CN106463452A - 接合结构体 - Google Patents

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Abstract

陶瓷加热器(10)具备陶瓷构件(12)、加热元件(14)、连接构件(16)以及外部通电构件(18)。连接构件(16)是按照从陶瓷构件(12)中的孔(12c)的底面到达加热元件(14)的方式埋设的圆柱状的金属构件。连接构件(16)的直径D为3.5～5mm，与加热元件(14)相接的圆形面与圆柱侧面的角部分(16b)的曲率半径R为0.3～1.5mm，比率R/D为0.09～0.30。外部通电构件(18)介由接合层(20)而与连接构件(16)接合。根据该陶瓷加热器(10)，能够在与以往相比提高接合强度的同时，降低陶瓷构件(12)破损的风险。

Description

接合结构体
技术领域
本发明涉及接合结构体。
背景技术
作为陶瓷构件与金属构件的接合结构体，已知例如专利文献1中记载的接合结构体。在专利文献1中，作为这样的接合结构体，公开了图5中所示的陶瓷加热器210。陶瓷加热器210具备陶瓷构件212、连接构件216、外部通电构件218以及引导构件222。陶瓷构件212是内置加热元件214的圆板状的构件。连接构件216是按照从陶瓷构件212的有底筒状的孔212c的底面到达加热元件214的方式埋设的金属制的圆柱构件。外部通电构件218是介由接合层220而与连接构件216中露出于孔212c底面的面接合的金属制构件，用于向加热元件214进行供电。引导构件222是将外部通电构件218中连接构件侧的外周面包围的圆筒构件。该引导构件222中，面向外部通电构件218的凸缘的端面介由接合层224与凸缘接合，面向孔212c的底面的端面介由接合层220与外部通电构件218、连接构件216接合。外部通电构件218中连接构件侧的外周面通过引导构件222而与氧化性气氛隔离。说明了在该陶瓷加热器210中，连接构件216与外部通电构件218的接合强度高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第3790000号公报
发明内容
发明想要解决的课题
近年来，人们期望一种与上述的陶瓷加热器210相比接合强度进一步高的陶瓷加热器。为了进一步提高接合强度，可考虑增大连接构件216的直径。然而，在该情况下，出现在陶瓷构件212容易产生裂纹这样的问题。即，当在高温中使用陶瓷加热器210时，热应力集中在连接构件216中与加热元件214相接的面的角部分，若连接构件216的直径大则热应力变大，有可能从该角部分向陶瓷构件212产生裂纹而破损。或者，在烧成、接合这样的陶瓷制造工序中，若连接构件216的直径大则热应力变大，也有可能从连接构件216的角部分向陶瓷构件212产生裂纹。
本发明为了解决这样的课题而完成，其主要目的在于，在接合结构体中，在更加提高接合强度的同时，降低陶瓷构件破损的风险。
用于解决问题的方案
本发明的第1接合结构体是具备如下构件的接合结构体，即，具备：
具备晶片载置面的陶瓷构件，
埋设于前述陶瓷构件中且形状与前述晶片载置面相符的埋设电极，
按照从前述陶瓷构件中与前述晶片载置面相反一侧的面到达前述埋设电极的方式埋设的金属制的连接构件，以及
介由接合层而与前述连接构件中露出于外部的面接合的金属制的外部通电构件；
前述连接构件是圆柱构件，直径D为3.5～5mm，与前述埋设电极相接的圆形面与圆柱侧面的角部分的曲率半径R为0.3～1.5mm，比率R/D为0.09以上。
