JP6666717B2 - セラミックス部材 - Google Patents

セラミックス部材 Download PDF

Info

Publication number
JP6666717B2
JP6666717B2 JP2015256440A JP2015256440A JP6666717B2 JP 6666717 B2 JP6666717 B2 JP 6666717B2 JP 2015256440 A JP2015256440 A JP 2015256440A JP 2015256440 A JP2015256440 A JP 2015256440A JP 6666717 B2 JP6666717 B2 JP 6666717B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
supply rod
ceramic
heat transfer
cross
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015256440A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017119593A (ja
Inventor
淳 土田
淳 土田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Spark Plug Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP2015256440A priority Critical patent/JP6666717B2/ja
Priority to KR1020187003073A priority patent/KR102103705B1/ko
Priority to PCT/JP2016/085366 priority patent/WO2017115599A1/ja
Priority to US15/736,172 priority patent/US10880955B2/en
Priority to TW105142597A priority patent/TWI643832B/zh
Publication of JP2017119593A publication Critical patent/JP2017119593A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6666717B2 publication Critical patent/JP6666717B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/26—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base
    • H05B3/265—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base the insulating base being an inorganic material, e.g. ceramic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
    • C04B37/026—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of metals or metal salts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02—Details
    • H05B3/06—Heater elements structurally combined with coupling elements or holders
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
    • H05B3/283—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/122—Metallic interlayers based on refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/125—Metallic interlayers based on noble metals, e.g. silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/366—Aluminium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/403—Refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/84—Joining of a first substrate with a second substrate at least partially inside the first substrate, where the bonding area is at the inside of the first substrate, e.g. one tube inside another tube
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/013—Heaters using resistive films or coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/016—Heaters using particular connecting means

