TW202335534A - 基板保持構件 - Google Patents

基板保持構件 Download PDF

Info

Publication number
TW202335534A
TW202335534A TW111147727A TW111147727A TW202335534A TW 202335534 A TW202335534 A TW 202335534A TW 111147727 A TW111147727 A TW 111147727A TW 111147727 A TW111147727 A TW 111147727A TW 202335534 A TW202335534 A TW 202335534A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrodes
conductive member
terminal
electrode
substrate holding
Prior art date
Application number
TW111147727A
Other languages
English (en)
Inventor
高橋和也
森田直年
Original Assignee
日商日本特殊陶業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2022180447A external-priority patent/JP2023088271A/ja
Application filed by 日商日本特殊陶業股份有限公司 filed Critical 日商日本特殊陶業股份有限公司
Publication of TW202335534A publication Critical patent/TW202335534A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
    • H05B3/283—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)

Abstract

[課題]提供一種基板保持構件，其於埋設有複數個電極的基板保持構件中，可減少用以朝各電極供給電力之端子的數量。 [解決手段]基板保持構件100係具備陶瓷基材110。於陶瓷基材110之內部埋設有3個電極121〜123、3個導電性構件131〜133、5個連接部分141〜145、及4個端子151〜154。

Description

基板保持構件
本發明係關於一種基板保持構件，其用以保持矽晶圓等基板。
作為保持晶圓等基板之基板保持構件的一例，專利文獻1揭示有一種陶瓷加熱器，其埋設有與不同之2個加熱區對應的2個發熱電阻體。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2018-5999號公報
[發明欲解決之課題]
於專利文獻1記載的陶瓷加熱器中，於2個發熱電阻體分別連接2個端子，且朝2個發熱電阻體供給電力。因此，需要發熱電阻體數量之2倍數量的端子。
爰此，本發明係有鑑於如此情事而完成者，目的在於提供一種技術，該技術係於埋設有複數個電極的基板保持構件中，可減少用以朝各電極供給電力之端子的數量。 [用以解決課題之手段]
根據本發明的態樣，提供一種基板保持構件，其特徵在於具備： 陶瓷基材，其具有上面、及與前述上面於上下方向對向的下面； 複數個電極，其等埋設於前述陶瓷基材； 至少一個導電性構件，其等埋設於前述陶瓷基材； 複數個連接部分，其等以前述至少一個導電性構件之每一者與前述複數個電極中之至少一個電極連接的方式，將前述複數個電極與前述至少一個導電性構件電性連接；及 複數個端子，其等設於前述複數個電極中的至少一者或前述至少一個導電性構件；且 連接於前述至少一個導電性構件之連接部分與端子之間的電阻值係小於前述複數個電極之兩端間的電阻值， 前述複數個端子之數量係少於前述複數個電極之數量的2倍。 [發明之效果]
於前述態樣中，複數個端子之數量少於電極數量的2倍。藉此，可減小用以配置複數個端子的空間。此外，至少一個導電性構件之連接於端子的部分與連接部分之間的電阻值，係小於複數個電極兩端的電阻值。藉此，即使於電極與端子經由導電性構件及連接部分連接的情況下，也可極力抑制導電性構件中的發熱。
[用以實施發明的形態]
參照圖1、2，對本發明之實施形態之基板保持構件100進行說明。本實施形態之基板保持構件100係用於矽晶圓等半導體晶圓(以下，簡稱為晶圓10)之加熱的陶瓷加熱器。再者，於以下的說明中，以將基板保持構件100設置為可使用的狀態(圖1的狀態)作為基準來定義上下方向5。如圖1所示，本實施形態之基板保持構件100，其具備陶瓷基材110及軸160。此外，如圖2、3(a)、3(b)所示，於陶瓷基材110埋設有電極121〜123、導電性構件131〜133、連接部分141〜145及端子151〜154。
＜陶瓷基材110＞ 陶瓷基材110，係具有直徑12吋(約300mm)、厚度25mm之圓形板狀形狀的構件，於陶瓷基材110之上面111載置有作為加熱對象的晶圓10。再者，於圖1中，為了容易閱圖，將晶圓10與陶瓷基材110分離圖示。陶瓷基材110，可藉由例如氮化鋁、碳化矽、氧化鋁、氮化矽等陶瓷燒結體形成。
圖2為示意顯示陶瓷基材110之縱剖面的圖。圖2中以虛線顯示的虛擬面A、B，皆為與上下方向5正交的水平面。虛擬面A、B係於上下方向5位於陶瓷基材110的上面111與下面113之間，虛擬面A係位於虛擬面B的上方。圖3(a)為示意顯示虛擬面A中之陶瓷基材110的剖面的圖，圖3(b)為示意顯示虛擬面B中之陶瓷基材110的剖面的圖。如圖2、3(a)、3(b)所示，於陶瓷基材110的內部埋設有3個電極121〜123、3個導電性構件131〜133、5個連接部分141〜145、及4個端子151〜154。
