KR101000329B1 - 플라즈마 처리장치 - Google Patents

플라즈마 처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101000329B1
KR101000329B1 KR1020060021985A KR20060021985A KR101000329B1 KR 101000329 B1 KR101000329 B1 KR 101000329B1 KR 1020060021985 A KR1020060021985 A KR 1020060021985A KR 20060021985 A KR20060021985 A KR 20060021985A KR 101000329 B1 KR101000329 B1 KR 101000329B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
chamber
processing apparatus
plasma processing
plasma
Prior art date
Application number
KR1020060021985A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070092060A (ko
Inventor
손형규
Original Assignee
엘아이지에이디피 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=38689639&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR101000329(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 엘아이지에이디피 주식회사 filed Critical 엘아이지에이디피 주식회사
Priority to KR1020060021985A priority Critical patent/KR101000329B1/ko
Publication of KR20070092060A publication Critical patent/KR20070092060A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101000329B1 publication Critical patent/KR101000329B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 진공 분위기의 챔버 내에 플라즈마를 형성시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 챔버 내부에 기판을 위치시키고, 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 챔버 내부에 마련되며, 그 상부면에 기판이 재치되는 기판 재치대; 상기 기판 재치대 내부에 마련되며, DC 전압을 인가받아 상기 기판 재치대에 재치된 기판을 정전력으로 고정시키는 전극부;가 마련되며, 상기 전극부는 접지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치를 제공한다.
플라즈마 처리장치, 정전척, 접지, 디처킹

