TW201616915A - 接合構造體 - Google Patents

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Abstract

陶瓷加熱器10，係包括陶瓷構件12、加熱器元件14、連接構件16、外部通電構件18。連接構件16，係使其從陶瓷構件12之中的孔12c之底面到達加熱器元件14之而埋設之圓柱狀的金屬構件。連接構件16，直徑D為3.5~5mm，與加熱器元件14相接之圓形面與圓柱側面之轉角部分16b的曲率半徑R為0.3~1.5mm，比率R/D為0.09~0.30。外部通電構件18，係透過接合層20而與連接構件16接合。藉由此陶瓷加熱器10。可使接合強度較以往高，且可使陶瓷構件12之破損風險降低。

Description

接合構造體
本發明係關於接合構造體。
做為陶瓷構件與金屬構件之接合構造體，已知有專利文獻1所記載者。在專利文獻1，開示了第5圖所示陶瓷加熱器210做為此接合構造體。陶瓷加熱器210，係包括陶瓷構件212、連接構件216、外部通電構件218、導向構件222。陶瓷構件212，為內藏加熱器元件214之圓板狀的構件。連接構件216，係使其從陶瓷構件212之有底筒狀之孔212c之底面到達加熱器元件214而埋設之金屬製的圓柱構件。外部通電構件218，係透過接合層220而接合於前述連接構件216之中露出於孔212c之底面之面之金屬製的構件，用於加熱器元件214之供電。導向構件222，係環繞外部通電構件218中之連接構件側的外周面之圓筒構件。此導向構件222中面向於外部通電構件218之輪緣之端面，係透過接合層224與輪緣接合，面向於孔212c之底面之端面，係透過接合層220而與外部通電構件218或連接構件216接合。外部通電構件218中，連接構件側的外周面，係藉由導向構件222而從氧化性氣氛隔離。此陶瓷加熱器210，被說明為其與連接構件216與外部通電構件218之接合強度高。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
專利文獻1：日本專利第3790000號公報
近年來，較上述陶瓷加熱器210接合強度更高者被期待。為了使接合強度更高，可想到使連接構件216之直徑變大。然而，該情況，有在陶瓷構件212容易發生裂痕之問題。亦即，在高溫使用陶瓷加熱器210時，熱應力會集中於連接構件216之中與加熱器元件214相接的面之轉角部分，若連接構件216之直徑大則熱應力變大，在陶瓷構件212會有從該轉角部分發生破損之虞。或是在燒成或接合之陶瓷製造工程中，若連接構件216之直徑變大則熱應力也變大，在陶瓷構件212會有從連接構件216之轉角部分發生裂痕之虞。
本發明係為了解決如此課題而做成，其目的在於：在接合構造體中，不僅可進一步提高接合強度，且降低陶瓷構件之破損的風險。
本發明之第1接合構造體，包括：包括晶圓載置面之陶瓷構件、沿著埋設於前述陶瓷構件之前述晶圓載置面之形狀的埋設電極、在前述陶瓷構件中從前述晶圓載置面相反側的面達到前述埋設電極而埋設之金屬製的連接構件、透過接合層而接合於前述連接構件之中露出於外部的面之金屬製的外部通電構件，其特徵在於：前述連接構件為圓柱構件，直徑D為 3.5~5mm，與前述埋設電極相接之圓形面與圓柱側面之轉角部分的曲率半徑R為0.3~1.5mm，比率R/D為0.09以上。