根据该接合结构体，能够在与以往相比提高接合强度的同时，降低陶瓷构件破损的风险。即，以往的连接构件的直径D为3mm左右，而相对于此，在本发明中将直径D设定为3.5～5mm，因而连接构件与外部通电构件的接合面积变大，接合强度变高。另一方面，若使直径D增大，则容易从连接构件中与埋设电极相接的面与圆柱侧面的角部分朝向陶瓷构件产生裂纹，但由于将该角部分的曲率半径R设为0.3～1.5mm，将比率R/D设为0.09以上，因而能够防止这样的裂纹的产生，进而能够降低陶瓷构件破损的风险。予以说明的是，虽然也可以使比率R/D大于0.3，但裂纹防止效果不会更进一步提高，反而会使连接构件与埋设电极的接触面积变小。因此，比率R/D优选为0.3以下。
本发明的第2接合结构体是具备如下构件的接合结构体，即，具备：
具备晶片载置面的陶瓷构件，
埋设于前述陶瓷构件且形状与前述晶片载置面相符的埋设电极，
按照从前述陶瓷构件中与前述晶片载置面相反一侧的面到达前述埋设电极的方式埋设的金属制的连接构件，以及
介由接合层而与前述连接构件中露出于外部的面接合的金属制的外部通电构件；
前述连接构件是圆柱构件，直径D为3.5～5mm，
与前述埋设电极相接的圆形面与圆柱侧面的角部分是具有短径F、长径G的椭圆形状，前述短径F以及前述长径G为0.3～1.5mm，比率F/D以及比率G/D为0.09以上。
根据该接合结构体，能够在与以往相比提高接合强度的同时，降低陶瓷构件破损的风险。即，以往的连接构件的直径D为3mm左右，而相对于此，在本发明中将直径D设定为3.5～5mm，因而连接构件与外部通电构件的接合面积变大，接合强度变高。另一方面，若使直径D增大，则容易从连接构件中与埋设电极相接的面与圆柱侧面的角部分朝向陶瓷构件产生裂纹，但由于将该角部分设为具有短径F、长径G的椭圆形状，并将它们的值设为0.3～1.5mm，将比率F/D以及比率G/D设为0.09以上，因而能够防止这样的裂纹的产生，进而能够降低陶瓷构件破损的风险。予以说明的是，虽然也可使比率F/D以及比率G/D大于0.3，但裂纹防止效果不会更进一步提高，反而使连接构件与埋设电极的接触面积变小。因此，比率F/D以及比率G/D优选为0.3以下。
在本发明的接合结构体中，前述陶瓷构件的材质是氮化铝、氧化铝、碳化硅或氮化硅，前述连接构件的材质优选为Mo、W、Nb、Mo化合物、W化合物或Nb化合物。如果这样设定，则由于陶瓷构件与连接构件的热膨胀系数差很小，因而能够将热应力抑制得小，能够确实地防止在陶瓷构件产生裂纹。例如，陶瓷构件的材质为AlN的情况下，连接构件的材质优选为Mo。陶瓷构件的材质为Al2O3的情况下，连接构件的材质优选为Nb或WC。陶瓷构件的材质为SiC的情况下，连接构件的材质优选为WC。陶瓷构件的材质为Si3N4的情况下，连接构件的材质优选为W或WC。
在本发明的接合结构体中，前述接合层的材质优选为Au、Al、Ag、Au合金、Al合金或Ag合金。如果这样设定，则能够提高接合层的强度。另外，材质为Au或Au合金的情况下，除此之外还能够提高耐氧化性，因此更加优选。
在本发明的接合结构体中，前述外部通电构件具备：介由前述接合层而与前述连接构件接合的第1部、以及介由中间接合部而与该第1部中与前述连接构件的接合面相反一侧的面接合的第2部，前述第1部可以由与前述第2部相比热膨胀系数低且耐氧化性高的金属构成。另外，前述第1部也可为如下构成：其周围被由耐氧化性比该第1部高的金属构成的引导构件所包围，从而不与周围的气氛直接接触。
附图说明
图1是陶瓷加热器10的主要部分的截面图。
图2是陶瓷加热器10的制造工序图。
图3是另一实施方式的主要部分的截面图。
图4是另一实施方式的连接构件16的周围的截面图。
图5是以往的陶瓷加热器210的主要部分的截面图。