Description

플라즈마 처리장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE WITH PLASMA}
도 1은 종래의 플라즈마 처리장치의 구조를 설명하는 개략도이다.
도 2는 종래의 기판 재치대 및 정전척의 구조를 설명하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 기판 재치대 및 정전척의 구조를 설명하는 단면도이다.
본 발명은 진공 분위기의 챔버 내에 플라즈마를 형성시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체나 엘시디 등을 제조하는 과정에는 식각, 증착 등 여러가지 공정에 플라즈마 처리장치가 사용된다. 이하에서는 종래의 플라즈마 처리장치의 구조를 설명한다.
종래의 플라즈마 처리장치는 일반적으로, 그 내부에 진공분위기를 형성시킬 수 있는 챔버, 그 챔버 내에 피처리 기판을 지지할 수 있는 지지면을 가지는 탑재대, 챔버 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급계, 방전을 통해 그 처리 가스를 플라즈마화하기 위한 전계를 처리실 내에 발생시키기 위한 전계 발생계, 소정의 처리후에 처리실내에 존재하는 처리 가스를 제거하는 배기계로 구성된다.
도 1은 종래의 플라즈마 처리장치의 내부 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 1을 참조하여 상술한 플라즈마 처리장치(1)의 각 구성요소를 상세하게 설명한다.
먼저 챔버(10)은, 플라즈마 처리장치 내부에서 플라즈마를 형성시키기 위하여 필요한 진공분위기를 형성시킬 수 있도록 플라즈마 처리장치 내부와 외부를 완벽하게 차단할 수 있는 구조를 가진다. 그리고 플라즈마 처리장치의 다른 구성요소들은 그 챔버(10) 내에 설치된다.
다음으로 기판 재치대(20)는 소정의 처리를 위하여 외부에서 반입되는 피처리 기판을 지지하는 구성요소이다. 이러한 기판 재치대(20)는 챔버(10) 내부의 하측에 설치되며, 피처리 기판(S)을 지지할 수 있는 지지면을 가진다. 이 기판 재치대(20)는 피처리 기판(S)을 지지하는 역할뿐만 아니라 플라즈마 발생시에 하부 전극으로서의 역할도 한다.
그리고 가스 공급계(도면에 미도시)는 플라즈마 처리장치에 의해서 피처리 기판에 소정의 처리를 하기 위한 플라즈마 형성에 사용되는 처리 가스를 챔버(10) 내부로 공급하는 구성요소이다. 일반적으로 가스 공급계는 챔버(10)의 상측에 구비되며, 챔버(10)의 상부로 부터 처리 가스를 공급받는다. 상술한 가스 공급계는 처리 가스를 챔버(10) 내에 균일하게 공급하기 위하여 그 내부에 여러가지 확산 부재를 포함하고 있다.
다음으로 전계 발생계는 가스 공급계에 의하여 공급되는 처리 가스를 플라즈마화하기 위하여 필요한 전계를 발생시키는 구성요소이다. 전계 발생계는 기본적으 로 전계를 발생시킬 공간의 상하측에 각각 전극이 형성되는 구조이며, 그 전극 중 어느 하나 또는 두 전극에 고주파 전력을 인가하여 전계를 발생시킨다. 일반적으로는 상술한 기판 재치대(20)가 하부 전극의 역할을 수행하며, 상부 전극(30)은 챔버(10)의 상부에 별도로 설치된다.
다음으로 배기계는 이미 피처리 기판의 처리에 사용된 처리 가스를 챔버(10) 내부에서 제거하는 구성요소이다. 일단 피처리 기판의 처리에 한번 사용된 처리 가스는 챔버(10)에서 모두 제거되어 다음 공정에 영향을 미치지 않도록 하는 것이 플라즈마 처리 공정에 오류가 발생하지 않도록 하는 것이므로, 배기계가 처리 가스를 완전하게 배출시키는 것이 중요하다.
이러한 플라즈마 처리장치(1)에서는 상기 기판 재치대(20)의 상부에 도 2에 도시된 바와 같이, 정전척(22)이 더 마련된다. 이 정전척(22)은 상기 기판 재치대(20)에 재치되는 기판(S)을 고정시켜 공정의 완전성을 확보하기 위함이다. 이 정전척(22)은 도 2에 도시된 바와 같이, 전극부(24)가 절연체(26)에 의하여 둘러싸인 구조를 가진다. 이때 이 절연체(26)는 내플라즈마성 특성이 우수한 세라믹으로 이루어지는 것이 일반적이다. 그리고 이 전극부(24)에 DC 전원을 인가하기 위한 전원 인가 라인(28)이 상기 전극부(24)의 중심부에 연결된다. 그리고 이 전원 인가라인(28)은 챔버 외부에 마련되는 DC 전원 발생부(29)에 연결되어 DC 전원을 전달하게 된다.
그런데 이렇게 전극부(24)의 한 부분에만 전원을 인가하는 방식을 사용하는 경우, 정전척의 오랜 사용과정에서, DC 전원을 차단하여도 전하들이 제거되지 아니 하고 전극부에 남아 있어서 정전척의 효율을 떨어뜨리거나 정전척의 수명을 단축하는 문제점이 있다.
그리고 하나의 전원 인가 라인을 사용하므로, 이 전원 인가라인의 연결상태에 문제가 생기는 경우에는 정전척 전체를 사용할 수 없는 문제점도 있다.
본 발명의 목적은 정전척의 전극부를 접지시켜 디처킹(dechucking) 시에 전하가 신속하게 제거되는 플라즈마 처리장치를 제공함에 있다.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 챔버 내부에 기판을 위치시키고, 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 챔버 내부에 마련되며, 그 상부면에 기판이 재치되는 기판 재치대; 상기 기판 재치대 내부에 마련되며, DC 전압을 인가받아 상기 기판 재치대에 재치된 기판을 정전력으로 고정시키는 전극부;가 마련되며, 상기 전극부는 접지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치를 제공한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 일 실시예를 상세하게 설명한다.
본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치도 종래의 그것과 마찬가지로 챔버, 기판 재치대, 가스 공급계, 전계 발생계, 배기계를 포함하여 구성된다. 이때 상기 각 구성요소들의 구조 및 기능은 종래의 그것과 동일하므로 여기에서 반복하여 설명하지 않는다.
이하에서는 본 실시예의 특징적인 부분인 기판 재치대(120) 및 전극부(124)에 대하여 설명한다. 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치에도 기판 재치대(120)가 마련된다. 그리고 이 기판 재치대(120)에는 기판의 고정을 위하여 정전척(122)이 마련된다. 이때 본 실시예에 따른 정전척(122)에서는, 전극부(124)에 DC 전원을 공급하는 기능과 디차징을 위한 접지 기능을 선택적으로 수행할 수 있는 포트(128)가 마련된다.
이 포트(128)는 도 3에 도시된 바와 같이, 전극부(122) 다수 지점에 연결되도록 다수개가 배치된다. 그리고 각 포트(128)는 기판을 고정하기 위한 정전력을 발생시키는 동안에는 전극부(122)에 DC 전원을 공급하는 전원 공급 라인의 역할을 하며, 공정이 완료되고 기판을 언로딩하는 동안에는 정전척에 발생된 전하를 디차징 하기 위한 접지기능을 수행하는 것이다.
따라서 본 실시예에 따른 상기 포트(128)에는, DC 전원 공급시에는 접지상태를 해제하고, DC 전원 공급 차단시에는 접지상태를 유지하는 릴레이 스위치(도면에 미도시)가 더 마련되는 것이 바람직하다. 이 릴레이 스위치가 각 포트가 필요에 따른 DC 전원 공급기능과 접지기능을 적절하게 전환하여 수행할 수 있도록 하는 것이다.
그리고 다수개의 포트에 대한 운영 방식은 여러가지가 가능하다.
우선 하나의 포트를 DC 전원 인가를 위한 전원 인가 라인으로 사용하고, 나 머지 포트들은 접지 단자로 사용하는 것이다. 따라서 접지 단자로 사용되는 포트는 DC 전원인가가 완료되고, 기판을 디처킹하는 과정에서 접지 파트와 연결되어 전극부 내의 전하를 신속하게 배출시키는 것이다.
또한 다수개의 포트 모두를 DC 파워 인가를 위한 전원 인가 라인으로 사용하는 것이다. 이렇게 다수개의 전원 인가라인을 사용하는 경우에는 어느 한 포트에 문제가 발생하여 연결상태가 끊어지는 상황이 발생하더라도 다른 포트를 이용하여 DC 전원을 공급하여 정전척을 중단없이 사용할 수 있는 장점이 있다. 물론 이 경우에도 각 포트에는 릴레이 스위치가 마련되어, 전원 인가 기능과 접지 기능을 적절하게 전환하면서 수행할 수 있어야 한다.
그리고 본 실시예에 따른 전극부(124)를 접지시키기 위한 방법도 여러가지가 가능하다. 전극부를 직접 접지시키는 것이 아니라, 상기 챔버를 접지시키고, 상기 전극부를 상기 챔버와 연결하여 접지시키는 방법이 가능하다. 또한 상기 챔버를 접지시키고, 상기 기판 재치대를 상기 챔버에 연결하며, 다시 상기 전극부를 기판 재치대의 일 부분에 연결하여 접지시키는 것이다. 이렇게 전극부를 간접적으로 접지시키는 것은 별도로 챔버를 관통하여 접지라인을 설치하지 않고서도 효과적으로 접지할 수 있는 장점이 있다.
한편 본 실시예에 따른 전극부(124)는 텅스텐으로 이루어지는 것이, 전기 전도도가 좋아서 바람직하다.
또한 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치에는 상기 전극부의 대전(charging) 상태를 감지할 수 있는 감지수단(도면에 미도시)이 더 마련되는 것이 바람직하다. 이 감지수단은, 전극부의 대전 상태를 실시간으로 감지하여, 접지가 정확하게 진행되었는지 여부를 판단할 수 있도록 한다.
그리고 이 감지수단에 의하여 감지된 정보를 모니터링하고, 전체 정전척의 대전 상태를 그림으로 보여주는 디스플레이부가 더 마련되는 것이 바람직하다. 이 디스플레이부에 의하여 전체 정전척의 대전 상태를 한 눈에 확인할 수 있어서 기판의 디처킹 과정에서 발생할 수 있는 기판 파손을 미리 방지할 수 있는 장점이 있는 것이다.
본 발명에 따르면 디처킹시에 접지기능을 수행하는 포트에 의하여 전하가 신속하게 외부로 배출되어 공정시간이 단축되는 장점이 있다.
또한 정전력이 불완전하게 제거된 상태에서 기판 디처킹 작업이 진행되어 발생하는 기판 파손, 정전척 손상 등의 문제점이 전혀 발생하지 않는 장점이 있다.
또한 각 포트가 접지기능과 전원인가 기능을 적절하게 전환하면서 수행하므로 전원 공급과 접지 기능 모두가 원활하게 진행되는 장점이 있다.