＜電極121〜123＞ 參照圖2、3(a)、3(b)，對電極121〜123進行說明。電極121〜123，係藉由將網孔狀物(mesh)或箔等之耐熱金屬(熔點為2000°C以上的高熔點金屬)裁切為帶狀而形成，前述網孔狀物或箔，係將鎢(W)、鉬(Mo)、含鉬及/或鎢的合金的引線(wire)編織而成。於將電極121〜123作為加熱器電極使用的情況下，為了確保電阻值，較適宜使用網孔狀物。較佳為，電極121〜123的電阻值約為2Ω〜20Ω。電極121〜123，例如，可藉由將Mo網孔狀物(線徑為0.1mm、且平織#50網眼)的材料裁切為既定的圖案而形成。較佳為，鎢及鉬的純度為99%以上。較佳為，電極121〜123的厚度，除了引線的交點部分外，為0.03mm〜0.2mm。此外，裁切成帶狀之電極121〜123的寬度較佳為2.5mm〜20mm，更佳為5mm〜15mm。於本實施形態中，電極121〜123，分別被裁切成圖3(a)、3(b)所示的形狀，但電極121〜123的形狀不限於此，可適宜變更。再者，於陶瓷基材110的內部，除了電極121〜123外，或者也可取代電極121〜123，埋設靜電吸盤式電極及電漿電極中的至少一者，該靜電吸盤式電極係用以利用庫侖力將晶圓10吸引到上面111，該電漿電極係用以於陶瓷基材110上方產生電漿。
如圖3(a)所示，電極121係配置於陶瓷基材110之虛擬面A的大致中央，電極122係以圍繞電極121外側的方式配置。電極121包含大致圓環形狀的環部121a、及直線狀延伸的2個直線部121b。環部121a係具有於圖3(a)的上側開放的圓環形狀，2個直線部121b係自開放之圓環狀的環部121的兩端朝圖3(a)的下方延伸。電極122包含：2個半圓之圓環形狀的內側環部122a，其以圍繞電極121之環部121a外側的方式配置；大致圓環形狀的外側環部122b，其以圍繞2個內側環部122a外側的方式配置；及2個直線部122c，其以連接2個內側環部122a與外側環部122b的方式呈直線狀延伸。外側環部122b具有在圖3(a)之左側開放的圓環形狀。2個直線部122c，係以將外側環部122b的兩端與2個內側環部122a分別連接的方式，朝圖3(a)的左右方向延伸。
如圖3(b)所示，電極123，係配置於陶瓷基材110之虛擬面B的外周部分。電極123包含在圖3(b)的上側開放之大致圓環形狀的環部123a。於將虛擬面A與虛擬面B重疊的情況下，電極123係配置於電極121及電極122的外側，且以電極121、電極122及電極123相互不重疊的方式配置成同心狀。即，電極123的外徑係大於電極121、122的外徑。藉此，陶瓷基材110的上面111係被劃分為分別與電極121、電極122、電極123對應的3個區(於上下方向，與電極121重疊的區、與電極122重疊的區、及與電極123重疊的區)。
＜導電性構件131〜133＞ 接著，參照圖2、3(a)、3(b)，對導電性構件131〜133進行說明。如圖3(b)所示，導電性構件131〜133係配置於同一虛擬面B。導電性構件131〜133係以於電極123的內側占大致圓形區域的方式相互不重疊地排列。導電性構件131係大致半圓形形狀，於圖3(b)中占電極123內側的區域的左半部分。於導電性構件131之右側的大致中央部形成有矩形的缺口131C。導電性構件132係具有中心角約為90度的扇形形狀，且以與導電性構件131的下半部分對向的方式配置於導電性構件131的右側。導電性構件133係具有中心角約為90度的扇形形狀，且以與導電性構件131的上半部分對向的方式配置於導電性構件131的右側。
導電性構件131〜133的合計面積係較佳為一虛擬圓之面積的40%以上，更佳為55%以上，該虛擬圓係藉由電極121〜123中之外徑最大的電極123之外徑所規定。此外，導電性構件131的面積、導電性構件132的面積、及導電性構件133的面積，較佳為皆為將前述虛擬圓的面積除以電極121〜123的個數(3個)而得之面積的40%以上，更佳為55%以上。
與電極121〜123同樣，導電性構件131〜133，係藉由將網孔狀物或箔等耐熱金屬(熔點2000°C以上的高熔點金屬)裁切為既定的形狀而形成，該網孔狀物或箔係將鎢(W)、鉬(Mo)、含鉬及/或鎢的合金之引線編織而成。再者，較佳為，導電性構件131〜133，係由與電極121〜123相同的金屬材料形成。於此情況下，不僅製造容易，而且可抑制因燒成時之收縮率的差異引起的應變。如後述，導電性構件131係與端子152及連接部分144連接(參照圖3(b))。導電性構件131之與端子152連接的部分和連接部分144之間的電阻約為0.01Ω〜1Ω，小於電極121〜123中之任一個的電阻。導電性構件132係與端子153及連接部分143連接(參照圖3(b))。導電性構件132之與端子153連接的部分和連接部分143之間的電阻約為0.01Ω〜1Ω，小於電極121〜123中之任一個的電阻。導電性構件133係與端子154及連接部分141、142、145連接(參照圖3(b))。導電性構件133之與端子154連接的部分和連接部分141之間的電阻、與端子154連接的部分和連接部分142之間的電阻、與端子154連接的部分和連接部分145之間的電阻皆為約0.01Ω〜1Ω，小於電極121〜123的電阻。
＜連接部分141〜145＞ 接著，參照圖2、3(a)、3(b)，對連接部分141〜145進行說明。如圖2所示，連接部分141、142係配置於虛擬面A與虛擬面B之間。連接部分141、142的下端係與導電性構件133電性連接。再者，於以下的說明中，將電性連接僅稱為連接。連接部分141的上端係與電極121的直線部121b連接，連接部分142的上端係與電極122的環部122a連接。連接部分143也與連接部分141及142同樣，配置於虛擬面A與虛擬面B之間(參照圖3(a)、3(b))。連接部分143的下端係與導電性構件132連接，連接部分143的上端係與電極122的環部122a連接。這些連接部分141〜143，係連接虛擬面A與虛擬面B的通路(via)構造。此外，如圖3(b)所示，連接部分144、145係配置於虛擬面B。連接部分144、145的一端(圖3(b)上側的端部)係與電極123連接。連接部分144的另一端(圖3(b)下側的端部)係與導電性構件131連接，連接部分145的另一端(圖3(b)下側的端部)係與導電性構件133連接。連接部分144、145係藉由與複數個電極121〜123及導電性構件131〜133相同的材料(將鎢(W)、鉬(Mo)、含鉬及/或鎢的合金之引線編織而成的網孔狀物或箔)形成。藉此，連接部分144係與導電性構件131及電極123一體化，連接部分145係與導電性構件133及電極123一體化。
