KR20080012602A - 웨이퍼 및 정전척 사이의 정전력에 상응하는 압력의 세기를측정하는 측정부를 구비하는 웨이퍼 지지대 및 이를사용하여 웨이퍼를 디척킹하는 방법 - Google Patents

웨이퍼 및 정전척 사이의 정전력에 상응하는 압력의 세기를측정하는 측정부를 구비하는 웨이퍼 지지대 및 이를사용하여 웨이퍼를 디척킹하는 방법 Download PDF

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KR20080012602A KR1020060073661A KR20060073661A KR20080012602A KR 20080012602 A KR20080012602 A KR 20080012602A KR 1020060073661 A KR1020060073661 A KR 1020060073661A KR 20060073661 A KR20060073661 A KR 20060073661A KR 20080012602 A KR20080012602 A KR 20080012602A
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Abstract

웨이퍼 및 정전척 사이의 정전력에 상응하는 압력의 세기를 측정하는 측정부를 구비하는 웨이퍼 지지대가 제공된다. 상기 웨이퍼 지지대는 웨이퍼를 지지하는 정전척을 구비한다. 상기 정전척을 관통하여 상기 웨이퍼의 하부면과 접촉하는 측정부가 위치된다. 여기서, 상기 측정부는 상기 웨이퍼 및 상기 정전척 사이의 정전력에 상응하는 압력의 세기를 측정한다. 또한, 이를 사용한 상기 웨이퍼를 디척킹(dechucking)하는 방법이 제공된다.
정전척, 디척킹, 흡착력 측정

Description

웨이퍼 및 정전척 사이의 정전력에 상응하는 압력의 세기를 측정하는 측정부를 구비하는 웨이퍼 지지대 및 이를 사용하여 웨이퍼를 디척킹하는 방법{Wafer stage including a measurement portion for measuring pressure corresponding to electro-static force between a wafer and a electro-static chuck and method of de-chucking a wafer using the same}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지대를 포함하는 플라즈마 처리 장치를 설명하기 위한 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 디척킹 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3a은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지대 상에 웨이퍼가 척킹하는 동작을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3b 및 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지대 상에 웨이퍼가 디척킹하는 동작을 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명은 반도체 소자의 제조 장비 및 이를 사용하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 및 정전척 사이의 정전력에 상응하는 압력의 세기를 측정하는 측정부를 구비하는 웨이퍼 지지대 및 이를 사용하여 웨이퍼를 디척킹하는 방법에 관한 것이다.
반도체 소자들은 여러 가지의 단위 공정들(unit processes)을 사용하여 제조된다. 상기 단위 공정들은 반도체 기판 상에 절연막, 도전막 또는 반도체막과 같은 물질막을 형성하기 위한 증착 공정(deposition process), 상기 물질막을 패터닝하기 위한 포토리소그라피/식각 공정, 상기 물질막 또는 상기 반도체 기판의 소정 영역들을 불순물들로 도우핑시키기 위한 이온 주입 공정, 상기 불순물들을 활성화시키기 위한 열처리 공정, 상기 물질막의 표면을 평탄화시키기 위한 화학기계적 연마 공정 및 상기 공정들이 적용된 기판의 표면에 잔존하는 오염물(contaminants)을 제거하기 위한 세정 공정 등을 포함할 수 있다.
상기 단위 공정들의 대부분은 외부의 환경과 격리된 공간 내에서 진행될 수 있다. 특히, 상기 증착 공정 및 상기 식각 공정은 밀폐된 공간을 제공하는 챔버 내에서 진행될 수 있다. 이 경우에, 상기 챔버 내에 웨이퍼를 지지하는 척이 설치된다.
상기 웨이퍼에 증착 공정 또는 식각 공정을 적용시키기 위해서는 상기 척 상에 웨이퍼를 고정시켜야 한다. 최근에 정전력을 사용하여 웨이퍼를 고정시키는 정전척이 널리 사용되고 있다.
