WO2018230408A1 - 半導体基板加熱用基板載置台および半導体基板加熱ヒータ - Google Patents

半導体基板加熱用基板載置台および半導体基板加熱ヒータ Download PDF

Info

Publication number
WO2018230408A1
WO2018230408A1 PCT/JP2018/021661 JP2018021661W WO2018230408A1 WO 2018230408 A1 WO2018230408 A1 WO 2018230408A1 JP 2018021661 W JP2018021661 W JP 2018021661W WO 2018230408 A1 WO2018230408 A1 WO 2018230408A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
heating
substrate mounting
mounting table
semiconductor substrate
heat generating
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/021661
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
健司 新間
悦弘 西本
成伸 先田
晃 三雲
Original Assignee
住友電気工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=64659279&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=WO2018230408(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 住友電気工業株式会社 filed Critical 住友電気工業株式会社
Priority to KR1020197035945A priority Critical patent/KR102468523B1/ko
Priority to JP2019525344A priority patent/JP7063334B2/ja
Publication of WO2018230408A1 publication Critical patent/WO2018230408A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00—Details of electric heating devices
    • H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0202—Switches
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00—Details of electric heating devices
    • H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0227—Applications
    • H05B1/023—Industrial applications
    • H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02—Details
    • H05B3/03—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/68—Heating arrangements specially adapted for cooking plates or analogous hot-plates

