KR102368339B1 - 웨이퍼 지지대 - Google Patents

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KR102368339B1
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다이키 마에다
유타카 우노
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엔지케이 인슐레이터 엘티디
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Abstract

웨이퍼 지지대(20)는, 실드 시트(40)와 실드 파이프(42)를 구비한다. 실드 시트(40)는, 플라즈마 발생 전극(26)과 히터 전극(30) 사이에 양자와 비접촉 상태로 세라믹 기체(22)에 매설된다. 실드 파이프(42)는, 실드 시트(40)와 전기적으로 접속되고, 세라믹 기체(22)의 이면(22b)으로부터 세라믹 샤프트(24)의 내부(세라믹 기체(22)의 외부)로 연장된다. 플라즈마 발생 전극(26)의 로드(28)는 실드 파이프(42)의 내부에 실드 파이프(42)와 비접촉 상태로 삽입 관통된다. 히터 전극(30)의 배선 부재(31a, 32a)는, 실드 파이프(42)의 외부에 실드 파이프(42)와 비접촉 상태로 배치된다.

Description

웨이퍼 지지대{WAFER SUPPORT TABLE}
본 발명은, 웨이퍼 지지대에 관한 것이다.
종래부터 반도체 제조 프로세스에 있어서, 플라즈마 CVD 공정이 채용되는 경우가 있다. 플라즈마 CVD 공정에서는, 웨이퍼 지지대의 웨이퍼 배치면에 웨이퍼를 배치한다. 웨이퍼 지지대의 세라믹 기체에는, 그라운드에 접속된 하부 전극과 웨이퍼를 가열하는 히터 전극이 매설되어 있다. 한편, 웨이퍼의 위쪽 공간에는, RF 전원에 접속된 상부 전극이 배치되어 있다. 그리고, 상부 전극에 RF 전류를 공급하면, 상부 전극과 하부 전극 사이의 공간에 플라즈마가 발생하고, 이 플라즈마를 이용하여 웨이퍼에 박막이 증착된다. 또한, 하부 전극을 RF 전원에 접속하고, 상부 전극을 그라운드에 접속하는 경우도 있다.
이러한 플라즈마 CVD 공정에서는, RF 전류에 의해 발생하는 RF 자장의 시간 변화에 따라 RF 전계가 유도되고, 히터 전극이 RF 노이즈에 의해 영향을 받는 경우가 있었다. 이 점을 고려하여 특허문헌 1에서는 하부 전극과 히터 전극 사이에 RF 실드를 설치하고 있다.
[특허문헌 1] 미국 특허 제6683274호 명세서
그러나, 하부 전극과 히터 전극 사이에 RF 실드를 설치한 경우라도, RF 전류의 주파수가 높아지면 히터 회로에 대한 RF 노이즈의 영향을 충분히 막기는 어려웠다.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 플라즈마 발생 장치에 이용되는 웨이퍼 지지대에 있어서 히터 회로에 대한 RF 노이즈의 영향을 충분히 방지하는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 웨이퍼 지지대는,
웨이퍼 배치면을 구비한 세라믹 기체에, 상기 웨이퍼 배치면에 가까운 쪽에서부터 플라즈마 발생 전극, 히터 전극이 이 순서로 이격된 상태로 매설되고, 상기 플라즈마 발생 전극의 배선 부재 및 상기 히터 전극의 배선 부재가 상기 세라믹 기체의 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측 면으로부터 상기 세라믹 기체의 외부로 인출되는 웨이퍼 지지대로서,
상기 플라즈마 발생 전극과 상기 히터 전극 사이에 양자와 비접촉 상태로 상기 세라믹 기체에 매설되는 실드 시트와,
상기 실드 시트와 전기적으로 접속되고, 상기 세라믹 기체의 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측 면으로부터 상기 세라믹 기체의 외부로 연장되는 실드 파이프
를 구비하며,
상기 플라즈마 발생 전극의 배선 부재는, 상기 실드 파이프의 내부에 상기 실드 파이프와 비접촉 상태로 삽입 관통되고,
상기 히터 전극의 배선 부재는, 상기 실드 파이프의 외부에 상기 실드 파이프와 비접촉 상태로 배치되는 것이다.
이 웨이퍼 지지대에서는, 실드 시트는, 플라즈마 발생 전극의 주위에 발생하는 RF 전계가 히터 전극에 결합하는 것을 방지한다. 이 RF 전계는, 플라즈마 발생 전극을 흐르는 RF 전류에 의해 발생하는 RF 자장의 시간 변화에 따라 유도되는 것이다. 또한, 실드 파이프는, 플라즈마 발생 전극의 배선 부재의 주위에 발생하는 RF 전계가 히터 전극에 결합하는 것을 방지한다. 이 RF 전계는, 플라즈마 발생 전극의 배선 부재를 흐르는 RF 전류에 의해 발생하는 RF 자장의 시간 변화에 따라 유도되는 것이다. 특허문헌 1에서는, 이러한 실드 파이프를 구비하고 있지 않기 때문에, RF 전계가 히터 전극의 배선 부재에 결합하는 것을 방지할 수 없었지만, 본 발명에서는 이러한 실드 파이프를 구비하기 때문에, 히터 전극의 배선 부재에 결합하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 히터 전극 및 그 배선 부재를 포함하는 히터 회로에 대한 RF 노이즈의 영향을 충분히 방지할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 지지대에 있어서, 상기 히터 전극의 배선 부재는, 상기 히터 전극과 외부 전원 사이에 저역 필터를 구비해도 좋다. 이렇게 하면, 저역 필터에 의해 완전히 방지할 수는 없었던 RF 노이즈를, 실드 시트 및 실드 파이프에 의해 방지하는 것이 가능해진다.
본 발명의 웨이퍼 지지대에 있어서, 상기 실드 시트는, 메시, 펀칭 메탈 또는 금속판의 면형 부재이며, 상기 실드 파이프는, 메시, 펀칭 메탈 또는 금속판의 통형 부재라도 좋다. 메시의 크기나 펀칭 메탈의 구멍의 크기는 RF 노이즈의 영향을 충분히 방지할 수 있도록 설계된다.
본 발명의 웨이퍼 지지대에 있어서, 상기 플라즈마 발생 전극은, RF 전원의 전압을 인가하는 전극이어도 좋고 그라운드 전극이어도 좋다. 어느 쪽의 경우라도 RF 노이즈의 문제가 발생하기 때문에, 본 발명을 적용하는 의의가 높다.
본 발명의 웨이퍼 지지대에 있어서, 상기 플라즈마 발생 전극에 흐르는 RF 전류의 주파수는, 13 MHz 이상인 것이 바람직하다. RF 전류의 주파수가 13 MHz 이상(특히 27 MHz 이상)인 경우에는, RF 노이즈의 영향이 커지기 쉽기 때문에, 본 발명을 적용하는 의의가 높다.
도 1은 본 실시형태의 플라즈마 발생 장치(10)의 개략 구성을 도시한 단면도.
도 2는 다른 실시형태의 플라즈마 발생 장치(10)의 개략 구성을 도시한 단면도.
본 발명의 적합한 실시형태를, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 플라즈마 발생 장치(10)의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
플라즈마 발생 장치(10)는 웨이퍼 지지대(20)와, 상부 전극(50)을 구비한다.
웨이퍼 지지대(20)는, 플라즈마를 이용하여 CVD나 에칭 등을 행하는 웨이퍼(W)를 지지하여 가열하기 위해 이용되는 것으로, 도시하지 않은 반도체 프로세스용 챔버의 내부에 부착된다. 이 웨이퍼 지지대(20)는, 세라믹 기체(22)와, 세라믹 샤프트(24)를 구비한다.
세라믹 기체(22)는, AlN제의 원판형 부재이다. 이 세라믹 기체(22)는, 웨이퍼(W)를 배치할 수 있는 웨이퍼 배치면(22a)을 구비한다. 세라믹 기체(22)의 웨이퍼 배치면(22a)과 반대측 면(이면)(22b)에는, 세라믹 샤프트(24)가 접합된다. 세라믹 기체(22)에는, 플라즈마 발생 전극(26)과 히터 전극(30)과 실드 시트(40)가 매설된다. 플라즈마 발생 전극(26)과 히터 전극(30)은, 웨이퍼 배치면(22a)에 가까운 쪽에서부터 이 순서로 이격된 상태로 매설된다. 실드 시트(40)는, 플라즈마 발생 전극(26)과 히터 전극(30) 사이에 양자와 비접촉 상태로 매설된다.
플라즈마 발생 전극(26)은, 도전성의 메시 시트로 구성되는 원형 전극으로서, 웨이퍼 배치면(22a)과 평행 또는 거의 평행하게 설치된다. 플라즈마 발생 전극(26)에 전기적으로 접속되는 배선 부재로서의 로드(28)가, 세라믹 기체(22)의 이면(22b)으로부터 세라믹 샤프트(24)의 내부(세라믹 기체(22)의 외부)로 인출되고, 도전 금속제의 원주 부재(44)에 전기적으로 접속된다.
히터 전극(30)은, 웨이퍼 배치면(22a)과 평행 또는 거의 평행하게 설치된다. 히터 전극(30)은, 세라믹 기체(22)의 중심으로부터 소정 반경의 원의 내측 존(제1 존(Z1), 도 1의 1점 쇄선 참조)에 설치되는 제1 히터 전극(31)과 그 원의 외측 존(제2 존(Z2), 도 1의 2점 쇄선 참조)에 설치되는 제2 히터 전극(32)으로 구성된다. 제1 히터 전극(31)은, 제1 존(Z1)의 중심 부근을 제외한 거의 전면에 걸쳐 끊임없이 다른 쪽 단자까지 코일을 배선한 것이다. 제1 히터 전극(31)의 양단에는, 각각 배선 부재(31a, 31a)가 전기적으로 접속된다. 한쪽 배선 부재(31a)는, 세라믹 기체(22)의 이면(22b)으로부터 세라믹 샤프트(24)의 내부(세라믹 기체(22)의 외부)로 인출되고, 원주 부재(44)를 전기적으로 절연된 상태로 관통하며, 저역 필터(33)를 거쳐 교류 전원(35)에 접속된다. 다른 쪽 배선 부재(31a)는, 그라운드(G)에 전기적으로 접속된다. 제2 히터 전극(32)은, 제2 존(Z2)의 거의 전면에 걸쳐 끊임없이 배선한 것이다. 제2 히터 전극(32)의 양단에는, 각각 배선 부재(32a, 32a)가 전기적으로 접속된다. 한쪽 배선 부재(32a)는, 세라믹 기체(22)의 이면(22b)으로부터 세라믹 샤프트(24)의 내부(세라믹 기체(22)의 외부)로 인출되고, 원주 부재(44)를 전기적으로 절연된 상태로 관통하며, 저역 필터(34)를 거쳐 교류 전원(36)에 접속된다. 다른 쪽 배선 부재(32a)는, 그라운드(G)에 전기적으로 접속된다.
실드 시트(40)는, 원형이고, 도전성의 메시 시트이며, 웨이퍼 배치면(22a)과 평행 또는 거의 평행하게 설치된다. 실드 시트(40)의 직경은, 플라즈마 발생 전극(26)과 같은 직경이거나 그것보다도 약간 크다. 실드 시트(40)의 메시 사이즈는, 후술하는 효과 즉 RF 전계가 제1 및 제2 히터 전극(31, 32)에 결합하는 것을 방지하는 효과를 발휘할 수 있도록, 예컨대 0.7 ㎜ 이하로 설정된다. 실드 시트(40)에 전기적으로 접속되는 실드 파이프(42)는, 세라믹 기체(22)의 이면(22b)으로부터 세라믹 샤프트(24)의 내부(세라믹 기체(22)의 외부)로 연장되고, 원주 부재(44)에 전기적으로 접속된다. 실드 파이프(42)는, 도전성의 메시 파이프이며, 제1 히터 전극(31)이 배선되어 있지 않은 세라믹 기체(22)의 중심 부근을 거쳐 이면(22b)으로부터 연장된다. 그 때문에, 실드 파이프(42)는 히터 전극(30)과 접촉하지 않는다. 실드 파이프(42)의 메시 사이즈는, 후술하는 효과 즉 RF 전계가 제1 및 제2 히터 전극(31, 32)의 각 배선 부재(31a, 32a)에 결합하는 것을 방지하는 효과를 발휘할 수 있도록, 예컨대 0.7 ㎜ 이하로 설정된다. 실드 파이프(42)의 내부에는, 플라즈마 발생 전극(26)의 로드(28)가 실드 파이프(42)와 비접촉 상태로 삽입 관통된다.
플라즈마 발생 전극(26), 히터 전극(30), 실드 시트(40) 및 실드 파이프(42)의 재질은, 동일하여도 좋고 상이하여도 좋다. 재질로는, 도전성을 갖는 것이라면 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, Mo, W, Nb, Mo 화합물, W 화합물 또는 Nb 화합물을 들 수 있다. 이 중, 세라믹 기체(22)와의 열팽창계수차가 작은 것이 바람직하다. 로드(28) 및 배선 부재(31a, 32a)의 재질도 이것과 동일하지만, 내산화성이 있는 Ni 등의 재질이 바람직하다.
세라믹 샤프트(24)는 세라믹 기체(22)와 마찬가지로 AlN제의 원통형 부재이다. 세라믹 샤프트(24)의 상부 단부면은, 세라믹 기체(22)의 이면(22b)에 확산 접합이나 열적 압축 접합(Thermal compression bonding: TCB)에 의해 접합된다. TCB란, 접합 대상인 2개의 부재 사이에 금속 접합재를 끼워, 금속 접합재의 고상선 온도 이하의 온도로 가열한 상태에서 2개의 부재를 가압 접합하는 공지된 방법을 말한다. 세라믹 샤프트(24)의 하부 개구의 주위에는 플랜지(24a)가 설치된다.
세라믹 샤프트(24)의 플랜지(24a)는, 그라운드(G)에 접속된 도전 금속제의 원주 부재(44)에 접속된다. 원주 부재(44)의 상면 및 밑면은, 플랜지(24a)의 외경과 동등 이상의 직경을 갖는다. 원주 부재(44)의 상면의 원형 구멍에는 금속제의 소켓(29)이 매설되고, 소켓(29)에는 로드(28)의 하단이 접합된다. 원주 부재(44)의 상면의 링형 구멍에는 금속제의 신축관인 벨로우즈(43)가 배치되고, 벨로우즈(43)의 상단에는 실드 파이프(42)의 하단이 접합된다. 그 때문에, 로드(28)는, 소켓(29) 및 원주 부재(44)를 통해 그라운드(G)에 전기적으로 접속되고, 실드 파이프(42)는, 벨로우즈(43) 및 원주 부재(44)를 통해 그라운드(G)에 전기적으로 접속된다.
상부 전극(50)은, 세라믹 기체(22)의 웨이퍼 배치면(22a)과 대향하는 위쪽 위치(예컨대 도시하지 않은 챔버의 천장면)에 고정된다. 이 상부 전극(50)은, RF 전원(52)에 접속된다. 그 때문에, 상부 전극(50)에는, RF 전류가 공급된다. RF 전류의 주파수는, 예컨대 13 MHz거나 27 MHz이다.
다음에, 플라즈마 발생 장치(10)의 사용예에 대해서 설명한다. 도시하지 않은 챔버 내에 플라즈마 발생 장치(10)를 배치하고, 웨이퍼 배치면(22a)에 웨이퍼(W)를 배치한다. 그리고, 상부 전극(50)에 RF 전류를 공급한다. 이렇게 함으로써, 상부 전극(50)과 세라믹 기체(22)에 매설되는 플라즈마 발생 전극(26)으로 이루어진 평행 평판 전극 사이에 플라즈마가 발생하고, 그 플라즈마를 이용하여 웨이퍼(W)에 CVD 성막을 행하거나 에칭을 행하거나 한다. 또한, 도시하지 않은 열전대의 검출 신호에 기초하여 웨이퍼(W)의 온도를 구하고, 그 온도가 설정 온도(예컨대 350℃나 300℃)가 되도록 히터 전극(30)을 구성하는 제1 및 제2 히터 전극(31, 32)에 인가하는 전압을 제어한다.
플라즈마 발생 전극(26)의 주변에는, 플라즈마 발생 전극(26)을 흐르는 RF 전류에 의해 발생하는 RF 자장의 시간 변화에 따라 RF 전계가 유도된다. 실드 시트(40)는, 이 RF 전계가 히터 전극(30)을 구성하는 제1 및 제2 히터 전극(31, 32)에 결합하는 것을 방지한다. 또한, 플라즈마 발생 전극(26)의 로드(28)의 주변에는, 로드(28)를 흐르는 RF 전류에 의해 발생하는 RF 자장의 시간 변화에 따라 RF 전계가 유도된다. 실드 파이프(42)는, 이 RF 전계가 제1 및 제2 히터 전극(31, 32)의 배선 부재(31a, 32a)에 결합하는 것을 방지한다. 그 때문에, 제1 및 제2 히터 전극(31, 32) 및 그 배선 부재(31a, 32a)를 포함하는 히터 회로에 대한 RF 노이즈의 영향을 충분히 방지할 수 있다. 그 결과, 히터 전극(30)의 온도 제어를 정밀하게 행할 수 있다.
다음에, 플라즈마 발생 장치(10)의 제조예에 대해서 설명한다. 여기서는, 웨이퍼 지지대(20)의 제조예에 대해서 설명한다. 또한, 이 제조예는 주지의 기술을 적용한 것이기 때문에 개략만 설명한다.
우선, 필요한 사양으로 조합된 세라믹 분말에, 히터 전극(30)(제1 및 제2 히터 전극(31, 32)), 실드 시트(40) 및 플라즈마 발생 전극(26)을 거의 평행하고 또한 각각이 비접촉 상태가 되도록 매설하고, 이것을 성형기를 이용하여 프레스 성형한다. 다음에, 얻어진 성형체를 소성로(燒成爐)에 반입하고, 소정 온도(2000℃ 이하)까지 승온하여 소성한다. 이에 따라, 히터 전극(30), 실드 시트(40) 및 플라즈마 발생 전극(26)이 거의 평행하고 또한 각각이 비접촉 상태로 매설된 세라믹 기체(22)를 얻는다. 소성로는, 핫 프레스로, 상압로 등을 이용할 수 있다. 얻어진 세라믹 기체(22)에 표면 가공을 행함으로써 세라믹 기체(22)를 소정 치수로 정돈한다.
한편, 세라믹 기체(22)와는 별도로 세라믹 샤프트(24)를 준비한다. 구체적으로는, 세라믹 샤프트용 금형을 이용하여 CIP(냉간 등방압 가압)로써 성형하고, 얻어진 성형체를 상압로에서 소정 온도(2000℃ 이하)로 소성한다. 얻어진 세라믹 샤프트(24)에 표면 가공을 행함으로써 세라믹 샤프트(24)를 소정 치수로 정돈한다.
그리고, 세라믹 기체(22)의 이면(22b)에 세라믹 샤프트(24)를 배치하고, 전술한 확산 접합 또는 TCB에 의해 양자를 접합한다. 이에 따라, 세라믹 기체(22)와 세라믹 샤프트(24)가 접합되어 일체가 된다. 얻어진 일체품의 표면에 최종 가공을 행하여, 그 일체품을 소정 치수로 정돈한다. 그리고, 세라믹 기체(22)의 이면(22b)으로부터 스폿 페이싱(spot facing) 구멍을 형성하여 플라즈마 발생 전극(26)을 노출시키고, 그 노출된 부분에 로드(28)를 납 접합 등에 의해 접합한다. 실드 시트(40)와 실드 파이프(42)의 접합이나 제1 및 제2 히터 전극(31, 32)과 그 배선 부재(31a, 32a)의 접합에 대해서도, 이것과 동일하게 하여 납 접합 등에 의해 접합한다. 그 후, 로드(28) 및 실드 파이프(42)를 원주 부재(44)를 통해 그라운드(G)에 접속함과 더불어, 한쪽 배선 부재(31a, 32a)를 저역 필터(33, 34)를 통해 교류 전원(35, 36)에 접속하고, 다른 쪽 배선 부재(31a, 32a)를 그라운드(G)에 접속하여, 웨이퍼 지지대(20)를 얻는다.
이상 상세히 설명한 웨이퍼 지지대(20)에서는, 플라즈마 발생 전극(26)의 주변에 발생하는 RF 전계가 제1 및 제2 히터 전극(31, 32)에 결합하는 것을, 실드 시트(40)가 방지한다. 또한, 로드(28)의 주변에 발생하는 RF 전계가 제1 및 제2 히터 전극(31, 32)의 배선 부재(31a, 32a)에 결합하는 것을, 실드 파이프(42)가 방지한다. 따라서, 제1 및 제2 히터 전극(31, 32)이나 그 배선 부재(31a, 32a)를 포함하는 히터 회로에 대한 RF 노이즈의 영향을 충분히 방지할 수 있다. 그 결과, 제1 및 제2 히터 전극(31, 32)의 온도 제어를 정밀하게 행할 수 있다.
또한, 웨이퍼 지지대(20)는, 실드 시트(40) 및 실드 파이프(42) 이외에 제1 및 제2 히터 전극(31, 32)의 배선 부재(31a, 32a)의 각각에 저역 필터(33, 34)를 구비한다. 그 때문에, 히터 회로에 대한 RF 노이즈의 영향을 한층 더 방지할 수 있다. 바꾸어 말하면, 저역 필터(33, 34)에 의해 완전히 방지할 수는 없었던 RF 노이즈를, 실드 시트(40) 및 실드 파이프(42)에 의해 방지하는 것이 가능해진다. RF 전류의 주파수가 13 MHz 이상인 경우, 특히 27 MHz 이상인 경우에, 이러한 효과가 현저해진다.
또한, 본 발명은 전술한 실시형태에 전혀 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 여러 가지의 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
예컨대, 전술한 실시형태에서는, 상부 전극(50)을 RF 전원(52)에 접속하고, 플라즈마 발생 전극(26)의 로드(28)를 그라운드(G)에 접속하였지만, 도 2에 도시된 바와 같이 상부 전극(50)을 그라운드(G)에 접속하고, 플라즈마 발생 전극(26)의 로드(28)를 소켓(29)을 통해 RF 전원(52)에 접속하여도 좋다. 도 2 중의 부호는 전술한 실시형태와 동일한 구성 요소를 나타낸다. 이 경우, 소켓(29)의 주위는 도시하지 않은 절연막으로 덮이고, 소켓(29)은 원주 부재(44)와 전기적으로 절연된다. 이 경우에도, 전술한 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
전술한 실시형태에서는, 세라믹 기체(22)나 세라믹 샤프트(24)의 재질을 AlN으로 하였지만, 특별히 이것에 한정되지 않고, 예컨대 알루미나나 탄화규소, 질화규소 등으로 하여도 좋다.
전술한 실시형태에 있어서, 플라즈마 발생 전극(26)에 전압을 인가함으로써 웨이퍼(W)를 웨이퍼 배치면(22a)에 흡인할 수 있다. 또한, 세라믹 기체(22)에 정전 전극을 더 매설하고, 정전 전극의 배선 부재를 세라믹 기체(22)의 이면(22b)으로부터 세라믹 시프트(24)의 내부(세라믹 기체(22)의 외측)로 인출하도록 하여도 좋다. 이렇게 하면, 정전 전극에 전압을 인가함으로써 웨이퍼(W)를 웨이퍼 배치면(22a)에 흡인할 수도 있다. 또한, 정전 전극의 배선 부재는, 실드 파이프(42)의 외부에 배치하는 것이 바람직하다.
전술한 실시형태에서는, 실드 시트(40) 및 실드 파이프(42)로서 도전성의 메시 시트 및 메시 파이프를 채용하였지만, 특별히 이들에 한정되지 않고, 예컨대 펀칭 메탈의 시트나 파이프를 채용하여도 좋다. 이 경우, 펀칭 메탈의 구멍 크기는 RF 노이즈의 영향을 충분히 방지할 수 있도록 설계된다. 혹은, 금속판의 면형 부재나 통형 부재를 채용하여도 좋다. 이렇게 하면, RF 노이즈의 영향을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
전술한 실시형태에서는, 실드 시트(40) 및 실드 파이프(42) 이외에 저역 필터(33, 34)를 채용하였지만, 주파수 13 MHz 정도의 RF 전류라면, 실드 시트(40) 및 실드 파이프(42)가 없어도, 저역 필터(33, 34)의 설계에 의해 히터 회로에 대한 RF 노이즈의 영향을 어느 정도 방지할 수 있다. 그러나, 전술한 바와 같이 실드 시트(40) 및 실드 파이프(42)를 세라믹 기체(22)에 내장하면, RF 노이즈의 영향을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
전술한 실시형태에서는, 배선 부재(31a, 32a)에 저역 필터(33, 34)를 설치하였지만, 실드 시트(40) 및 실드 파이프(42)에 의해 RF 노이즈의 영향을 충분히 방지 할 수 있는 경우에는 저역 필터(33, 34)를 생략하여도 상관없다.
전술한 실시형태에서는, 히터 전극(30)으로서 제1 및 제2 히터 전극(31, 32)을 갖는 2존 히터를 예시하였지만, 특별히 이것에 한정되지 않고, 1존 히터라도 좋고, 3존 이상으로 분할된 다존 히터라도 좋다.
본 출원은, 2017년 1월 30일에 출원된 일본국 특허 출원 제2017-013980호를 우선권 주장의 기초로 하고 있고, 인용에 의해 그 내용 전부가 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 예컨대 반도체 제조 프로세스에 이용 가능하다.
10 : 플라즈마 발생 장치, 20 : 웨이퍼 지지대, 22 : 세라믹 기체, 22a : 웨이퍼 배치면, 22b : 이면, 24 : 세라믹 샤프트, 24a : 플랜지, 26 : 플라즈마 발생 전극, 28 : 로드, 29 : 소켓, 30 : 히터 전극, 31 : 제1 히터 전극, 31a : 배선 부재, 32 : 제2 히터 전극, 32a : 배선 부재, 33, 34 : 저역 필터, 35, 36 : 교류 전원, 40 : 실드 시트, 42 : 실드 파이프, 43 : 벨로우즈, 44 : 원주 부재, 50 : 상부 전극, 52 : RF 전원, W : 웨이퍼, Z1 : 제1 존, Z2 : 제2 존, G : 그라운드

Claims (6)

  1. 웨이퍼 배치면을 구비한 세라믹 기체에, 상기 웨이퍼 배치면에 가까운 쪽에서부터 플라즈마 발생 전극, 히터 전극이 이 순서로 이격된 상태로 매설되고, 상기 플라즈마 발생 전극의 배선 부재 및 상기 히터 전극의 배선 부재가 상기 세라믹 기체의 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측 면으로부터 상기 세라믹 기체의 외부로 인출되는 웨이퍼 지지대로서,
    상기 플라즈마 발생 전극과 상기 히터 전극 사이에 양자와 비접촉 상태로 상기 세라믹 기체에 매설되는 실드 시트와,
    상기 실드 시트와 전기적으로 접속되고, 상기 세라믹 기체의 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측 면으로부터 상기 세라믹 기체의 외부로 연장되는 실드 파이프
    를 구비하며,
    상기 플라즈마 발생 전극의 배선 부재는, 상기 실드 파이프의 내부에 상기 실드 파이프와 비접촉 상태로 삽입 관통되고,
    상기 히터 전극의 배선 부재는, 상기 실드 파이프의 외부에 상기 실드 파이프와 비접촉 상태로 배치되고,
    상기 실드 파이프는, 상기 실드 시트와 상기 세라믹 기체의 내부에서 직접 전기적으로 접속되어 상기 실드 시트와 일체화되는 것인, 웨이퍼 지지대.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 히터 전극의 배선 부재는, 상기 히터 전극과 외부 전원 사이에 저역 필터를 구비하는 것인, 웨이퍼 지지대.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 실드 시트는, 메시, 펀칭 메탈 또는 금속판의 면형 부재이고,
    상기 실드 파이프는, 메시, 펀칭 메탈 또는 금속판의 통형 부재인 것인, 웨이퍼 지지대.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생 전극은, RF 전원의 전압을 인가하는 전극 또는 그라운드 전극인 것인, 웨이퍼 지지대.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생 전극에 흐르는 RF 전류의 주파수는, 13 MHz 이상인 것인, 웨이퍼 지지대.
  6. 삭제
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170126899A (ko) * 2015-03-11 2017-11-20 엔브이 베카에르트 에스에이 임시 결합된 웨이퍼용 캐리어
JP6758143B2 (ja) * 2016-09-29 2020-09-23 日本特殊陶業株式会社 加熱装置
US11062887B2 (en) * 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
CN110265323B (zh) * 2019-05-31 2021-09-03 拓荆科技股份有限公司 具有接点阵列的晶圆加热座
JP7331107B2 (ja) * 2019-08-08 2023-08-22 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材
US20210104384A1 (en) * 2019-10-07 2021-04-08 Applied Materials, Inc. Integrated electrode and ground plane for a substrate support
CN114051765B (zh) * 2019-12-04 2024-05-28 日本碍子株式会社 陶瓷加热器
US20220068674A1 (en) * 2020-08-31 2022-03-03 Applied Materials, Inc. Heater Assembly with Process Gap Control for Batch Processing Chambers
JP7372224B2 (ja) * 2020-10-16 2023-10-31 日本碍子株式会社 ウエハ載置台
WO2022168368A1 (ja) * 2021-02-04 2022-08-11 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材及びその製法
KR20230014758A (ko) * 2021-02-04 2023-01-30 엔지케이 인슐레이터 엘티디 반도체 제조 장치용 부재 및 그 제법
WO2022264922A1 (ja) * 2021-06-15 2022-12-22 京セラ株式会社 プラズマ処理装置用部材
US20230054444A1 (en) * 2021-08-18 2023-02-23 Applied Materials, Inc. Bipolar esc with balanced rf impedance

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009272657A (ja) * 2003-05-02 2009-11-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2656326B2 (ja) 1988-11-07 1997-09-24 国際電気株式会社 ドライプロセス装置における高周波印加電極の加熱装置
JPH10204645A (ja) 1997-01-17 1998-08-04 Hitachi Electron Eng Co Ltd 下部電極
JP4236329B2 (ja) * 1999-04-15 2009-03-11 日本碍子株式会社 プラズマ処理装置
KR100588774B1 (ko) 2001-11-26 2006-06-14 주성엔지니어링(주) 웨이퍼 서셉터
JP4129855B2 (ja) * 2001-12-13 2008-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN100350569C (zh) * 2003-05-02 2007-11-21 东京毅力科创株式会社 处理气体导入机构和等离子体处理装置
US7354288B2 (en) * 2005-06-03 2008-04-08 Applied Materials, Inc. Substrate support with clamping electrical connector
US20090314208A1 (en) * 2008-06-24 2009-12-24 Applied Materials, Inc. Pedestal heater for low temperature pecvd application
DE102010060762B4 (de) * 2010-11-24 2019-05-23 Meyer Burger (Germany) Gmbh Plasmabearbeitungsvorrichtung
US8633648B2 (en) * 2011-06-28 2014-01-21 Recarbon, Inc. Gas conversion system
WO2015146563A1 (ja) * 2014-03-27 2015-10-01 日本碍子株式会社 セラミックスプレートと金属製の円筒部材との接合構造
CN104046965A (zh) * 2014-05-27 2014-09-17 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种辐射加热元件、辐射加热器及mocvd反应器
CN105887049B (zh) * 2016-04-21 2018-05-29 郑亮 一种低温纳米疏水真空放电沉积镀膜方法
KR102457649B1 (ko) * 2016-04-22 2022-10-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 한정 피쳐들을 갖는 기판 지지 페디스털
CN106119811B (zh) * 2016-08-30 2018-10-12 湖南玉丰真空科学技术有限公司 一种真空设备的基板加热台

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009272657A (ja) * 2003-05-02 2009-11-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

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