具体实施方式
接着，以下说明作为本发明接合结构体的优选的一个实施方式的陶瓷加热器10。图1为陶瓷加热器10的主要部分的截面图。
陶瓷加热器10用于对要进行蚀刻、CVD等的晶片进行加热，设置于未图示的真空腔内。该陶瓷加热器10具备陶瓷构件12、加热元件(相当于本发明的埋设电极)14、连接构件16、外部通电构件18以及引导构件22。
陶瓷构件12形成为圆板状，一面成为用于载置晶片的晶片载置面12a。予以说明的是，在图1中，晶片载置面12a处于下方，但在实际使用陶瓷加热器10时，使晶片载置面12a处于上方。作为该陶瓷构件12的材质，优选为例如氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅等。另外，在陶瓷构件12的与晶片载置面12a相反一侧的面12b，形成有有底筒状的孔12c。陶瓷构件12可设为例如直径150～500mm、厚度0.5～30mm。孔12c可以设为例如直径5～15mm、深度5～25mm。
加热元件14是埋设于陶瓷构件12中的电极，是形状与晶片载置面12a相符的构件，此处为圆形状的金属网状物。作为该加热元件14的材质，优选为例如钨、钼、钽、铂、它们的合金等。金属网状物可以设为例如线径为0.1～1.0mm、每1英寸为10～100根。
连接构件16是按照从陶瓷构件12中孔12c的底面到达加热元件14的方式埋设的圆柱状的金属构件。该连接构件16可使用块体金属，也可使用将金属粉末烧结而得到的构件。作为金属，可使用例如钼、钨、铌，除此之外，还可使用碳化钼等钼化合物、碳化钨等钨化合物、碳化铌等铌化合物等。另外，连接构件16中露出于孔12c底面的露出面16a与孔12c的底面为同一个面。连接构件16的直径D为3.5～5mm，与加热元件14相接的圆形面与圆柱侧面的角部分16b的曲率半径R为0.3～1.5mm，比率R/D为0.09～0.30。予以说明的是，连接构件16的高度可设为例如1～5mm。
外部通电构件18具备：介由接合层20而与连接构件16接合的第1部18a、以及介由中间接合部18c而与该第1部18a中与连接构件16的接合面相反一侧的面接合的第2部18b。关于第2部18b，考虑到在等离子体气氛、腐蚀气体气氛下使用的情况，从而由耐氧化性高的金属构成。然而，耐氧化性高的金属通常热膨胀系数大，因而若直接与陶瓷构件12接合，则因两者的热膨胀差而导致接合强度降低。因此，第2部18b介由第1部18a而接合于陶瓷构件12，所述第1部18a由热膨胀系数与连接构件16的热膨胀系数接近的金属构成。这样的金属的耐氧化性大多不充分。因此，第1部18a为如下构成：其周围被由耐氧化性高的金属构成的引导构件22所包围，从而不与等离子体气氛、腐蚀气体气氛直接接触。作为第2部18b的材质，优选为纯镍、镍基耐热合金、金、铂、银以及它们的合金等。作为第1部18a的材质，优选为钼、钨、钼-钨合金、钨-铜-镍合金、可伐合金(Kovar)等。接合层20通过焊料而接合。作为焊料，优选为金属焊料，优选为例如Au-Ni焊料、Al焊料、Ag焊料等。接合层20将孔12c的底面与第1部18a的端面接合，所述孔12c的底面包含连接构件16的露出面16a。外部通电构件18的中间接合部18c将第1部18a与第2部18b接合，并且填埋引导构件22的内周面与第1部18a的外周面整面或其一部分之间的间隙、引导构件22的内周面与第2部18b的外周面的一部分之间的间隙。因此，第1部18a与周围的气氛的接触通过中间接合部18c而被隔断。予以说明的是，中间接合部18c也可使用与接合层20同样的材质。第1部18a可设为直径3～6mm、高度2～5mm，第2部18b可设为直径3～6mm，任意的高度。