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate mounting table for heating a semiconductor substrate and a semiconductor substrate heater.
  • This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2017-116606 filed on June 14, 2017, and incorporates all the description content described in the above Japanese application.
  • the substrate heater includes a substrate mounting table made of a ceramic disk-shaped member having a flat substrate mounting surface on the upper surface, and a cylindrical shape that supports the substrate mounting table from the lower surface side. And a support. Inside the substrate mounting table, a heating circuit such as an electric heating coil or a patterned metal thin film is embedded in a plane parallel to the substrate mounting surface. A pair of electrode terminals provided on the lower surface side of the substrate mounting table are electrically connected to both ends of the heat generating circuit, and the heat generating circuit is connected from an external power source through the pair of electrode terminals and the lead wires. Is supplied with power.
  • the circuit pattern of the heat generating circuit is made minute so that temperature unevenness does not occur, or the substrate mounting surface is divided into a plurality of zones (multi-zones), and power is individually supplied to the heat generating circuits arranged in each of them.
  • the temperature is finely controlled for each zone.
  • a substrate mounting table for heating a semiconductor substrate is a ceramic semiconductor substrate having one surface as a mounting surface of a semiconductor substrate and a connecting portion of a cylindrical support on a surface opposite to the mounting surface.
  • a substrate support for heating wherein the cylindrical support is provided at a central portion of a surface opposite to the placement surface of the substrate placement table, and a plurality of heating circuits provided inside the substrate placement table.
  • a plurality of electrode terminals provided in an inner region connected to each other, and each one end portion of at least two of the heat generating circuits is a common electrode terminal that is one of the electrode terminals.
  • the semiconductor substrate heating substrate mounting table is connected through a common extension.
  • this application discloses the semiconductor substrate heater which has the said substrate mounting base for semiconductor substrate heating, and a cylindrical support body.
  • FIG. 1 is a schematic vertical sectional view of an embodiment of a semiconductor substrate heater having a substrate mounting table according to the present disclosure.
  • FIG. 2 is a specific example of the circuit pattern of the heat generating circuit embedded in the central zone of the substrate mounting table of FIG.
  • FIG. 3 is a first specific example of the circuit pattern of the heat generating circuit embedded in the outer peripheral zone of the substrate mounting table of FIG.
  • FIG. 4 is a first specific example of a circuit pattern of a heat generating circuit embedded in an outer peripheral zone of a conventional substrate mounting table.
  • FIG. 5 is a second specific example of the circuit pattern of the heat generating circuit embedded in the outer peripheral zone of the substrate mounting table of FIG. FIG.
  • FIG. 6 shows a second specific example of the circuit pattern of the heat generating circuit embedded in the outer peripheral zone of the conventional substrate mounting table.
  • FIG. 7 is a third specific example of the circuit pattern of the heat generating circuit embedded in the outer peripheral zone of the substrate mounting table of FIG.
  • FIG. 8 shows a third specific example of the circuit pattern of the heat generating circuit embedded in the outer peripheral zone of the conventional substrate mounting table.
  • the atmosphere in the vacuum chamber becomes a corrosive environment. Therefore, it is preferable to isolate the electrode terminal provided so as to protrude to the lower surface side of the substrate mounting table from the atmosphere in the vacuum chamber. Therefore, the upper and lower ends of the cylindrical support are hermetically sealed to the lower surface of the substrate mounting table and the bottom of the vacuum chamber, respectively, and the electrode terminals are installed inside the cylindrical support.
  • a cylindrical support is generally used rather than the diameter of the central zone. The inner diameter of is smaller. It is necessary to extend both ends of the heat generating circuit that heats the outer peripheral zone so as to pass through the central zone and to be connected to the electrode terminals installed inside the cylindrical support.
  • An embodiment of a substrate mounting table for heating a semiconductor substrate according to the present disclosure is made of a ceramic having one surface as a mounting surface of a semiconductor substrate and a connecting portion of a cylindrical support on a surface opposite to the mounting surface.
  • a substrate mounting table for heating a semiconductor substrate wherein a plurality of heat generating circuits provided inside the substrate mounting table and a cylindrical shape at a central portion of a surface opposite to the mounting surface on the substrate mounting table
  • a plurality of electrode terminals provided in an inner region to which the support is connected, and each one end of at least two of the heat generating circuits is one of the electrode terminals. It is connected to the terminal via a common extension.
  • the structure of the end portion of the heat generating circuit connected to the electrode terminal disposed at the center of the substrate mounting surface can be simplified, so that the substrate mounting can be suppressed while suppressing the adverse effect on the thermal uniformity of the substrate mounting surface.
  • the surface can be temperature controlled more precisely.
  • the temperature of each of the plurality of heating circuits is individually controlled. Thereby, the temperature of the substrate mounting surface can be controlled more finely.
  • the plurality of heat generating circuits heat a central zone heat generating circuit that heats the central zone of the mounting surface and the periphery of the central zone. It comprises a plurality of outer zone heating circuits, and the at least two heating circuits are preferably the outer zone heating circuits. Thereby, the temperature of the outer peripheral zone around it can be finely controlled while suppressing the adverse effect on the thermal uniformity of the inner peripheral zone of the substrate mounting surface.
  • the central zone heating circuit and the outer zone heating circuit may be embedded in different planes in the thickness direction of the substrate mounting table.
  • the configuration can be simplified by eliminating the interference between the heating circuits and the extended wiring portions to the electrode terminals.
  • the central zone heat generating circuit may be composed of a plurality of concentric curved conductive parts centering on the center of the wafer mounting surface and a linear conductive part connecting the adjacent curved conductive parts.
  • the outer peripheral zone heat generating circuit includes a plurality of concentric circles each centered on the center of the wafer mounting surface in a plurality of zones obtained by dividing an annular portion surrounding the periphery of the central zone heat generating circuit in the circumferential direction. It is good to be comprised by the curved conductive part and the linear conductive part which connects the said curved conductive part which adjoins. The thermal uniformity of the substrate placement surface can be ensured while simplifying the structure of the end portions of the plurality of heat generating circuits connected to the electrode terminals arranged at the center of the substrate placement surface.
  • the present disclosure also includes a semiconductor substrate heater having the above-described semiconductor substrate heating substrate mounting table and a cylindrical support.
  • FIG. 1 is a schematic vertical cross-sectional view of an embodiment of a semiconductor substrate heater 3 having a substrate mounting table according to the present disclosure.
  • FIG. 1 is not a figure which shows correctly the cross section cut
  • FIG. 1 is not a figure which shows correctly the cross section cut
  • a semiconductor substrate heater 3 is a substantially disk-shaped substrate, which is preferably made of ceramics and has a substrate mounting surface 1a on which a semiconductor substrate W is mounted as shown in FIG.
  • the mounting table 1 is connected by a connecting portion 1b so as to support the mounting table 1 from the lower surface, and has a substantially cylindrical cylindrical support body 2 made of ceramics.
  • flange portions bent outward are formed.
  • the upper and lower end portions are connected to the lower surface of the substrate mounting table 1 and the vacuum chamber (by a sealing member (not shown) provided on the annular end surface of the flange portion, such as an O-ring (not shown), a gasket, etc. (Not shown) are air-tightly joined to the bottom of each.
  • a sealing member not shown
  • O-ring not shown
  • gasket etc.
  • the ceramic that is a suitable material for the substrate mounting table 1 and the cylindrical support 2 include aluminum nitride, silicon nitride, silicon carbide, and aluminum oxide. Of these, aluminum nitride having high thermal conductivity is preferable.
  • the substrate mounting table 1 and the cylindrical support 2 are preferably made of the same material, and can be expanded and contracted in the same way during heating and cooling, so that warpage of the substrate mounting surface 1a due to thermal stress can be reduced. Problems such as breakage of the joint between the substrate mounting table 1 and the cylindrical support 2 can be made difficult to occur.
  • a central zone heating circuit 10 that heats the central zone of the substrate mounting surface 1a and an annular outer periphery around the central zone are provided inside the substrate mounting table 1.
