KR20050018063A - 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법 - Google Patents

반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법

Info

Publication number
KR20050018063A
KR20050018063A KR1020030055979A KR20030055979A KR20050018063A KR 20050018063 A KR20050018063 A KR 20050018063A KR 1020030055979 A KR1020030055979 A KR 1020030055979A KR 20030055979 A KR20030055979 A KR 20030055979A KR 20050018063 A KR20050018063 A KR 20050018063A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
electrostatic chuck
voltage
ground voltage
dechucking
Prior art date
Application number
KR1020030055979A
Other languages
English (en)
Inventor
서기원
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030055979A priority Critical patent/KR20050018063A/ko
Publication of KR20050018063A publication Critical patent/KR20050018063A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

디척킹 불량을 최소화 및 억제할 수 있는 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법을 개시한다. 본 발명의 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치는, 플라즈마 반응 시 기판을 안착하는 정전척과, 상기 정전척에 정전압 또는 역전압을 인가하는 정전척 전원공급부와, 상기 기판의 식각 시 상기 정전척의 내부에 삽입되고, 상기 식각이 완료되면 상기 기판을 상기 정전척으로부터 분리하는 리프트 핀과, 상기 리프트 핀 및 접지단 사이에 연결되고, 상기 리프트 핀이 상기 기판에 접촉할 경우 상기 기판으로부터 접지되는 접지전압을 감지하는 접지전압 감지부와, 상기 접지전압이 소정 전압 이상일 경우 상기 리프트 핀을 상기 기판접촉면에서 정지시키고, 상기 접지전압이 소정 전압 이하일 경우 상기 리프트 핀을 상기 기판접촉면 이상으로 상승시키는 제어부를 구비하여 제조 공정의 신뢰성을 부여함으로써 생산성을 높일 수 있다.

Description

반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법{An apparatus for wafer chucking/dechucking of semiconductor manufacturing equipment and methode at the same}
본 발명은 반도체 제조 장치 및 그의 방법에 관한 것으로, 특히 디척킹시 기판에 잔류하는 표면전하를 측정하고 접지하는 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장비 중 기판의 홀딩은 메카니컬 클램프(mechanical clamp)방식이 많이 이용되며, 그러나 최근에는 파티클(particle)과 공정의 단일성 (uniformity)이 우수한 정전척(ElectroStatic Chuck;ESC)의 사용이 급증하고 있다.
특히 고밀도 플라즈마 식각 및 증착을 위한 장비로써 정전척의 사용이 일반화되고 있다. 그러나 이러한 정전척 사용 시 파티클이나 척에 폴리머(polymer)가 증착되는 등 이물이 발생되고, 또한 정전척(ESC)을 사용하여 기판을 척킹하는 장치에서 더킹(ducking)문제 발생으로 공정 챔버내에서 기판의 깨짐(broken)이 발생한다.
이는 건식 식각공정 완료 후 기판 표면에 잔류하는 전하로 인한 흡착력을 완전히 제거하지 못했기 때문으로, 최근에 기판 디척킹(dechucking)시 기판에 잔류하는 표면전하를 제거하기 위한 방법이 연구되고 있다.
이하, 도면을 참조하여 종래의 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그를 이용한 기판의 표면전하 접지방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도1은 종래의 건식 식각장치의 개략적인 구성을 도시한 단면도이다.
도1을 참조하면, 불활성 기체 및 반응 가스로 충만된 챔버(10) 내부의 상단에 형성된 상부 전극(12)과, 상기 상부 전극(12)의 대향하는 상기 챔버(10)의 하단에 형성된 하부 전극(14)과, 상기 하부전극 상에서 기판(18)을 고정부착하는 정전척(16)과, 상기 정전척(16) 내부에서 기판(18)을 로딩/언로딩하는 리프트 핀(20)이 있다. 또한, 상기 정전척(16) 하부에 연결되고 상기 챔버(10)의 외부에서 정전압 또는 역전압 공급하는 정전척 전원공급부(22)가 있다.
여기서, 상기 상부 전극(12) 및 하부 전극(14)에는 상기 챔버(10)의 내부에서 상기 불활성 기체 및 반응 가스를 이온과 전자로 박리시켜 플라즈마 상태로 만들기 위해 교류 고전압이 각각 인가된다.
따라서, 상기 플라즈마 상태의 이온은 상기 반응 가스의 종류에 따라 상기 기판(18)의 노출된 부분을 선택적으로 식각한다.