＜端子151〜154＞ 接著，參照圖2、3(a)、3(b)，對端子151〜154進行說明。如圖2所示，端子151的上端係與電極121的直線部121b(參照圖3(a))連接。端子151的上端也可與電極121的直線部121b接觸。或者，端子151之上端與電極121的直線部121b，也可隔著顆粒接觸，該顆粒係由鎢、鉬或含這些中的至少1種的合金形成。後述的端子152〜154也同樣。端子151係自電極121的直線部121b朝下方延伸，且通過後述之軸160的中空圓筒部161的中空部分朝下方延伸。再者，如圖3(b)所示，於配置於虛擬面B之導電性構件131右側的大致中央部形成有矩形的缺口131C。由於端子151通過虛擬面B之形成有缺口131C的部分朝下方延伸，因此端子151與導電性構件131不電性導通。
如圖2所示，端子154的上端係與配置於虛擬面B之導電性構件133連接。端子154係自導電性構件133朝下方延伸，且與端子151同樣，通過軸160之圓筒部161的中空部分朝下方延伸。同樣地，端子152的上端係與配置於虛擬面B的導電性構件131連接(參照圖3(b))。端子152係自導電性構件131朝下方延伸，且與端子151同樣，通過軸160之圓筒部161的中空部分朝下方延伸。此外，端子153之上端係與配置於虛擬面B的導電性構件132連接(參照圖3(b))。端子153係自導電性構件132朝下方延伸，且與端子151同樣，通過軸160之圓筒部161的中空部分朝下方延伸。即，於軸160之圓筒部161的中空部分配置有4個端子151〜154。
＜軸160＞ 接著，參照圖1、2、4，對軸160進行說明。如圖1、2所示，於陶瓷基材110的下面113連接有軸160。軸160具有中空之大致圓筒形狀的圓筒部161、及設於圓筒部161下方的大徑部162(參照圖1)。大徑部162具有大於圓筒部161之直徑的直徑。於以下的說明中，將圓筒部161之長度方向定義為軸160的長度方向6。如圖1所示，於基板保持構件100的使用狀態下，軸160的長度方向6係與上下方向5平行。
如圖2所示，於軸160之圓筒部161的內部(較內徑靠內側的區域)形成有沿長度方向6(參照圖1)延伸的貫通孔，且如上述配置有用以朝電極121〜123供給電力的端子151〜154。藉此，經由端子151〜154朝電極121〜123供給電力。
再者，可於陶瓷基材110的下面113設置用以與軸130接合的凸部114(以下，稱為接合用凸部114)(參照圖4)。較佳為，接合用凸部114的形狀係與接合的軸160之上面的形狀相同，接合用凸部114的直徑較佳為100mm以下。接合用凸部114的高度(距下面113的高度)，只要為0.2mm以上即可，較佳為1mm以上。雖然對於高度的上限並無特別限制，但從製作上的容易度考慮，較佳為，接合用凸部114的高度為20mm以下。此外，較佳為，接合用凸部114的下面係與陶瓷基材100的下面113平行。接合用凸部114下面的表面粗糙度Ra，只要為1.6μm以下即可。再者，接合用凸部114下面的表面粗糙度Ra較佳為0.4μm以下，更佳為0.2μm以下。
圓筒部161的上面，係固定於陶瓷基材110的下面113(於設置有接合用凸部114的情況下，接合用凸部114的下面)。再者，軸160也可與陶瓷基材110同樣，由氮化鋁、碳化矽、氧化鋁、氮化矽等陶瓷燒結體形成。或者，為了提高隔熱性，也可由熱傳導率低於陶瓷基材110的材料形成。此外，也可於圓筒部161的上面設置與設於圓筒部161下方之大徑部162同樣的擴徑部163。
＜基板保持構件100的製造方法＞ 接著，對基板保持構件100的製造方法進行說明。以下，以由氮化鋁形成陶瓷基材110及軸160的情況為例進行說明。但是，為了容易理解說明，假設於陶瓷基材110中埋設有導電性構件132、連接構件143及電極122。
首先，對陶瓷基材110的製造方法進行說明。如圖5(a)所示，將以氮化鋁(AlN)粉末為主成分的造粒粉P投入碳製的有底的模具501，且以衝頭(punch)502進行暫衝壓。再者，較佳為，造粒粉P含有5wt%以下的燒結助劑(例如，Y 2O 3)。接著，如圖5(b)所示，於被暫衝壓的造粒粉P上配置被裁切成既定形狀的導電性構件132。再者，導電性構件132係以與垂直於加壓方向的面(有底的模具501的底面)平行的方式配置。此時，也可於與端子153(參照圖3(b))重疊的位置埋設藉由鎢、鉬或含有這些中的至少1種的合金形成的顆粒。
然後，如圖5(b)所示，於導電性構件132上配置預成型件143P。預成型件143P係藉由鎢、鉬或包含這些中的至少一種的合金形成的多孔質材料。
如圖5(c)所示，以覆蓋導電性構件132及預成型件143P的方式進一步將造粒粉P投入有底的模具501，與前述同樣以衝頭502進行暫衝壓之後，於預成型件143P上配置電極122。此時，也可於與端子153(參照圖3(b))重疊的位置埋設顆粒，該顆粒係由鎢、鉬或含有這些中的至少1種的合金形成。於埋設有顆粒的情況下，也可根據需要將鎢、鉬等高熔點金屬的粉末製成糊膏，於導電性構件132與顆粒之間、及電極122與顆粒之間進行塗布。藉此，可提高導電性構件132與顆粒之間、及電極122與顆粒之間的密接性。
接著，如圖5(d)所示，以覆蓋電極122的方式進一步將造粒粉P投入有底的模具501，於對埋設有導電性構件132、預成型件143P及電極122的造粒粉P進行了衝壓的狀態下進行燒成。較佳為，燒成時施加的壓力為1MPa以上。此外，較佳為，於1800°C以上的溫度下進行燒成。此時，藉由於對預成型件143P施加既定壓力的狀態下進行燒成，使多孔質的預成型件143P成為緻密的通路構造，進而形成連接部分143。再者，也可一定使用多孔質的預成型件143P。也可藉由於配置預成型件143P的位置形成既定的孔，且於該孔中填充含鎢或鉬的糊膏進行燒成，以形成通路構造。接著，如圖5(e)所示，為了形成端子153，進行至電極122為止的盲孔加工。再者，於埋設有顆粒的情況下，只要進行至顆粒為止的盲孔加工即可。