  • Two outer peripheral zone heating circuits 21 and 22 for heating the zone are embedded. These outer peripheral zone heat generating circuits 21 and 22 are embedded in the same plane parallel to the substrate mounting surface 1a, and the central zone heat generating circuit 10 is disposed in a plane closer to the substrate mounting surface 1a than the same plane. Buried. That is, the central zone heat generating circuit 10 and the outer peripheral zone heat generating circuits 21 and 22 are respectively embedded in different planes in the thickness direction of the substrate mounting table 1. Therefore, the central zone heat generating circuit 10 and the outer peripheral zone heat generating circuits 21 and 22 do not physically interfere with each other.
  • the central zone heat generating circuit 10 has a circuit pattern as shown in FIG. That is, the central zone heat generating circuit 10 shown in FIG. 2 is formed in a single stroke with a plurality of concentric curved conductive portions and linear conductive portions connecting adjacent ones of the curved conductive portions, Both end portions thereof are disposed in the central portion of the substrate placement surface 1a.
  • the electrode terminals 30a and 30b are connected to both ends, respectively.
  • the two outer zone heating circuits 21 and 22 have the circuit pattern of the first specific example shown in FIG. That is, in the circuit pattern shown in FIG. 3, the two outer peripheral zone heat generating circuits 21 and 22 are respectively embedded in two sector zones obtained by equally dividing the annular outer peripheral zone into two in the circumferential direction. Each of these two outer zone heating circuits 21 and 22 is formed in a single stroke with a plurality of concentric curved conductive portions and a linear conductive portion connecting adjacent ones of these curved conductive portions, One end portions of the outer peripheral zone heat generating circuits 21 and 22 are connected to the two electrode terminals 31 and 32 via two non-shared extension portions 21a and 22a extending in parallel to each other toward the center of the substrate mounting surface 1a. Each is connected. On the other hand, the other end portions of the two outer peripheral zone heat generating circuits 21 and 22 share one wide shared extension portion 20 toward the center of the substrate mounting surface 1a. It is connected to one common electrode terminal 33.
  • the circuit pattern of the outer peripheral zone heat generating circuit of the substrate mounting table of the embodiment of the present disclosure is not limited to the case of FIG. 3, and may be the circuit pattern of the second specific example shown in FIG.
  • four substantially identical outer peripheral zone heat generating circuits 221 to 224 are provided in four fan-shaped zones symmetrical with respect to the center point of the substrate mounting surface of the substrate mounting table 200, respectively.
  • Each of the four outer peripheral zone heat generating circuits 221 to 224 is formed in a single stroke with a plurality of concentric curved conductive portions and a linear conductive portion connecting adjacent ones of the curved conductive portions.
  • each of the outer peripheral zone heat generation circuits 221 to 224 has four electrode terminals 231 to 234 via four non-shared extension portions 221a to 224a that extend in parallel two by two toward the center of the substrate mounting surface. Is connected to each.
  • the other end portions of the four outer peripheral zone heat generating circuits 221 to 224 share two shared extended portions 220a and 220b that are wide toward the center of the substrate mounting surface, and two of these shared extended portions are shared. It is connected to one common electrode terminal 235 through the portions 220a and 220b.
  • Such a structure can simplify the structure of the end portion of the heat generating circuit connected to the electrode terminal group disposed in the central portion of the substrate mounting surface. Thereby, the temperature of the substrate mounting surface can be controlled more precisely. That is, when the wide shared extension portions 220a and 220b are not adopted, two non-shared extension portions are provided in each of the four outer zone heating circuits 321 to 324, for example, as in the substrate mounting table 300 shown in FIG. Since it is necessary to provide 321a, 321b, 322a, 322b, 323a, 323b, 324a, 324b, the structure of the central portion of the substrate mounting surface becomes complicated.
  • the circuit pattern of the outer peripheral zone heat generating circuit of the substrate mounting table may be the circuit pattern of the third specific example shown in FIG.
  • six substantially identical outer peripheral zone heat generating circuits 421 to 426 are provided in six fan-shaped zones that are symmetrical with respect to the center point of the substrate mounting surface of the substrate mounting table 400.
  • Each of these six outer peripheral zone heat generating circuits 421 to 426 is formed in a single stroke with a plurality of concentric curved conductive portions and linear conductive portions connecting adjacent ones of these curved conductive portions.
  • each of the outer peripheral zone heat generation circuits 421 to 426 has six electrode terminals 431 to 436 through six non-shared extension portions 421a to 426a extending in parallel two by two toward the center of the substrate mounting surface. Is connected to each.
  • the other outer ends of these six outer peripheral zone heat generating circuits 421 to 426 share three wide extended portions 420a, 420b, and 420c facing the center of the substrate mounting surface. It is connected to one shared electrode terminal 437 through shared extension portions 420a to 420c.
  • Such a structure can simplify the structure of the end portion of the heat generating circuit connected to the electrode terminal group disposed in the central portion of the substrate mounting surface. Thereby, the temperature of the substrate mounting surface can be controlled more precisely. That is, when the wide shared extension portions 420a to 420c are not adopted, two non-shared extension portions are provided in each of the six outer peripheral zone heating circuits 521 to 526 as in the substrate mounting table 500 shown in FIG. Since it is necessary to provide 521a, 521b, 522a, 522b, 523a, 523b, 524a, 524b, 525a, 525b, 526a, 526b, the structure of the central portion of the substrate mounting surface becomes complicated.
  • each of all the heating circuits embedded in the substrate mounting table is controlled independently.
  • the substrate placement surface can be locally heated, so that good thermal uniformity is maintained even when the substrate placement surface is partially cooled by, for example, opening and closing a load lock.
  • the end of each heat generating circuit and the electrode terminal can be connected by a joining means such as caulking, welding, brazing, or screwing.
  • the semiconductor substrate heating substrate mounting table of the present invention has been described with reference to one embodiment.
  • the present invention is not limited to the embodiment, and various aspects within the scope of the present invention can be used. It is possible to implement. That is, the technical scope of the present invention covers the claims and their equivalents.
  • a slurry was prepared by adding 0.5 parts by mass of yttrium oxide as a sintering aid to 99.5 parts by mass of the aluminum nitride powder, adding a binder and an organic solvent, and mixing them with a ball mill.
  • the obtained slurry was sprayed by a spray drying method to produce granules, which were press-molded to produce three molded bodies.
  • These compacts were degreased at 700 ° C. in a nitrogen atmosphere and then sintered at 1850 ° C. in a nitrogen atmosphere to obtain three aluminum nitride sintered bodies.
  • the obtained sintered body was processed into a disk shape having a diameter of 330 mm and a thickness of 8 mm. At this time, the surface roughness Ra was 0.8 ⁇ m, and the flatness was 50 ⁇ m.
  • a circular concentric circuit pattern shown in FIG. 2 is formed with a line width of 4 mm and a thickness of 20 ⁇ m in a circular central zone having a diameter of 160 mm on the upper surface of the sintered body located in the middle. Therefore, it was applied by screen printing using a tungsten paste. Furthermore, screen printing using tungsten paste is performed to form a circuit pattern of an annular concentric circle shown in FIG. 3 with a line width of 4 mm and a thickness of 20 ⁇ m in an annular outer peripheral zone outside the central zone having a diameter of 160 mm on the lower surface of the same sintered body. was applied. Note that the line width of the shared extension portion was 8 mm. These tungsten pastes were degreased at 700 ° C. in a nitrogen atmosphere and baked at 1830 ° C. to form a heating circuit.
  • the sintered body located in the middle was sandwiched between two remaining sintered bodies that were degreased after applying an adhesive material mainly composed of aluminum nitride for adhesion to the opposing surface and joined.
  • a bottomed hole is provided on the lower surface of the joined body thus obtained so that the end of the heat generating circuit is exposed, and an external terminal made of tungsten is inserted into the hole to electrically connect the heat generating circuit. Connected.
  • a substrate mounting table for Sample 1 was produced.
  • the substrate mounting tables for Samples 2 to 6 were produced in the same manner as for Sample 1 except that the circuit patterns shown in FIGS. 4 to 8 were formed in the annular outer peripheral zone instead of the circuit patterns shown in FIG.
  • AlN aluminum nitride
  • One end of the support member was joined with a screw.
  • a gasket was used to hermetically seal between the flange-shaped portion and the bonding surface of the substrate mounting table.
  • the lead wire was connected to an external terminal located inside the support member, and the other end of the support member was fixed with a clamp in a state of being hermetically sealed with a gasket at the bottom of the chamber.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