Claims (8)

  1. 챔버 내부에 기판을 위치시키고, 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하는 플라즈마 처리장치에 있어서,
    상기 챔버 내부에 마련되며, 그 상부면에 기판이 재치되는 기판 재치대;
    상기 기판 재치대 내부에 마련되며, DC 전압을 인가받아 상기 기판 재치대에 재치된 기판을 정전력으로 고정시키는 전극부;를 포함하되,
    상기 전극부는 접지되고, 상기 전극부의 대전(Charging)상태를 감지할 수 있는 감지수단이 더 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전극부는,
    텅스텐으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전극부에는,
    DC 전원 공급과 디차징(de-charging) 기능을 선택적으로 수행할 수 있는 다수개의 포트가 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 포트에는,
    DC 전원 공급시에는 접지상태를 해제하고, DC 전원 공급 차단시에는 접지상태를 유지하는 릴레이 스위치가 더 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 감지수단에 의하여 감지된 전극부의 대전 상태를 그림으로 보여주는 디스플레이부가 더 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 챔버를 접지시키고, 상기 전극부를 상기 챔버와 연결하여 접지시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 챔버를 접지시키고, 상기 기판 재치대를 상기 챔버에 연결하며, 상기 전극부를 기판 재치대의 일 부분에 연결하여 접지시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
KR1020060021985A 2006-03-08 2006-03-08 플라즈마 처리장치 KR101000329B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060021985A KR101000329B1 (ko) 2006-03-08 2006-03-08 플라즈마 처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060021985A KR101000329B1 (ko) 2006-03-08 2006-03-08 플라즈마 처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070092060A KR20070092060A (ko) 2007-09-12
KR101000329B1 true KR101000329B1 (ko) 2010-12-13

