JP7321990B2 - セラミックヒータ - Google Patents
セラミックヒータ Download PDFInfo
- Publication number
- JP7321990B2 JP7321990B2 JP2020197814A JP2020197814A JP7321990B2 JP 7321990 B2 JP7321990 B2 JP 7321990B2 JP 2020197814 A JP2020197814 A JP 2020197814A JP 2020197814 A JP2020197814 A JP 2020197814A JP 7321990 B2 JP7321990 B2 JP 7321990B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating element
- resistance heating
- folded
- ceramic plate
- zone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 95
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 135
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 34
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000036581 peripheral resistance Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011077 uniformity evaluation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/18—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor the conductor being embedded in an insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
- H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
- H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
- H05B3/283—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/02—Details
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/02—Details
- H05B3/06—Heater elements structurally combined with coupling elements or holders
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/40—Heating elements having the shape of rods or tubes
- H05B3/42—Heating elements having the shape of rods or tubes non-flexible
- H05B3/48—Heating elements having the shape of rods or tubes non-flexible heating conductor embedded in insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
- H05B2203/002—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements
- H05B2203/003—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements using serpentine layout
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
- H05B2203/017—Manufacturing methods or apparatus for heaters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
Description
本発明は、セラミックヒータに関する。
半導体製造装置においては、ウエハを加熱するためのセラミックヒータが採用されている。こうしたセラミックヒータとしては、いわゆる２ゾーンヒータが知られている。この種の２ゾーンヒータとしては、特許文献１に開示されているように、セラミックプレート中に、内周側抵抗発熱体と外周側抵抗発熱体とを同一平面に埋設し、各抵抗発熱体にそれぞれ独立して電圧を印加することにより、各抵抗発熱体からの発熱を独立して制御するものが知られている。内周側抵抗発熱体は、中央の円形領域に配線され、外周側抵抗発熱体は、その円形領域の外側の環状領域に配線されている。セラミックプレートの中央部に設けられた一対の端子のそれぞれから外周側抵抗発熱体の端部までの区間には、ジャンパ線が設けられている。一方、特許文献２には、セラミックプレート中の異なる２面にそれぞれ抵抗発熱体を埋設したセラミックヒータが開示されている。