再者，陶瓷基材110，也可藉由以下的方法製造。如圖6(a)所示，於氮化鋁的造粒粉P加入黏結劑進行CIP成型，加工成圓板狀，製作氮化鋁的成形體510。接著，如圖6(b)所示，進行成形體510的脫脂處理，以除去黏結劑。
如圖6(c)所示，於被脫脂後的成形體510形成凹部511及貫通孔，該凹部511係用以埋設導電性構件132及電極122，該貫通孔係用以插入預成型件143P。此時，也可於與端子153(參照圖3(b))重疊的位置埋設顆粒，該顆粒係由鎢、鉬或含有這些中的至少1種的合金形成。
於成形體510的凹部511配置導電性構件132及電極122，且於貫通孔配置預成型件143P，層積其他成形體510。於埋設有顆粒的情況下，也可根據需要將鎢、鉬等高熔點金屬的粉末製成糊膏，塗布於導電性構件132與顆粒之間、及電極122與顆粒之間。藉此，可提高導電性構件132與顆粒之間、及電極122與顆粒之間的密接性。再者，也可於成形體510預先形成凹部511及貫通孔。接著，如圖6(d)所示，於對層積之複數個成形體510進行了衝壓的狀態下進行燒成，製作燒成體。較佳為，燒成時施加的壓力為1MPa以上。此外，較佳為，於1800°C以上的溫度下進行燒成。此時，與前述步驟同樣，藉由於對預成型件143P施加既定壓力的狀態下進行燒成，以使多孔質的預成型件143P成為緻密的通路構造，進而形成連接部分143。由於製作完燒成體後的步驟係與前述步驟相同，故而省略說明。
對以如此方式形成之陶瓷基材110的上面111進行外形加工。也可於陶瓷基材110的下面113設置自下面113突出的接合用的凸部114(參照圖10)。
接著，對軸160之製造方法及軸160與陶瓷基材110的接合方法進行說明。首先，以靜水壓(1MPa左右)對添加有數wt%之黏結劑的氮化鋁的造粒粉P進行成形，且將成形體加工成既定形狀。再者，軸160的外徑為30mm〜100mm左右。也可於軸160之圓筒部161的端面設置具有大於圓筒部161的外徑之直徑的凸緣部163(參照圖4)。圓筒部161的長度，例如，可設為50mm〜500mm。於將成形體加工成既定形狀後，於氮氣環境中對成形體進行燒成。例如，於1900°C的溫度下燒成2小時。然後，於燒成後藉由將燒結體加工成既定形狀而形成軸160。圓筒部161之上面與陶瓷基材110的下面113，可於1600°C以上、1 MPa以上的一軸壓力下，藉由擴散接合而固定。於此情況下，陶瓷基材110之下面113的表面粗糙度Ra較佳為0.4μm以下，更佳為0.2μm以下。此外，也可使用接合劑將圓筒部161之上面與陶瓷基材110的下面113接合。作為接合劑，例如可使用添加了10 wt%的Y 2O 3的AlN接合材糊膏。例如，於圓筒部161之上面與陶瓷基材110的下面113的界面以15μm的厚度塗布前述AlN接合劑糊膏，一面朝垂直於上面111之方向(軸130的長度方向6)施加5kPa的力，一面於1700°C的溫度下加熱1小時，藉此可進行接合。或者，也可藉由螺絲固定、硬焊等將圓筒部161之上面與陶瓷基材110的下面113固定。
＜電極121〜123的供電路徑＞ 如圖2、3(a)所示，端子151係與電極121之一端(圖3(a)左側的直線部121b)連接。電極121另一端(圖3(a)右側的直線部121b)係與連接部分141連接。如圖3(b)所示，連接部分141係與導電性構件133連接，並且導電性構件133係與端子154連接。藉此，形成自端子151通過電極121、連接部分141、導電性構件133到達端子154的電路。藉由將端子154作為接地端子而將外部電源連接於端子151及端子154，可對電極121進行通電。即，導電性構件133係被接地。
如圖3(b)所示，端子153係與導電性構件132連接，導電性構件132係與連接部分143連接。如圖3(a)所示，連接部分143係與電極122的一端連接，電極122的另一端係與連接部分142連接。如圖3(b)所示，連接部分142係與導電性構件133連接，並且導電性構件133係與端子154連接。藉此，形成自端子153通過導電性構件132、連接部分143、電極122、連接部分142、導電性構件133到達端子154的電路。藉由將端子154作為接地端子而將外部電源連接於端子153及端子154，可對電極122進行通電。即，導電性構件133係被接地。此外，與導電性構件133配置於同一平面的導電性構件132係與外部電源連接。
如圖3(b)所示，端子152係與導電性構件131連接，導電性構件131係與連接部分144連接。此外，連接部分144係與電極123的一端連接，電極123的另一端係與連接部分145連接。連接部分145係與導電性構件133連接，且導電性構件133係與端子154連接。藉此，形成自端子152通過導電性構件131、連接部分144、電極123、連接部分145、導電性構件133到達端子154的電路。藉由將端子154作為接地端子而將外部電源連接於端子153及端子154，可對電極123進行通電。即，導電性構件133係被接地。此外，與導電性構件133配置於同一平面的導電性構件131係與外部電源連接。
＜實施形態的作用功效＞ 於前述實施形態中，基板保持構件100，具備陶瓷基材110、電極121〜123、導電性構件131〜133、連接部分141〜145及端子151〜154。電極121〜123、導電性構件131〜133、連接部分141〜145係埋設於陶瓷基材110。此外，連接部分141係連接電極121與導電性構件133，連接部分142係連接電極122與導電性構件133，連接部分145係連接電極123與導電性構件133。連接部分143係連接電極122與導電性構件132。連接部分144係連接電極123與導電性構件131。端子151係與電極121連接，端子152係與導電性構件131連接，端子153係與導電性構件132連接，端子154係與導電性構件133連接。