Description

本発明は、セラミックス部材、特に給電ロッドを備えたセラミックス部材に関する。
静電チャック及びＲＦサセプタなどの半導体製造装置などで用いられるセラッミクス部材には、その内部に埋設されるヒータ又は電極などに電圧を印加するために給電ロッドを設ける必要がある。
このようなセラミックス部材は、表面上に載置されるＳｉウェハの温度を均一にするなどのために、ヒータ又は電極の配置などが工夫されている。
従来、給電ロッドは、導電性の優れた金属からなる中実の丸棒部材であり、セラッミクス部材内に埋設されたヒータ又は電極を構成する薄い金属体の下面に、ロウ付けなどで固定されていた。
特許文献１には、シャフトが接合されたセラミックス部材（ウェハ保持体）において、給電ロッド（電極）から熱が逃げた結果として、セラミックス部材表面に生じる温度分布の不均一を抑制するために、シャフト内における給電ロッドの熱容量をセラミックス部材のシャフトの外周部内に相当する部分の熱容量の１０％以下にすることが記載されている。
特許４１１１０１３号公報
しかしながら、給電ロッドが導電性だけでなく伝熱性にも優れた金属からなる中実部材であるので、セラミックス部材の熱が給電ロッドから逃げる。そのため、給電ロッドの上方に位置する部分のセラミックス部材の温度が局所的に低くなり、セラミックス部材の表面上に載置されるＳｉウェハに不本意な温度むらが生じていた。
また、上記特許文献１に記載のセラミックス部材では、定常状態では一定の温度勾配が形成され、給電ロッド全体としての熱容量の大きさに拘わらず、熱伝導率及び形状などに応じた熱流が発生する。そのため、給電ロッドの直上部分のセラミックス部材表面の温度分布の不均一は左程抑制されない。
そこで、本発明は、セラミックス部材の温度の局所的な低下の抑制を図ることが可能な、給電ロッドを備えたセラミックス部材を提供することを目的とする。
本発明のセラミックス部材は、基板が載置される表面を有するセラミックス基体と、前記セラミックス基体内に位置する金属体と、前記金属体に、長手方向の先端部が電気的に接続された導電性材料からなり前記セラミックス基体の裏面側に設けられた穴に配置された給電ロッドとを備え、前記給電ロッドは、前記長手方向と直交する断面において、後端部の熱伝導率をｋ１、当該後端部の断面積をＡ１として、熱伝導率ｋ２及び断面積Ａ２が、式ｋ２・Ａ２＜ｋ１・Ａ１の関係を満たす伝熱抑制部を有し、前記伝熱抑制部は中空部を有し、前記中空部は前記給電ロッドの先端部と後端部との中間部に設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、上記特許文献１に記載のように、給電ロッド全体に亘って（熱伝導率ｋ）×（断面積Ａ）が後端部における（熱伝導率ｋ１）×（断面積Ａ１）と同じである場合に比較して、伝熱抑制部において（熱伝導率ｋ２）×（断面積Ａ２）の値が小さくなる。
これにより、セラミックス基体から給電ロッドを介して逃げる熱が少なくなり、給電ロッド上方の局所部分においてセラミックス基体の温度低下の抑制を図ることが可能となる。よって、セラミックス基体に載置されるＳｉウェハなどが局所的な温度低下の抑制を図ることが可能となる。
本発明において、前記伝熱抑制部は、密閉された前記中空部を有することが好ましい。
この場合、中空部の内の空気は外部と連通していないので、この空気によって熱が外部に逃げることを防止することが可能である。よって、セラミックス基体に載置されるＳｉウェハなどが局所的な温度低下のさらなる抑制を図ることが可能となる。
なお、中空部内の気圧は０気圧に近いほど好ましい。この場合、真空断熱により、さらに、セラミックス基体に載置されるＳｉウェハなどが局所的な温度低下の抑制を図ることが可能となる。
しかし、中空部で存在すると中実である場合と比較して導電性が劣る。
そこで、本発明において、前記伝熱抑制部は、中空部を有し、前記中空部内に周りの部分の材質より熱伝導率が低い熱伝導率を有する材質からなる部材が配置されている。
これにより、中空部に配置された部材によって、熱の逃げを抑制すると共に、導電性の向上を図ることが可能となる。
本発明の実施形態に係るセラミックス部材の断面図。 本発明の他の実施形態に係るセラミックス部材の伝熱抑制部の断面図。 本発明の別の実施形態に係るセラミックス部材の伝熱抑制部の正面図。 本発明の別の実施形態に係るセラミックス部材の伝熱抑制部の断面図。 本発明の別の実施形態に係るセラミックス部材の伝熱抑制部の断面図。 本発明の別の実施形態に係るセラミックス部材の伝熱抑制部の断面図。
本発明の参考形態に係るセラミックス部材１００について説明する。
図１に示すように、セラミックス部材１００は、セラミックス基体１０、金属体２０、給電ロッド３０及びシャフト４０を備えている。セラミックス部材１００は、ここでは、金属体２０が電極として機能し、この電極に給電ロッド３０から電圧が印加されることによって発生するクーロン力により、基体１０の表面に基板を吸引する静電チャックである。
ただし、セラミックス部材１００は、金属体２０が発熱抵抗体（ヒータ）として機能し、このヒータに給電ロッド３０から電圧が印加されることによって発生する熱により、セラミックス基体１０の表面上に載置される基板Ａを加熱するヒータであってもよい。
また、セラミックス部材１００は、表面に近い金属体２０が電極として機能し、表面から離れた金属体２０が抵抗発熱体として機能するヒータ機能付きの静電チャックであってもよい。この場合、両方の金属体２０に接続された給電ロッド３０が後述する伝熱抑制部３３を有するものであってもよいが、表面に近い金属体２０に接続された給電ロッド３０だけが伝熱抑制部３３を有するものであってもよい。