特許文献１のセラミックヒータでは、温度分布を調整するために外周側抵抗発熱体を発熱させると、ジャンパ線も発熱してしまうため、目的とする温度分布が得られないことがある。これに対して、特許文献２のセラミックヒータでは、ジャンパ線をなくすことができるため、ジャンパ線の発熱に伴う問題は解決される。特許文献２では、各面の抵抗発熱体は、セラミックプレートを上からみたとき、セラミックプレートの中央付近に設けられた一対の端子の一方から複数の折り返し部で折り返されながら一筆書きの要領で一対の端子の他方まで配線されている。しかしながら、セラミックプレートを上から見たとき、各面に設けられた折り返し部同士の間隙は、同じ位置に重なっている。そのため、ウエハ載置面のうち折り返し部同士の間隙の直上では、ホットスポットやクールスポットが発生しやすく、目的とする温度分布が得られないことがある。
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、セラミックプレートの異なる面に抵抗発熱体が埋設されたセラミックヒータにおいて、目的とする温度分布を達成しやすくすることを主目的とする。
本発明のセラミックヒータは、
ウエハ載置面を有する円盤状のセラミックプレートと、
前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられたシャフトと、
前記セラミックプレートの内部で前記ウエハ載置面と平行な第１面に埋設され、前記シャフトに囲まれた領域に設けられた一対の第１端子の一方から他方まで一筆書きの要領で複数の第１折り返し部で折り返された形状の第１抵抗発熱体と、
前記セラミックプレートの内部で前記ウエハ載置面と平行で前記第１面とは異なる第２面に埋設され、前記シャフトに囲まれた領域に設けられた一対の第２端子の一方から他方まで一筆書きの要領で複数の第２折り返し部で折り返された形状の第２抵抗発熱体と、
を備え、
前記セラミックプレートを上から見たとき、円周方向で互いに向かい合う前記第１折り返し部同士の間隙と円周方向で互いに向かい合う前記第２折り返し部同士の間隙とは重ならないように配置されている、
ものである。
ウエハ載置面を有する円盤状のセラミックプレートと、
前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられたシャフトと、
前記セラミックプレートの内部で前記ウエハ載置面と平行な第１面に埋設され、前記シャフトに囲まれた領域に設けられた一対の第１端子の一方から他方まで一筆書きの要領で複数の第１折り返し部で折り返された形状の第１抵抗発熱体と、
前記セラミックプレートの内部で前記ウエハ載置面と平行で前記第１面とは異なる第２面に埋設され、前記シャフトに囲まれた領域に設けられた一対の第２端子の一方から他方まで一筆書きの要領で複数の第２折り返し部で折り返された形状の第２抵抗発熱体と、
を備え、
前記セラミックプレートを上から見たとき、円周方向で互いに向かい合う前記第１折り返し部同士の間隙と円周方向で互いに向かい合う前記第２折り返し部同士の間隙とは重ならないように配置されている、
ものである。
このセラミックヒータでは、セラミックプレートを上から見たとき、第１面に埋設された第１抵抗発熱体の第１折り返し部同士の間隙と第２面に埋設された第２抵抗発熱体の第２折り返し部同士の間隙とは重ならないように配置されている。そのため、第１折り返し部同士の間隙と第２折り返し部同士の間隙とが重なっている場合に比べて、ホットスポットやクールスポットの発生が抑制される。したがって、目的とする温度分布を達成しやすくなる。
なお、「平行」とは、完全に平行な場合のほか、実質的に平行な場合（例えば公差の範囲に入る場合など）も含む。
本発明のセラミックヒータにおいては、前記セラミックプレートは、前記セラミックプレートの同心円を境界としてインナゾーンとアウタゾーンとに分けられ、前記第１抵抗発熱体及び前記第２抵抗発熱体の一方は、前記アウタゾーンの発熱量よりも前記インナゾーンの発熱量の方が多いインナゾーン偏重型発熱体であり、前記第１抵抗発熱体及び前記第２抵抗発熱体の他方は、前記インナゾーンの発熱量よりも前記アウタゾーンの発熱量の方が多いアウタゾーン偏重型発熱体であってもよい。こうすれば、インナゾーンの温度調整は主としてインナゾーン偏重型発熱体が担い、アウタゾーンの温度調整は主としてアウタゾーン偏重型発熱体が担うことになるため、目的とする温度分布をより達成しやすくなる。
なお、インナゾーンの直径は、シャフトの外径と同等かそれより小さくしてもよいが、シャフトの外径より大きくすることが好ましい。インナゾーン偏重型発熱体の外縁の径は、アウタゾーン偏重型発熱体の外縁の径と同等又はそれ以下でもよい。インナゾーン偏重型発熱体が覆う面積は、アウタゾーン偏重型発熱体が覆う面積と同等又はそれ以下でもよい。
本発明のセラミックヒータにおいて、前記インナゾーン偏重型発熱体は、前記アウタゾーンには配置されておらず、前記インナゾーンに配置され、前記アウタゾーン偏重型発熱体は、前記インナゾーン及び前記アウタゾーンに配置されていてもよい。この場合、インナゾーン偏重型発熱体のアウタゾーンの発熱量はゼロになる。こうすれば、インナゾーン偏重型発熱体の発熱がアウタゾーンに与える影響は小さくなるので、インナゾーンとアウタゾーン間の温度勾配が大きな温度分布をより達成しやすくなる。