引导构件22是将外部通电构件18中的至少第1部18a的周围包围的圆筒状的构件，由耐氧化性比第1部18a高的材质形成。就该引导构件22而言，其内径比第1部18a以及第2部18b(除了凸缘以外)的外径大，外径比孔12c的直径小，高度比第1部18a的高度高。引导构件22中面向孔12c的底面的端面，介由接合层20而与连接构件16、外部通电构件18以及陶瓷构件12接合。引导构件22的材质可使用作为外部通电构件18的第2部18b的材质而例示的材质。
接着，以下基于图2的制造工序图来说明陶瓷加热器10的制造方法。首先，将陶瓷原料粉末压制成型以使其成为圆板，制作成型体112(参照图2(a))。在该成型体112中，预先埋设好由圆形的金属网状物构成的加热元件14、以及成为连接构件16的金属粉末的圆柱体116。将圆柱体116成型，以使其与加热元件14相接的圆形面的角部分116b、与该圆形面相反一侧的圆形面的角部分116d具有预定的曲率半径。通过利用热压炉或常压炉等而烧成该成型体112，从而圆柱体116经烧结而成为连接构件16，并且成型体112经烧结而成为陶瓷构件12(参照图2(b))。烧成时，圆柱体116的角部分116b、116d具有圆角，因而不会从此处产生裂纹。连接构件16的上下双方的圆形面与圆柱侧面的角部分16b、16d具有曲率半径R。将所获得的陶瓷构件12加工成预定尺寸。
接着，对陶瓷构件12的与晶片载置面12a相反一侧的面12b实施磨削加工而形成有底筒状的孔12c(参照图2(c))。此时，按照孔12c的底面与连接构件16的露出面16a成为同一个面的方式进行加工。由此，将连接构件16的角部分16d去除。
接着，在孔12c的底面铺敷成为接合层20的焊料120，在其上依次堆积外部通电构件18的第1部18a、成为中间接合部18c的焊料118c、引导构件22以及外部通电构件18的第2部18b，从而获得层叠体(参照图2(d))。通过在非氧化性条件下加热该层叠体，将焊料118c、120熔融，并在其后进行固化，从而获得图1中所示的陶瓷加热器10。非氧化性条件是指真空下或非氧化性气氛(例如氩气氛、氮气气氛等非活性气氛)下。
根据以上说明的本实施方式的陶瓷加热器10，能够在与以往相比提高接合强度的同时，降低陶瓷构件12破损的风险。即，以往的连接构件216的直径D为3mm左右，而相对于此，此处由于将直径D设定为3.5～5mm，因而连接构件16与外部通电构件18的接合面积变大，接合强度变高。另一方面，若直径D增大，则容易从连接构件16的角部分16b朝向陶瓷构件12产生裂纹，但由于将该角部分16b的曲率半径R设为0.3～1.5mm，将比率R/D设为0.09以上，因而能够防止这样的裂纹的产生，进而能够降低陶瓷构件破损的风险。予以说明的是，也可使比率R/D大于0.3，但裂纹防止效果不会更进一步提高，反而使连接构件16与加热元件14的接触面积变小，因而不优选。
另外，由于将陶瓷构件12的材质设为氮化铝、氧化铝、碳化硅或氮化硅，将连接构件16的材质设为Mo、W、Nb、Mo化合物、W化合物或Nb化合物，因而陶瓷构件12与连接构件16的热膨胀系数差变得微小，能够将热应力抑制得小，能够确实地防止在陶瓷构件12产生裂纹。
进一步，由于将接合层20的材质设为Au-Ni焊料、Al焊料或Ag焊料，因而能够提高接合层20的强度。
予以说明的是，不言而喻，本发明不受上述实施方式的任何限定，只要属于本发明的技术范围就可以以各种方式实施。
例如，上述实施方式中，作为本发明的接合结构体，例示了陶瓷加热器10，但也可设为静电卡盘，还可设为高频电极用构件。在设为静电卡盘的情况下，可埋设静电电极来替代加热元件14，在设为高频电极用构件的情况下，可埋设高频电极来替代加热元件14。