セラミックス部材１００は、セラミックス基体１０に金属体２０が埋設されており、この金属体２０の裏面に、給電ロッド３０の長手方向の先端部３１が接続されている。そして、給電ロッド３０の長手方向の後端部３２は、セラミックス基体１０の裏面から突出した構成となっている。給電ロッド３０の長手方向の後端部３２は、図示しない外部電源に接続されている。
なお、セラミックス基体１０の表面の上に、保護層などが形成されていてもよい。また、セラミックス基体１０内に、冷却構造を設けてもよい。
セラミックス基体１０は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又はイットリア（Ｙ２Ｏ３）等のセラミックス焼結体などからなっている。ただし、セラミックス基体１０は、静電チャック又はヒータの基体の材料として使用される素材からなるものであればよい。
セラミックス基体１０は、例えば高純度（例えば純度９９．９％以上）の窒化アルミニウム粉末、必要に応じてこれに適量の酸化イットリウム粉末などの焼結助剤が添加された混合原料粉末を成形した成形体をホットプレス焼結することにより形成されたセラミックス焼結体から構成されている。
そして、セラミックス焼結体の間に金属体２０を挟んでホットプレスすることにより、メッシュ金属や金属箔からなる金属体２０をセラミックス基体１０の中に埋め込んでいる。ただし、埋め込みの方法は、これに限定されない。例えば、金属体２０の材料となる金属粉末を前記混合原料に間に挟み込んで、全体をホットプレスしてもよい。また、セラミックス焼結体の接合面に凹部を形成して金属体２０を埋め込む、その後、セラミックス焼結体同士を接合材で接合してもよい。
金属体２０は、タングステン、モリブデン、これら合金、白金、チタンなどの金属からなり、薄板、薄膜、メッシュ状、線状などのものである。
セラミックス基体１０には、裏面側に円柱状の穴１１が、金属体２０の裏面に達するように、研削加工によって形成されている。
給電ロッド３０は、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）などの耐熱性、耐酸性及び導電性の優れた金属から形成されている。そして、給電ロッド３０の長手方向の先端部３１は、その先端面が金属体２０の裏面と接触した状態で固定され、これらの電気的な接続により給電が図られ、給電ロッド３０の先端面の周りにおいて機械的な接続が行われる。
そして、給電ロッド３０、複数本の給電ロッド３０が存在する場合はその全ての外方を取り囲むようにして、例えば円筒形状のシャフト４０が、セラミックス基体１０の裏面に、ロウ付けなどによって固定されている。
給電ロッド３０には、その長手方向の一部に、長手方向に直交する断面において、後端部３２の（熱伝導率ｋ１）×（断面積Ａ１）と比較して（熱伝導率ｋ２）×（断面積Ａ２）が小さな伝熱抑制部３３を有している。
ここでは、給電ロッド３０は、全体として細長い円柱形状の外観に形成されている。そして、給電ロッド３０は、全て同一の材質からなり全ての部分で熱伝導率ｋは同じであるが、ここでは、先端部３１に、後端部３２の断面積Ａ１より小さな断面積Ａ２を有する部分を伝熱抑制部３３として備えている。
例えば、伝熱抑制部３３は、円管状となっており、その断面積Ａ２が後端部３２の断面積Ａ１より中空の部分の断面積だけ小さくなっている。また、図２に示すように、伝熱抑制部３３は、後端部３２と比較して小さな直径を有する円形断面を有していてもよい。
円管状の伝熱抑制部３３は、全体として給電ロッド３０となる円柱状の部材の一部を加工して形成したものであってもよい。また、円管状の伝熱抑制部３３が円管状の部材からなり、給電ロッド３０の他の部分を構成する中実部材とロウ付けなどで固定されたものであってもよい。ロウ材は、例えば、銀ロウ、金ロウ、ニッケルロウ等の貴金属ロウであり、また、セラミックス部材と接合する場合には、チタン、ジルコニウム（Ｚｒ）等の活性金属をロウ材に添加してもよい。
伝熱抑制部３３が、給電ロッド３０の先端部に位置する場合には、特に、金属体２０に給電するための要求される特性に応じた断面積Ａ２を確保する必要がある。例えば、金属体２０をヒータとして使用する場合、これに給電する電流容量にあわせた断面積Ａ２を確保する必要がある。
伝熱抑制部３３は、その他、後端部３２の断面積Ａ１と比較して小さな断面積Ａ２を有するものであれば、その形状は限定されない。例えば、給電ロッド３０の先端部３１、後端部３２及び伝熱抑制部３３の断面は、楕円形、三角形、四角形などの多角形、星形など凹部を有する形状などであってもよい。
また、伝熱抑制部３３は、後端部３２と比較してその断面が、中空を有するもの及び相似形のものに限定されない。例えば、図３に示すように、後端部３２の断面が円形で、伝熱抑制部３３の断面が六角形など、断面形状が非相似形であってもよい。また、伝熱抑制部３３は、図４に示すように、切欠き、窪み、側面に連通する１個又は複数個の穴又はスリッドなどが形成されたものであってもよい。
また、伝熱抑制部３３は、複数存在していてもよく、各伝熱抑制部３３及び１つの伝熱抑制部３３において断面積Ａ２が相違していてもよい。
さらに、伝熱抑制部３３は、後端部３２の断面積Ａ１と断面積Ａ２が同じあってもよく、この場合、後端部３２の熱伝導率ｋ１と比較して小さな熱伝導率ｋ２を有する材質から構成されてもよい。例えば、図５に示すように、伝熱抑制部３３は、アルミナ、シリカ（ＳｉＯ２）、マグネシア（ＭｇＯ）などの断熱材３４を中空部分に埋め込んだものであってもよい。この場合、例えば、給電ロッド３０を上半分と下半分とに分割して、これらの凹部に断熱材３４を埋め込んだ後に、螺合、接合などで接合すればよい。