一方の面を半導体基板の載置面とし、前記載置面とは反対側の面に筒状支持体の接続部を有するセラミックス製の半導体基板加熱用基板載置台であって、基板載置台の内部に設けられた複数の発熱回路と、基板載置台の載置面とは反対側の面の中央部において、筒状支持体が接続される内側領域に設けられた複数の電極端子とを備え、発熱回路のうちの少なくとも２つの発熱回路のそれぞれの片端部は、電極端子のうちの１つである共用電極端子と、共通する延長部分を介して接続されている。

Description

半導体基板加熱用基板載置台および半導体基板加熱ヒータ
　本開示は、半導体基板加熱用基板載置台および半導体基板加熱ヒータに関する。本出願は、２０１７年６月１４日出願の日本出願第２０１７－１１６６０６号に基づく優先権を主張し、前記日本出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。
　ＬＳＩなどの半導体デバイスを製造する半導体製造装置では、被処理物である半導体基板（半導体ウエハ）に対してＣＶＤやスパッタリングに代表される成膜処理やエッチング処理など、様々な薄膜処理が施される。これらの薄膜処理は、半導体基板を所定の温度に加熱した状態で処理を行うのが一般的である。そのため、当該処理が行われる真空チャンバー内には、載置面に載置された半導体基板をその下面から加熱するサセプタとも称する基板加熱ヒータが搭載されている。
　上記基板加熱ヒータは、例えば特許文献１に示されるように、上面に平坦な基板載置面を備えたセラミックス製の円板状部材からなる基板載置台と、これを下面側から支持する筒状支持体とから構成されている。該基板載置台の内部には電熱コイルやパターニングされた金属薄膜等の発熱回路が基板載置面に平行な面内に埋設されている。該発熱回路の両端部には基板載置台の下面側に設けた１対の電極端子が電気的に接続しており、この１対の電極端子及びその引出線を介して外部電源から該発熱回路に給電が行われる。
　上記した基板加熱ヒータでは、製品となる半導体デバイスの品質にばらつきが生じないように、基板載置面での均熱性を高めて半導体基板を全面に亘って均一に加熱することが求められている。そのため、該発熱回路の回路パターンを緻密にして温度ムラが生じないようにしたり、基板載置面を複数のゾーン（マルチゾーン）に区分してそれらの各々に配した発熱回路に個別に給電することでゾーンごとにきめ細かく温度制御したりすることが行われている。
特開２００３－１７２２４号公報
　本開示に係る半導体基板加熱用基板載置台は、一方の面を半導体基板の載置面とし、前記載置面とは反対側の面に筒状支持体の接続部を有するセラミックス製の半導体基板加熱用基板載置台であって、前記基板載置台の内部に設けられた複数の発熱回路と、前記基板載置台の前記載置面とは反対側の面の中央部において、前記筒状支持体が接続される内側領域に設けられた複数の電極端子とを備え、前記発熱回路のうちの少なくとも２つの発熱回路のそれぞれの片端部は、前記電極端子のうちの１つである共用電極端子と、共通する延長部分を介して接続されている、半導体基板加熱用基板載置台である。
また本願は、上記半導体基板加熱用基板載置台と筒状支持体とを有する半導体基板加熱ヒータを開示する。
図１は、本開示に係る基板載置台を有する半導体基板加熱ヒータの実施形態の縦断面模式図である。 図２は、図１の基板載置台の中央ゾーンに埋設されている発熱回路の回路パターンの一具体例である。 図３は、図１の基板載置台の外周ゾーンに埋設されている発熱回路の回路パターンの第１の具体例である。 図４は、従来の基板載置台の外周ゾーンに埋設されている発熱回路の回路パターンの第１の具体例である。 図５は、図１の基板載置台の外周ゾーンに埋設されている発熱回路の回路パターンの第２の具体例である。 図６は、従来の基板載置台の外周ゾーンに埋設されている発熱回路の回路パターンの第２の具体例である。 図７は、図１の基板載置台の外周ゾーンに埋設されている発熱回路の回路パターンの第３の具体例である。 図８は、従来の基板載置台の外周ゾーンに埋設されている発熱回路の回路パターンの第３の具体例である。
[本開示が解決しようとする課題]
　薄膜処理の際、真空チャンバー内の雰囲気は腐食環境になるので、基板載置台の下面側に突出するようにして設けられている電極端子は、真空チャンバー内の雰囲気から隔離するのが好ましい。そこで、筒状支持体の上下端部を基板載置台の下面及び真空チャンバーの底部にそれぞれ気密にシールすると共に、該電極端子を筒状支持体の内側に設置することが行われている。この場合、基板載置面を例えば中央ゾーンとこれを囲む環状の外周ゾーンとの２ゾーンに区分してそれらの各々に発熱回路を設ける構造では、一般に該中央ゾーンの直径よりも筒状支持体の内径の方が小さい。当該外周ゾーンを加熱する発熱回路の両端部を延長して上記の中央ゾーン内を通過させ、筒状支持体の内側に設置した電極端子に接続させる必要がある。
　この延長部分からもジュール熱が生ずるため、該延長部分は基板載置面の均熱性に影響を及ぼす。従来はその影響は無視できる程度に小さかったため問題視されることはほとんどなかった。しかし近年の半導体デバイスの微細化に伴い、基板載置面の温度分布にはより精密な制御が求められるようになってきており、これまで問題視されていなかった該延長部分の影響を低減する必要が生じている。
［本開示の効果］
　本開示によれば、基板載置面の中央部に配される電極端子に接続する複数の発熱回路の端部の構造を簡素化できるので、該基板載置面の均熱性への悪影響を抑えながら該基板載置面をより精密に温度制御することが可能になる。　
［本開示の実施形態の説明］
　最初に本開示の実施形態を列記して説明する。本開示の半導体基板加熱用基板載置台の実施形態は、一方の面を半導体基板の載置面とし、前記載置面とは反対側の面に筒状支持体の接続部を有するセラミックス製の半導体基板加熱用基板載置台であって、上記基板載置台の内部に設けられた複数の発熱回路と、上記基板載置台の上記載置面とは反対側の面の中央部において、上記筒状支持体が接続される内側領域に設けられた複数の電極端子とを備え、上記発熱回路のうちの少なくとも２つの発熱回路のそれぞれの片端部は、上記電極端子のうちの１つである共用電極端子と、共通する延長部分を介して接続されている。これにより、基板載置面の中央部に配される電極端子に接続する発熱回路の端部の構造を簡素化できるので、該基板載置面の均熱性への悪影響を抑えながら該基板載置面をより精密に温度制御することができる。
　上記本開示の半導体基板加熱用基板載置台の実施形態においては、上記複数の発熱回路は各々個別に温度制御されるのが好ましい。これにより基板載置面をより細かく温度制御することができる。また、上記本開示の半導体基板加熱用基板載置台の実施形態においては、上記複数の発熱回路は、上記載置面の中央ゾーンを加熱する中央ゾーン発熱回路と、上記中央ゾーンの周りを加熱する複数の外周ゾーン発熱回路とからなり、上記少なくとも２つの発熱回路は、上記外周ゾーン発熱回路であることが好ましい。これにより、基板載置面の内周ゾーンの均熱性への悪影響を抑えながら、その周りの外周ゾーンをきめ細かく温度制御することができる。
また、上記中央ゾーン発熱回路と上記外周ゾーン発熱回路とは上記基板載置台の厚み方向において異なる平面内に埋設されているとよい。発熱回路同士および電極端子への延長配線部分の干渉を無くし、構成を簡素化できる。