上述实施方式中，采用了圆形的金属网状物作为加热元件14，但也可采用圆形的金属片材，还可采用螺旋弹簧。在采用螺旋弹簧的情况下，例如，可将螺旋弹簧的一端配置在陶瓷构件12的中央，从此处开始按照一笔画的要领在整面进行配线，然后将另一端配置于一端的附近。
也可在上述实施方式的陶瓷加热器10的与晶片载置面12a相反一侧的面12b上，将材质与陶瓷构件12相同的筒状的轴与陶瓷构件12进行一体化。在该情况下，在轴的中空内部配置外部通电构件18等。为了制造轴，例如，使用金属模具并利用CIP将陶瓷原料粉末成型，在常压炉中在预定温度进行烧成，烧成后，按照成为预定尺寸的方式进行加工即可。另外，为了将轴与陶瓷构件12进行一体化，例如通过使轴的端面与陶瓷构件12的面12b抵接，升温到预定温度，从而将两者接合而进行一体化即可。
上述实施方式中，将连接构件16设为实心的圆柱构件，但也可以如图3所示那样，设为沿着中心轴具备贯通孔的圆柱构件(环状构件)66。环状构件66如下设计：直径(外径)D成为3.5～5mm，与加热元件14相接的面的角部分66b的曲率半径R成为0.3～1.5mm，比率R/D成为0.09～0.30。如果这样设计，则能够获得与上述实施方式同样的效果。予以说明的是，优选按照使环状构件66与外部通电构件18的接合面积(环状部分的面积)比以往的连接构件216与外部通电构件218的接合面积大的方式来确定环状构件66的外径、内径。
在上述实施方式的陶瓷加热器10中，晶片载置面12a可以是平面，也可以加工成模压形状、凹槽(pocket)形状或沟槽形状。
上述实施方式中，没有将外部通电电极构件18的第2部18b的凸缘与引导构件22的端面接合，但也可以如图5中所示的以往例那样，将两者之间的距离缩小而在其间隙设置接合层(例如与接合层20相同的材质)，介由该接合层将两者接合。
上述实施方式中，将连接构件16的角部分16b的曲率半径R设为0.3～1.5mm，将比率R/D设为0.09以上，但也可以如图4所示那样，将角部分16b制成具有短径F、长径G的椭圆形状，将比率F/D以及比率G/D设为0.09以上(优选为0.09～0.3)。在该情况下，也能够获得与上述实施方式同样的效果。予以说明的是，在图4中将短径F设为连接构件16的高度方向(在图4中为上下方向)，将长径G设为连接构件16的宽度方向(在图4中为左右方向)，但也可将短径F设为宽度方向、长径G设为高度方向。
实施例
以下，对本发明的实施例进行说明。予以说明的是，以下的实施例对本发明没有任何限定。
[试验例1～9]
按照图2的制造次序，制造了10种上述陶瓷加热器10的样品(试验例1～9)。首先，在氮化铝粉末中埋设加热元件14与圆柱体116，通过单轴加压成型而制作成型体112。作为加热元件14，使用了钼制的金属网。对于该金属网，使用将直径0.12mm的钼线按照每1英寸为50根的密度进行编织而得到的金属网。作为圆柱体116，使用如下的圆柱体，即按照将粒径1～100μm的钼粉末成型为圆柱状，并使与加热元件14相接的圆形面与圆柱侧面的角部分116b的曲率半径R成为预定的值的方式进行加工而得到的圆柱体。将该成型体112放入模具中，密封于碳膜内，利用热压法进行烧成，从而获得陶瓷构件12。烧成通过在温度1950℃、压力200kgf/cm2下保持2小时来进行。将该陶瓷构件12加工成直径200mm、厚度8mm。
接着，在陶瓷构件12的与晶片载置面12a相反一侧的面12b上，利用加工中心(machining center)形成有底筒状的孔12c。将孔12c设为直径9mm(开口部直径12mm)、深度4.5mm。此时，按照使孔12c的底面与连接构件16的露出面16a成为同一个面的方式进行加工。
