JP6715699B2 - セラミックスヒータ - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエハなどの被加熱物を加熱するセラミックスヒータに関する。

成膜又はエッチング等の処理の対象となる半導体ウエハなどの被加熱物が載置されるセラミックス基材が複数のゾーンに区分され、当該複数のゾーンのそれぞれに別個の発熱抵抗体が埋設され、それぞれの発熱抵抗体に流す電流を独立して制御するマルチゾーンヒータが提案されている。

従来、下側の発熱抵抗体は、給電端子と接続された第１発熱抵抗要素と、第１発熱抵抗要素と接続され、第１発熱抵抗要素を重畳的に囲む相互に離間している１又は複数の環状区域のそれぞれに配置されている第２発熱抵抗要素と、隣り合う環状区域に配置されている下側発熱抵抗要素同士を接続する第３発熱抵抗要素とにより構成されている。そして、給電端子と第２発熱抵抗要素とを直線的に接続する領域に第１発熱抵抗要素が配置されている。

例えば、特許文献１には、伝導面が埋設されたセラミックス基材において、伝導面の下側に埋設された発熱抵抗体が、上記の下側の発熱抵抗体のように発熱抵抗要素が配置されることが記載されている。

特開２０１５−１８７０４号公報

しかしながら、上記従来のセラミックスヒータにおいては、下側の発熱抵抗体における第１発熱抵抗要素の電気抵抗により、この部分に局所的な発熱が生じる。そのため、この領域の上方に配置された上側の発熱抵抗体による発熱を補っても、基材を均熱化することは困難であった。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、基材の均熱化を図ることが可能なセラミックスヒータを提供することを目的とする。

本発明は、セラミックスからなり、上面に被加熱物が載置されるセラミックス基材と、前記セラミックス基材に埋設された下側発熱抵抗体と、前記下側発熱抵抗体より上側にて前記セラミックス基材に埋設された上側発熱抵抗体と、セラミックスからなり、前記セラミックス基材の下面の中心部に接続された中空のシャフトと、前記下側発熱抵抗体に電流を流すための下側用端子と、前記上側発熱抵抗体に電流を流すための上側用端子とを備えたセラミックスヒータであって、前記下側発熱抵抗体は、前記下側用端子と接続された第１下側発熱抵抗要素と、前記第１下側発熱抵抗要素と接続され、上面視において前記上側発熱抵抗体の最外周より外側であって、前記第１下側発熱抵抗要素を重畳的に囲む相互に離間している１又は複数の下側環状区域のそれぞれに配置されている第２下側発熱抵抗要素と、隣り合う前記下側環状区域に配置されている前記第２下側発熱抵抗要素同士を接続する第３下側発熱抵抗要素とにより構成され、前記上側発熱抵抗体は、上面視において、前記シャフトの外周の内側及び外側に位置する領域に配置されており、前記第１下側発熱抵抗要素は、少なくとも、上面視において、前記シャフトの外周の外側であって、かつ、前記上側発熱抵抗体の最外周より内側に位置する領域を含み、前記下側用端子と前記第２下側発熱抵抗要素とを前記第３下側発熱抵抗要素の幅で直線的に接続した領域の面積を超える面積を有する領域に配置されていることを特徴とする。

本発明によれば、下側用端子と第２下側発熱抵抗要素とを第３下側発熱抵抗要素の幅と同程度の幅で直線的に接続する領域に第１下側発熱抵抗要素が配置されている従来のセラミックスヒータと比較して、第１下側発熱抵抗要素の存在する領域の面積が大きい。これにより、第１下側発熱抵抗要素の抵抗値が小さくなり、この部分での発熱が抑制されることにより、基材の均熱化を図ることが可能となる。

なお、本発明のセラミックスヒータは、下側発熱抵抗体と上側発熱抵抗体との上下２層の発熱抵抗体を備えるものに限定されない。例えば、本発明のセラミックスヒータは、下側発熱抵抗体より下側にさらに位置する発熱抵抗体、下側発熱抵抗体と上側発熱抵抗体との間に位置する発熱抵抗体、上側発熱抵抗体より上側にさらに位置する発熱抵抗体の何れかが少なくとも１つ備わるものであってもよい。