　ここで、上記中央ゾーン発熱回路は、上記ウエハ載置面の中心を中心とする同心円状の複数の湾曲導電部と、隣接する上記湾曲導電部を接続する直線導電部とで構成されると良い。さらに、上記外周ゾーン発熱回路は、上記中央ゾーン発熱回路の周囲を囲む円環状の部分を周方向に区分した複数のゾーンにおいて、それぞれ上記ウエハ載置面の中心を中心とする同心円状の複数の湾曲導電部と、隣接する上記湾曲導電部を接続する直線導電部とで構成されていると良い。基板載置面の中央部に配される電極端子に接続する複数の発熱回路の端部の構造を簡素化しつつ、基板載置面の均熱性を確保することができる。
　また、本開示は、上記の半導体基板加熱用基板載置台と、筒状支持体とを有する、半導体基板加熱ヒータを含む。
　次に、本開示の基板載置台を有する半導体基板加熱ヒータの一実施形態として、半導体基板に対してエッチング処理やＣＶＤ処理などを行う半導体製造装置の真空チャンバー内に搭載される半導体基板加熱ヒータについて説明する。図１は、本開示に係る基板載置台を有する半導体基板加熱ヒータ３の実施形態の縦断面模式図である。なお、図１は円板状の基板載置台の中心を通る１つの直線で切断した断面を正確に示す図ではなく、構成要素の埋設状態を説明しやすくするために模式的に断面の状態を示した図である。この本開示の一実施形態の半導体基板加熱ヒータ３は、図１に示すように半導体基板Ｗを載置する基板載置面１ａを上面に備えた好適にはセラミックスからなる略円板状の基板載置台１と、これを下面から支持するように接続部１ｂにて接続され、好適にはセラミックスからなる略円筒形状の筒状支持体２とを有している。
　筒状支持体２の上下両端部には外側に屈曲したフランジ部が形成されている。フランジ部の環状端面に設けた図示しないＯ－リング、ガスケット等のシール材及び該フランジ部を貫通する図示しないネジ等の結合手段によって、該上下両端部は基板載置台１の下面及び真空チャンバー（図示せず）の底面にそれぞれ気密に接合されている。これにより、筒状支持体２の内側を真空チャンバー内の腐食性ガス雰囲気から隔離することが可能になる。
　上記の基板載置台１や筒状支持体２の好適な材質であるセラミックとしては、例えば窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム等を挙げることができる。
これらの中では熱伝導率の高い窒化アルミニウムが好ましい。基板載置台１と筒状支持体２は互いに同じ材質からなるのが好ましく、これにより加熱や冷却の際に同様に膨張や縮小させることができるので、熱応力による基板載置面１ａの反りや基板載置台１と筒状支持体２との接合部の破損等の問題を生じにくくすることができる。
　本開示の一実施形態の半導体基板加熱ヒータ３では、この基板載置台１の内部に、基板載置面１ａの中央ゾーンを加熱する中央ゾーン発熱回路１０と、該中央ゾーンの周りの環状の外周ゾーンを加熱する２つの外周ゾーン発熱回路２１、２２とが埋設されている。これら外周ゾーン発熱回路２１、２２は、基板載置面１ａに平行な同一平面内に埋設されており、この同一平面よりも基板載置面１ａに近い面内に上記の中央ゾーン発熱回路１０が埋設されている。すなわち、中央ゾーン発熱回路１０と外周ゾーン発熱回路２１、２２とは基板載置台１の厚み方向において互いに異なる平面内にそれぞれ埋設されている。よって、これら中央ゾーン発熱回路１０と外周ゾーン発熱回路２１、２２とが互いに物理的に干渉することはない。
　これら複数の発熱回路のうち、中央ゾーン発熱回路１０は例えば図２に示すような回路パターンを有している。すなわち、この図２に示す中央ゾーン発熱回路１０は、同心円状の複数の湾曲導電部と、これら湾曲導電部の隣接するもの同士を接続する直線導電部とで一筆書き状に形成されており、その両端部は共に基板載置面１ａの中心部に配設されている。そして、この両端部にそれぞれ電極端子３０ａ、３０ｂが接続している。
　一方、２つの外周ゾーン発熱回路２１、２２は例えば図３に示す第１の具体例の回路パターンを有している。すなわち、この図３に示す回路パターンでは、２つの外周ゾーン発熱回路２１、２２は前述した環状の外周ゾーンをその周方向に２等分して得られる２つの扇形ゾーンにそれぞれ埋設されている。これら２つの外周ゾーン発熱回路２１、２２の各々は、同心円状の複数の湾曲導電部と、これら湾曲導電部の隣接するもの同士を接続する直線導電部とで一筆書き状に形成されており、これら外周ゾーン発熱回路２１、２２の一端部は、基板載置面１ａの中心に向って互いに平行に延在する２本の非共有延長部分２１ａ、２２ａを介して２つの電極端子３１、３２にそれぞれ接続している。一方、これら２つの外周ゾーン発熱回路２１、２２の他端部は、基板載置面１ａの中心に向う１本の幅広の共有延長部分２０を共有しており、この共有延長部分２０を介して１つの共用電極端子３３に接続している。
　かかる構造により、基板載置面１ａの中央部に配される電極端子群３０ａ、３０ｂ、３１～３３に接続する複数の発熱回路の端部の構造を簡素化することができ、基板載置面１ａの均熱性への悪影響を抑えながら基板載置面１ａをより精密に温度制御することが可能になる。すなわち、上記の幅広の共有延長部分２０を採用しない場合は、例えば図４に示す基板載置台１００のように、２つの外周ゾーン発熱回路１２１、１２２の各々に２本の非共有延長部分１２１ａ、１２１ｂ、１２２ａ、１２２ｂを設ける必要があるので、基板載置面１ａの中央部の構造が複雑になる。
　本開示の実施形態の基板載置台の外周ゾーン発熱回路の回路パターンは図３の場合に限定されるものではなく、図５に示す第２の具体例の回路パターンでもよい。この図５に示す回路パターンでは、基板載置台２００の基板載置面の中心点に関して対称な４つの扇形ゾーンに４つの略同形状の外周ゾーン発熱回路２２１～２２４がそれぞれ設けられている。これら４つの外周ゾーン発熱回路２２１～２２４の各々は、同心円状の複数の湾曲導電部と、これら湾曲導電部の隣接するもの同士を接続する直線導電部とで一筆書き状に形成されている。これら外周ゾーン発熱回路２２１～２２４の一端部は、基板載置面の中心に向って２つずつ平行に延在する４本の非共有延長部分２２１ａ～２２４ａを介して４つの電極端子２３１～２３４にそれぞれ接続している。一方、これら４つの外周ゾーン発熱回路２２１～２２４の他端部は、基板載置面の中心に向う幅広の２本の共有延長部分２２０ａ、２２０ｂを２つずつで共有しており、これら共有延長部分２２０ａ、２２０ｂを介して１つの共用電極端子２３５に接続している。
　かかる構造により、基板載置面の中央部に配される電極端子群に接続する発熱回路の端部の構造を簡素化することができる。これにより基板載置面をより精密に温度制御することができる。すなわち、上記の幅広の共有延長部分２２０ａ、２２０ｂを採用しない場合は、例えば図６に示す基板載置台３００のように、４つの外周ゾーン発熱回路３２１～３２４の各々に２本の非共有延長部分３２１ａ、３２１ｂ、３２２ａ、３２２ｂ、３２３ａ、３２３ｂ、３２４ａ、３２４ｂを設ける必要があるので、基板載置面の中央部の構造が複雑になる。