本発明のセラミックヒータにおいて、前記第１折り返し部同士の間隙の中心線と前記第２折り返し部同士の間隙の中心線とがなす角度は２０°以上であることが好ましい。こうすれば、ホットスポットやクールスポットの発生を更に抑制しやすくなる。
本発明のセラミックヒータにおいて、複数の前記第１折り返し部同士の間隙の中心線は、少なくとも２つの方向を向いており、複数の前記第２折り返し部同士の間隙の中心線は、少なくとも２つの方向を向いていてもよい。こうすれば、複数の第１折り返し部同士の間隙の中心線が同じ方向を向き、複数の第２折り返し部同士の間隙の中心線が同じ方向を向いている場合に比べて、それらの間隙が温度分布に与える影響を小さくすることができる。
本発明のセラミックヒータにおいて、前記第１抵抗発熱体は、前記第１面を複数の扇形に分割した扇形分割面ごとに設けられるか前記第１面に一つだけ設けられ、前記一対の第１端子の一方から前記セラミックプレートの外周部に向かって折り返されながら配線されたあと前記外周部から前記一対の第１端子の他方に向かって折り返されながら配線され、前記第２抵抗発熱体は、前記第２面を複数の扇形に分割した扇形分割面ごとに設けられるか前記第２面に一つだけ設けられ、前記一対の第２端子の一方から前記外周部に向かって折り返されながら配線されたあと前記外周部から前記一対の第２端子の他方に向かって折り返されながら配線されていてもよい。
本発明のセラミックヒータにおいて、前記セラミックプレートを上から見たとき、前記第２抵抗発熱体の配線同士の間（例えば真ん中）に第１抵抗発熱体の配線が配置されていてもよい。こうすれば、目的とする温度分布をより得やすくなる。
本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。図１は本実施形態のセラミックヒータ１０の斜視図、図２はセラミックヒータ１０の平面図、図３は図２のＡ－Ａ断面図、図４は第１及び第２抵抗発熱体２１，２２の説明図である。なお、図２では、便宜上、第１抵抗発熱体２１を実線で表し、シャフト４０に点線のハッチングを付けた。図４には、左中央にセラミックプレート２０の平面図、右下に第１抵抗発熱体２１の平面図、右上に第２抵抗発熱体２２の平面図を示した。
セラミックヒータ１０は、エッチングやＣＶＤなどの処理が施されるウエハＷを加熱するために用いられるものであり、図示しない真空チャンバ内に設置される。このセラミックヒータ１０は、ウエハ載置面２０ａを有する円盤状のセラミックプレート２０と、セラミックプレート２０のウエハ載置面２０ａとは反対側の面（裏面）２０ｂにセラミックプレート２０と同軸となるように接合された円筒状のシャフト４０とを備えている。
セラミックプレート２０は、窒化アルミニウムやアルミナなどに代表されるセラミック材料からなる円盤状のプレートである。セラミックプレート２０の直径は、例えば３００ｍｍ程度である。セラミックプレート２０のウエハ載置面２０ａには、図示しないが細かな凹凸がエンボス加工により設けられている場合もある。セラミックプレート２０は、図３に示すように、ウエハ載置面２０ａに平行な仮想の第１面Ｐ１と、第１面Ｐ１に平行な仮想の第２面Ｐ２とを有している。ウエハ載置面２０ａから第２面Ｐ２までの距離は、ウエハ載置面２０ａから第１面Ｐ１までの距離よりも長い。つまり、第１面Ｐ１は第２面Ｐ２とウエハ載置面２０ａとの間にある。セラミックプレート２０は、セラミックプレート２０の同心円である境界２０ｃ（図２参照）によってインナゾーンＺｉとアウタゾーンＺｏとに分けられている。境界２０ｃの直径は、例えば２００ｍｍ程度である。インナゾーンＺｉは境界２０ｃよりも内側の円形領域であり、アウタゾーンＺｏは境界２０ｃよりも外側の環状領域である。セラミックプレート２０の第１面Ｐ１には、第１抵抗発熱体２１が設けられている。セラミックプレート２０の第２面Ｐ２には、第２抵抗発熱体２２が設けられている。本実施形態では、インナゾーンＺｉの直径（境界２０ｃの直径）は、シャフト４０の外径よりも大きい。
第１抵抗発熱体２１は、図２及び図４に示すように、セラミックプレート２０の中央部（セラミックプレート２０の裏面２０ｂのうちシャフト４０で囲まれた領域）に設けられた一対の第１端子２１ａ，２１ａの一方から端を発し、一筆書きの要領で折り返されつつ第１面Ｐ１のほぼ全域に配線されたあと一対の第１端子２１ａ，２１ａの他方に至るように形成されている。具体的には、第１抵抗発熱体２１は、一方の第１端子２１ａからセラミックプレート２０の外周部に向かって複数の第１折り返し部２１ｂで折り返されながら配線され、セラミックプレート２０の外周部に達したあとはそこから他方の第１端子２１ａに向かって複数の第１折り返し部２１ｃで折り返されながら配線されている。１つの第１折り返し部２１ｂは、円周方向で１つの第１折り返し部２１ｃと向かい合っている。円周方向で互いに向かい合う第１折り返し部２１ｂと第１折り返し部２１ｃとの間には、第１間隙２１ｄが設けられている。第１抵抗発熱体２１は、高融点金属又はその炭化物を主成分とするコイルである。高融点金属としては、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル、白金、レニウム、ハフニウム及びこれらの合金などが挙げられる。高融点金属の炭化物としては、例えば炭化タングステンや炭化モリブデンなどが挙げられる。第１抵抗発熱体２１は、アウタゾーンＺｏの発熱量よりもインナゾーンＺｉの発熱量の方が多くなるように配線されている。ここでは、第１抵抗発熱体２１は、コイル径は全体を通して同じだが、単位長さあたりのコイルの巻き数がアウタゾーンＺｏよりもインナゾーンＺｉの方が多くなるように配線されている。したがって、第１抵抗発熱体２１は、インナゾーン偏重型発熱体である。