本発明において、前記第１下側発熱抵抗要素は、前記上側用端子と電気的に接続される構造と離間しつつ、前記セラミックス基材を上下方向に貫通する孔を除き、上面視において前記上側発熱抵抗体の最外周より内側の領域の全面に亘って配置されていることが好ましい。

この場合、第１下側発熱抵抗要素の領域を可能な限り広くできる。これに、第１下側発熱抵抗要素の抵抗値がさらに小さくなり、この部分での発熱がさらに抑制されることにより、基材のさらなる均熱化を図ることが可能となる。

また、本発明において、前記上側発熱抵抗体は、前記上側用端子と接続された第１上側発熱抵抗要素と、前記第１上側発熱抵抗要素と接続され、前記第１上側発熱抵抗要素を重畳的に囲む相互に離間している１又は複数の上側環状区域のそれぞれに配置されている第２上側発熱抵抗要素と、隣り合う前記上側環状区域に配置されている前記第２上側発熱抵抗要素同士を接続する第３上側発熱抵抗要素とにより構成され、上面視において前記シャフトの内側に位置し当該シャフトに最も近い前記第２上側発熱抵抗要素は、上面視において前記シャフトの外側に位置し最も近い前記第２上側発熱抵抗要素と比較して、抵抗値が大きいことが好ましい。

この場合、上面視においてシャフトの内側に位置し当該シャフトに最も近い第２上側発熱抵抗要素は、上面視においてシャフトの外側に位置し最も近い第２上側発熱抵抗要素と比較して抵抗値が小さい従来のセラミックスヒータと比較して、前者の抵抗値が大きい。これにより、この部分での発熱が大きくなり、シャフトによる熱逃げの補償を図ることが可能となる。これにより、基材の半径方向の均熱化を図ることが可能となる。

また、本発明において、前記上面視において前記シャフトの内側に位置し当該シャフトに最も近い前記第２上側発熱抵抗要素は、外側から中心部に向う部分を有するように蛇行していることが好ましい。

この場合、厚さを変えることなく、第２上側発熱抵抗要素を構成することが簡易に可能となる。

本発明の実施形態に係るセラミックスヒータの模式断面図。 図１のII−II模式断面図。 図１のIII−III模式断面図。 上側発熱抵抗体の変形例を示す模式断面図。 比較例１における下側発熱抵抗体を示す模式断面図。

まず、本発明の実施形態に係るセラミックスヒータ１００について図１から図３を参照して、説明する。

セラミックスヒータ１００は、図示しないウエハ（基材）などの被加熱物を吸着保持するための略円板状の絶縁体からなる基材１０と、相互に短絡しないように基材１０に埋設されている上側発熱抵抗体２０及び下側発熱抵抗体３０と、基材１０の下面の中心部に接続された中空のシャフト４０とを備えている。

シャフト４０は、大略円筒形状であり、基材１０との接合部分の外径が他の円筒部４１より拡径した拡径部４２を有し、拡径部４２の上面が基材１０との接合面となっている。

シャフト４０の材質は、基材１０の材質と同等でよいが、断熱性を高めるために、基材１０の素材より熱伝導率の低い素材から形成されていてもよい。

基材１０の下面とシャフト４０の上端面とが、拡散接合又はセラミックス若しくはガラス等の接合材による固相接合によって接合されている。なお、基材１０とシャフト４０とは、ねじ止めやろう付けなどによって接続されてもよい。

なお、基材１０には、発熱抵抗体２０，３０のほか、ウエハをジョンセン−ラーベック力により載置面に引き付けるための静電チャック電極及び基材１０の上方にプラズマを発生させるためのプラズマ電極のうち少なくとも一方が埋設されていてもよい。

さらに、セラミックスヒータ１００は、上側発熱抵抗体２０に対して電力を供給するための一対の上側用端子５０と、下側発熱抵抗体３０に対して電力を供給するための一対の下側用端子６０とをも備えている。

端子５０，６０には、それぞれ基材１０に埋設されている図示しない電流供給部材に接続されている。そして、シャフト４０の中空部を通って配線されている図示しない給電線が接続され。この給電線は図示しない電源に接続されている。