　本開示の実施形態の基板載置台の外周ゾーン発熱回路の回路パターンは更に図７に示す第３の具体例の回路パターンでもよい。この図７に示す回路パターンでは、基板載置台４００の基板載置面の中心点に関して対称な６つの扇形ゾーンに６つの略同形状の外周ゾーン発熱回路４２１～４２６がそれぞれ設けられている。これら６つの外周ゾーン発熱回路４２１～４２６の各々は、同心円状の複数の湾曲導電部と、これら湾曲導電部の隣接するもの同士を接続する直線導電部とで一筆書き状に形成されている。これら外周ゾーン発熱回路４２１～４２６の一端部は、基板載置面の中心に向って２本ずつ平行に延在する６本の非共有延長部分４２１ａ～４２６ａを介して６つの電極端子４３１～４３６にそれぞれ接続している。一方、これら６つの外周ゾーン発熱回路４２１～４２６の他端部は、基板載置面の中心に向う３本の幅広の共有延長部分４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃを２つずつで共有しており、これら共有延長部分４２０ａ～４２０ｃを介して１つの共用電極端子４３７に接続している。
　かかる構造により、基板載置面の中央部に配される電極端子群に接続する発熱回路の端部の構造を簡素化することができる。これにより基板載置面をより精密に温度制御することができる。すなわち、上記の幅広の共有延長部分４２０ａ～４２０ｃを採用しない場合は、例えば図８に示す基板載置台５００のように、６つの外周ゾーン発熱回路５２１～５２６の各々に２本の非共有延長部分５２１ａ、５２１ｂ、５２２ａ、５２２ｂ、５２３ａ、５２３ｂ、５２４ａ、５２４ｂ、５２５ａ、５２５ｂ、５２６ａ、５２６ｂを設ける必要があるので、基板載置面の中央部の構造が複雑になる。
　本開示の実施形態の半導体基板加熱ヒータは、上記した基板載置台に埋設されている全ての発熱回路の各々が独立して制御されるのが好ましい。これにより基板載置面を局所的に加熱することができるので、例えばロードロックの開閉等により基板載置面が部分的に冷却されるような場合であっても均熱性を良好に維持することが可能になる。なお、各発熱回路の端部と電極端子との接続は、カシメ、溶接、ロウ接、ネジ止め等の接合手段で接続することができる。
　以上、本発明の半導体基板加熱用基板載置台について一実施形態を挙げて説明したが、本発明は係る実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨から逸脱しない範囲の種々の態様で実施することが可能である。すなわち、本発明の技術的範囲は、請求の範囲及びその均等物に及ぶものである。
　窒化アルミニウム粉末９９.５質量部に焼結助剤として酸化イットリウム０.５質量部を加え、更にバインダー、有機溶剤を加えて、ボールミル混合することにより、スラリーを作製した。得られたスラリーをスプレードライ法で噴霧することにより顆粒を作製し、これをプレス成形して３枚の成形体を作製した。これら成形体を窒素雰囲気中にて７００℃の条件で脱脂した後、窒素雰囲気中において１８５０℃で焼結して、３枚の窒化アルミニウム焼結体を得た。得られた焼結体を、直径３３０ｍｍ、厚み８ｍｍの円板状に加工した。このときの表面粗さはＲａで０.８μｍ、平面度は５０μｍであった。
　これら３枚の窒化アルミニウム焼結体のうち、中間に位置する焼結体の上面の直径１６０ｍｍの円形の中央ゾーンに、図２に示す円形同心円の回路パターンを線幅４ｍｍ、厚み２０μｍで形成すべくタングステンペーストを用いてスクリーン印刷により塗布した。更に同じ焼結体の下面の直径１６０ｍｍの中央ゾーンよりも外側の環状の外周ゾーンに、図３に示す環状同心円の回路パターンを線幅４ｍｍ、厚み２０μｍで形成すべくタングステンペーストを用いてスクリーン印刷により塗布した。なお、共有延長部分については線幅を８ｍｍにした。そして、これらタングステンペーストを窒素雰囲気中の７００℃での脱脂と１８３０℃での焼成を行って発熱回路を形成した。
　この中間に位置する焼結体を、対向面に接着用の窒化アルミニウムを主成分とする接着材料を塗布してから脱脂した残る２枚の焼結体で挟み込んで接合させた。このようにして得た接合体に対してその下面に、上記の発熱回路の端部が露出するように有底穴を設け、そこにタングステン製の外部端子を嵌入して発熱回路に電気的に接続した。このようにして試料１の基板載置台を作製した。更に、環状の外周ゾーンに図３に示す回路パターンに代えてそれぞれ図４～８の回路パターンを形成した以外は上記試料１の場合と同様にして試料２～６の基板載置台を作製した。
　このようにして作製した試料１～６の基板載置台の各々に対して、両端部がフランジ状に形成された内径６０ｍｍ、高さ１５０ｍｍ、肉厚２ｍｍの窒化アルミニウム（ＡｌＮ）製の円筒状の支持部材の一端部をネジで接合した。なお、フランジ状部分と基板載置台の接合面との間はガスケットを用いて気密にシールした。そして、支持部材の内側に位置する外部端子に引出線を接続すると共に、支持部材の他端部をチャンバーの底部にガスケットで気密シールした状態でクランプを用いて固定した。
　そして、試料１～６の基板載置台の各々に対して、発熱回路に給電して基板載置台を加熱して載置面の均熱性を評価した。具体的には、基板載置台の発熱回路に給電して基板載置台を５００℃に加熱した。この状態で、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社のＳｅｎｓＡｒｒａｙシリーズの３００ｍｍ、１７点基板測温計を用いて基板載置面の温度分布を測定した。その結果を下記表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　上記表１から分かるように、温度の高低差は試料１、３、５では１.９～２.２℃であるのに対して試料２、４、６はこれらよりほぼ倍の３.７～５.０℃である。本開示の要件を満たす試料１、３、５の基板載置台の方が本開示の要件を満たしていない試料２、４、６の基板載置台よりも均熱性に優れていることが分かった。
　Ｗ　　　半導体基板
　１、１００、２００、３００、４００、５００　　　基板載置台
　１ａ　　基板載置面
　１ｂ　　接続部
　２　　　筒状支持体
　３　　　半導体基板加熱ヒータ
　１０　　中央ゾーン発熱回路
　２０　　共有延長部分
　２１、２２　　外周ゾーン発熱回路
　２１ａ、２２ａ　　非共有延長部分
　３０ａ、３０ｂ、３１、３２　　電極端子
　３３　　共用電極端子
　１２１、１２２　　外周ゾーン発熱回路
　１２１ａ、１２１ｂ、１２２ａ、１２２ｂ　　非共有延長部分
　２２０ａ、２２０ｂ　　共有延長部分
　２２１～２２４　　外周ゾーン発熱回路
　２２１ａ～２２４ａ　　非共有延長部分
　２３１～２３４　　電極端子
　２３５　　共用電極端子
　３２１～３２４　　外周ゾーン発熱回路
　３２１ａ、３２１ｂ、３２２ａ、３２２ｂ、３２３ａ、３２３ｂ、３２４ａ、３２４ｂ　　非共有延長部分
　４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃ　　共有延長部分
　４２１～４２６　　外周ゾーン発熱回路
　４２１ａ～４２６ａ　　非共有延長部分
　４３１～４３６　　電極端子
　４３７　　共用電極端子
　５２１～５２６　　発熱回路
　５２１ａ、５２１ｂ、５２２ａ、５２２ｂ、５２３ａ、５２３ｂ、５２４ａ、５２４ｂ、５２５ａ、５２５ｂ、５２６ａ、５２６ｂ　　延長部分

Claims (6)

  1. 　一方の面を半導体基板の載置面とし、前記載置面とは反対側の面に筒状支持体の接続部を有するセラミックス製の半導体基板加熱用基板載置台であって、
    　前記基板載置台の内部に設けられた複数の発熱回路と、
    　前記基板載置台の前記載置面とは反対側の面の中央部において、前記筒状支持体が接続される内側領域に設けられた複数の電極端子とを備え、
    　前記発熱回路のうちの少なくとも２つの発熱回路のそれぞれの片端部は、前記電極端子のうちの１つである共用電極端子と、共通する延長部分を介して接続されている、
    半導体基板加熱用基板載置台。
  2. 　前記複数の発熱回路は各々個別に温度制御される、
    請求項１に記載の半導体基板加熱用基板載置台。
  3. 　前記複数の発熱回路は、
    　前記載置面の中央ゾーンを加熱する中央ゾーン発熱回路と、
    　前記中央ゾーンの周りを加熱する複数の外周ゾーン発熱回路とからなり、
    　前記少なくとも２つの発熱回路は、前記外周ゾーン発熱回路である、
    請求項１または請求項２に記載の半導体基板加熱用基板載置台。
  4. 　前記中央ゾーン発熱回路は、前記ウエハ載置面の中心を中心とする同心円状の複数の湾曲導電部と、隣接する前記湾曲導電部を接続する直線導電部とで構成され、
    　前記外周ゾーン発熱回路は、前記中央ゾーン発熱回路の周囲を囲む円環状の部分を周方向に区分した複数のゾーンにおいて、それぞれ前記ウエハ載置面の中心を中心とする同心円状の複数の湾曲導電部と、隣接する前記湾曲導電部を接続する直線導電部とで構成されている、
    請求項３に記載の半導体基板加熱用基板載置台。
  5. 　請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体基板加熱用基板載置台と、筒状支持体とを有する、半導体基板加熱ヒータ。
  6. 　一方の面を半導体基板の載置面とするセラミックス製の基板載置台と、
    　前記基板載置台の前記載置面とは反対側の面の中央部に接続されたセラミックス製の筒状支持体とを有し、
    　前記基板載置台は、中央ゾーン発熱回路と、
    前記中央ゾーン発熱回路とは前記基板載置台の厚み方向において異なる平面内に埋設された複数の外周ゾーン発熱回路と、
    　前記基板載置台の前記載置面とは反対側の面において、前記筒状支持体が接続される内側領域に設けられた複数の電極端子とを備え、
    　前記外周ゾーン発熱回路のうちの少なくとも２つの発熱回路のそれぞれの片端部は、前記電極端子のうちの１つの共用電極端子と、共通する延長部分を介して接続されている、
    半導体基板加熱ヒータ。
PCT/JP2018/021661 2017-06-14 2018-06-06 半導体基板加熱用基板載置台および半導体基板加熱ヒータ WO2018230408A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020197035945A KR102468523B1 (ko) 2017-06-14 2018-06-06 반도체 기판 가열용 기판 배치대 및 반도체 기판 가열 히터
JP2019525344A JP7063334B2 (ja) 2017-06-14 2018-06-06 半導体基板加熱用基板載置台および半導体基板加熱ヒータ

