的第二侧352延伸，且其他多个第二通道304从第二螺旋通道158的第一侧344延伸，使得多个第一气体分配孔306和多个第二气体分配孔308在喷头110的下部表面314处沿着螺旋图案以交替的方式汇聚。
在一些实施方式中，多个第一通道302的每个第一通道在第一通道302沿着第一螺旋通道150的整体长度而截取的具有第一通道302的任何给定的剖面处是单一通道。在一些实施方式中，多个第二通道304的每个第二通道在沿着第二螺旋通道158的整体长度而截取的任何给定的剖面处是单一通道。
在一些实施方式中，多个第一通道302的每个第一通道302包括上部部分326和下部部分328。在一些实施方式中，多个第二通道304的每个第二通道304包括上部部分330和下部部分332。在一些实施方式中，上部部分326、330具有的直径小于下部部分328、332的直径，以扼流(choke)通过第一通道302和第二通道304的流动。在一些实施方式中，上部部分326、330具有约.01英寸至约.02英寸的直径。在一些实施方式中，下部部分328、332具有约.04英寸至约.08英寸的直径。在一些实施方式中，上部部分326、330具有的长度比下部部分328、332的长度更短，用于增加流动导通(conductance)。在一些实施方式中，上部部分326、330具有的长度类似于(包括等于)下部部分328、332的长度。
图4根据本公开内容的一些实施方式，描绘喷头的底部视图。在一些实施方式中，多个第一气体分配孔和多个第二气体分配孔以交替的图案安排，以界定螺旋图案。在一些实施方式中，多个第一气体分配孔和多个第二气体分配孔以交替的图案安排，以界定交错的螺旋图案，包括第一螺旋图案和与第一螺旋图案交错的第二螺旋图案。
喷头110的底部表面的基板区域410与经处理的基板(例如，基板112)的尺寸和位置相对应。基板区域410具有的直径实质上等于或大于经处理的基板的给定直径。举例而言，若处理腔室构造为处理300mm晶片，则基板区域410具有的直径实质上等于或大于300mm。
由于螺旋轮廓，在喷头110的周围区域中的多个第一气体分配孔306和多个第二气体分配孔308(例如，从基板区域410径向向外)无须以交替的图案安排。然而，喷头110有利地尺寸设计大于经处理的基板，使得多个第一气体分配孔306和多个第二气体分配孔308的任何非交替的气体分配孔设置于周围区域，从基板区域410径向向外，因此最小化由于气体分配孔图案的任何沉积非均匀性。在一些实施方式中，第一排放口152设置于多个第一气体分配孔306的最外孔404的上方。在一些实施方式中，第二排放口154设置于多个第二气体分配孔308的最外孔408的上方。
图5根据本公开内容的一些实施方式，描绘喷头的侧视图。在一些实施方式中，喷头包括上部部分502和下部部分506。在一些实施方式中，上部部分502从下部部分506径向向外延伸。在一些实施方式中，下部部分506的外部表面510从上部部分502径向向内延伸至下部表面314。在一些实施方式中，下部表面314包括表面涂布物(coating)508，以提供对许多基板处理应用(例如ALD)中使用的前驱物的更佳的抗腐蚀性。在一些实施方式中，表面涂布物508可提供更佳的发射率(emissivity)控制，以例如在热ALD处理中从部件寿命的开始提供处理稳定性。在一些实施方式中，表面涂布物508包含导电材料，例如锑掺杂的氧化锡(ATO)。
下部表面314的外部直径大于经处理的基板112的外部直径。在一些实施方式中，下部表面314的外部直径是约13.0英寸至约16.0英寸。在一些实施方式中，从上部表面202至下部表面314的喷头的高度504是约2.0英寸至约3.0英寸。在一些实施方式中，上部部分502的高度512是约0.4英寸至约1.0英寸。
尽管以上内容针对本公开内容的多个实施方式，可在不脱离本公开内容的基本范围的情况下衍生本公开内容的其他和进一步多个实施方式。