第２抵抗発熱体２２は、図２及び図４に示すように、セラミックプレート２０の中央部に設けられた一対の第２端子２２ａ，２２ａの一方から端を発し、一筆書きの要領で折り返されつつ第２面Ｐ２のほぼ全域に配線されたあと一対の第２端子２２ａ，２２ａの他方に至るように形成されている。具体的には、第２抵抗発熱体２２は、一方の第２端子２２ａからセラミックプレート２０の外周部に向かって複数の第２折り返し部２２ｂで折り返されながら配線され、セラミックプレート２０の外周部に達したあとはそこから他方の第２端子２２ａに向かって複数の第２折り返し部２２ｃで折り返されながら配線されている。１つの第２折り返し部２２ｂは、円周方向で１つの第２折り返し部２２ｃと向かい合っている。円周方向で互いに向かい合う第２折り返し部２２ｂと第２折り返し部２２ｃとの間には、第２間隙２２ｄが設けられている。第２抵抗発熱体２２は、第１抵抗発熱体２１と同様、高融点金属又はその炭化物を主成分とするコイルである。第２抵抗発熱体２２は、インナゾーンＺｉの発熱量よりもアウタゾーンＺｏの発熱量の方が多くなるように配線されている。ここでは、第２抵抗発熱体２２は、コイル径は全体を通して同じだが、単位長さあたりのコイルの巻き数がインナゾーンＺｉよりもアウタゾーンＺｏの方が多くなるように配線されている。したがって、第２抵抗発熱体２２は、アウタゾーン偏重型発熱体である。
セラミックプレート２０を上から見たとき、図２に示すように、第１間隙２１ｄと第２間隙２２ｄとが重ならないように配置されている。第１間隙２１ｄの中心線と第２間隙２２ｄの中心線とがなす角度θは、２０°以上であることが好ましく、ここでは９０°である。なお、角度θは１８０°を超えない側を測ることとする。本実施形態では、複数の第１間隙２１ｄは、セラミックプレート２０の直径方向Ｄ１に沿って並び、複数の第２間隙２２ｄは、セラミックプレート２０の直径方向Ｄ２に沿って並び、２つの直径方向Ｄ１，Ｄ２のなす角度が角度θである。
シャフト４０は、セラミックプレート２０と同じく窒化アルミニウム、アルミナなどのセラミックで形成されている。シャフト４０の内径は、例えば４０ｍｍ程度、外径は例えば６０ｍｍ程度である。このシャフト４０は、上端がセラミックプレート２０に拡散接合されている。シャフト４０の内部には、図３に示すように、第１抵抗発熱体２１の一対の第１端子２１ａ，２１ａのそれぞれに接続される第１給電棒４１ａ，４１ａが配置されている。また、シャフト４０の内部には、第２抵抗発熱体２２の一対の第２端子２２ａ，２２ａのそれぞれに接続される第２給電棒４２ａ，４２ａが配置されている。第１給電棒４１ａ，４１ａは第１電源３１に接続され、第２給電棒４２ａ，４２ａは第２電源３２に接続されている。
次に、セラミックヒータ１０の使用例について説明する。まず、図示しない真空チャンバ内にセラミックヒータ１０を設置し、そのセラミックヒータ１０のウエハ載置面２０ａにウエハＷを載置する。そして、インナゾーンに設けられた図示しない熱電対によって検出されたインナゾーンＺｉの温度が予め定められた目標温度となるように、第１及び第２抵抗発熱体２１，２２に供給する電力を第１及び第２電源３１，３２によって調整する。これにより、ウエハＷの温度が所望の温度になるように制御される。ウエハＷの温度分布は、熱電対が多数設けられているウエハまたは放射温度計を用いて、予め所望の温度分布になるよう第１及び第２電源３１，３２を調整する。また、インナゾーン用熱電対に加えて、図示しない外周側アウタゾーン用熱電対によって検出されたアウタゾーンＺｏの温度が予め定められたアウタゾーン目標温度となるように、第１及び第２電源３１，３２を調整して、ウエハＷの温度分布を制御する場合もある。このとき、第１抵抗発熱体２１は、インナゾーン偏重型発熱体であるため、主にインナゾーンＺｉの温度がインナゾーン目標温度になるように制御するのに用いられる。第２抵抗発熱体２２は、アウタゾーン偏重型発熱体であるため、主にアウタゾーンＺｏの温度がアウタゾーン目標温度になるように制御するのに用いられる。そして、真空チャンバ内を真空雰囲気もしくは減圧雰囲気になるように設定し、真空チャンバ内にプラズマを発生させ、そのプラズマを利用してウエハＷにＣＶＤ成膜を施したりエッチングを施したりする。
以上説明した本実施形態のセラミックヒータ１０では、セラミックプレート２０を上から見たとき、第１面Ｐ１に埋設された第１抵抗発熱体２１の第１折り返し部２１ｂ，２１ｃ同士の第１間隙２１ｄと第２面Ｐ２に埋設された第２抵抗発熱体２２の第２折り返し部２２ｂ，２２ｃ同士の第２間隙２２ｄとが重ならないように配置されている。そのため、第１間隙２１ｄと第２間隙２２ｄとが重なっている場合に比べて、ホットスポットやクールスポットの発生が抑制される。したがって、目的とする温度分布を達成しやすくなる。
また、インナゾーンＺｉの温度調整は主としてインナゾーン偏重型発熱体である第１抵抗発熱体２１が担い、アウタゾーンＺｏの温度調整は主としてアウタゾーン偏重型発熱体である第２抵抗発熱体２２が担うことになるため、目的とする温度分布をより達成しやすくなる。