藉由將端子分別連接於各電極的兩端，可通過2個端子自外部電源對電極進行通電。然而，於此情況下，需要電極數量之2倍數量的端子。與此相對，於前述實施形態中，於導電性構件133連接有與電極121連接的連接部分141、與電極122連接的連接部分142、及與電極123連接的連接部分145。並且，於導電性構件133連接有端子154。因此，複數個電極121〜123經由1個導電性構件133而與1個端子154連接。藉由如此的構成，可使端子151〜154的個數(4個)少於電極121〜123的個數(3個)的2倍。藉此，可減小用以配置複數個端子的空間。此外，由於電極與端子經由導電性構件及連接部分而連接，因此與電極與端子不經由導電性構件或連接部分而連接的情況比較，可提高端子的配置自由度。例如，如本實施形態所示，可以所有端子151〜154通過軸160的貫通孔的方式，將端子151〜154集中於陶瓷基材110之下面113的中央附近。
如上述，導電性構件131之連接於端子152的部分與連接部分144之間的電阻值係小於電極121〜123之任一個的電阻值。導電性構件132之連接於端子153的部分與連接部分143之間的電阻值係小於電極121〜123之任一個的電阻值。導電性構件133之連接於端子154的部分與連接部分141之間的電阻值、連接於端子154之部分與連接部分142之間的電阻值、連接於端子154之部分與連接部分145之間的電阻值，皆小於電極121〜123的電阻值。藉此，即使於電極與端子經由導電性構件及連接部分而連接的情況下，也可極力抑制導電性構件的發熱。
於前述實施形態中，於導電性構件131設置有缺口131C，端子151係以不與導電性構件131接觸的方式通過設置有缺口131C的區域朝上方延伸。藉此，可將端子配置於與不與該端子電性連接之導電性構件重疊的位置，可提高端子的配置自由度。此外，由於可不經由埋設於陶瓷基材110內部的連接構件而將端子與電極連接，因此可減低陶瓷基材110內部之連接不良的風險。
於前述實施形態中，導電性構件131〜133的合計面積係由電極121〜123中直徑最大之電極123的外徑規定的虛擬圓之面積的40%以上。於此情況下，由於導電性構件131〜133的合計面積比較大，因此可提高與導電性構件131〜133連接之端子及/或連接構件的配置自由度。此外，若導電性構件131〜133的合計面積比較大，則每個導電性構件的面積也可增大，可提高傳熱特性。即，由於埋設之導電性構件的熱反射率大，因此可使自電極121〜123發出的焦耳熱反射，可抑制熱量朝軸160逃散。
於前述實施形態中，導電性構件131的面積、導電性構件132的面積、及導電性構件133的面積，皆為將由電極121〜123中之直徑最大的電極123的外徑規定之虛擬圓的面積除以電極121〜123之個數(3個)而得的面積的40%以上。於此情況下，由於導電性構件131〜133之各個的面積比較大，因此可提高與導電性構件131〜133連接之端子及/或連接構件的配置自由度。此外，由於可增大導電性構件131〜133之每一個的面積，因此可如上述提高傳熱特性。
於前述實施形態中，導電性構件131〜133與電極121〜123係由相同的材料(將鎢(W)、鉬(Mo)、含鉬及/或鎢的合金之引線編織而成的網孔狀物或箔)形成。藉此，可容易進行基板保持構件100的製造。於前述實施形態中，連接部分141〜143係連接虛擬面A與虛擬面B的通路構造。此外，連接部分144、145係由與電極121〜123及導電性構件131〜133相同的材料(將鎢(W)、鉬(Mo)、含鉬及/或鎢的合金之引線編織而成的網孔狀物或箔)形成。並且，連接部分144係與導電性構件131及電極123一體化，連接部分145係與導電性構件133及電極123一體化。藉此，可確實地將連接部分連接於電極及或導電性構件，可減低連接不良的風險。再者，電極121〜123的材料，也可與導電性構件131〜133的材料不同。於此情況下，可增加電極121〜123及導電性構件131〜133的材料之選擇自由度。例如，為了藉由減小面積以提高電阻值，進而增加發熱量，電極121〜123可藉由網孔狀物形成，該網孔狀物係將鎢(W)、鉬(Mo)、含鉬及/或鎢之合金的引線編織而成。並且，為了藉由增大面積以降低電阻值，進而抑制發熱量，導電性構件131〜133可藉由鎢(W)、鉬(Mo)、含鉬及/或鎢之合金的箔形成。
於前述實施形態中，於陶瓷基材110之下面113設置有筒狀的軸160。並且，端子151〜154係配置於較軸160之外徑靠內側。於此情況下，藉由將筒狀之軸160的內側與外側氣密密封，可保護端子151〜154免於受軸160的外部環境之影響。此外，藉由設置筒狀的軸160，可避免陶瓷基材110與外部的裝置等直接接觸。藉此，可使陶瓷基材110與周圍隔熱，可提高陶瓷基材110的勻熱性。
＜變更形態＞ 前述實施形態僅為例示而已，可適宜變更。例如，陶瓷基材110、軸160的形狀、尺寸不限於前述實施形態，可適宜變更。此外，埋設於陶瓷基材110之電極、導電性構件、接合部分、端子的形狀、尺寸、數量等可適宜變更。
於前述實施形態中，作為電極121〜123，係使用鉬、鎢、含鉬及/或鎢的合金，但本發明不限於如此的形態。例如，也可使用鉬、鎢以外的金屬或合金。
於前述實施形態中，基板保持構件100具有埋設於陶瓷基材110的3個電極121〜123。但是，本發明不限於此種形態，埋設於基板保持構件100之陶瓷基材110的電極的數量，也可為2個或4個以上。例如，如圖7、8(a)、8(b)所示，也可於陶瓷基材210埋設4個電極221〜224。
如圖7、8(a)、8(b)所示，於陶瓷基材210的虛擬面A配置有4個電極221〜224，於虛擬面B配置有4個導電性構件231〜234。由於電極221〜224的材料，係與前述電極121〜123相同，導電性構件231〜234的材料，係與前述導電性構件151〜153相同，故而省略說明。
如圖7、8(a)所示，端子251係與電極221的一端連接。電極221的另一端係與連接部分241連接。如圖8(b)所示，連接部分241係與導電性構件234連接，並且導電性構件234係與端子254連接。藉此，形成自端子251通過電極221、連接部分241、導電性構件234到達端子254的電路。藉由將端子254作為接地端子而將外部電源連接於端子251及端子254，可對電極221進行通電。
如圖8(b)所示，端子253係與導電性構件233連接，並且導電性構件233係與連接部分243連接。連接部分243係與電極222的一端連接。電極222的另一端係與連接部分242連接。如圖8(b)所示，連接部分242係與導電性構件234連接，並且導電性構件234係與端子254連接。藉此，形成自端子251通過導電性構件233、連接部分243、電極222、連接部分242、導電性構件234到達端子254的電路。藉由將端子254作為接地端子而將外部電源連接於端子253及端子254，可對電極222進行通電。
如圖8(b)所示，端子255係與導電性構件231連接，並且導電性構件231係與連接部分246連接。連接部分246係與電極223的一端連接。電極223的另一端係與連接部分247連接。如圖8(b)所示，連接部分247係與導電性構件234連接，並且導電性構件234係與端子254連接。藉此，形成自端子255通過導電性構件231、連接部分246、電極223、連接部分247、導電性構件234到達端子254的電路。藉由將端子254作為接地端子而將外部電源連接於端子255及端子254，可對電極223進行通電。
如圖8(b)所示，端子252係與導電性構件232連接，並且導電性構件232係與連接部分245連接。連接部分245係與電極224的一端連接。電極224的另一端係與連接部分244連接。如圖8(b)所示，連接部分244係與導電性構件234連接，並且導電性構件234係與端子254連接。藉此，形成自端子252通過導電性構件232、連接部分245、電極224、連接部分244、導電性構件234到達端子254的電路。藉由將端子254作為接地端子而將外部電源連接於端子252及端子254，可對電極224進行通電。
如此，即使於陶瓷基材110埋設有4個電極221〜224的情況下，也可獲得與前述基板保持構件100同樣的作用功效。
於前述實施形態中，基板保持構件100具備軸160，但本發明並不限於此種形態，基板保持構件100也可不一定具備軸160。
以上，使用發明之實施形態及其變更形態進行了說明，但本發明之技術範圍不限於前述記載的範圍。但凡本專業領域技術人員應可理解，可對前述實施形態進行各種變更或改良。根據專利申請範圍的記載也容易明瞭，添加了如此之變更或改良的形態也可包含於本發明的技術範疇內。
說明書及圖式中所示之製造方法中的各處理的執行順序，並未特別註明順序，此外，只要不是於後續的處理中使用前一處理的輸出，即可以任意的順序執行。即使為了方便而使用「首先」、「接著」等進行說明，也不意味著必須以該順序實施。
本揭示也可藉由以下之形態實現。 [應用例1] 一種基板保持構件，其特徵在於具備： 陶瓷基材，其具有上面、及與前述上面於上下方向對向之下面； 複數個電極，其等埋設於前述陶瓷基材； 至少一個導電性構件，其等埋設於前述陶瓷基材； 複數個連接部分，其等以前述至少一個導電性構件之每一個與前述複數個電極中的至少一個電極連接的方式，將前述複數個電極與前述至少一個導電性構件電性連接；及 複數個端子，其等設於前述複數個電極中的至少一者或前述至少一個導電性構件，且 連接於前述至少一個導電性構件之連接部分與端子之間的電阻值，係小於前述複數個電極的兩端之間的電阻值， 前述複數個端子的數量係少於前述複數個電極之數量的2倍。 [應用例2] 如應用例1記載的基板保持構件，其特徵在於：前述複數個電極及前述至少一個導電性構件的至少一部分，係網孔狀物，該網孔狀物係將選自鎢、鉬及含鉬及/或鎢之合金中的至少一種之金屬的引線編織而成。 [應用例3] 如應用例1或應用例2記載的基板保持構件，其特徵在於：前述複數個電極及前述導電性構件的厚度，除了前述引線的交點以外，為0.03mm～0.2mm。 [應用例4] 如應用例1～應用例3中任一項記載的基板保持構件，其中於前述至少一個導電性構件中之一個導電性構件設置有開口部分或缺口部分， 前述複數個端子之至少一個端子係配置於前述開口部分或前述缺口部分。 [應用例5] 如應用例1～應用例4中任一項記載的基板保持構件，其中前述陶瓷基材係具有圓板狀的形狀，且 前述導電性構件之面積的和，係具有以前述複數個電極中外徑最大之最大電極的外徑劃定之半徑的虛擬圓之面積的40％以上的大小。 [應用例6] 如應用例1～應用例5中任一項記載的基板保持構件，其中前述陶瓷基材係具有圓板狀的形狀，且 前述至少一個導電性構件的面積，係將具有以前述複數個電極中外徑最大之最大電極的外徑劃定之半徑的虛擬圓之面積除以前述複數個電極的個數而得之值的40％以上的大小。 [應用例7] 如應用例1～應用例6中任一項記載的基板保持構件，其中前述複數個電極的材料，係與前述至少一個導電性構件的材料相同的材料。 [應用例8] 如應用例7記載的基板保持構件，其中前述連接部分係通路構造、或者為前述相同材料且將前述複數個電極及前述至少一個導電性構件一體化後的構造。 [應用例9] 如應用例1～應用例8中任一項記載的基板保持構件，其中前述複數個電極的材料係與前述至少一個導電性構件的材料不同的材料。 [應用例10] 如應用例1～應用例9中任一項記載的基板保持構件，其進一步具備筒狀的軸，該筒狀的軸係與前述陶瓷基材之前述下面接合，且 前述端子係配置於較前述軸的外徑靠內側。
100:基板保持構件 110:陶瓷基材 121-123、221-224:電極 131-133、231-234:導電性構件 141-145、241-247:連接部分 151-154、251-255:端子 160:軸
圖1為基板保持構件100的立體圖。 圖2為示意顯示陶瓷基材110之縱剖面的圖。 圖3(a)為示意性顯示虛擬面A中之陶瓷基材110的剖面的圖，圖3(b)為示意性顯示虛擬面B中之陶瓷基材110的剖面的圖。 圖4為顯示於陶瓷基材110之下面113設置接合用凸部114的情況的說明圖。 圖5(a)〜圖5(e)為顯示陶瓷基材110之製造方法的流程的圖。 圖6(a)〜圖6(d)為顯示陶瓷基材110之其他製造方法的流程的圖。 圖7為埋設4個電極221〜224之陶瓷基材210的對應圖2的圖。 圖8(a)為埋設4個電極221〜224之陶瓷基材210的對應圖3(a)的圖，圖8(b)為埋設4個電極221〜224之陶瓷基材210的對應圖3(b)的圖。
5:上下方向
100:基板保持構件
110:陶瓷基材
111:上面
113:下面
121~123:電極
121a:環部
121b:直線部
122a:內側環部
122b:外側環部
123a:環部
131,133:導電性構件
141,142:連接部分
151,154:端子
160:軸
163:凸緣部
A,B:虛擬面

Claims (10)

  1. 一種基板保持構件，其特徵在於具備： 陶瓷基材，其具有上面、及與前述上面於上下方向對向之下面； 複數個電極，其等埋設於前述陶瓷基材； 至少一個導電性構件，其等埋設於前述陶瓷基材； 複數個連接部分，其等以前述至少一個導電性構件之每一者與前述複數個電極中的至少一個電極連接的方式，將前述複數個電極與前述至少一個導電性構件電性連接；及 複數個端子，其等設於前述複數個電極中的至少一者或前述至少一個導電性構件，且 連接於前述至少一個導電性構件之連接部分與端子之間的電阻值係小於前述複數個電極之兩端間的電阻值， 前述複數個端子的數量係少於前述複數個電極之數量的2倍。
  2. 如請求項1之基板保持構件，其中前述複數個電極及前述至少一個導電性構件的至少一部分，係網孔狀物，該網孔狀物係將選自鎢、鉬及含鉬及/或鎢之合金中的至少一種金屬的引線編織而成。
  3. 如請求項2之基板保持構件，其中前述複數個電極及前述導電性構件的厚度，除了前述引線的交點以外，為0.03mm～0.2mm。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板保持構件，其中於前述至少一個導電性構件中之一個導電性構件設置有開口部分或缺口部分， 前述複數個端子之至少一個端子係配置於前述開口部分或前述缺口部分。
  5. 如請求項1至3中任一項之基板保持構件，其中前述陶瓷基材係具有圓板狀的形狀，且 前述導電性構件之面積的和係虛擬圓之面積的40％以上的大小，該虛擬圓係具有以前述複數個電極中外徑最大之最大電極的外徑劃定之半徑。
  6. 如請求項1至3中任一項之基板保持構件，其中前述陶瓷基材係具有圓板狀的形狀，且 前述至少一個導電性構件的面積，係將虛擬圓之面積除以前述複數個電極的個數而得之值的40％以上的大小，該虛擬圓係具有以前述複數個電極中外徑最大之最大電極的外徑劃定之半徑。
  7. 如請求項1至3中任一項之基板保持構件，其中前述複數個電極的材料係與前述至少一個導電性構件的材料相同的材料。
  8. 如請求項7之基板保持構件，其中前述連接部分係通路構造、或者為前述相同材料且將前述複數個電極及前述至少一個導電性構件一體化後的構造。
  9. 如請求項1至3中任一項之基板保持構件，其中前述複數個電極的材料係與前述至少一個導電性構件的材料不同的材料。
  10. 如請求項1至3中任一項之基板保持構件，其進一步具備筒狀的軸，該筒狀的軸係與前述陶瓷基材之前述下面接合，且 前述端子係配置於較前述軸的外徑靠內側。
TW111147727A 2021-12-14 2022-12-13 基板保持構件 TW202335534A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021202450 2021-12-14
JP2021-202450 2021-12-14
JP2022180447A JP2023088271A (ja) 2021-12-14 2022-11-10 基板保持部材
JP2022-180447 2022-11-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202335534A true TW202335534A (zh) 2023-09-01