若根據此接合構造體，相較於以往，不僅可提高接合強度，且可降低陶瓷構件之破損的風險。亦即，相對於以往之連接構件的直徑D為3mm程度，由於在本發明，將直徑D設定為3.5~5mm，因此連接構件與外部通電構件之接合面積變大，接合強度變高。另一方面，若使直徑D變大，則容易從在連接構件中與埋設電極相接之面與圓柱側面之轉角部分向陶瓷構件發生裂痕，但由於使該轉角部分之曲率半徑R為0.3~1.5mm，比率R/D為0.09以上，因此可防止如此之裂痕的發生，且可降低陶瓷構件之破損的風險。又，可使比率R/D較0.3還大，但裂痕防止效果不會再更提升，反而使連接構件與埋設電極之接觸面積變小。因此，比率R/D以0.3以下為佳。
本發明之第2接合構造體，包括：包括晶圓載置面之陶瓷構件、沿著埋設於前述陶瓷構件之前述晶圓載置面之形狀的埋設電極、在前述陶瓷構件中從前述晶圓載置面相反側的面達到前述埋設電極而埋設之金屬製的連接構件、透過接合層而接合於前述連接構件之中露出於外部的面之金屬製的外部通電構件，其特徵在於：前述連接構件為圓柱構件，直徑D為3.5~5mm，與前述埋設電極相接之圓形面與圓柱側面之轉角部分為短徑F、長徑G的橢圓形狀，短徑F及長徑G為0.3~1.5mm，比率F/D及比率G/D為0.09以上。
若根據此接合構造體，相較於以往，不僅可提高接合強度，且可降低陶瓷構件之破損的風險。亦即，相對於以 往之連接構件的直徑D為3mm程度，由於在本發明，直徑D設定為3.5~5mm，因此連接構件與外部通電構件之接合面積變大，接合強度變高。另一方面，若使直徑D變大，則容易從在連接構件中與埋設電極相接之面與圓柱側面之轉角部分向陶瓷構件發生裂痕，但由於使該轉角部分為短徑F、長徑G之橢圓形狀，使其分別的值為0.3~1.5mm，比率F/D及比率G/D為0.09以上，可防止如此之裂痕的發生，且可使陶瓷構件之破損的風險降低。又，可使比率F/D及比率G/D較0.3還大，但裂痕防止效果不會再更提升，反而使連接構件與埋設電極之接觸面積變小。因此，比率F/D及比率G/D以0.3以下為佳。
在本發明之接合構造體中，前述陶瓷構件，材質為氮化鋁、氧化鋁、氧化矽或氮化矽，前述連接構件，材質為Mo、W、Nb、Mo化合物、W化合物或Nb化合物為佳。如此，由於陶瓷構件與連接構件之熱膨脹係數的差非常小，因此可將熱應力抑制到很小，而可確實防止在陶瓷構件發生裂痕。例如，若陶瓷構件之材質為AlN之情況，連接構件的材質以Mo為佳。陶瓷構件之材質為Al2O3之情況，連接構件的材質以Nb或WC為佳。陶瓷構件之材質為SiC之情況，連接構件的材質以WC為佳。陶瓷構件的材質為Si3N4之情況，陶瓷構件之材質以W或WC為佳。
在本發明之接合構造體中，前述接合層，材質以Au、Al、Ag、Au合金、Al合金或Ag合金為佳。如此，可提高接合層之強度。又，材質為Au或Au合金的情況，除此以外，更可提高耐氧化性，因此更佳。
在本發明之接合構造體中，前述外部通電構件，係包括透過前述接合層而與前述連接構件接合之第1部，與在此第1部之中，透過中間接合部而與前述連接構件之接合面相反側的面接合之第2部，前述第1部，可由較前述第2部熱膨脹係數低耐氧化性高之金屬來構成。又，前述第1部，可為其周圍被由較前述第1部耐氧化性高之金屬所形成之導向構件環繞，而不會直接接觸周圍的氣氛之構成。
10‧‧‧陶瓷加熱器
12‧‧‧陶瓷構件
12a‧‧‧晶圓載置面
12b‧‧‧與晶圓載置面相反側之面
12c‧‧‧孔
14‧‧‧加熱器元件
16‧‧‧連接構件
16a‧‧‧露出面
16b‧‧‧轉角部分
18‧‧‧外部通電構件
18a‧‧‧第1部
18b‧‧‧第2部
18c‧‧‧中間接合部
20‧‧‧接合層