Family

ID=38689639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060021985A KR101000329B1 (ko) 2006-03-08 2006-03-08 플라즈마 처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101000329B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021025287A1 (ko) * 2019-08-06 2021-02-11 주식회사 미코세라믹스 정전척 히터 및 그 제조방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7063334B2 (ja) * 2017-06-14 2022-05-09 住友電気工業株式会社 半導体基板加熱用基板載置台および半導体基板加熱ヒータ
KR102519544B1 (ko) * 2017-12-07 2023-04-07 삼성전자주식회사 웨이퍼 로딩 장치 및 막 형성 장치
KR102450476B1 (ko) 2018-02-28 2022-10-05 주식회사 미코세라믹스 정전척 히터 및 그 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005033181A (ja) 2003-05-12 2005-02-03 Tokyo Electron Ltd 処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005033181A (ja) 2003-05-12 2005-02-03 Tokyo Electron Ltd 処理装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021025287A1 (ko) * 2019-08-06 2021-02-11 주식회사 미코세라믹스 정전척 히터 및 그 제조방법
US11908725B2 (en) 2019-08-06 2024-02-20 Mico Ceramics Ltd. Electrostatic chuck heater and manufacturing method therefor
JP7554257B2 (ja) 2019-08-06 2024-09-19 ミコ セラミックス リミテッド 静電チャックヒーター及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070092060A (ko) 2007-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100378187B1 (ko) 정전척을 구비한 웨이퍼 지지대 및 이를 이용한 웨이퍼 디척킹 방법
KR19980024679A (ko) 정전 척과 그것을 이용한 시료처리방법 및 장치
KR20080001336A (ko) 정전척과 피처리 기판 사이의 아킹을 방지하기 위한플라즈마 처리 시스템 및 방법
JP2016225439A (ja) プラズマ処理装置及び基板剥離検知方法
KR101000329B1 (ko) 플라즈마 처리장치
KR102444698B1 (ko) 웨이퍼의 반출 방법
KR101394337B1 (ko) 정전척
JP2018014383A (ja) 吸着確認方法、離脱確認方法、及び減圧処理装置
KR20220054535A (ko) 처리 시스템 및 처리 방법
WO2003063234A1 (fr) Dispositif supprimant l'electricite statique d'une table et appareil d'essai
US9484180B2 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
JP2014511561A (ja) 摩擦電気帯電が抑制された静電クランプ
JP2022524034A (ja) 基板処理チャンバ向けのチャッキングのプロセス及びシステム
KR20110069490A (ko) 반도체 기판의 척킹/디척킹 방법, 이를 이용한 반도체 소자의 제조 장치 및 제조 방법
US8593780B2 (en) Substrate removing method and storage medium
US6490536B1 (en) Integrated load simulator
KR20040083577A (ko) 반도체 장치용 원거리 플라즈마 세정장치 및 세정방법
KR20080012602A (ko) 웨이퍼 및 정전척 사이의 정전력에 상응하는 압력의 세기를측정하는 측정부를 구비하는 웨이퍼 지지대 및 이를사용하여 웨이퍼를 디척킹하는 방법
KR20100121980A (ko) 플라즈마 도핑 장비의 웨이퍼 모니터링 장치 및 방법
JP2008269896A (ja) 除電装置及び半導体製造装置並びに搬送装置
KR100637602B1 (ko) 기판의 디척킹이 신속한 플라즈마 처리장치 및 기판 디척킹방법
JP2020038907A (ja) プラズマ処理装置
CN212434593U (zh) 固定装置和半导体机台
KR19980085876A (ko) 반도체장치 제조설비의 파티클 제거장치와 이를 적용한 반도체장치 제조설비 및 파티클 제거방법
KR100774497B1 (ko) 기판을 처리하는 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
J204 Request for invalidation trial [patent]
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR INVALIDATION REQUESTED 20110311

Effective date: 20121130

EXTG Extinguishment