Claims (20)

1.一种在处理腔室中使用的喷头，包含：
第一螺旋通道，从所述喷头的中心区域延伸至所述喷头的周围区域；
第二螺旋通道，从所述喷头的所述中心区域延伸至所述喷头的所述周围区域，其中所述第二螺旋通道与所述第一螺旋通道交错且与所述第一螺旋通道流体独立；
多个第一通道，从所述第一螺旋通道延伸至在所述喷头的下部表面上的多个第一气体分配孔，其中各个第一通道是相对于垂直于所述喷头的所述下部表面的轴以第一角度延伸的单一通道；和
多个第二通道，从所述第二螺旋通道延伸至在所述喷头的所述下部表面上的多个第二气体分配孔，其中各个第二通道是相对于垂直于所述喷头的所述下部表面的所述轴以第二角度延伸的单一通道。
2.如权利要求1所述的喷头，其中所述多个第一气体分配孔和所述多个第二气体分配孔在所述喷头的所述下部表面沿着螺旋图案以交替方式汇聚。
3.如权利要求1所述的喷头，其中所述多个第一通道和所述多个第二通道以约2度至约9度的角度延伸。
4.如权利要求1所述的喷头，其中所述多个第一通道和所述多个第二通道的每个包括上部部分和下部部分，其中所述下部部分具有的直径大于所述上部部分的直径，以扼流通过所述多个第一通道和所述多个第二通道的流动。
5.如权利要求1所述的喷头，其中所述喷头的外部表面包括净化气体入口，所述净化气体入口构造为使净化气体流动通过所述喷头。
6.如权利要求1至5任一项所述的喷头，其中所述喷头的上部表面包括多个开口，所述多个开口构造为容纳固定螺钉。
7.如权利要求1至5任一项所述的喷头，其中所述喷头的外部表面包括沟槽，所述沟槽构造为将所述喷头对齐盖组件。
8.如权利要求1至5任一项所述的喷头，其中所述喷头的上部表面包括界定具有密封沟槽的第一表面的凹槽。
9.如权利要求1至5任一项所述的喷头，其中所述喷头的上部表面包括多个对齐特征结构。
10.如权利要求1至5任一项所述的喷头，其中所述喷头的上部表面具有界定第一表面的凹槽，其中所述第一螺旋通道和所述第二螺旋通道以螺旋图案从所述第一表面的中心区域延伸至所述第一表面的所述周围区域。
11.如权利要求10所述的喷头，其中所述第一螺旋通道和所述第二螺旋通道具有约0.1英寸至约0.4英寸的宽度。
12.如权利要求10所述的喷头，其中所述第一螺旋通道和所述第二螺旋通道具有约0.1英寸至约1.20英寸的深度。
13.如权利要求10所述的喷头，其中所述下部表面的外部直径是约13.0英寸至约16.0英寸。
14.如权利要求10任一项所述的喷头，其中和所述喷头的外部表面从所述上部表面径向向内延伸至所述下部表面。
15.一种处理腔室，包含：
腔室主体，具有处理空间；
基板支撑件，设置于所述处理空间中，且具有基板支撑表面，以支撑具有外部边缘的基板；
权利要求1-5任一项的所述喷头，设置于所述处理空间中相对于所述基板支撑件；和
耦接至所述第一螺旋通道的第一排放口和耦接至所述第二螺旋通道的第二排放口，其中所述第一排放口和所述第二排放口从所述基板的所述外部边缘径向向外设置约0.25英寸至约1.50英寸。
16.如权利要求15所述的处理腔室，其中所述第一排放口设置在所述多个第一气体分配孔的一个最外孔的上面。
17.如权利要求15所述的处理腔室，其中第一入口耦接至所述第一螺旋通道，以提供第一处理气体至所述处理空间，且第二入口流体耦接至所述第二螺旋通道，以提供第二处理气体至所述处理空间。
18.如权利要求15所述的处理腔室，其中所述喷头的所述下部表面包括表面涂布物。
19.如权利要求15所述的处理腔室，进一步包含隔绝器，所述隔绝器设置于所述喷头与所述腔室主体之间。
20.如权利要求19所述的处理腔室，其中所述隔绝器在所述隔绝器的上部表面包括环状通道，所述环状通道构造成使净化气体流动通过。
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