22‧‧‧導向構件
66‧‧‧圓柱構件(環狀構件)
66b‧‧‧轉角部分
112‧‧‧成形體
116‧‧‧圓柱體
116b‧‧‧轉角部分
118c、120‧‧‧硬銲材
210‧‧‧陶瓷加熱器
212‧‧‧陶瓷構件
212c‧‧‧孔
214‧‧‧加熱器元件
216‧‧‧連接構件
218‧‧‧外部通電構件
220‧‧‧接合層
222‧‧‧導向構件
224‧‧‧接合層
第1圖係陶瓷加熱器10之重要部分之剖面圖。
第2圖係陶瓷加熱器10之製造工程圖。
第3圖係另一實施形態之重要部分的剖面圖。
第4圖係另一實施型態之連接構件16周圍之剖面圖。
第5圖係以往之陶瓷加熱器210之重要部分的剖面圖。
接著，以下對於本發明之接合構造體之較佳的一實施形態之陶瓷加熱器10說明。第1圖為陶瓷加熱器10之重要部分的剖面圖。
陶瓷加熱器10，係為了進行蝕刻或CVD等加熱晶圓所使用。設置於沒有圖示之真空室內。此陶瓷加熱器10，係包括陶瓷構件12、加熱器元件(相當於本發明之埋設電極)14、連接構件16、外部通電構件18、導向構件22。
陶瓷構件12，係形成為圓板狀，一方的面為為了載置晶圓之晶圓載置面12a。又，在第1圖，晶圓載置面12a 在下方，但實際使用陶瓷加熱器10時，會使晶圓載置面12a在上方。作為此陶瓷構件12之材質，例如以氮化鋁、氧化鋁、氧化矽或氮化矽等為佳。又，在與陶瓷構件12之晶圓載置面12a相反側之面12b，形成了有底筒狀之孔12c。陶瓷構件12，例如可為直徑150~500mm，厚度0.5~30mm。孔12c，例如可為直徑5~15mm，深度5~25mm。
加熱器元件14，係埋設在陶瓷構件12之電極，為沿著晶圓載置面12a之形狀的構件，在此為圓形狀的金屬網。做為此加熱器元件14之材質，例如以鎢、鉬、鉭、鉑或這些的合金為佳。金屬網，例如可為線徑0.1~1.0mm，平均每1吋為10~100根。
連接構件16，係在陶瓷構件12中從孔12c之底面達到加熱器元件14而埋設之圓柱狀的金屬構件。此連接構件16，可使用塊狀金屬，也可使用將金屬粉末燒結者。做為金屬，例如除了可使用鉬、鎢、鈮以外，還可使用碳化鉬等之鉬化合物，碳化鎢等之鎢化合物、碳化鈮等之鈮化合物。又，連接構件16之中露出於孔12c之底面的露出面16a，係與孔12c之底面為同一面。連接構件16，直徑D為3.5~5mm，與加熱器元件14接觸之圓形面與圓柱側面之轉角部分的16b之曲率半徑R為0.3~1.5mm，比率R/D為0.09~0.30。又，連接構件16之高度，例如可為1~5mm。
外部通電構件18，係包括透過接合層20而接合於連接構件16之第1部18a，與透過中間接合部18c與此第1部18a之中與連接構件16之接合面相反側的面接合之第2部 18b。第2部18b，考慮到在電漿氣氛或腐蝕氣體氣氛中所使用，係由耐氧化性高之金屬所構成。然而，耐氧化性高之金屬，一般而言熱膨脹係數大，因此若直接與陶瓷構件12接合，則會由於兩者的熱膨脹差而接合強度低下。因此，第2部18b，係透過熱膨脹係數接近於連接構件16之金屬所形成之第1部18a而與陶瓷構件12接合。如此之金屬，多有耐氧化性不充分的情況。因此，第1部18a，其周圍被由耐氧化性高之金屬所形成之導向構件22所環繞，而成為不會直接接觸電漿氣氛或腐蝕氣體氣氛之構成。作為第2部18b之材質，以純鎳、鎳基耐熱合金、金、鉑、銀、以及這些的合金等為佳。做為第1部18a的材質，以鉬、鎢、鉬-鎢合金、鎢-銅-鎳合金、鈷等為佳。接合層20，係藉由硬銲材而接合。做為硬銲材，以金屬硬銲材為佳，例如Au-Ni硬銲材、Al硬銲材、Ag硬銲材等為佳。