端子５０，６０と電流供給部材とはろう付け又は溶接されている。端子５０，６０は、箔、板、塊状のニッケル（Ｎｉ）、コバール（登録商標）（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、又はモリブデン（Ｍｏ）及びタングステン（Ｗ）を主成分とする耐熱合金などの耐熱金属から構成される。電流供給部材はモリブデン（Ｍｏ）又はタングステン（Ｗ）などからなる。

基材１０は、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等からなるセラミックス焼結体である。基材１０は、上記の材料を所定形状の型に入れて成形し、緻密化させるため、例えばホットプレス焼成等によって円板状に作製すればよい。

発熱抵抗体２０，３０は、本実施形態では、モリブデン（Ｍｏ）又はタングステン（Ｗ）等の耐熱金属などのメッシュからなり、面状の形態をしている。ただし、発熱抵抗体２０，３０は、耐熱金属などからなる膜、板、線、箔、繊維、コイル、リボン状など構成であってもよく、螺旋、折返し状などの形態であってもよい。そして、本実施形態では、発熱抵抗体２０，３０の厚さは一定となっている。

基材１０の間に発熱抵抗体２０，３０を挟み込んだ状態で、基材１０は焼成される。

発熱抵抗体２０，３０のパターンの一例を説明する。

上側発熱抵抗体２０は、一対の上側用端子５０とそれぞれ接続された第１上側発熱抵抗要素２１と、第１上側発熱抵抗要素２１と接続され、第１上側発熱抵抗要素２１を重畳的に囲む相互に離間している１又は複数の上側環状区域のそれぞれに配置されている第２上側発熱抵抗要素２２ａ〜２２ｅと、隣り合う上側環状区域に配置されている第２上側発熱抵抗要素同士２２ａ〜２２ｅを接続する第３上側発熱抵抗要素２３ａ〜２３ｄとにより構成されている。

なお、本実施形態では、第２上側発熱抵抗要素２２ａ〜２２ｅは、第１上側発熱抵抗要素２１を重畳的に囲む相互に離間している５つの上側環状区域のそれぞれに半円環状に２つずつ配置されている。

ここで、第１上側発熱抵抗要素２１は、折れ曲がり状に、或いは蛇行して配置されている。そして、この第１上側発熱抵抗要素２１と接続され、第１上側発熱抵抗要素２１の外側に位置する半円環状領域に配置される第２上側発熱抵抗要素２２ａも、外側から中心部に向う部分を有するように、折れ曲がり状に、或いは蛇行して配置されている。さらに、これら第１上側発熱抵抗要素２１及び第２上側発熱抵抗要素２２ａは、第２上側発熱抵抗要素２２ｂ〜２２ｅと比較して、幅が狭くなっている。

ただし、第２上側発熱抵抗要素２２ａは、折れ曲がり状に、或いは蛇行して配置されているものに限定されない。例えば、図４に示す上側発熱抵抗体２０Ａのように、第２上側発熱抵抗要素２２ａＡは第２上側発熱抵抗要素２２ｂを相似状に縮小した半円環状であってもよい。

図２の二点鎖線は、上面視におけるシャフト４０の拡径部４２の外周を示している。この図から分かるように、上面視において、第１上側発熱抵抗要素２１及び第２上側発熱抵抗要素２２ａはシャフト４０のフランジの外周の内側に位置し、他の第２上側発熱抵抗要素２２ｂ〜２２ｅはシャフト４０のフランジの外周の外側に位置している。

このように、上面視においてシャフト４０の内側に位置し且つ当該シャフト４０に最も近い第２上側発熱抵抗要素２２ａは、上面視においてシャフト４０の外側に位置し且つ最も近い第２上側発熱抵抗要素２２ｂと比較して、幅が狭く且つ長いので、抵抗値が大きくなっている。ただし、第２上側発熱抵抗要素２２ａは、第２上側発熱抵抗要素２２ｂと比較して、抵抗値が大きければよく、幅が狭い、或いは長さが長くてもよい。

基材１０の熱はシャフト４０を介して逃げる割合が大きく、従来のセラミックスヒータにおいては、半径方向に熱勾配が発生していた。しかし、本セラミックスヒータ１００においては、上面視においてシャフト４０の内側に位置し且つ当該シャフト４０に最も近い第２上側発熱抵抗要素２２ａの抵抗値が大きいので、ここでの発熱が大きくなり、シャフト４０による熱逃げの補償を図ることが可能となる。これにより、基材１０の半径方向の均熱化を図ることが可能となる。