さらに、図６に示すように、給電ロッド３０の先端に、後端部３２の熱伝導率ｋ１と比較して小さな熱伝導率ｋ２を有する材質からなる伝熱抑制部３３をろう付け、溶接、接着などで固定したものであってもよい。ただし、この場合、給電ロッド３０は優れた導電性を有することが望ましいので、伝熱抑制部３３の材質は、チタン、ニッケルなどの材質を主成分とするものからなるものとする必要がある。
さらに、もちろん、伝熱抑制部３３の熱伝導率ｋ２が後端部３２の熱伝導率ｋ１より小さく、且つ、伝熱抑制部３３の断面積Ａ２が後端部３２の断面積Ａ１より小さくてもよい。
以上のような伝熱抑制部３３を設けることにより、上記特許文献１に記載のように、給電ロッド３０全体に亘って（熱伝導率ｋ）×（断面積Ａ）が後端部３２における（熱伝導率ｋ１）×（断面積Ａ１）と同じである場合に比較して、伝熱抑制部３３において（熱伝導率ｋ２）×（断面積Ａ２）の値が小さくなる。
これにより、セラミックス基体１０から給電ロッド３０を介して逃げる熱が少なくなり、給電ロッド３０上方の局所部分におけるセラミックス基体１０の温度低下の抑制を図ることが可能となる。よって、セラミックス部材１００に載置されるＳｉウェハなどの局所的な温度低下の抑制も図かることが可能となる。
そして、図１に示すように、伝熱抑制部３３が密閉された中空部を有する場合、中空部の内の空気は外部と連通していないので、この空気によって熱が外部に逃げることを防止することが可能である。よって、セラミックス部材１００に載置されるＳｉウェハなどが局所的な温度低下のさらなる抑制を図ることが可能となる。
なお、中空部内の気圧は０気圧に近いほど好ましい。この場合、真空断熱により、さらに、セラミックス部材１００に載置されるＳｉウェハなどが局所的な温度低下の抑制を図ることが可能となる。中空構造は、一般的な真空炉において減圧下で２つの金属部材をロウ接合することによって製作することができる。
ところで、ヒータ電流は昇温時においては大電流を必要とする。しかし、中空部が存在すると中実である場合と比較して、給電ロッド３０の導電性が劣る。そこで、図５に示すように、伝熱抑制部３３が中空部を有する場合、この中空部内に周りの部分の材質より熱伝導率ｋが低い熱伝導率を有する材質からなる断熱材３４を配置する。これにより、中空部に配置された断熱材３４を導電率の優れた材質からなるものとすることによって、熱の逃げを抑制すると共に、導電性の向上を図ることが可能となる。
なお、金属体２０に給電ロッド３０の先端部３１が直接接続されている場合について説明したが、これに限定されない。例えば、金属体２０に端子が接続されており、この端子に給電ロッド３０の先端部３１が接続されているものであってもよい。この場合、端子と給電ロッド３０の先端部３１は、螺合などで接合すればよいが、その接合方法は限定されず、例えば、螺合、接合剤などで接合すればよい。
給電ロッド３０の先端部３１に伝熱抑制部３３が備わる場合について説明したが、伝熱抑制部３３は、給電ロッド３０の先端部３１と後端部３２との間の中間部に備わっている。さらに、伝熱抑制部３３は複数であってもよい。
（参考例１）
セラミックス基体１０の原材料として、窒化アルミニウム粉末に酸化イットリウム粉末を３重量％添加してなる混合原料粉末を用意した。金属体２０として、線径０．１ｍｍのモリブデンからなるワイヤをメッシュサイズ（１インチ当たりのワイヤ本数）が＃５０で平織りからなるメッシュからなるものを用意した。
前記混合原料材料に前記金属体２０を埋め込み、これを成形した成形体をホットプレス焼結し、直径２９６ｍｍ、厚み２０ｍｍの円盤状のセラミックス焼結体からなるセラミックス基体１０を作製した。
シャフト４０として、外径５０ｍｍ、内径４２ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形状であり、窒化アルミニウム焼結体からなるものを用意した。ただし、このシャフト４０は、セラミックス基体１０との接合部でフランジ部の形状は、外径７０ｍｍ、内径φ４２ｍｍ、フランジ部厚み１０ｍｍであった。
給電ロッドとして、ニッケルからなり外径６．０ｍｍ、長さ３５０ｍｍの円柱状部材のものを用意した。
そして、この給電ロッドの先端面を金属体２０の裏面に金、銅、チタンからなるロウ材でロウ付けした。これにより、セラミックス部材を完成させた。
ニッケルの熱伝導率ｋは８８Ｗ／ｍＫであるので、給電ロッドの（熱伝導率ｋ）×（断面積Ａ）は２．５×１０−３（Ｗｍ／Ｋ）である。
セラミックス部材を真空チャンバーに配置し、セラミックス基体１０の表面温度が５００℃になるように電力を給電ロッドより供給した。
セラミックス基体１０の上面の上方に赤外線透過ビューポートを介して赤外線カメラでヒータの表面の温度分布を測定した。給電ロッド直上のセラミックス基体１０の表面に周りより温度が低い領域でクールスポットが観測された。クールスポットの温度は周りの表面温度に比べ３．０℃低かった。
（参考例２）
給電ロッドの材質をチタンとしたことを除いて、参考例１と全て同じにして、セラミックス部材を作製した。
チタンの熱伝導率ｋは１６Ｗ／ｍＫであるので、給電ロッドの（熱伝導率ｋ）×（断面積Ａ）は４．５×１０−４（Ｗｍ／Ｋ）である。
参考例１と同様にセラミックス基体１０の表面を測定したところ、セラミックス基体１０の表面にクールスポットが観測された。クールスポットの温度は周りの表面温度に比べ１．７℃低かった。
（実施例１）
給電ロッド３０として、ニッケルからなり外径６．０ｍｍ、長さ３００ｍｍの円柱状部材と、ニッケルからなり外径６．０ｍｍ、肉厚０．４ｍｍ、長さ５０ｍｍの円管状部材とを、外周面を面一となるように、金、銅、チタンからなるロウ材でロウ付けして固定した。