이때, 상기 정전척(16) 상에 위치한 기판(18)은 상기 정전척(16)에 인가되는 정전압에 의해 상기 정전척(16)에 인접하는 상기 기판(18)면에 상기 정전압에 반대되는 극성의 전하를 유도한다. 따라서, 상기 기판(18)에 유도된 상기 전하에 의해 유도 기전력이 발생되고, 상기 기판(18)이 상기 정전척(16)에 고정된다. 이때, 상기 기판(18)과 정전척(16)사이에서 유전체 쎄라믹 코팅층(19)을 더 구비할 수도 있다.
도2는 종래 기술에 따른 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치의 개략적인 구성 단면도로서, 종래 기술의 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치를 이용한 기판의 표면전하 접지방법은 상기 플라즈마 상태를 이용한 식각 공정이 완료되면 상기 정전척(16)에 공급되는 정전압의 반대 극성을 갖는 역전압을 인가하여 상기 유도 전자기력을 상쇄시킨다.
이때, 상기 기판(18)에 유도된 전하를 완전히 제거시키지 않고 상기 정전척(16)에 리프트 핀(3a)이 상기 기판(18)을 들어올릴 경우, 상기 기판(18)은 고정척(16)으로부터 제대로 분리되지 않고 튀어 오르는 스티킹(Sticking) 현상이 유발된다.
이러한 현상은 기판(18)의 정렬 상태를 변동시킬 수 있으며, 심할 경우 기판(18)의 손상을 유발시킬 수 있기 때문에 상기 디척킹 시 역전압을 상기 정전척(16)에 인가한 후에도 상기 리프트 핀(20)을 접지시킨 상태에서 상기 리프트 핀(20)을 상승시켜 상기 기판(18)을 상기 정전척(16)으로부터 분리시킨다.
도3은 도2의 등가회로도로서, 상기 정전척(16)내에 구성된 리프트 핀(20)이 스위치(switch) 역할을 하여 상기 기판(18) 표면에 잔류하는 표면전하를 방전시켜 상기 기판(18)의 정전 용량을 감소시키는 역할을 한다.
또한, 리프트 핀(20)이 상기 정전척(16) 하부에서 기판접촉면까지 상승하여 상기 기판(18)에 접촉됨으로써 상기 기판(18)에 유도된 표면전하를 접지단으로 접지시키고, 상기 리프트 핀(20)이 상기 정전척(16)의 기판접촉면이상으로 상승하여 상기 기판(18)을 상기 정전척(16)으로부터 분리한다.
그러나, 이와 같은 종래 기술의 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법은 일련의 디척킹 절차를 거친다고 하더라도 정전척의 사용량이 증가함에 따라 상기 정전척의 정전 용량이 증가하고, 계속적인 상기 정전 용량의 증가에 따른 상기 기판의 표면전하량이 증가하여 일정한 역전압 인가하거나 단순 접지만으로 디척킹이 이루어지기 때문에 디척킹의 신뢰성이 떨어져 디척킹 불량이 증가하는 단점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판의 표면전하를 측정하는 접지전압 감지부를 구비하여 디척킹 불량 발생을 최소화 및 억제할 수 있는 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양상에 따라, 본 발명의 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치는, 플라즈마 반응 시 기판을 안착하는 정전척과, 상기 정전척에 상기 기판을 착탈하기 위해 정전압 또는 역전압을 인가하는 정전척 전원공급부와, 상기 기판의 식각 시 상기 정전척의 내부에 삽입되고, 상기 식각이 완료되면접지단에 접지된 상태에서 상기 정전척으로부터 상승하여 상기 기판을 상기 정전척으로부터 분리하는 리프트 핀과, 상기 리프트 핀 및 접지단 사이에 연결되고, 상기 리프트 핀이 상기 정전척의 기판접촉면까지 상승하여 상기 기판에 접촉할 경우 상기 기판으로부터 접지되는 접지전압을 감지하는 접지전압 감지부와, 상기 접지전압 감지부로부터 감지된 상기 접지전압이 소정 전압 이상일 경우 상기 리프트 핀을 상기 기판접촉면에서 정지시키고, 상기 접지전압이 소정 전압 이하일 경우 상기 리프트 핀을 상기 기판접촉면 이상으로 상승시키는 제어부를 구비함을 특징으로 한다.
여기서, 상기 제어부는 상기 접지전압이 소정전압 이상일 경우 디척킹 불량을 표시하는 표시부를 더 구비한다.
또한, 본 발명의 다른 양상은, 마스킹 막이 형성된 기판을 정전척 상에 위치시키는 단계와, 상기 정전척을 대전시켜 전자기력으로 상기 기판을 상기 정전척에 부착하여 척킹하는 단계와, 상기 마스킹 막을 식각 마스크로 사용하고 플라즈마 반응으로 상기 마스킹 막 하부의 상기 기판 또는 박막의 일부를 건식 식각하는 단계와, 상기 건식 식각의 완료 후 대전된 상기 정전척에 역전압을 인가하여 상기 정전척이 상기 기판에 미치는 전자기력을 제거하는 단계와, 리프트 핀을 상기 정전척 상에 놓인 기판에 접촉되도록 상승시킨 후 상기 기판의 접지전압을 측정하고, 상기 접지전압이 소정 전압 이상이면 디척킹 불량을 표시하거나 상기 접지전압이 소정 전압 이하이면 상기 리프트 핀을 기판접촉면 이상으로 상승시켜 상기 기판을 상기 정전척에서 분리하여 상기 기판을 디척킹하는 단계를 포함하는 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹의 방법이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법을 설명하면 다음과 같다.
도4는 본 발명에 따른 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치의 개략적인 구성 단면도이다.
도4를 참조하면, 불활성 기체 및 반응가스가 충만된 챔버(100) 내에서 플라즈마 반응을 발생하는 상부 전극(102) 및 하부 전극(104)이 있고, 상기 플라즈마 반응 시 기판(108)을 고정하는 정전척(106)이 있다. 여기서, 상기 정전척(106)과 기판(108) 사이에 유전체 세라믹 코팅층(109)을 더 구비하여 상기 기판(108)이 상기 정전척(106) 상에서 접착될 경우 신축성을 부여한다.
또한, 상기 정전척(106)에 상기 기판(108)을 착탈하기 위해 외부에서 상기 정전척(106)에 정전압 또는 역전압을 인가하는 정전척 전원공급부(112)가 있고, 상기 기판(108)의 식각 시 상기 정전척(106)의 내부에 삽입되고, 상기 건식 식각 공정이 완료되면 접지단에 접지된 상태에서 상승하여 상기 반도체 기판(108)을 상기 정전척(106)으로부터 분리하는 복수개의 리프트 핀(110)이 있고, 상기 리프트 핀(110)을 통하여 상기 기판(108)에서 접지단으로 접지되는 표면전하에 의한 접지전압을 감지하는 접지전압 감지부(114)와, 상기 반도체 기판(108)의 척킹 및 디척킹 시 상기 정전척 전원공급부(112)에 인가되는 정전압 또는 역전압의 공급을 제어하고, 상기 리프트 핀(110)을 상기 기판접촉면까지 상승시키고, 상기 접지전압 감지부(114)에서 감지된 접지전압을 이용하여 상기 접지전압이 소정 전압 이상일 경우 상기 리프트 핀(110)을 상기 기판접촉면에서 정지시키거나 상기 접지전압이 소정 전압 이하일 경우 상기 리프트 핀(110)을 상기 기판접촉면 이상으로 상승시키는 제어부를 포함하여 구성되어 있다.
여기서, 건식 식각공정은 상기 플라즈마 반응이 고온 고압의 이온 분리상태를 요하기 때문에 상기 기판(108)의 온도가 상승하는 것을 방지하기 위해 상기 정전척(106) 상에 헬륨 홀을 형성하여 헬륨가스를 순환 공급하여 상기 기판(108)의 표면 온도를 하강시켜 진행될 수 있다. 또한, 상기 건식 식각공정이 완료되면, 상기 정전척(106)에 상기 역전압을 인가하고, 상기 리프트 핀(110)이 상기 정전척(106)의 최상단 즉, 기판접촉면까지 상승하여 상기 기판(108)에 접촉하여 디척킹 작업을 수행한다. 이때, 상기 리프트 핀(110)이 상기 기판(108)에 접촉하면 상기 기판(108)에 잔존하는 표면전하가 상기 접지단으로 접지된다. 이후, 상기 리프트 핀(110)이 상기 정전척(106)의 기판 접촉면 이상으로 상승함으로써 상기 정전척(106)으로부터 상기 기판(108)을 분리시켜 상기 기판(108)을 이송하는 별도의 로봇과 같은 이송수단의 홀딩(holding) 공간을 만들어 준다.