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017116606 2017-06-14
JP2017-116606 2017-06-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018230408A1 true WO2018230408A1 (ja) 2018-12-20

Family

ID=64659279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/021661 WO2018230408A1 (ja) 2017-06-14 2018-06-06 半導体基板加熱用基板載置台および半導体基板加熱ヒータ

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7063334B2 (ja)
KR (1) KR102468523B1 (ja)
WO (1) WO2018230408A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112259636A (zh) * 2020-09-07 2021-01-22 晶澳太阳能有限公司 一种光伏组件电极引出线用垫片的夹取装置及系统
JP2021174702A (ja) * 2020-04-27 2021-11-01 京セラ株式会社 ヒータ
CN114585114A (zh) * 2020-11-30 2022-06-03 日本碍子株式会社 陶瓷加热器

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022252656A1 (zh) * 2021-06-04 2022-12-08 深圳市卓力能技术有限公司 雾化组件、雾化器及雾化组件的装配方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08125001A (ja) * 1994-10-26 1996-05-17 Fuji Electric Co Ltd 静電チャック
JP2004296254A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Sumitomo Electric Ind Ltd セラミックスヒータおよびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置
JP2005032933A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2010177595A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用ウエハ保持体、及びそれを備えた半導体製造装置
JP2011210931A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用基板保持体
JP2013161522A (ja) * 2012-02-01 2013-08-19 Ngk Insulators Ltd セラミックヒータ

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3615694B2 (ja) * 2000-08-08 2005-02-02 京セラ株式会社 ウェハ加熱部材及びこれを用いたウェハの均熱化方法
JP3582518B2 (ja) 2001-04-18 2004-10-27 住友電気工業株式会社 抵抗発熱体回路パターンとそれを用いた基板処理装置
JP2006005095A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Ngk Insulators Ltd 基板加熱装置とその製造方法
KR100837890B1 (ko) * 2004-07-05 2008-06-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리 장치 및 히터 유닛
KR101000329B1 (ko) * 2006-03-08 2010-12-13 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마 처리장치
JP4879060B2 (ja) * 2007-03-26 2012-02-15 日本碍子株式会社 基板加熱装置
JP5239988B2 (ja) * 2009-03-24 2013-07-17 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置
JP7073098B2 (ja) * 2017-12-27 2022-05-23 株式会社日立ハイテク ウエハ処理方法およびウエハ処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08125001A (ja) * 1994-10-26 1996-05-17 Fuji Electric Co Ltd 静電チャック
JP2004296254A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Sumitomo Electric Ind Ltd セラミックスヒータおよびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置
JP2005032933A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2010177595A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用ウエハ保持体、及びそれを備えた半導体製造装置
JP2011210931A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用基板保持体
JP2013161522A (ja) * 2012-02-01 2013-08-19 Ngk Insulators Ltd セラミックヒータ

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021174702A (ja) * 2020-04-27 2021-11-01 京セラ株式会社 ヒータ
JP7427517B2 (ja) 2020-04-27 2024-02-05 京セラ株式会社 ヒータ
CN112259636A (zh) * 2020-09-07 2021-01-22 晶澳太阳能有限公司 一种光伏组件电极引出线用垫片的夹取装置及系统
CN112259636B (zh) * 2020-09-07 2023-01-24 晶澳太阳能有限公司 一种光伏组件电极引出线用垫片的夹取装置及系统
CN114585114A (zh) * 2020-11-30 2022-06-03 日本碍子株式会社 陶瓷加热器
JP2022086024A (ja) * 2020-11-30 2022-06-09 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
JP7321990B2 (ja) 2020-11-30 2023-08-07 日本碍子株式会社 セラミックヒータ

Also Published As

Publication number Publication date
KR102468523B1 (ko) 2022-11-17
JP7063334B2 (ja) 2022-05-09
KR20200018433A (ko) 2020-02-19
JPWO2018230408A1 (ja) 2020-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018230408A1 (ja) 半導体基板加熱用基板載置台および半導体基板加熱ヒータ
US9466518B2 (en) Electrostatic chuck device
US6272002B1 (en) Electrostatic holding apparatus and method of producing the same
JP5896595B2 (ja) ２層ｒｆ構造のウエハ保持体
US20230340668A1 (en) Wafer holder
US20070029740A1 (en) Body for keeping a wafer, method of manufacturing the same and device using the same
JP6497248B2 (ja) ウェハ保持体
WO2019008889A1 (ja) 半導体基板加熱用の基板載置台
EP0764979A2 (en) Electrostatically attracting electrode and a method of manufacture thereof
US20110221145A1 (en) Electrostatic chuck
KR20050074930A (ko) 가열 장치
KR19990062932A (ko) 정전 흡착장치
JP6664660B2 (ja) マルチゾーンに区分された加熱ヒータ
US10957520B2 (en) Long-life high-power terminals for substrate support with embedded heating elements
US6370007B2 (en) Electrostatic chuck
WO2018190218A1 (ja) シャワーヘッド
WO2018230232A1 (ja) ウエハ加熱ヒータ及び半導体製造装置
JP2019075585A (ja) ウェハ保持体
US20210242046A1 (en) Ceramic heater
JP4403531B2 (ja) 静電チャックユニットの製造方法
JP2003086663A (ja) 被処理物保持体、処理装置および半導体製造装置用セラミックスサセプタ
JPH04300136A (ja) 静電チャック及びその製造方法
US20220148901A1 (en) Sample holder
JP2019040939A (ja) ウエハ載置台
JP7386624B2 (ja) 保持装置および保持装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18818536

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019525344

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197035945

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18818536

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1