更に、第１間隙２１ｄの中心線と第２間隙２２ｄの中心線とがなす角度θは２０°以上であることが好ましい。こうすれば、ホットスポットやクールスポットの発生を更に抑制しやすくなる。図５に、第１間隙２１ｄの中心線と第２間隙２２ｄの中心線との角度θが２０°の一例を示す。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
例えば、上述した実施形態の第１抵抗発熱体２１の代わりに図６に示す第１抵抗発熱体６１を採用してもよい。第１抵抗発熱体６１は、セラミックプレート２０の中央部に設けられた一対の第１端子６１ａ，６１ａの一方から端を発し、一筆書きの要領で折り返されつつインナゾーンＺｉのほぼ全域に配線されたあと一対の第１端子６１ａ，６１ａの他方に至るように形成されている。具体的には、第１抵抗発熱体６１は、一方の第１端子６１ａからセラミックプレート２０の外周部に向かって第１折り返し部６１ｂで折り返されながら配線され、セラミックプレート２０の外周部に達したあとはそこから他方の第１端子６１ａに向かって第１折り返し部６１ｃで折り返されながら配線されている。円周方向で互いに向かい合う第１折り返し部６１ｂと第１折り返し部６１ｃとの間には、第１間隙６１ｄが設けられている。第１抵抗発熱体６１は、アウタゾーンＺｏには配置されておらずインナゾーンＺｉに配置されているため、インナゾーン偏重型発熱体である。第１間隙６１ｄの中心線と第２間隙２２ｄの中心線とのなす角度θは２０°以上が好ましく、ここでは９０°である。こうすれば、インナゾーン偏重型発熱体である第１抵抗発熱体６１の発熱がアウタゾーンＺｏに与える影響を小さくすることができる。図６では、第１抵抗発熱体６１の外縁の径は、アウタゾーン偏重型発熱体である第２抵抗発熱体２２の外縁の径以下であり、第１抵抗発熱体６１が覆う面積は、第２抵抗発熱体２２が覆う面積以下である。
上述した実施形態では、複数の第１間隙２１ｄの中心線はすべて同じ方向（所定の直径方向）を向いており、第２間隙２２ｄの中心線はすべて同じ方向（所定の直径方向とは異なる直径方向）を向いていたが、特にこれに限定されるものではない。例えば、図７に示すように、第１抵抗発熱体７１における複数（ここでは３つ）の第１間隙７１ｄの中心線はすべて異なる方向を向き、第２抵抗発熱体７２における複数（ここでは３つ）の第２間隙７２ｄの中心線はすべて異なる方向を向いていてもよい。図７では第１間隙７１ｄの中心線と第２間隙７２ｄの中心線とがなす角度θは２０°以上が好ましく、ここでは６０°である。こうすれば、複数の第１間隙７１ｄも複数の第２間隙７２ｄも分散して配置されているため、上述した実施形態に比べて、各第１間隙７１ｄや各第２間隙７２ｄが温度分布に与える影響を小さくすることができる。図８に、第１間隙７１ｄの中心線と第２間隙７２ｄの中心線との角度θが２０°の一例を示す。
また、図９に示すように、第１抵抗発熱体８１における複数（ここでは３つ）の第１間隙８１ｄの中心線は２つが同じ方向、１つが別の方向を向き、第２抵抗発熱体８２における複数（ここでは３つ）の第２間隙８２ｄの中心線は２つが同じ方向、１つが別の方向を向いていてもよい。図９では第１間隙８１ｄの中心線と第２間隙８２ｄの中心線とがなす角度θは２０°以上が好ましく、ここでは６０°である。この場合も、複数の第１間隙８１ｄも複数の第２間隙８２ｄも一部分散して配置されているため、上述した実施形態に比べて、各第１間隙８１ｄや各第２間隙８２ｄが温度分布に与える影響を小さくすることができる。但し、その効果は図７の方が高い。
上述した実施形態では、第１抵抗発熱体２１を第１面Ｐ１に一つ設け、第２抵抗発熱体２２を第２面Ｐ２に一つ設けたが、特にこれに限定されるものではない。例えば、図１０に示すように、第１面Ｐ１を３本の１点鎖線で３つの扇形に分割し、各扇形分割面に第１抵抗発熱体９１を設け、第２面Ｐ２を３本の１点鎖線で３つの扇形に分割し、各扇形分割面に第２抵抗発熱体９２を設けてもよい。扇形分割面の中心角はすべて１２０°である。第１抵抗発熱体９１は、一対の第１端子９１ａ，９１ａの一方からセラミックプレート２０の外周部に向かって折り返されながら配線されたあと外周部から一対の第１端子９１ａ，９１ａの他方に向かって折り返されながら配線されている。第２抵抗発熱体９２は、一対の第２端子９２ａ，９２ａの一方からセラミックプレート２０の外周部に向かって折り返されながら配線されたあと外周部から一対の第２端子９２ａ，９２ａの他方に向かって折り返されながら配線されている。第１抵抗発熱体９１の第１間隙９１ｄの中心線と第２抵抗発熱体９２の第２間隙９２ｄの中心線とのなす角度θは２０°以上が好ましく、ここでは３０°である。図１０では、３つの扇形分割面の中心角をすべて１２０°としたが、特にこれに限定されるものではなく、３つの扇形分割面の中心角を異なる角度としてもよい。また、分割する数は２つ（扇形分割面は半円形になる）であってもよいし、４つ以上であってもよい。図１０では第１抵抗発熱体９１を第１面Ｐ１の各扇形分割面に設け、第２抵抗発熱体９２を第２面Ｐ２の各扇形分割面に設けたが、第１面Ｐ１及び第２面Ｐ２のどちらか一方を分割せず面全体に１つだけ抵抗発熱体を配線してもよい。
上述した実施形態において、図１１に示すように、セラミックプレート２０を上から見たときに第１抵抗発熱体２１の配線同士の間（ほぼ真ん中）に第２抵抗発熱体２２の配線を配置してもよい。こうすれば、セラミックプレート２０を上から見たときに第１及び第２抵抗発熱体２１，２２の配線を重なり合うように配置した場合に比べて、目的とする温度分布をより得やすくなる。