第１上側発熱抵抗要素２１は、折れ曲がり状に、或いは蛇行して配置されているので、上側発熱抵抗体２０が存在する層を貫通する構造を回避して配置することが容易である。

なお、上側発熱抵抗体２０を、上下方向の位置を変えた複数段に配置してもよい。このように、上側発熱抵抗体２０は、公知のセラミックスヒータの基材に埋設された発熱抵抗体と同じように配置すればよく、その構成、形態などは限定されない。

下側発熱抵抗体３０は、一対の下側用端子６０とそれぞれ接続された第１下側発熱抵抗要素３１と、第１下側発熱抵抗要素３１と接続され、第１下側発熱抵抗要素３１を重畳的に囲む相互に離間している１又は複数の下側環状区域のそれぞれに配置されている第２下側発熱抵抗要素３２ａ，３２ｂと、隣り合う下側環状区域に配置されている第２下側発熱抵抗要素３２ａ，３２ｂ同士を接続する第３下側発熱抵抗要素３３ａとにより構成されている。

なお、本実施形態では、第２下側発熱抵抗要素３２ａ，３２ｂは、第１下側発熱抵抗要素３１を重畳的に囲む相互に離間している２つの下側環状区域のそれぞれに半円状に２つずつ配置されている。ただし、第２下側発熱抵抗要素３２ａ，３２ｂは、例えば、折り曲がり線状に配置されていてもよい。

下側発熱抵抗体３０は、上述した構成、形態に限定されない。下側発熱抵抗体３０は、半円状のものが２つ結合された形態、蛇行した形態などであってもよい。

図３の二点鎖線は、上面視における上側発熱抵抗体２０の外周を示している。この図から分かるように、第１下側発熱抵抗要素３１は、上面視において上側発熱抵抗体２０の内側に位置する領域を含むように配置され、第２下側発熱抵抗要素３２ａ，３２ｂは、上面視において上側発熱抵抗体２０の最外周より外側の領域に配置されている。

そして、第１下側発熱抵抗要素３１は、それぞれ大略半円状となっている。第１下側発熱抵抗要素３１は、下側用端子６０と第２下側発熱抵抗要素３２ａ，３２ｂとを第３下側発熱抵抗要素３３ａの幅と同じ幅で直線的に接続する領域以外の領域にも配置されている。

具体的には、第１下側発熱抵抗要素３１は、上側用端子５０と図示しない外部電源とを電気的に接続する構造と離間するために、基材１０の中央部において略半円状の空間を有している。離間が目的であるため略半円状の空間に限定されず最小限の空間が形成されていればよい。また、第１下側発熱抵抗要素３１は、基材１０を上下方向に貫通する孔として３つの円状の空間を有している。そして、第１下側発熱抵抗要素３１は、これらの空間を除き、第２下側発熱抵抗要素３２ａの内側であって、所定の隙間を隔てた領域の全面に亘って配置している。このように、第１下側発熱抵抗要素３１は、非常に広い領域に配置されており、中央部の下側用端子６０との接続位置から第２下側発熱抵抗要素３２ａまでの抵抗値は第２下側発熱抵抗要素３２ａ，３２ｂと比較して非常に小さいものとなっており第１下側発熱抵抗要素３１の同一平面上で発生するジュール発熱が抑えられている。

従来のセラミックスヒータにおいては、第１下側発熱抵抗要素３１は下側用端子６０と第２下側発熱抵抗要素３２ａ，３２ｂとを第３下側発熱抵抗要素３３の幅と同程度の幅で直線的に接続する領域に配置されていたので、この部分における不可避なジュール発熱により、基材１０の均熱化を妨げられていた。

しかし、本セラミックスヒータ１００においては、第１下側発熱抵抗要素３１は、従来と比較して広い領域に配置されており、抵抗値が小さくなっているので、発熱が抑制される。これにより、基材１０の均熱化を図ることが可能となる。また、埋設する下側発熱抵抗体３０として金属層をほぼ全面に渡り配置しているので、その金属の反射率が大きいため上側発熱抵抗体２０で発熱したジュール熱を反射し、シャフト４０への熱逃げを抑制する効果も得られ、あわせて均温化を図ることができる。

なお、本発明の実施形態に係るセラミックスヒータは、上側発熱抵抗体２０と下側発熱抵抗体３０との上下２層の発熱抵抗体を備えるものに限定されない。例えば、本発明のセラミックスヒータは、上側発熱抵抗体２０より上側にさらに位置する発熱抵抗体、上側発熱抵抗体２０と下側発熱抵抗体３０との間に位置する発熱抵抗体、下側発熱抵抗体３０より下側にさらに位置する発熱抵抗体の何れかが、少なくとも１つ備わるものであってもよい。

また、上面視において、第２下側発熱抵抗要素３２ａ，３２ｂは上側発熱抵抗体２０の最外周より外側の領域に配置されている場合について説明した。しかし、これに限定されず、上面視において、第２下側発熱抵抗要素３２ａ，３２ｂが上側発熱抵抗体２０の最外周より内側の領域に配置され、第２下側発熱抵抗要素３２ａ，３２ｂと上側発熱抵抗体２０とがオーバーラップしていてもよい。

（実施例１ａ）
基材１０として、１６０高熱伝導窒化アルミニウムからなり、直径３４０ｍｍ、厚さ１５ｍｍの円板状のものを用意した。

この基材１０には、上面から厚さの５０％である７．５ｍｍの位置に、線径０．１ｍｍの純モリブデン線から５０メッシュのメッシュをレーザ加工して図２に示した形状とした上側発熱抵抗体２０を埋設した。また、この基材１０には、上面から厚さの７０％である１０．５ｍｍの位置に、線径０．１ｍｍの純モリブデン線から５０メッシュのメッシュをレーザ加工して図３に示した形状とした下側発熱抵抗体３０を埋設した。

そして、この基材１０の下面に、常温の熱伝導率が８０ｋＷ／（ｍ・ｋ）の窒化アルミニウムからなり、内径５０ｍｍ、外径５６ｍｍ、長さ２００ｍｍの円筒形状のシャフト４０の上端面を拡散接合法によって接合した。なお、シャフト４０の拡径部４２は、外径７０ｍｍであった。このようにしてセラミックスヒータ１００を得た。

上側発熱抵抗体２０と下側発熱抵抗体３０とは、それぞれ独立した２個の電力調節器（電力フィードバック式のサイリスタ）で、基材１０の上面中心部に挿入された熱電対が２００℃となるよう制御した（プロセスＡ）。なお、上側発熱抵抗体２０近傍の熱電対が示す温度でフィードバック制御し、上側発熱抵抗体２０と下側発熱抵抗体３０との電力比は、サイリスタの勾配器を調節し概ね均温化する比率に調節した。

そして、プロセスＡでは、セラミックスヒータ１００を、雰囲気圧力が１０Ｔｏｒｒ（＝約１３３３Ｐａ）のチャンバ内に収容した。

そして、前記上側熱電対の測定温度が、室温から２００℃まで５℃／分で昇温するように、電力比５０：５０で発熱抵抗体２０，３０に電力を供給した。そして、前記熱電対の測定温度が２００℃となった状態で、概ね均温化するように発熱抵抗体２０，３０に供給する電力を調節し、その後１５分間保持した。このとき、上側発熱抵抗体２０と下側発熱抵抗体３０とに供給した電力比を求めた。

そして、１５分間経過した時点で、基材１０の上面の温度をＩＲカメラで測定した。これらの測定温度のうち最高温度と最低温度との差を測定した。

そして、前記熱電対の測定温度が、室温から４５０℃まで５℃／分で昇温するように、上側発熱抵抗体２０と下側発熱抵抗体３０との電力比を６０：４０として、発熱抵抗体２０，３０に電力を供給した。そして、前記熱電対の測定温度が４５０℃となった状態で、発熱抵抗体２０，３０に供給する電力を調節し均温化を図った。その後１５分間保持した。このときの電力比を求めた。

（実施例１ｂ）
また、実施例１ｂでは、プロセスＢとして、セラミックスヒータ１００を、雰囲気圧力が０．１Ｔｏｒｒ（＝約１３．３３Ｐａ）のチャンバ内に収容した。

そして、プロセスＡと同様にして、基材１０の上面の温度を測定した。

（実施例２ａ，２ｂ）
上側発熱抵抗体２０を図４のようにした以外、実施例１と同じ仕様で製作し評価を行った。

（比較例１ａ）
下側発熱抵抗体を図５のようにした以外、実施例１と同じ仕様で製作し評価を行った。

実施例１、実施例２、比較例の評価結果を表１に示す。
その結果、実施例１では、第１下側発熱抵抗要素の効果又は第１上側発熱抵抗要素の少なくとも１つが均温性に良い影響を与えていることが理解される。また、実施例２では、第１下側発熱抵抗要素の効果のみによっても均温化が図られ効果があることが示された。

１０…基材（セラミックス基材）、 ２０，２０Ａ…上側発熱抵抗体、 ２１…第１上側発熱抵抗要素、 ２２ａ〜２２ｅ，２２ａＡ…第２上側発熱抵抗要素、 ２３ａ〜２３ｄ…第３上側発熱抵抗要素、 ３０…下側発熱抵抗体、 ３１…第１下側発熱抵抗要素、 ３２ａ，３２ｂ…第２下側発熱抵抗要素、 ３３…第３下側発熱抵抗要素、、 ４０…シャフト、 ４１…円筒部、 ４２…拡径部、 ５０…上側用端子、 ６０…下側用端子、 １００…セラミックスヒータ。

Claims (4)

1. セラミックスからなり、上面に被加熱物が載置されるセラミックス基材と、
   前記セラミックス基材に埋設された下側発熱抵抗体と、
   前記下側発熱抵抗体より上側にて前記セラミックス基材に埋設された上側発熱抵抗体と、
   セラミックスからなり、前記セラミックス基材の下面の中心部に接続された中空のシャフトと、
   前記下側発熱抵抗体に電流を流すための下側用端子と、
   前記上側発熱抵抗体に電流を流すための上側用端子とを備えたセラミックスヒータであって、
   前記下側発熱抵抗体は、前記下側用端子と接続された第１下側発熱抵抗要素と、前記第１下側発熱抵抗要素と接続され、上面視において前記上側発熱抵抗体の最外周より外側であって、前記第１下側発熱抵抗要素を重畳的に囲む相互に離間している１又は複数の下側環状区域のそれぞれに配置されている第２下側発熱抵抗要素と、隣り合う前記下側環状区域に配置されている前記第２下側発熱抵抗要素同士を接続する第３下側発熱抵抗要素とにより構成され、
   前記上側発熱抵抗体は、上面視において、前記シャフトの外周の内側及び外側に位置する領域に配置されており、
   前記第１下側発熱抵抗要素は、少なくとも、上面視において、前記シャフトの外周の外側であって、かつ、前記上側発熱抵抗体の最外周より内側に位置する領域を含み、前記下側用端子と前記第２下側発熱抵抗要素とを前記第３下側発熱抵抗要素の幅で直線的に接続した領域の面積を超える面積を有する領域に配置されていることを特徴とするセラミックスヒータ。
2. 前記第１下側発熱抵抗要素は、前記上側用端子と電気的に接続される構造と離間しつつ、前記セラミックス基材を上下方向に貫通する孔を除き、上面視において前記上側発熱抵抗体の最外周より内側の領域の全面に亘って配置されていることを特徴とする請求項１に記載のセラミックスヒータ。
3. 前記上側発熱抵抗体は、前記上側用端子と接続された第１上側発熱抵抗要素と、前記第１上側発熱抵抗要素と接続され、前記第１上側発熱抵抗要素を重畳的に囲む相互に離間している１又は複数の上側環状区域のそれぞれに配置されている第２上側発熱抵抗要素と、隣り合う前記上側環状区域に配置されている前記第２上側発熱抵抗要素同士を接続する第３上側発熱抵抗要素とにより構成され、
   上面視において前記シャフトの内側に位置し当該シャフトに最も近い前記第２上側発熱抵抗要素は、上面視において前記シャフトの外側に位置し最も近い前記第２上側発熱抵抗要素と比較して、抵抗値が大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミックスヒータ。
4. 前記上面視において前記シャフトの内側に位置し当該シャフトに最も近い前記第２上側発熱抵抗要素は、外側から中心部に向う部分を有するように蛇行していることを特徴とする請求項３に記載のセラミックスヒータ。