接着，在孔12c的底面铺敷包含Au-Ni的焊料120，在其上依次堆积外部通电构件18的第1部18a、包含Au-Ni的焊料118c、镍制(纯度99％以上)的引导构件22以及外部通电构件18的第2部18b，获得层叠体。作为第1部18a，使用可伐合金制且直径为4mm、高度为3mm的材料，作为第2部18b，使用镍制(纯度99％以上)且直径为4mm(凸缘直径8mm)、高度为60mm的材料。对于该层叠体，在非活性气氛下，在960～1000℃加热10分钟，从而获得图1所示的陶瓷加热器10。
将试验例1～9的连接构件16的直径D、角部分的曲率半径R、比率R/D的各值示于表1。予以说明的是，连接构件16的高度一律设为3mm。对于试验例1～9，进行了以下评价试验。将其结果示于表1。
(拉伸断裂强度的测定)
在室温下，固定陶瓷构件12，把持外部通电构件18的凸缘并垂直地向上拉拽，测定连接构件16与外部通电构件18的接合发生断裂时的载荷，将该载荷设为拉伸断裂强度。在测定中，使用了拉伸强度试验机(岛津制作所制，Autograph)。
(有无制造时的破损)
在刚刚使成型体112烧结而制造陶瓷构件12之后，调查陶瓷构件12中是否产生了裂纹，将产生了裂纹的情况判定为有制造时的破损。
(有无陶瓷破损)
在真空下，将陶瓷加热器10加热至700℃之后，降温至室温，调查在该状态下陶瓷构件12中是否产生了裂纹，将产生了裂纹的情况判定为有陶瓷破损。另外，因陶瓷构件12的材质(AlN)与连接构件16的材质(Mo)的热膨胀系数的微小的差异而产生热应力，但由于该热应力容易集中于角部分16b，因而在陶瓷构件12中容易产生以角部分16b作为起点的裂纹。
表1
若将试验例1～3进行对比，则角部分16b的曲率半径R均为0.2mm，但就试验例1而言，由于与试验例2、3相比直径D小，因而集中于角部分16b的热应力小，既没有观察到制造时的破损也没有观察到陶瓷破损。此时的比率R/D为0.07。与此相对，就试验例2而言，由于与试验例1相比直径D大，因而热应力变大，观察到陶瓷破损。另外，就试验例3而言，与试验例1、2相比直径D大，因而热应力进一步变大，观察到制造时的破损。试验例2、3的比率R/D分别为0.06、0.05。另一方面，试验例1与试验例2、3相比直径D小，因而拉伸断裂强度低。
在试验例4～8中，直径D为3.5～5.0mm，比试验例1大，因而集中于角部分16b的热应力大，但通过将角部分16b的曲率半径R设为0.3～1.5mm，将比率R/D设为0.09～0.30，从而既能够防止制造时的破损也能够防止陶瓷破损。另外，能够使连接构件16与外部通电构件18的接合面积与试验例1相比充分变大，而相应地，拉伸断裂强度与试验例1相比变高。
在试验例9中，由于直径D为5.5mm，相当大，因而集中于角部分16b的热应力变得相当大，虽然将角部分16b的曲率半径R设为1.5mm，将比率R/D设为0.27，但无法防止在制造时因热应力而产生的裂纹。
予以说明的是，试验例1～9中，试验例4～8相当于本发明的实施例，剩余的试验例相当于比较例。
[试验例10～13]
在试验例10～13中，作为圆柱体116，使用按照使与加热元件14相接的圆形面与圆柱侧面的角部分116b成为椭圆形的方式进行加工而得到的圆柱体，除此以外，与试验例1～9同样地制造陶瓷加热器10。将试验例10～13的连接构件16的直径D、角部分的椭圆的短径F、长径G、比率F/D、比率G/D的各值示于表2。予以说明的是，连接构件16的高度一律设为3mm。另外，将椭圆的短径方向设为连接构件16的高度方向(在图4中为上下方向)，将椭圆的长径方向设为连接构件16的宽度方向(在图4中为左右方向)。对于试验例10～13，进行了上述各评价试验。其结果示于表2。
表2
在试验例10、12中，由于直径D为3.5～5.0mm，因而集中于角部分16b的热应力大，但通过将角部分16b的椭圆的短径F、长径G、比率F/D、比率G/D设定为恰当的值，从而既能够防止制造时的破损也能够防止陶瓷破损。与此相对，在试验例11、13中，由于这些值中的某些值不恰当，因而在制造时发生了破损或者在加热后进行降温时发生了破损。
予以说明的是，试验例10～13中，试验例10、12相当于本发明的实施例，剩余试验例相当于比较例。
本申请将在2014年6月27日申请的日本国专利申请第2014-132305号作为优先权主张的基础，通过引用将其内容的全部包含于本说明书。
予以说明的是，不言而喻，上述实施例对本发明没有任何限定。
产业上的可利用性
本发明可用作例如陶瓷加热器、静电卡盘、高频电极用构件等半导体制造装置用构件。
符号说明
10陶瓷加热器、12陶瓷构件、12a晶片载置面、12b与晶片载置面相反一侧的面、12c孔、14加热元件、16连接构件、16a露出面、16b角部分、18外部通电构件、18a第1部、18b第2部、18c中间接合部、20接合层、22引导构件、66圆柱构件(环状构件)、66b角部分、112成型体、116圆柱体、116b角部分、118c、120焊料、210陶瓷加热器、212陶瓷构件、212c孔、214加热元件、216连接构件、218外部通电构件、220接合层、222引导构件、224接合层。

Claims (6)

1.一种接合结构体，其为具备如下构件的接合结构体，即，具备：
具备晶片载置面的陶瓷构件，
埋设于所述陶瓷构件且形状与所述晶片载置面相符的埋设电极，
按照从所述陶瓷构件中与所述晶片载置面相反一侧的面到达所述埋设电极的方式埋设的金属制的连接构件，以及
介由接合层而与所述连接构件中露出于外部的面接合的金属制的外部通电构件；
所述连接构件是圆柱构件，直径D为3.5～5mm，与所述埋设电极相接的圆形面与圆柱侧面的角部分的曲率半径R为0.3～1.5mm，比率R/D为0.09以上。
2.根据权利要求1所述的接合结构体，其中，所述比率R/D为0.3以下。
3.一种接合结构体，其为具备如下构件的接合结构体，即，具备：
具备晶片载置面的陶瓷构件，
埋设于所述陶瓷构件中且形状与所述晶片载置面相符的埋设电极，
按照从所述陶瓷构件中与所述晶片载置面相反一侧的面到达所述埋设电极的方式埋设的金属制的连接构件，以及
介由接合层而与所述连接构件中露出于外部的面接合的金属制的外部通电构件；
所述连接构件是圆柱构件，直径D为3.5～5mm，
与所述埋设电极相接的圆形面与圆柱侧面的角部分是具有短径F、长径G的椭圆形状，短径F以及长径G为0.3～1.5mm，比率F/D以及比率G/D为0.09以上。
4.根据权利要求3所述的接合结构体，其中，所述比率F/D以及所述比率G/D为0.3以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的接合结构体，其中，所述陶瓷构件的材质是氮化铝、氧化铝、碳化硅或氮化硅，所述连接构件的材质为Mo、W、Nb、Mo化合物、W化合物或Nb化合物。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的接合结构体，其中，所述接合层的材质为Au或Au合金。
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