上述した実施形態では、第１及び第２抵抗発熱体２１，２２をコイルとしたが、特にこれに限定されるものではなく、例えばリボンのような二次元形状としてもよい。二次元形状であれば、ペーストを印刷することにより作製できる。また、二次元形状の場合、発熱量を多くしたい部分は他の部分に比べてリボンの幅及び／又は厚さを小さくすればよい。
上述した実施形態では、第１抵抗発熱体２１をインナゾーン偏重型抵抗体とし、第２抵抗発熱体２２をアウタゾーン偏重型抵抗体としたが、特にこれに限定されるものではなく、例えば第１抵抗発熱体２１をアウタゾーン偏重型抵抗体とし、第２抵抗発熱体２２をインナゾーン偏重型抵抗体としてもよい。
上述した実施形態において、セラミックプレート２０に静電電極を内蔵してもよい。その場合、ウエハ載置面２０ａにウエハＷを載置したあと静電電極に電圧を印加することによりウエハＷをウエハ載置面２０ａに静電吸着することができる。あるいは、セラミックプレート２０にＲＦ電極を内蔵してもよい。その場合、ウエハ載置面２０ａの上方にスペースをあけて図示しないシャワーヘッドを配置し、シャワーヘッドとＲＦ電極とからなる平行平板電極間に高周波電力を供給する。こうすることによりプラズマを発生させ、そのプラズマを利用してウエハＷにＣＶＤ成膜を施したりエッチングを施したりすることができる。なお、静電電極をＲＦ電極と兼用してもよい。
以下に、本発明の実施例について説明する。なお、以下の実施例は本発明を何ら限定するものではない。
上述した実施形態のセラミックヒータ１０において、角度θが９０°のものを実施例１（図４参照）、角度θが２０°のものを実施例２（図５参照）、角度θがゼロのもの（上から見たときに第１間隙２１ｄと第２間隙２２ｄとが重なり合うもの）を比較例１とした。なお、実施例１，２及び比較例１は、角度θ以外は同じ構造とした。
実施例１，２及び比較例１について、以下の均熱性評価試験を行った。図示しない真空チャンバにセラミックヒータ１０を入れ、ウエハ載置面２０ａに温度測定用ウエハを載せた。温度測定用ウエハとしては、直径３００ｍｍのシリコンウエハの中心点、直径１４５ｍｍの円周上の１２点、直径２９０ｍｍの円周上の１２点に、それぞれ熱電対が埋め込まれたものを用いた。各円周上の複数の測定点は、等間隔に並んでいた。真空チャンバの内圧は１０Ｐａ未満に設定した。ウエハＷの目標温度は全点で６００℃に設定した。図示しないコントローラによりウエハＷの温度が目標温度と一致するように第１及び第２抵抗発熱体２１，２２に供給する電力を制御したときの温度測定用ウエハの各点の温度の最大値から最小値を引いた温度差ΔＴ（℃）を求めた。その結果を表１に示す。比較例１ではΔＴが６℃だったが、実施例１，２ではΔＴがそれぞれ２℃、３℃であった。そのため、実施例１，２では比較例１に比べて精度よく温度制御を行うことができた。
１０ セラミックヒータ、２０ セラミックプレート、２０ａ ウエハ載置面、２０ｂ 裏面、２０ｃ 境界、２１ 第１抵抗発熱体、２１ａ 第１端子、２１ｂ，２１ｃ 第１折り返し部、２１ｄ 第１間隙、２２ 第２抵抗発熱体、２２ａ 第２端子、２２ｂ，２２ｃ 第２折り返し部、２２ｄ 第２間隙、３１ 第１電源、３２ 第２電源、４０ シャフト、４１ａ 第１給電棒、４２ａ 第２給電棒、６１ 第１抵抗発熱体、６１ａ 第１端子、６１ｂ，６１ｃ 第１折り返し部、６１ｄ 第１間隙、７１ 第１抵抗発熱体、７１ｄ 第１間隙、７２ 第２抵抗発熱体、７２ｄ 第２間隙、８１ 第１抵抗発熱体、８１ｄ 第１間隙、８２ 第２抵抗発熱体、８２ｄ 第２間隙、９１ 第１抵抗発熱体、９１ａ 第１端子、９１ｄ 第１間隙、９２ 第２抵抗発熱体、９２ａ 第２端子、９２ｄ 第２間隙、Ｐ１ 第１面、Ｐ２ 第２面。
Claims (7)
- ウエハ載置面を有する円盤状のセラミックプレートと、
前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられたシャフトと、
前記セラミックプレートの内部で前記ウエハ載置面と平行な第１面に埋設され、前記シャフトに囲まれた領域に設けられた一対の第１端子の一方から他方まで一筆書きの要領で複数の第１折り返し部で折り返された形状の第１抵抗発熱体と、
前記セラミックプレートの内部で前記ウエハ載置面と平行で前記第１面とは異なる第２面に埋設され、前記シャフトに囲まれた領域に設けられた一対の第２端子の一方から他方まで一筆書きの要領で複数の第２折り返し部で折り返された形状の第２抵抗発熱体と、
を備え、
前記セラミックプレートを上から見たとき、円周方向で互いに向かい合う前記第１折り返し部同士の間隙と円周方向で互いに向かい合う前記第２折り返し部同士の間隙とは重ならないように配置され、
平面視で、すべての前記第１折り返し部同士の間隙において、前記第２抵抗発熱体は、前記第１折り返し部同士の間隙をなす一対の前記第１折り返し部の一方から他方までを通過するように配線され、
平面視で、すべての前記第２折り返し部同士の間隙において、前記第１抵抗発熱体は、前記第２折り返し部同士の間隙をなす一対の前記第２折り返し部の一方から他方までを通過するように配線されている、
セラミックヒータ。 - 前記セラミックプレートは、前記セラミックプレートの同心円を境界としてインナゾーンとアウタゾーンとに分けられ、
前記第１抵抗発熱体及び前記第２抵抗発熱体の一方は、前記アウタゾーンの発熱量よりも前記インナゾーンの発熱量の方が多いインナゾーン偏重型発熱体であり、