接合層20，係將含有連接構件16之露出面16a之孔12c的底面和第1部18a之端面接合。外部通電構件18之中間接合部18c，不僅將第1部18a與第2部18b接合，且填滿了導向構件22之內周面與第1部18a之外周面全面或其一部分之間隙，或導向構件22之內周面與第2部18b之外周面之一部分之間隙。因此，第1部18a，由於中間接合部18c，而被遮斷與周為氣氛之接觸，又，中間接合部18c，也可使用與接合層20同樣的材質。第1部18a，可為直徑3~6mm，高度2~5mm，第2部18b，可為直徑3~6mm，高度任意。
導向構件22，係至少包圍外部通電構件18之中第1部18a之周圍之圓筒狀的構件，由較第1部18a耐氧化性高 之材質形成。此導向構件22，內徑較第1部18a及第2部18b(除了輪緣)之外徑大，外徑較孔12c之直徑小，高度較第1部18a之高度高。導向構件22之中面向於孔12c之底面的端面，係透過接合層20而與連接構件16、外部通電構件18及陶瓷構件12接合。導向構件22之材質，可使用做為外部通電構件18之第2部18b之材質而舉例所示者。
接著，對於陶瓷加熱器10之製造方法，根據第2圖之製造工程圖，說明於以下。首先，使陶瓷原料粉末成為圓板而加壓成形製作成形體112(參照第2圖(a))。在此成形體112，預先埋設圓形之金屬網所形成之加熱器元件14與成為連接構件16之金屬粉末的圓柱體116。圓柱體116，係使與加熱器元件14接觸之圓形面的轉角部分116b或與此圓形面相反側之圓形面之轉角部分116d成為既定的曲率半徑而成形。藉由在熱壓爐或常壓爐等燒成此成形體112，圓柱體116燒結而成為連接構件16之同時，成形體112燒結成為陶瓷構件12(參照第2圖(b))。燒成時，由於圓柱體116之轉角部分116b、116d包括弧度，因此不會由此發生裂痕。連接構件16之上下兩方之圓形面與圓柱側面之轉角部分16b、16d包括曲率半徑R。將所得到之陶瓷構件12加工成為既定尺寸。
接著，對於陶瓷構件12之晶圓載置面12a之相反側的面12b施以研磨加工而形成有底筒狀之孔12c(參照第2圖(c))。此時，使孔12c之底面與連接構件16之露出面16a成為同一面而加工。藉由此，連接構件16之轉角部分16d被除去。
接著，在孔12c之底面鋪設成為接合層20之硬銲 材120，在其上依照外部通電構件18之第1部18a、成為中間接合部18c之硬銲材118c、導向構件22及外部通電構件18之第2部18b之順序層積而得到層積體(參照第2圖(d))。藉由將此層積體在非氧化性條件下加熱將硬銲材118c、120熔融之後固化，得到第1圖所示陶瓷加熱器10。非氧化性條件，係指真空下或非氧化性氣氛(例如氬氣氛或氮氣氛等之惰性氣氛)下。
根據以上說明之本實施形態之陶瓷加熱器10，可一邊使接合強度較以往高，且可降低陶瓷構件12之破損的風險。亦即，相對於以往之連接構件216之直徑D為3mm程度，在此由於將直徑D設定為3.5~5mm，因此連接構件16與外部通電構件18之接合面積變大，接合強度變高。另一方面，若使直徑D大，則容易從連接構件16之轉角部分16b往陶瓷構件12發生裂痕，但由於使該轉角部分16b之曲率半徑R為0.3~1.5mm，比率R/D成為0.09以上，因此可防止如此之裂痕的發生，更可減低陶瓷構件之破損的風險。又，也可使比率R/D較0.3大，但裂痕防止效果不會再更提升，反而使連接構件16與加熱器元件14之接觸面積變，因此不佳。