Family

ID=86695005

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111147727A TW202335534A (zh) 2021-12-14 2022-12-13 基板保持構件

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230187252A1 (zh)
KR (1) KR20230090271A (zh)
TW (1) TW202335534A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6715699B2 (ja) 2016-06-27 2020-07-01 日本特殊陶業株式会社 セラミックスヒータ

Also Published As

Publication number Publication date
US20230187252A1 (en) 2023-06-15
KR20230090271A (ko) 2023-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100497016B1 (ko) 가열 장치
US10354904B2 (en) Electrostatic chuck
US11004715B2 (en) Substrate supporting device
JP5896595B2 (ja) ２層ｒｆ構造のウエハ保持体
JP4640842B2 (ja) 加熱装置
JP4510745B2 (ja) セラミックス基材と電力供給用コネクタの接合構造
JP6666717B2 (ja) セラミックス部材
KR20200029038A (ko) 웨이퍼 배치대 및 그 제조법
JP2018045920A (ja) セラミックヒータ及びその製造方法。
KR101397133B1 (ko) 정전척의 제조방법
JP2004253786A (ja) セラミックスの接合構造
TW202335534A (zh) 基板保持構件
JP4545896B2 (ja) ヒータユニット及びその製造方法
TW202333267A (zh) 基板保持構件及基板保持構件的製造方法
JP4189177B2 (ja) 端子電極部材
JP2023023670A (ja) セラミックスヒータ
JP2023088271A (ja) 基板保持部材
JP2023088272A (ja) 基板保持部材及び基板保持部材の製造方法
JP2020126913A (ja) セラミックス部材
US20230317506A1 (en) Substrate holder
WO2024080280A1 (ja) 吸着基板
JP2023180075A (ja) セラミックスヒータ
JP2023040595A (ja) セラミックスヒータ
JP2023055342A (ja) 基板保持部材
JP2023056923A (ja) 基板保持部材