상기 정전척 상에 웨이퍼를 고정시키고 증착 공정 또는 식각 공정을 진행한 후에, 상기 웨이퍼는 정전척으로부터 언로딩되어야 한다. 상기 웨이퍼를 정전척으 로부터 언로딩시키기 위해서는 상기 정전척에 인가되는 전원을 차단시키어 상기 웨이퍼 및 상기 정전척 사이의 정전력을 제거하여야 한다. 그러나, 상기 정전척에 인가된 전원을 차단시킬지라도, 상기 웨이퍼 및 상기 정전척 사이의 정전력은 일정 시간 동안 지속적으로 존재할 수 있다. 따라서, 상기 정전력을 제공하는 전원을 차단시킨 직후에 물리적인 힘을 사용하여 상기 웨이퍼를 정전척으로부터 제거하면, 상기 웨이퍼가 파손될 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 어떠한 파손없이 정전척으로부터 웨이퍼를 언로딩시키기에 적합한 웨이퍼 지지대 및 이를 이용한 웨이퍼 디척킹 방법을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 일 양태에 따르면, 웨이퍼 지지대가 제공된다. 상기 웨이퍼 지지대는 웨이퍼를 지지하는 정전척을 구비한다. 상기 정전척을 관통하여 상기 웨이퍼의 하부면과 접촉하는 측정부가 위치된다. 여기서, 상기 측정부는 상기 웨이퍼 및 상기 정전척 사이의 정전력에 상응하는 압력의 세기를 측정한다.
본 발명의 몇몇 실시예들에서, 상기 측정부는 상기 웨이퍼의 하부면과 접촉하는 압력 전달 유닛을 구비할 수 있다. 상기 압력 전달 유닛과 접촉되어 상기 압력 전달 유닛을 통하여 전달되는 압력의 세기를 측정하는 측정 유닛이 위치될 수 있다. 또한, 상기 측정 유닛은 상기 압력 전달 유닛을 통하여 전달되는 상기 압력 의 세기를 전기적인 신호로 변환시키는 스트레인 게이지(strain gauge)식 로드셀을 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 다른 양태에 따르면, 웨이퍼 디척킹(dechucking) 방법이 제공된다. 상기 웨이퍼 디척킹 방법은 압력 상한선을 설정하는 것을 포함한다. 웨이퍼를 지지하는 정전척에 인가된 전원을 차단시킨다. 상기 정전척을 관통하여 상기 웨이퍼의 하부면에 접촉하는 측정부를 사용하여 상기 웨이퍼 및 상기 정전척 사이에 잔존하는 정전력에 상응하는 압력의 세기를 측정한다. 상기 측정된 압력의 세기가 상기 압력 상한선 이하일 때, 상기 웨이퍼를 상기 정전척으로부터 제거한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지대에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지대를 포함하는 플라즈마 처리 장치를 설명하기 위한 개략 단면도이다.
플라즈마 처리 장치(100)는 웨이퍼(W)에 대한 소정의 공정, 예컨대, 증착 공 정 또는 식각 공정이 수행되는 공간을 제공하는 챔버(110), 상기 챔버(110) 내에 배치되는 웨이퍼 지지대(120), 상기 챔버(110) 내의 상기 웨이퍼 지지대(120)와 대향되게 배치되는 상부 전극(140) 및 상기 웨이퍼 지지대(120)와 연결된 제어부(150)를 포함한다.
상기 챔버(110)는 상기 웨이퍼(W)가 출입이 가능하도록 출입부(112)가 배치될 수 있다. 상기 챔버(110)는 그 표면에 양극 산화막(알루마이트)이 형성된 알루미늄으로 이루어질 수 있다.
상기 웨이퍼 지지대(120)는 하부 전극(121), 상기 하부 전극(121) 상에 위치되는 정전척(122) 및 상기 정전척(122)을 관통하여 상기 웨이퍼(W)의 하부면과 접촉하는 측정부(125)를 포함한다. 도면에 도시되어 있지 않으나, 상기 챔버(110) 내부로 이송된 웨이퍼(W)를 상기 정전척(122) 상부에 안착시키기 위한 리프트 핀(미도시)이 상기 정전척(122)과 상기 하부 전극(121)을 관통하여 설치될 수 있다.
상기 하부 전극(121)은 RF 발생부(132)와 연결되어, RF 전력을 인가받을 수 있다. 이러한 하부 전극(121)은 양극 산화막(알루마이트)이 형성된 알루미늄 전극일 수 있다.
상기 정전척(122)은 정전력에 의해 상기 웨이퍼(W)를 고정시키는 부분이다. 상기 정전척(122)은 유전체층(123) 및 상기 유전체층(123)으로 피복된 정전 전극(124)을 포함할 수 있다. 상기 유전체층(123)은 상면에 상기 웨이퍼(W)가 놓여지는 부분으로 상기 웨이퍼(W)와 상기 정전 전극(124)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 상기 유전체층(123)은 절연성이 양호한 재질, 예를 들면, 폴리이미드 재질 또 는 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 상기 정전 전극(124)이 직류 발생부(134)로부터 전원을 인가받아 상기 정전 전극(124) 상부가 일정한 극성을 가지는 전하로 대전될 수 있다. 한편, 상기 웨이퍼(W)는 상기 상부 전극(140)과 상기 웨이퍼(W) 사이에 형성된 플라즈마에 의해 상기 정전 전극(124)과 반대 극성을 가지는 전하가 유도될 수 있다. 이와 같이, 상기 웨이퍼(W)과 상기 정전척(122)이 서로 다른 극성의 전하들을 가져 상기 웨이퍼(W) 및 상기 정전척(122) 사이에 정전력이 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 웨이퍼(W)는 상기 정전척(122)에 고정될 수 있다. 여기서, 상기 정전 전극(124)은 나선 형상을 가질 수 있으나, 상기 정전 전극(124)의 형상은 다양하게 구현될 수 있다.