この給電ロッド３０において、円柱状部材からなる部分が後端部３２などの伝熱抑制部３３以外の部分を構成し、円管状部材からなる部分が伝熱抑制部３３且つ先端部３１を構成している。
そして、給電ロッド３０の先端部３１の先端面を金属体２０の裏面に金、銅、チタンからなるロウ材でロウ付けした。これにより、セラミックス部材１００を完成させた。
ニッケルの熱伝導率ｋは８８Ｗ／ｍＫであるので、後端部３２などにおける（熱伝導率ｋ１）×（断面積Ａ１）は２．５×１０−３の（Ｗｍ／Ｋ）であり、伝熱抑制部３３において（熱伝導率ｋ２）×（断面積Ａ２）は６．２×１０−４（Ｗｍ／Ｋ）である。
参考例１と同様にセラミックス基体１０の表面を測定したところ、セラミックス基体１０の表面にクールスポットが観測された。クールスポットの温度は周りの表面温度に比べ１．５℃しか低くなっておらず、実施例１と比較して給電ロッド３０によるクールスポットは低減されたことが分った。
（実施例２）
給電ロッド３０の材質をチタンとしたことを除いて、実施例１と全て同じとした。
チタンの熱伝導率ｋは１６Ｗ／ｍＫであるので、後端部３２などにおける（熱伝導率ｋ１）×（断面積Ａ１）は４．５×１０−４の（Ｗｍ／Ｋ）であり、伝熱抑制部３３において（熱伝導率ｋ２）×（断面積Ａ２）は１．１×１０−４（Ｗｍ／Ｋ）である。
参考例１と同様にセラミックス基体１０の表面を測定したところ、セラミックス基体１０の表面にクールスポットが観測された。クールスポットの温度は周りの表面温度に比べ０．５℃しか低くなっておらず、実施例２と比較して給電ロッド３０によるクールスポットが低減されたことが分った。
（実施例３）
給電ロッド３０として、ニッケルからなり外径６．０ｍｍ、長さ３００ｍｍの円柱状部材と、ニッケルからなり外径１．５ｍｍ、長さ５０ｍｍの円柱状部材とを、中心軸が一致するように、金、銅、チタンからなるロウ材でロウ付けして固定した。
この給電ロッド３０において、太い円柱状部材からなる部分が後端部３２などの伝熱抑制部３３以外の部分を構成し、細い円柱状部材からなる部分が伝熱抑制部３３且つ先端部３１を構成している。
そして、給電ロッド３０の先端部３１の先端面を金属体２０の裏面に金、銅、チタンからなるロウ材でロウ付けした。
ニッケルの熱伝導率ｋは８８Ｗ／ｍＫであるので、後端部３２などにおける（熱伝導率ｋ１）×（断面積Ａ１）は２．５×１０−３の（Ｗｍ／Ｋ）であり、伝熱抑制部３３において（熱伝導率ｋ２）×（断面積Ａ２）は１．６×１０−４（Ｗｍ／Ｋ）である。
参考例１と同様にセラミックス基体１０の表面を測定したところ、セラミックス基体１０の表面にクールスポットが観測された。クールスポットの温度は周りの表面温度に比べ０．８℃しか低くなっておらず、実施例１と比較して給電ロッド３０によるクールスポットが低減されたことが分った。
（実施例４）
給電ロッド３０の材質をチタンとしたことを除いて、実施例３と全て同じとした。
チタンの熱伝導率ｋは１６Ｗ／ｍＫであるので、後端部３２などにおける（熱伝導率ｋ１）×（断面積Ａ１）は４．５×１０−４の（Ｗｍ／Ｋ）であり、伝熱抑制部３３において（熱伝導率ｋ２）×（断面積Ａ２）は２．８×１０−５（Ｗｍ／Ｋ）である。
参考例１と同様にセラミックス基体１０の表面を測定したところ、セラミックス基体１０の表面にクールスポットが観測された。クールスポットの温度は周りの表面温度に比べ０．４℃しか低くなっておらず、実施例２と比較して給電ロッド３０によるクールスポットが低減されたことが分った。
（実施例５）
給電ロッド３０として、ニッケルからなり外径６．０ｍｍ、長さ３００ｍｍの円柱状部材と、ニッケルからなり１辺１．５ｍｍ、長さ５０ｍｍの正四角柱状部材とを、中心軸が一致するように、金、銅、チタンからなるロウ材でロウ付けして固定した。
この給電ロッド３０において、太い円柱状部材からなる部分が後端部３２などの伝熱抑制部３３以外の部分を構成し、細い円柱状部材からなる部分が伝熱抑制部３３且つ先端部３１を構成している。
そして、給電ロッド３０の先端部３１の先端面を金属体２０の裏面に金、銅、チタンからなるロウ材でロウ付けした。
ニッケルの熱伝導率ｋは８８Ｗ／ｍＫであるので、後端部３２などにおける（熱伝導率ｋ１）×（断面積Ａ１）は２．５×１０−３の（Ｗｍ／Ｋ）であり、伝熱抑制部３３において（熱伝導率ｋ２）×（断面積Ａ２）は２．０×１０−４（Ｗｍ／Ｋ）である。
参考例１と同様にセラミックス基体１０の表面を測定したところ、セラミックス基体１０の表面にクールスポットが観測された。クールスポットの温度は周りの表面温度に比べ１．２℃しか低くなっておらず、実施例１と比較して給電ロッド３０によるクールスポットが低減されたことが分った。
（実施例６）
給電ロッド３０の材質をチタンとしたことを除いて、実施例３と全て同じとした。
チタンの熱伝導率ｋは１６Ｗ／ｍＫであるので、後端部３２などにおける（熱伝導率ｋ１）×（断面積Ａ１）は４．５×１０−４の（Ｗｍ／Ｋ）であり、伝熱抑制部３３において（熱伝導率ｋ２）×（断面積Ａ２）は３．６×１０−５（Ｗｍ／Ｋ）である。
参考例１と同様にセラミックス基体１０の表面を測定したところ、セラミックス基体１０の表面にクールスポットが観測された。クールスポットの温度は周りの表面温度に比べ０．４℃しか低くなっておらず、実施例１と比較して給電ロッド３０によるクールスポットが低減されたことが分った。。
実施例１〜６の結果を表１にまとめた。
セラミックス基体…１０、 １１…穴、 ２０…金属体、 ３０…給電ロッド、 ３１…先端部、 ３２…後端部、 ３３…伝熱抑制部、 ３４…断熱材、 ４０…シャフト、１００…セラミックス部材。

Claims (3)

  1. 基板が載置される表面を有するセラミックス基体と、
    前記セラミックス基体内に位置する金属体と、
    前記金属体に、長手方向の先端部が電気的に接続された導電性材料からなり前記セラミックス基体の裏面側に設けられた穴に配置された給電ロッドとを備え、
    前記給電ロッドは、前記長手方向と直交する断面において、後端部の熱伝導率をｋ１、当該後端部の断面積をＡ１として、熱伝導率ｋ２及び断面積Ａ２が、式ｋ２・Ａ２＜ｋ１・Ａ１の関係を満たす伝熱抑制部を有し、
    前記伝熱抑制部は中空部を有し、前記中空部は前記給電ロッドの先端部と後端部との中間部に設けられ、
    前記中空部内に前記給電ロッドの後端部より熱伝導率が低い材質からなる部材が配置されていることを特徴とするセラミックス部材。
  2. 請求項１に記載のセラミックス部材であって、
    前記伝熱抑制部は、密閉された前記中空部を有することを特徴とするセラミックス部材。
  3. 請求項１に記載のセラミックス部材であって、
    前記中空部内に配置された部材は、アルミナ、シリカ又はマグネシアからなることを特徴とするセラミックス部材。
JP2015256440A 2015-12-28 2015-12-28 セラミックス部材 Active JP6666717B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015256440A JP6666717B2 (ja) 2015-12-28 2015-12-28 セラミックス部材
KR1020187003073A KR102103705B1 (ko) 2015-12-28 2016-11-29 세라믹스 부재
PCT/JP2016/085366 WO2017115599A1 (ja) 2015-12-28 2016-11-29 セラミックス部材
US15/736,172 US10880955B2 (en) 2015-12-28 2016-11-29 Ceramic member
TW105142597A TWI643832B (zh) 2015-12-28 2016-12-22 陶瓷構件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015256440A JP6666717B2 (ja) 2015-12-28 2015-12-28 セラミックス部材

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017119593A JP2017119593A (ja) 2017-07-06
JP6666717B2 true JP6666717B2 (ja) 2020-03-18

Family

ID=59224866

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015256440A Active JP6666717B2 (ja) 2015-12-28 2015-12-28 セラミックス部材

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10880955B2 (ja)
JP (1) JP6666717B2 (ja)
KR (1) KR102103705B1 (ja)
TW (1) TWI643832B (ja)
WO (1) WO2017115599A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7027219B2 (ja) * 2018-03-28 2022-03-01 京セラ株式会社 試料保持具
US11472748B2 (en) * 2018-06-28 2022-10-18 Kyocera Corporation Manufacturing method for a member for a semiconductor manufacturing device and member for a semiconductor manufacturing device
KR102608957B1 (ko) * 2018-08-27 2023-12-01 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
JP7339753B2 (ja) * 2019-03-22 2023-09-06 京セラ株式会社 ウエハ載置構造体、ウエハ載置構造体を用いたウエハ載置装置及び基体構造体
JP7400179B2 (ja) * 2019-07-31 2023-12-19 日本特殊陶業株式会社 半導体製造装置用セラミックス構造体およびその製造方法
KR102472864B1 (ko) * 2019-08-06 2022-12-02 주식회사 미코세라믹스 정전척 히터 및 그 제조방법
JP7129587B1 (ja) * 2021-04-01 2022-09-01 日本碍子株式会社 ウエハ支持台及びｒｆロッド
WO2022209619A1 (ja) * 2021-04-01 2022-10-06 日本碍子株式会社 ウエハ支持台及びｒｆロッド

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3274030A (en) * 1963-07-02 1966-09-20 Robert E Salomon Photocell with cooling means and method of using same
JP3776499B2 (ja) * 1996-02-29 2006-05-17 日本碍子株式会社 金属部材とセラミックス部材との接合構造およびその製造方法
JP3746594B2 (ja) * 1997-06-20 2006-02-15 日本碍子株式会社 セラミックスの接合構造およびその製造方法
JP3792440B2 (ja) * 1999-06-25 2006-07-05 日本碍子株式会社 異種部材の接合方法、および同接合方法により接合された複合部材
JP3859914B2 (ja) * 1999-10-08 2006-12-20 東芝セラミックス株式会社 金属端子を有するセラミック−金属複合部品、及びその製造方法
JP4310563B2 (ja) * 1999-12-10 2009-08-12 株式会社村田製作所 ヒータ及び該ヒータの端子部構造
JP4122723B2 (ja) * 2001-04-13 2008-07-23 住友電気工業株式会社 被処理物保持体
JP4111013B2 (ja) 2003-03-11 2008-07-02 住友電気工業株式会社 半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置
US20080060576A1 (en) 2003-06-27 2008-03-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Wafer Holder for Semiconductor Manufacturing Device and Semiconductor Manufacturing Device in Which It Is Installed
JP2005317749A (ja) 2004-04-28 2005-11-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用保持体及びそれを搭載した半導体製造装置
JP4467453B2 (ja) * 2004-09-30 2010-05-26 日本碍子株式会社 セラミックス部材及びその製造方法
JP2006302887A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Ngk Insulators Ltd 給電部材及び加熱装置
JP5476949B2 (ja) 2009-11-30 2014-04-23 コニカミノルタ株式会社 インクジェットヘッド
JP5968651B2 (ja) * 2011-03-31 2016-08-10 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材
KR102329588B1 (ko) * 2014-03-07 2021-11-22 엔지케이 인슐레이터 엘티디 접합체의 제조 방법
JP6921532B2 (ja) 2014-03-07 2021-08-18 日本碍子株式会社 接合体の製造方法及び接合体
CN106463452A (zh) * 2014-06-27 2017-02-22 日本碍子株式会社 接合结构体

Also Published As

Publication number Publication date
US20180310362A1 (en) 2018-10-25
WO2017115599A1 (ja) 2017-07-06
JP2017119593A (ja) 2017-07-06
US10880955B2 (en) 2020-12-29
KR102103705B1 (ko) 2020-04-23
TWI643832B (zh) 2018-12-11
TW201733963A (zh) 2017-10-01
KR20180023987A (ko) 2018-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6666717B2 (ja) セラミックス部材
JP4421595B2 (ja) 加熱装置
US11004715B2 (en) Substrate supporting device
JP5117146B2 (ja) 加熱装置
JP4672597B2 (ja) 基板処理装置
US10840117B2 (en) Holding apparatus
US20080142501A1 (en) Heating device
US11043401B2 (en) Ceramic member
JP2018005999A (ja) セラミックスヒータ
US10679873B2 (en) Ceramic heater
CN113039863B (zh) 静电卡盘加热器
JP2005197391A (ja) プラズマ発生装置用電極埋設部材
JP2018005998A (ja) セラミックスヒータ
JP2005032842A (ja) 電極構造およびセラミック接合体
JP3568194B2 (ja) 半導体熱処理用セラミックヒーター
JP2009004472A (ja) 積層型ヒーターユニット
JP2005026082A (ja) セラミックヒータ
JP2005026585A (ja) セラミック接合体
JP2018006393A (ja) 保持装置
JP2022153882A (ja) セラミックスヒータ及びセラミックスヒータの製造方法
JP2016103345A (ja) 接続構造体およびそれを備えたヒータ
JP6693811B2 (ja) ヒータ
JPH04129189A (ja) セラミックヒータ
TW202335534A (zh) 基板保持構件
TW202333267A (zh) 基板保持構件及基板保持構件的製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180509

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190507

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190705

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20191015

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191223

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20200106

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200128

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200221

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6666717

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250