又，由於使陶瓷構件12之材質為氮化鋁、氧化鋁、碳化矽或氮化矽，使連接構件16之材質為Mo、W、Nb、Mo化合物、W化合物或Nb化合物，因此陶瓷構件12與連接構件16之熱膨脹係數差非常小，可使熱應力抑制到很小，而可確實防止在陶瓷構件12發生裂痕。
更且，由於使接合層20之材質為Au-Ni硬銲材、Al銲材或Ag銲材，而可提高接合層20之強度。
又，本發明並非限定於上述實施形態，不用說，只要屬於本發明之技術的範圍內，可以各種形態實施。
例如，在上述實施形態，雖舉例了陶瓷加熱器10做為本發明之接合構造體，但可為靜電夾頭，也可為高頻電極用構件。若為靜電夾頭之情況，埋設靜電電極取代加熱器元件14，若為高頻電極用構件之情況，只要埋設高頻電極取代加熱器元件14即可。
在上述實施形態，雖採用圓形金屬網做為加熱器元件14，但可採用圓形的金屬薄片，也可採用線圈彈簧。採用線圈彈簧之情況，例如，將線圈彈簧之一端配置於陶瓷構件12的中央，從該端以一筆畫的要領在全面配線後，將另一端配置於一端的附近。
在與上述實施形態之陶瓷加熱器10之晶圓載置面12a相反側之面12b，也可使與陶瓷構件12相同材質之筒狀的軸與陶瓷構件12一體化。在此情況，在軸之中空內部配置外部通電構件18等。為了製造軸，例如，可使用模具將陶瓷原料粉末在CIP成形，在常壓爐在既定溫度燒成，燒成後，使其成為既定尺寸來加工即可。又，為了使軸與陶瓷構件12一體化，例如，可將軸之端面與陶瓷構件12之面12b相對，升溫至既定溫度而將兩者接合使其一體化即可。
在上述實施形態，連接構件16為實心的圓柱構件，但如第3圖所示，也可使其為沿著中心軸包括貫通孔之圓柱構件(環狀構件)66。環狀構件66，使直徑(外徑)D為3.5~5mm，與加熱器元件14相接之面的轉角部分66b之曲率半 徑R為0.3~1.5mm，比率R/D為0.09~0.30。如此，可得到與上述實施形態同樣的效果。又，使環狀構件66與外部通電構件18之接合面積(環狀部分的面積)較以往之連接構件216與外部通電構件218之接合面積大，來決定環狀構件66之外徑或內徑為佳。
在上述實施形態之陶瓷加熱器10中，晶圓載置面12a可為平面，也可加工成壓紋形狀、袋狀或是溝形狀。
在上述之實施形態，外部通電電極18之第2部18b的輪緣與導向構件22之端面沒有接合，但如第5圖所示之先前例，也可填滿兩者之間，在其間隙設置接合層(例如與接合層20相同材質)，透過此接合層將兩者接合。
在上述實施形態，係使連接構件16之轉角部分16b之曲率半徑R為0.3~1.5mm，比率R/D為0.09以上，但如第4圖所示，也可使轉角部分16b為短徑F、長徑G之橢圓形狀，比率F/D及比率G/D為0.09以上(較佳的情況為0.09~0.3)。在此情況，可得到與上述實施形態同樣的效果。又，在第4圖，短徑F為連接構件16之高度方向(在第4圖為上下方向)，長徑G為連接構件16之寬度方向(在第4圖為左右方向)，但也可使短徑F為寬度方向，長徑G為高度方向。
【實施例】
以下，說明關於本發明之實施例。又，以下的實施例並非將本發明做任何限定。
[試驗例1~9]
依照第2圖之製造順序，製造10種類之上述陶瓷加熱器 10之試料(試驗例1~9)。首先，在氮化鋁粉末中埋設加熱器元件14與圓柱體116，藉由一軸加壓成形而製作成形體112。做為加熱器元件14，係使用了鉬製的金屬網。此金屬網，係使用了將直徑0.12mm之鉬線，以平均每一吋50根之密度編成者。做為圓柱體116，係使用了將粒徑1~100μm之鉬粉末成形成圓柱狀，使與加熱器元件14相接之圓形面與圓柱側面之轉角部分116b之曲率半徑R成為既定之值而加工者。將此成形體112放入模具，密封於碳膜內，藉由以熱壓法燒成，得到陶瓷構件12。燒成係藉由在溫度1950℃，壓力200kgf/cm2保持2小時來進行。使此陶瓷構件12成為直徑200mm，厚8mm而加工。