前記第１抵抗発熱体及び前記第２抵抗発熱体の他方は、前記インナゾーンの発熱量よりも前記アウタゾーンの発熱量の方が多いアウタゾーン偏重型発熱体である、
請求項１に記載のセラミックヒータ。 - 前記インナゾーン偏重型発熱体は、前記アウタゾーンには配置されておらず、前記インナゾーンに配置され、
前記アウタゾーン偏重型発熱体は、前記インナゾーン及び前記アウタゾーンに配置されている、
請求項２に記載のセラミックヒータ。 - 前記第１折り返し部の間隙の中心線と前記第２折り返し部の間隙の中心線とがなす角度は２０°以上である、
請求項１～３のいずれか１項に記載のセラミックヒータ。 - 複数の前記第１折り返し部の間隙の中心線は、少なくとも２つの方向を向いており、
複数の前記第２折り返し部の間隙の中心線は、少なくとも２つの方向を向いている、
請求項１～４のいずれか１項に記載のセラミックヒータ。 - 前記第１抵抗発熱体は、前記第１面を複数の扇形に分割した扇形分割面ごとに設けられるか前記第１面に一つだけ設けられ、前記一対の第１端子の一方から前記セラミックプレートの外周部に向かって折り返されながら配線されたあと前記外周部から前記一対の第１端子の他方に向かって折り返されながら配線され、
前記第２抵抗発熱体は、前記第２面を複数の扇形に分割した扇形分割面ごとに設けられるか前記第２面に一つだけ設けられ、前記一対の第２端子の一方から前記外周部に向かって折り返されながら配線されたあと前記外周部から前記一対の第２端子の他方に向かって折り返されながら配線されている、
請求項１～５のいずれか１項に記載のセラミックヒータ。 - 前記セラミックプレートを上から見たとき、前記第２抵抗発熱体の配線同士の間に第１抵抗発熱体の配線が配置されている、
請求項１～６のいずれか１項に記載のセラミックヒータ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020197814A JP7321990B2 (ja) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | セラミックヒータ |
| US17/455,238 US20220174788A1 (en) | 2020-11-30 | 2021-11-17 | Ceramic heater |
| KR1020210159955A KR20220076329A (ko) | 2020-11-30 | 2021-11-19 | 세라믹 히터 |
| CN202111436453.5A CN114585114A (zh) | 2020-11-30 | 2021-11-29 | 陶瓷加热器 |
| TW110144369A TWI850606B (zh) | 2020-11-30 | 2021-11-29 | 陶瓷加熱器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020197814A JP7321990B2 (ja) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | セラミックヒータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022086024A JP2022086024A (ja) | 2022-06-09 |
| JP7321990B2 true JP7321990B2 (ja) | 2023-08-07 |
Family
ID=81752053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020197814A Active JP7321990B2 (ja) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | セラミックヒータ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220174788A1 (ja) |
| JP (1) | JP7321990B2 (ja) |
| KR (1) | KR20220076329A (ja) |
| CN (1) | CN114585114A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006500789A (ja) | 2002-09-19 | 2006-01-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | マルチゾーン抵抗ヒータ |
| US20170167790A1 (en) | 2015-12-11 | 2017-06-15 | Lam Research Corporation | Multi-plane heater for semiconductor substrate support |
| WO2018230408A1 (ja) | 2017-06-14 | 2018-12-20 | 住友電気工業株式会社 | 半導体基板加熱用基板載置台および半導体基板加熱ヒータ |
| WO2020153079A1 (ja) | 2019-01-25 | 2020-07-30 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3897563B2 (ja) | 2001-10-24 | 2007-03-28 | 日本碍子株式会社 | 加熱装置 |