한편, 상기 측정부(125)는 상기 웨이퍼(W)의 하부면과 접촉하는 압력 전달 유닛(126) 및 상기 압력 전달 유닛(126)에 접촉되는 측정 유닛(127)을 포함할 수 있다. 상기 압력 전달 유닛(126)은 상기 웨이퍼(W) 및 상기 정전척(122) 사이의 정전력을 이에 상응하는 압력으로 변환시킬 수 있다. 여기서, 상기 압력은 상기 웨이퍼(W)가 상기 정전척(122)에 가하는 압력을 의미한다. 상기 압력 전달 유닛(126)은 상하로 이동되면서 상기 측정 유닛(127)에 상기 압력을 전달할 수 있다. 그리고 상기 압력 전달 유닛(126)은 상기 정전척(122)의 정전력에 영향을 받지 않는 재질로 형성될 수 있다.
상기 측정 유닛(127)은 상기 압력 전달 유닛(126)을 통하여 전달되는 압력의 세기를 측정할 수 있다. 상기 측정 유닛(127)은 스트레인 게이지(strain gauge)식 로드셀일 수 있다. 상기 스트레인 게이지식 로드셀은 상기 압력 전달 유닛(126)과 접촉되는 탄성체(128)와 상기 탄성체(128)의 측면에 부착되는 스트레인 게이지(129)를 포함할 수 있다. 상기 탄성체(128)는 상기 압력 전달 유닛(126)이 전달하는 상기 압력의 세기에 따라 신축될 수 있다.
상기 스트레인 게이지(129)는 저항 패턴(미도시)을 구비할 수 있다. 상기 저항 패턴(미도시)은 상기 탄성체(128)의 신축에 따라 신축되는 특성을 가져 상기 탄성체(128)에 가하는 압력의 세기에 따라 저항값이 변할 수 있다. 이에 따라, 제어부(150)로부터 가변되는 저항 패턴(미도시)에 전류가 지속적으로 인가되는 경우, 상기 저항 패턴(미도시)에서 측정되는 상기 전기적인 신호는 가변될 수 있다.
상기 스트레인 게이지(129)는 실시간으로 가변되는 전기적인 신호를 상기 제어부(150)에 제공할 수 있다. 즉, 상기 측정부(125)는 상기 스트레인 게이지식 로드셀을 사용하여 상기 압력의 세기를 전기적인 신호로 변환시켜 상기 압력의 세기를 측정할 수 있다. 도 1에서는 하나의 상기 측정부(125)가 상기 정전척(122)의 중심에 위치된 것으로 도시하고 있으나, 다른 부분에서도 상기 압력의 세기를 측정하기 위해 상기 측정부(125)는 다수개 설치될 수 있다.
한편, 상기 챔버(110) 내에는 상기 웨이퍼 지지대(120)와 대향되게 배치되는 상기 상부 전극(140)이 배치될 수 있다. 상기 상부 전극(140)은 RF(radio frequency) 발생부(142)와 연결되어 고주파의 교류 전력을 인가받을 수 있다. 상기 챔버(110)의 측벽에 반응 가스 주입구(144) 및 배출구(146)가 위치될 수 있다. 상기 상부 전극(140)과 상기 웨이퍼(W) 사이에 플라즈마를 발생시키기 위해 상기 반응 가스 주입구(144)를 통해 상기 웨이퍼(W)의 플라즈마 처리시 필요한 반응 가스 및 플라즈마 소스 가스 등이 주입될 수 있다. 상기 반응 가스 주입구(144)로 주입되는 플라즈마 소스 가스는 상기 상부 전극(140) 및 상기 하부 전극(121)에 각각 인가된 RF 전력 및 바이어스 RF 전력에 의해 플라즈마로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 플라즈마 소스 가스로는 아르곤 계열 또는 불소 계열일 수 있다. 상기 웨이퍼(W)에 대한 플라즈마 처리가 진행되는 동안 발생된 반응 부산물(by-product) 등은 상기 배출구(146)를 통해 배출될 수 있다.
이하, 도 2 내지 도 3c를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 디척킹 방법에 대하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 디척킹 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지대 상에 웨이퍼가 척킹하는 동작을 설명하기 위한 단면도이며, 도 3b 및 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지대 상에 웨이퍼가 디척킹하는 동작을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a를 참조하여, 상기 웨이퍼(W)의 척킹 동작에 대하여 살펴본다. 먼저, 상기 웨이퍼(W)를 상기 정전척(122)에 놓을 수 있다. 이때, 상기 직류 발생부(134)에서 발생된 직류의 고전압을 상기 정전 전극(124)에 인가하여 상기 정전 전극(124) 표면을 양전하로 대전시킬 수 있다. 그리고 상기 상부 전극(도 1의 140 참고)과 상기 웨이퍼(W) 사이에 플라즈마를 형성시킴으로써 상기 웨이퍼(W) 내에 음전하를 생성시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 웨이퍼(W)와 상기 정전척(122) 사이에 정전력이 발생되어 상기 웨이퍼(W)가 상기 정전척(122)에 척킹될 수 있다. 이후, 상기 웨이퍼(W)에 대한 플라즈마 처리 공정을 진행할 수 있다. 이 경우, 상기 측정 부(125)에 의해 상기 웨이퍼(W) 및 상기 정전척(122) 사이의 정전력에 상응하는 압력의 세기를 측정하여 상기 웨이퍼(W)의 척킹이 정상적으로 수행되는지를 파악할 수 있다. 도 3a에서는 상기 정전 전극(123)에 양전하를 인가하고, 상기 웨이퍼(W)에 음전하가 유도된 것으로 도시되어 있으나, 각각에 반대의 전하를 발생시키는 것도 가능하다.
도 2 및 도 3b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 디척킹 방법에 대하여 살펴본다.
우선, 상기 웨이퍼(W)에 대한 공정이 완료되기 전에 작업자는 압력 상한선을 설정하여 이를 상기 제어부(150)에 입력시킨다.(S210) 여기서, 상기 압력 상한선은 상기 웨이퍼(W)의 디척킹이 허용되는 압력의 세기 중에서 최대값일 수 있다.
상기 웨이퍼(W)에 대한 공정이 완료된 후, 플라즈마의 발생을 중단시키기 위해 상기 하부 전극(121) 및 상기 상부 전극(140)에 인가된 전원을 차단하고, 플라즈마 소스 가스의 공급을 중단시킬 수 있다. 이어서, 상기 정전척(122) 내의 상기 정전 전극(124)에 인가된 전원을 차단한다.(S220)
상기 전원을 차단한 후에, 상기 정전척(122)을 관통하여 상기 웨이퍼(W)의 하부면과 접촉하는 상기 측정부(125)를 사용하여 상기 웨이퍼(W) 및 상기 정전척(122) 사이에 잔존하는 정전력에 상응하는 압력의 세기를 측정한다.(S230) 자세히 설명하면, 상기 정전 전극(124)에 인가되는 직류 전원을 중단시킴에도 불구하고 상기 정전 전극(124) 상부에 전하가 점진적으로 감소될 수 있다. 이로 인해 상기 웨이퍼(W)와 상기 정전척(122) 사이의 정전력이 약화되나, 일정 시간동안 잔존될 수 있다. 약화되는 정전력에 따라 상기 웨이퍼(W)가 상기 정전척(122)에 가하는 압력의 변화를 감지할 수 있도록 상기 측정부(125)는 잔존하는 정전력에 상응하는 상기 압력의 세기를 실시간으로 측정할 수 있다.
구체적으로, 잔존하는 정전력에 상응하는 상기 압력의 세기가 감소됨에 따라 상기 압력 전달 유닛(126)과 접촉되는 상기 탄성체(128)가 점진적으로 상승될 수 있다. 상기 상승되는 탄성체(128)에 부착된 상기 스트레인 게이지(129)는 잔존하는 정전력에 상응하는 상기 압력의 세기를 측정하고, 상기 압력의 세기에 대한 전기적인 신호를 상기 제어부(150)로 전송할 수 있다.
다음으로, 상기 제어부(150)는 상기 측정된 압력의 세기와 상기 압력 상한선을 비교한다.(S240)
상기 압력의 세기가 상기 압력 상한선보다 큰 경우, 상기 웨이퍼(W)를 상기 정전척(122) 상에 대기시킬 수 있다.(S250) 이때, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 정전척(122)의 정전력을 신속하게 소멸시키기 위해 상기 정전 전극(124)에 음전하를 제공하는 전원이 인가될 수 있다. 그 결과, 상기 정전 전극(124)의 표면의 양전하를 소멸시킬 수 있다. 또한, 상기 상부 전극(140)에 상기 웨이퍼(W)의 손상이 생기지 않을 정도의 작은 전원을 인가시켜 플라즈마(미도시)를 발생시킬 수 있다. 이렇게 하여, 상기 웨이퍼(W) 내의 음전하를 소멸시킬 수 있다. 상술한 공정들은 상기 정전 전극(124)에 인가된 직류 전원을 중단한 직후에도 진행될 수 있다.
상기 압력의 세기가 상기 압력 상한선 이하인 경우, 상기 제어부(150)와 연결된 로봇 암(미도시) 등을 이용하여 상기 웨이퍼(W)를 상기 정전척(122)으로부터 제거한다.(S260) 이때, 상기 리프트 핀(미도시)이 상승하여 상기 웨이퍼(W)를 상기 정전척(122)에서 이탈시킬 수 있다.
따라서, 상기 웨이퍼(W) 및 상기 정전척(122) 사이에 잔존한 정전력으로 인하여 가해지는 압력의 세기에 따라 상기 웨이퍼(W)의 디척킹이 이루어져 상기 웨이퍼(W)의 파손을 방지한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 상기 웨이퍼의 하부면과 접촉하는 상기 측정부를 설치하여 상기 웨이퍼 및 상기 정전척 사이의 정전력에 상응하는 압력의 세기를 측정한다. 이에 따라, 상기 웨이퍼와 상기 정전척 사이에 잔존한 정전력으로 인하여 상기 웨이퍼가 상기 정전척에 가하는 압력의 세기를 실시간으로 측정하여 일정한 값보다 작은 경우에 상기 웨이퍼를 디척킹한다. 따라서, 잔존한 정전력으로 인해 상기 웨이퍼가 상기 정전척에 고정된 경우 상기 웨이퍼를 무리하게 디척킹하지 않음으로써 상기 웨이퍼의 파손을 방지한다.

Claims (6)

  1. 웨이퍼를 지지하는 정전척; 및
    상기 정전척을 관통하여 상기 웨이퍼의 하부면과 접촉하는 측정부를 포함하되, 상기 측정부는 상기 웨이퍼 및 상기 정전척 사이의 정전력에 상응하는 압력의 세기를 측정하는 웨이퍼 지지대.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 측정부는
    상기 웨이퍼의 하부면과 접촉하는 압력 전달 유닛; 및
    상기 압력 전달 유닛과 접촉되어 상기 압력 전달 유닛을 통하여 전달되는 압력의 세기를 측정하는 측정 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지대.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 측정 유닛은 상기 압력 전달 유닛을 통하여 전달되는 상기 압력의 세기를 전기적인 신호로 변환시키는 스트레인 게이지(strain gauge)식 로드셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지대.
  4. 압력 상한선을 설정하고,
    웨이퍼를 지지하는 정전척에 인가된 전원을 차단시키고,
    상기 정전척을 관통하여 상기 웨이퍼의 하부면에 접촉하는 측정부를 사용하 여 상기 웨이퍼 및 상기 정전척 사이에 잔존하는 정전력에 상응하는 압력의 세기를 측정하고,
    상기 측정된 압력의 세기가 상기 압력 상한선 이하일 때, 상기 웨이퍼를 상기 정전척으로부터 제거하는 것을 포함하는 웨이퍼 디척킹 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 측정부는 상기 웨이퍼의 하부면에 접촉하는 압력 전달 유닛 및 상기 압력 전달 유닛과 접촉되는 측정 유닛을 포함하되, 상기 측정부는 상기 압력 전달 유닛을 통하여 상기 측정 유닛에 전달되는 압력의 세기를 측정한느 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디척킹 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 측정 유닛은 스트레인 게이지식 로드셀을 사용하여 상기 압력의 세기를 측정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디척킹 방법.
KR1020060073661A 2006-08-04 2006-08-04 웨이퍼 및 정전척 사이의 정전력에 상응하는 압력의 세기를측정하는 측정부를 구비하는 웨이퍼 지지대 및 이를사용하여 웨이퍼를 디척킹하는 방법 KR20080012602A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101233757B1 (ko) * 2011-07-27 2013-02-15 주식회사 디엠에스 기판 디척킹 방법
KR20200030648A (ko) * 2018-09-12 2020-03-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230061091A (ko) * 2021-10-28 2023-05-08 세메스 주식회사 기판 테스트 장치 및 이를 이용하는 디척킹 포스 측정 방법

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