接著，在與陶瓷構件12之晶圓載置面12a相反側的面12b藉由數控機床形成有底筒狀之孔12c。孔12c為直徑9mm(開口部直徑12mm)，深4.5mm。此時，使孔12c之底面與連接構件16之露出面16a成為同一面而加工。
接著，在孔12c之底面鋪設由Au-Ni所形成之硬銲材120，在其上依照外部通電構件18之第1部18a、由Au-Ni所形成之硬銲材118c、鎳製(純度99%以上)之導向構件22以及外部通電構件18之第2部18b之順序層積而得到層積體。做為第1部18a，係使用鈷製直徑4mm、高度3mm者，做為第2部18b，係使用鎳製(純度99%以上)直徑4mm(輪緣直徑8mm)、高度60mm者。將此層積體，在惰性氣氛，在960~1000℃加熱10分鐘，得到第1圖所示之陶瓷加熱器10。
將試驗例1~9之連接構件16之直徑D、轉角部分之曲率半徑R、比率R/D之各值示於表1。又，使連接構件16 之高度，一律為3mm。對於試驗例1~9，進行以下的評價試驗。其結果示於表1。
(拉伸破斷強度之測定)
在室溫下，固定陶瓷構件12，把持外部通電構件18之輪緣垂直拉伸，測定連接構件16與外部通電構件18之接合破斷時之荷重，將該荷重做為拉伸破斷強度。測定係使用拉伸強度試驗機(島津製作所製，Autograph)。
(製造時破損的有無)
將成形體112燒結而製造陶瓷構件12之後，對於陶瓷構件12調查是否發生了裂痕，關於發生裂痕者判定為製造時有破損。
(陶瓷破損的有無)
真空下，將陶瓷加熱器10加熱至700℃為止後降溫至室溫，在該狀蓋下調查在陶瓷構件12是否有發生裂痕，對於有發生裂紋者判定為陶瓷有破損。此外，雖然為由於陶瓷構件12之材質(AlN)與連接構件16之材質(Mo)之熱膨脹係數之些微的差異而產生熱應力，但由該熱應力容易集中在轉角部分16b，容易在陶瓷構件發生以角落16b為起點之裂痕。
【表1】
對比試驗例1~3，轉角部分16b之曲率半徑R皆為0.2mm，試驗例1，由於直徑D較試驗例2、3小，集中於轉角部分16b之熱應力小，也沒有觀察到製造時破損與陶瓷破損。此時之比率R/D為0.07。相對於此，試驗例2，由於較試驗例1直徑D大，熱應力變大，觀察到陶瓷破損。又，試驗例3，由於直徑D較試驗例1、2大，因此熱應力變更大，在製造時觀察到破損。試驗例2、3之比率R/D分別為0.06，0.05。另一方面，試驗例1，由於比試驗例2、3直徑D小，因此拉伸破斷強度低。
在試驗例4~8，由於直徑D為3.5~5.0mm，較試驗例1大，集中於轉角部分16b之熱應力大，藉由使轉角部分16b之曲率半徑R為0.3~1.5mm，比率R/D為0.09~0.30，可防止製造時破損也可防止陶瓷破損。又，可使連接構件16與外部通電構件18之接合面積相較於試驗例1，充分寬廣，因此相較於試驗例1，拉伸破斷強度變高。
在試驗例9，直徑D相當大，至5.5mm，因此集中於轉角部分16b之熱應力相當大，雖使轉角部分16b之曲率半徑R為1.5mm，比率R/D為0.27，但無法防止製造時由於熱應力所產生之裂痕。
又，試驗例1~9中，試驗例4~8相當於本發明之實施例，其餘相當於比較例。
[試驗例10~13]