| JP6715699B2 (ja) * | 2016-06-27 | 2020-07-01 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックスヒータ |
| JP6796436B2 (ja) * | 2016-09-15 | 2020-12-09 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックヒータ及びその製造方法。 |
| CN211509304U (zh) * | 2020-01-08 | 2020-09-15 | 深圳爱特嘉智能科技有限公司 | 电加热装置及具有该电加热装置的电加热水壶 |
-
2020
- 2020-11-30 JP JP2020197814A patent/JP7321990B2/ja active Active
-
2021
- 2021-11-17 US US17/455,238 patent/US20220174788A1/en active Pending
- 2021-11-19 KR KR1020210159955A patent/KR20220076329A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-11-29 CN CN202111436453.5A patent/CN114585114A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006500789A (ja) | 2002-09-19 | 2006-01-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | マルチゾーン抵抗ヒータ |
| US20170167790A1 (en) | 2015-12-11 | 2017-06-15 | Lam Research Corporation | Multi-plane heater for semiconductor substrate support |
| WO2018230408A1 (ja) | 2017-06-14 | 2018-12-20 | 住友電気工業株式会社 | 半導体基板加熱用基板載置台および半導体基板加熱ヒータ |
| WO2020153079A1 (ja) | 2019-01-25 | 2020-07-30 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220174788A1 (en) | 2022-06-02 |
| KR20220076329A (ko) | 2022-06-08 |
| TW202231118A (zh) | 2022-08-01 |
| JP2022086024A (ja) | 2022-06-09 |
| CN114585114A (zh) | 2022-06-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7216746B2 (ja) | セラミックヒータ | |
| JP7216710B2 (ja) | マルチゾーンヒータ | |
| US11984329B2 (en) | Ceramic heater | |
| JP4376070B2 (ja) | 加熱装置 | |
| US20210235548A1 (en) | Ceramic heater | |
| WO2020129641A1 (ja) | セラミックヒータ | |
| JP7321990B2 (ja) | セラミックヒータ | |
| TWI850606B (zh) | 陶瓷加熱器 | |
| US20210227639A1 (en) | Ceramic heater and method of manufacturing the same | |
| JP6871277B2 (ja) | 試料保持具 | |
| JP6789081B2 (ja) | 保持装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220722 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230322 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230328 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230426 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230606 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230629 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230725 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230726 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7321990 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |