KR100943494B1 - 반도체 소자의 식각 장치 - Google Patents

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Abstract

반도체 소자의 식각 장치가 개시된다. 상기 반도체 소자의 식각 장치는 반응 가스가 충만된 챔버, 고전압이 인가되어 상기 챔버 내에 충만된 반응 가스를 플라즈마로 만드는 하부 전극 및 상부 전극, 상기 하부 전극 상부에 위치하며 웨이퍼를 안착시키는 정전척, 식각 공정시 상기 챔버 내부에 존재하는 상기 웨이퍼의 에지 부근의 플라즈마를 변형시키는 자기장을 발생시키는 플라즈마 격리용 부재, 및 상기 상부 전극 하부에 위치하며 상기 식각 공정시 상기 플라즈마 격리용 부재를 상기 웨이퍼 상에 밀착시키는 밀착부를 포함한다.
웨이퍼 에지(wafer edge), 플라즈마 식각(plasma etching)

Description

반도체 소자의 식각 장치{Apparatus of etching a semiconductor device}
본 발명은 반도체 소자의 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼에지 부분을 식각할 수 있는 플라즈마 식각 장치에 관한 것이다.
근래에 반도체 소자의 제조 기술은 정보 통신 기술의 비약적인 발전에 따라 집적도, 신뢰도 및 처리 속도 등을 향상시키는 방향으로 발전되고 있다. 상기 반도체 소자는 실리콘 단결정으로부터 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼를 제작하고, 상기 웨이퍼 상에 막을 형성하고 형성된 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성하여 제조된다.
이러한 웨이퍼의 제조 공정은 증착, 사진, 식각. 이온 주입, 연마 등의 단위 공정들로 이루어지고 상기 단위 공정들은 적절하게 조합되어 순차적으로 수행된다. 상기 웨이퍼 상에 상기 단위 공정들이 수행된 후에는 폴리머(polymer) 등과 같은 이물질이 상기 웨이퍼의 에지 부근에 증착되어 잔류될 수 있다.
이러한 웨이퍼 에지 부근에 잔류하는 이물질은 파티클(particle)의 소스로 작용하여 웨이퍼의 전체 다이 수율을 저하시키기 때문에 제거되어야 한다.
상기 웨이퍼 에지 부근에 잔류하는 이물질을 제거하기 위하여 상기 웨이퍼의 에지 부분을 노광하고, 상기 노광 부분을 습식 식각하여 상기 이물질을 제거할 수 있다. 그러나 이러한 노광 공정 및 습식 식각 공정을 통하여 상기 이물질을 제거하는 방법은 상기 웨이퍼 표면의 이물질을 제거하는데 효과적이나 공정 관리가 어렵고 식각액에 소모되는 비용등 운전 비용이 고가일 뿐만 아니라 런타임이 길어 생산성이 좋지 않기 때문에 현재는 플라즈마를 이용한 건식 식각 방법이 널리 이용되고 있다.
도 1은 일반적인 웨이퍼의 에지 부분을 식각하는 플라즈마 식각 장치(100)를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 상기 플라즈마 식각 장치(100)는 챔버(10), 상기 챔버 내부(10)에 웨이퍼(20)가 안착하는 정전척(미도시), 고주파 전력이 인가되는 하부 전극(22), 상기 웨이퍼(20) 상부에 상기 하부 전극(22)과 대응되도록 위치하는 상부 전극(미도시), 플라즈마 격리용 부재(30), 및 밀착부(40)를 포함한다.
상기 웨이퍼(20)의 에지 부분을 플라즈마 식각하기 위해서는 상기 상부 전극과 상기 하부 전극을 최대한 밀착시켜 웨이퍼 상부, 즉 회로가 구성되는 부분에서는 플라즈마가 형성되지 못하고, 상기 웨이퍼의 에지 부근에서만 플라즈마가 형성되도록 하여야 한다.
도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 격리용 부재(30)를 나타낸다. 도 2를 참조하면, 상기 플라즈마 격리용 부재(30)는 원통형의 세라믹(ceramics)으로 형성된다.
이 때 웨이퍼(20)의 에지 부분의 식각 범위을 결정하는 요소는 상기 하부 전극(22)과 상기 상부 전극(미도시)과의 밀착 정도와 상기 웨이퍼(20)의 상부에 존재하는 상기 플라즈마 격리용 부재(30)의 크기이다.
상기 웨이퍼(20)의 식각 범위를 변경하고자할 때는 상기 플라즈마 격리용 부재의 크기를 원하는 에지 부분의 식각 정도를 고려하여 변경 제작한 후 교체 장착해야 한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 웨이퍼의 에지 부분에 대한 플라즈마 식각시 플라즈마 격리용 부재의 교체없이 상기 웨이퍼의 에지 부분의 식각 범위를 조절할 수 있는 반도체 소자의 제조 장치를 제공하는데 있다.
상기와 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 식각 장치는 반응 가스가 충만된 챔버, 고전압이 인가되어 상기 챔버 내에 충만된 반응 가스를 플라즈마로 만드는 하부 전극 및 상부 전극, 상기 하부 전극 상부에 위치하며 웨이퍼를 안착시키는 정전척, 식각 공정시 상기 챔버 내부에 존재하는 상기 웨이퍼의 에지 부근의 플라즈마를 변형시키는 자기장을 발생시키는 플라즈마 격리용 부재, 및 상기 상부 전극 하부에 위치하며 상기 식각 공정시 상기 플라즈마 격리용 부재를 상기 웨이퍼 상에 밀착시키는 밀착부를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 식각 장치는 상기 웨이퍼 에지 부분에 대한 플라즈마 식각시 식각 범위를 조절하기 위하여 새로운 플라즈마 격리용 부재를 구매할 필요가 없으며, 식각 범위를 조절하기 위하여 식각 공정을 진행하는 상기 챔버 내부를 개방할 필요가 없기 때문에 장비의 정상 가동에 대한 추가 소요시간이 필요하지 않다.
또한 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 식각 장치는 상기 웨이퍼의 에지 부분의 플라즈마 식각을 위하여 상기 플라즈마 격리용 부재의 상기 웨이퍼와의 밀착 정도를 조절할 수 있어, 식각을 위해 필요한 최소한의 밀착 거리를 증가시킴으로써 상기 플라즈마 격리용 부재가 상기 웨이퍼에 접촉되어 상기 웨이퍼가 파손되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 기술적 과제 및 특징들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 본 발명을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 식각 장치(300)를 나타낸다. 도 3을 참조하면, 상기 반도체 소자의 식각 장치(300)는 웨이퍼의 에지 부분을 식각하기 위한 플라즈마 식각 장치일 수 있다. 상기 플라즈마 식각 장치(300)는 챔버(310), 하부 전극(315) 및 상부 전극(미도시), 정전척(electrostatic chuck, 미도시), 플라즈마 격리용 부재(320), 및 밀착부(325)를 포함한다.
상기 챔버(310)는 내부에 웨이퍼(20)를 식각하기 위한 반응 가스가 충만된다. 상기 웨이퍼(20)는 상기 정전척(미도시) 상에 안착되며, 상기 하부 전극(315)은 상기 웨이퍼(20)의 하부에 위치하며, 상기 상부 전극(미도시)은 상기 웨이퍼(20)의 상부에 상기 하부 전극(315)과 대응되게 위치한다.
상기 챔버(310) 내부에 충만된 반응 가스를 플라즈마(plasma)로 만들기 위하여 상기 하부 전극(315) 또는 상기 상부 전극에는 고전력(또는 고전압)이 인가된다.
상기 하부 전극(315) 또는 상기 상부 전극 사이에 고전압이 인가되면 상기 챔버(310) 내부에 충만된 반응 가스는 이온과 전자로 분리되어 플라즈마 상태가 된다.
상기 웨이퍼(20)의 에지 부근에 대한 식각 시에는 상기 밀착부(325)에 의해 상기 상부 전극(미도시)과 상기 하부 전극(315)이 서로 가까워지고, 또한 상기 플라즈마 격리용 부재(320)가 상기 웨이퍼(20) 상으로 밀착되므로 플라즈마(305)는 도 3에 도시된 바와 같이 상기 웨이퍼(20)의 에지 부근에만 형성된다.
상기 플라즈마 격리용 부재(320)는 웨이퍼 에지 식각 공정시 상기 챔버 내부(310)에 존재하는 상기 웨이퍼(40)의 에지 부근에 형성된 플라즈마(305)를 변형시킨다.
상기 플라즈마 격리용 부재(320)는 상기 자기장의 세기를 조절할 수 있으며 이로 인하여 상기 웨이퍼(20)의 에지 부근에 형성된 플라즈마(305)는 상기 자기장의 세기에 따라 변형되는 정도가 달라질 수 있다.
예컨대, 상기 자기장의 세기가 강해질수록 도 3에 도시된 바와 같이 상기 웨이퍼의 에지 부근에 형성된 플라즈마(305)가 상기 웨이퍼 바깥 쪽으로 더 편향된다.
따라서 상기 플라즈마 격리용 부재(320)를 사용하는 상기 반도체 소자 제조 장치(300)는 상기 웨이퍼 에지 부분에 대한 플라즈마 식각시 식각 범위를 조절하기 위하여 종래와 같이 새로운 플라즈마 격리용 부재를 구매할 필요가 없다.
또한 식각 범위를 조절하기 위하여 식각 공정을 진행하는 상기 챔버 내부를 개방할 필요가 없기 때문에 장비의 정상 가동에 대한 추가 소요시간이 필요하지 않다. 그리고 상기 웨이퍼(20)의 에지 부분의 플라즈마 식각을 위하여 상기 플라즈마 격리용 부재(320)의 상기 웨이퍼(20)에 밀착 정도를 조절할 수 있어, 식각을 위해 필요한 최소한의 밀착 거리를 증가시킴으로써 상기 플라즈마 격리용 부재(320)가 상기 웨이퍼(20)에 접촉되어 상기 웨이퍼(20)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.
도 4는 도 3에 도시된 플라즈마 격리용 부재(320)의 평면 구성도를 나타내고, 도 5는 도 3에 도시된 플라즈마 격리용 부재(320)의 단면 구성도를 나타낸다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 플라즈마 격리용 부재(320)는 상기 웨이퍼(40)의 크기보다 작은 원통형의 절연통(412) 및 마그네틱(magnetic) 부재(414), 및 마그네틱 부재 이동부(415)를 포함할 수 있다.
상기 절연통(412)은 세라믹으로 형성될 수 있으며, 상기 절연통(412) 내부에 상기 마그네틱 부재(414) 및 상기 마그네틱 주재 이동부(415)가 형성된다.
상기 마그네틱 부재(414)는 상기 절연통(412)의 내주면을 따라 위치하며, 자성을 띤다.
상기 마그네틱 부재 이동부(415)는 상기 마그네틱 부재(414)를 상기 절연통(412)의 내주면 쪽으로 접근시키거나 상기 마그네틱 부재(414)를 상기 내주면 반대쪽으로 이격시킬 수 있다.
상기 마그네틱 부재(414)가 상기 절연통(412)의 내주면 쪽으로 이동하면 상기 웨이퍼(20)의 에지 부근에 형성된 플라즈마(305)에 미치는 자기장의 세기가 커져, 상기 플라즈마(305)가 상기 웨이퍼 에지 방향로 더 많이 편향된다.
반면에 상기 마그네틱 부재(414)가 상기 절연통(412)의 내주면 반대쪽으로 이동하면 상기 웨이퍼(40)의 에지 부근에 형성된 플라즈마(305)에 미치는 자기장의 세기가 감소하여, 상기 플라즈마(305)가 상기 웨이퍼 에지 방향으로 편향되는 정도가 감소된다.
상기 마그네틱 부재(414)는 상기 원통형의 절연통(412)의 내주면에 동심원을 이루도록 인접배치되는 복수의 자석들(예컨대, 414)일 수 있다. 그리고 이에 따른 상기 마그네틱 부재 이동부(415)는 복수의 볼트들 및 복수의 너트들을 포함한다.
상기 복수의 너트들 각각은 상기 절연통(412)에 고정된다. 그리고 상기 복수의 볼트들 중 대응하는 어느 하나의 볼트(예컨대, 416)는 상기 복수의 너트들 중 대응되는 너트(예컨대, 418)에 회전가능하게 끼워진다.
또한 상기 대응하는 어느 하나의 볼트(예컨대, 416)는 회전함에 따라 상기 복수의 자석들 중 대응하는 어느 하나의 자석을 상기 내주면 쪽으로 접근시키거나 상기 내주면 반대쪽으로 이격시키도록 결합된다.
예컨대, 상기 대응하는 어느 하나의 볼트(예컨대, 416)는 상기 대응하는 어느 하나의 자석(예컨대, 414)과 베어링(bearing) 결합될 수 있다. 따라서 상기 대응하는 어느 하나의 볼트(예컨대, 416)가 회전하더라도 상기 대응하는 어느 하나의 자석(예컨대, 414)은 회전하지 않고, 상기 대응하는 어느 하나의 볼트의 회전 방향에 따라 상기 절연통(412)의 내주면 쪽 또는 그 반대쪽으로 이동할 수 있다.
도 6은 도 4에 도시된 절연통(412)과 너트(418)의 결합을 나타낸다. 도 6을 참조하면, 상기 너트(418)는 상기 너트(418)에 결합된 지지부(620)와 상기 절연 통(412)과 상기 지지부(620)를 결합시키는 결합구(610)에 의해 상기 절연통(412)에 고정될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
도 1은 일반적인 웨이퍼의 에지 부분을 식각하는 플라즈마 식각 장치(100)를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 격리용 부재를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 식각 장치(300)를 나타낸다.
도 4는 도 3에 도시된 플라즈마 격리용 부재의 평면 구성도를 나타낸다.
도 5는 도 3에 도시된 플라즈마 격리용 부재의 단면 구성도를 나타낸다.
도 6은 도 4에 도시된 절연통과 너트의 결합을 나타낸다.
<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명>
20: 웨이퍼, 310: 챔버,
320: 플라즈마 격리용 부재, 325:

Claims (5)

  1. 반응 가스가 충만된 챔버;
    상기 챔버 내에 충만된 반응 가스를 플라즈마(plasma)로 만드는 전압이 인가되는 하부 전극 및 상부 전극;
    상기 하부 전극 상부에 위치하며, 웨이퍼를 안착시키는 정전척;
    절연통, 상기 절연통 내주면을 따라 위치하며 자성을 띤 마그네틱 부재, 및 상기 마그네틱 부재를 상기 내주면 쪽 또는 상기 내주면 반대쪽으로 이동시키는 마그네틱 이동 부재를 포함하는 플라즈마 격리용 부재; 및
    상기 상부 전극 하부에 위치하며 식각 공정시 상기 플라즈마 격리용 부재를 상기 웨이퍼 상에 밀착시키는 밀착부를 포함하며,
    상기 플라즈마 격리용 부재는,
    상기 마그네틱 부재를 이동시킴으로써 식각 공정시 상기 챔버 내부에 존재하는 상기 웨이퍼의 에지 부근의 플라즈마를 변형시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 격리용 부재는,
    상기 플라즈마에 미치는 자기장의 세기를 조절하여 상기 웨이퍼의 에지 부근의 플라즈마의 변형 정도를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절연통은 상기 웨이퍼의 크기보다 작은 원통형이고,
    상기 마그네틱 부재가 상기 절연통의 내주면 쪽으로 이동하면 상기 웨이퍼의 에지 부근에 형성된 플라즈마가 상기 웨이퍼 에지 방향로 편향되는 정도가 증가하고, 상기 마그네틱 부재가 상기 절연통의 내주면 반대쪽으로 이동하면 상기 웨이퍼의 에지 부근에 형성된 플라즈마가 상기 웨이퍼 에지 방향으로 편향되는 정도가 감소하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 마그네틱 부재는,
    상기 원통형의 절연통의 내주면에 동심원을 이루도록 인접배치되는 복수의 자석들인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 마그네틱 부재 이동부는,
    상기 절연통에 고정된 복수의 너트들; 및
    각각이 상기 너트들 중 대응하는 어느 하나의 너트에 회전가능하게 끼워지고, 상기 복수의 자석들 중 대응하는 어느 하나의 자석에 결합되는 다수의 볼트들을 포함하며,
    상기 복수의 볼트들 각각은,
    회전함에 따라 상기 복수의 자석들 중 대응하는 어느 하나의 자석을 상기 내주면 쪽으로 접근시키거나 상기 내주면 반대쪽으로 이격시키도록 결합되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20000060791A (ko) * 1999-03-19 2000-10-16 염근영 자장강화된 유도결합형 플라즈마장치
KR20060037819A (ko) * 2004-10-28 2006-05-03 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 에지의 베벨 식각 장치 및 그를 이용한 베벨 식각방법
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Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000060791A (ko) * 1999-03-19 2000-10-16 염근영 자장강화된 유도결합형 플라즈마장치
KR20060037819A (ko) * 2004-10-28 2006-05-03 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 에지의 베벨 식각 장치 및 그를 이용한 베벨 식각방법
KR20070014426A (ko) * 2005-07-28 2007-02-01 세메스 주식회사 웨이퍼 에지 식각 장치

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