在試驗例10~13，做為圓柱體116，除了使用與加熱器元件14相接之圓形面與圓柱側面之轉角部分116b加工成橢圓形者以外，同於試驗例1~9，製造陶瓷加熱器10。試驗例10~13之連接構件16之直徑D、轉角部分之橢圓的短徑F、長徑G、比率F/D、比率G/D之各值示於表2。又，連接構件16之高度一律為3mm。又，橢圓之短徑方向為連接構件16之高度方向(在第4圖為上下方向)，橢圓之長徑方向為連接構件16之寬度方向(在第4圖為左右方向)。對於試驗例10~13，進行上述各評價試驗。其結果示於表2。
在試驗例10、12，由於直徑D為3.5~5.0mm因此 集中於轉角部分16b之熱應力大，但可藉由將轉角部分16b之橢圓的短徑F、長徑G、比率F/D、比率G/D設定為適當之值，而可防止製造時破損也可防止陶瓷破損。相對於此，在試驗例11、13，由於這些值得任一個值不適切，因此製造時破損或是加熱後降溫時破損。
又，試驗例10~13中，試驗例10、12相當於本發明之實施例，其餘相當於本發明之比較例。
本申請書，係以2014年6月27日申請之日本國專利申請第2014-132305號為優先權主張的基礎，藉由引用，其全部內容包含於本說明書。
又，不用說，上述實施例並非將本發明做任何限定。
【產業上之可利用性】
本發明，例如可做為陶瓷加熱器或靜電夾頭、高頻電極用構件等之半導體製造裝置用構件利用。
10‧‧‧陶瓷加熱器
12‧‧‧陶瓷構件
12a‧‧‧晶圓載置面
12b‧‧‧與晶圓載置面相反側之面
12c‧‧‧孔
14‧‧‧加熱器元件
16‧‧‧連接構件
16a‧‧‧露出面
16b‧‧‧轉角部分
18‧‧‧外部通電構件
18a‧‧‧第1部
18b‧‧‧第2部
18c‧‧‧中間接合部
20‧‧‧接合層
22‧‧‧導向構件

Claims (6)

  1. 一種接合構造體，包括：包括晶圓載置面之陶瓷構件、沿著埋設於前述陶瓷構件之前述晶圓載置面之形狀的埋設電極、在前述陶瓷構件中從前述晶圓載置面相反側的面達到前述埋設電極而埋設之金屬製的連接構件、透過接合層而接合於前述連接構件之中露出於外部的面之金屬製的外部通電構件，其特徵在於：前述連接構件為圓柱構件，直徑D為3.5~5mm，與前述埋設電極相接之圓形面與圓柱側面之轉角部分的曲率半徑R為0.3~1.5mm，比率R/D為0.09以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之接合構造體，其中，前述比率R/D為0.3以下。
  3. 一種接合構造體，包括：包括晶圓載置面之陶瓷構件、沿著埋設於前述陶瓷構件之前述晶圓載置面之形狀的埋設電極、在前述陶瓷構件中從前述晶圓載置面相反側的面達到前述埋設電極而埋設之金屬製的連接構件、透過接合層而接合於前述連接構件之中露出於外部的面之金屬製的外部通電構件，其特徵在於：前述連接構件為圓柱構件，直徑D為3.5~5mm，與前述埋設電極相接之圓形面與圓柱側面之轉角部分為短徑F、長徑G的橢圓形狀，短徑F及長徑G為0.3~1.5mm，比率F/D及比率G/D為0.09以上。
  4. 如申請專利範圍第3項之接合構造體，其中，前述比率F/D及前述比率G/D為0.3以下。
  5. 如申請專利範圍第1至4項之任一項之接合構造體，其中，前述陶瓷構件，材質為氮化鋁、氧化鋁、碳化矽或氮化矽，前述連接構件，材質為Mo、W、Nb、Mo化合物、W化合物或Nb化合物。
  6. 如申請專利範圍第1至5項之任一項之接合構造體，其中，前述接合層，材質為Au或Au合金。
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