한편, 다수개의 기판(108)이 건식 식각공정을 수행하기 위해 계속적으로 척킹 또는 디척킹 작업이 이루어질 경우, 상기 척킹 또는 디척킹 작업 계속될수록 상기 기판(108)의 상기 유전체 세라믹 코팅층(109)이 열화되어 상기 반도체 기판에 유도되는 전하가 증가한다. 또한, 상기 정전척(106)에 의해 상기 기판(106)에 유도된 전하가 방전되기 위해서는 방전시간을 증가시킬 수도 있다.
이때, 상기 정전척(106)에 일정한 역전압을 가하거나 상기 리프트 핀(110)을 상기 반도체 기판(108)에 일정시간동안 접촉하여 상기 반도체 기판(108)의 표면전하를 접지하더라도 상기 기판(108)에 남아 있는 표면전하를 모두 접지하지 못할 수 있다. 또한, 종래 기술에 따른 기판 척킹/디척킹 장치에서와 같이 접지단을 통해 접지 못한 전하에 의해 남아있는 상기 기판(108) 및 정전척(106) 상기 정전척(106)에서 상기 기판(108)이 이탈되지 않아 내부의 리프트 핀(110)이 상승하면서 기판(108)과 리프트 핀(110)은 부딪히는 현상이 발생하여 기판(108)이 깨지는 스틱킹 현상과 같은 디척킹 불량이 유발될 수도 있다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치는 상기 리프트 핀(110)이 상기 기판접촉면까지 상승하여 상기 기판(108)에 상기 리프트 핀(110) 접촉하여 상기 표면전하가 방전하기 시작하면 상기 접지단으로 접지되는 상기 반도체 기판(108)의 표면전하에 의한 접지전압을 접지전압 감지부(114)에서 감지하고, 상기 접지전압이 일정 전압 이상이 되면 상기 제어부는 경보음 또는 경보등과 같은 표시부에 디척킹 불량을 표시하여 작업자가 디척킹 불량을 인식할 수 있도록 표시한다. 또한, 상기 제어부는 상기 리프트 핀(110)의 상승을 저지하여 건식 식각공정을 중지시키기 위한 인터락(Inter-lock) 신호를 출력 한다.
이후, 상기 표면전하가 일정 수준이하로 방전되어 상기 접지전압이 소정전압 이하로 떨어지거나, 상기 표면전하가 완전 방전되어 상기 접지전압이 제로가 될 때까지 상기 리프트 핀이 정지된 후 상기 리프트 핀(110)이 상기 기판접촉면이상으로 상승하여 상기 기판(108)을 정전척(106)으로부터 분리시킬 수 있다.
반대로, 상기 리프트 핀(110)을 통하여 접지되는 상기 기판(108)의 표면전하가 작아 상기 접지전압 감지부(114)에 측정되는 전압 강하가 작을 경우, 상기 리프트 핀(110)의 상승 속도를 증가시켜 상기 기판(108)을 상기 정전척(106)으로부터 빠르게 이탈시킴으로써, 생산 공정의 속도를 증가시킬 수 있기 때문에 생산성을 증대시킬 수 있다.
결국, 본 발명의 반도체 제조장치의 척킹/디척킹 장치는 리프트 핀(110)을 기판(108)에 접촉하여 기판(108)의 표면전하를 접지단으로 접지할 경우, 상기 표면전하에 의한 접지전압을 측정하여 일정 전하량 이하로 상기 표면전하를 줄여 디척킹 불량 발생을 최소화 및 억제할 수 있다.
또한, 연속되는 건식 식각공정에 따라 상기 기판(108)에서 접지되는 전하량의 증가를 작업자 또는 제어 장치에 알리거나 자동제어(Interlock)에 활용함으로써, 상기 정전척(106)의 수명을 예측 가능하게 하여 상기 정전척(106)의 교체 주기를 정확하게 산정토록 할 수 있기 때문에 생산성을 높일 수도 있다. 뿐만 아니라, 상기 접지전압 감지부(114)를 이용하여 감지되는 전압 값을 이용하여 생산 설비의 설계에 있어서 정확한 참고값으로 활용할 수도 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 감광물질 또는 증착 물질을 마스킹 막으로 사용하여 상기 마스킹 막에 일정한 패턴을 갖도록 패터닝된 반도체 기판(108)을 상기 챔버(100) 내부에 삽입하여 상기 정전척(106) 상에 로딩하고, 상기 정전척(106) 상에 놓이게 되면 상기 정전척 전원공급부(112)는 상기 정전척(106)에 정전압을 인가하여 상기 기판(108)을 척킹한다.
이후, 상기 상부 전극(102) 및 하부 전극(104)에 교류 고전압(예컨대, 약 수십 MHz의 RF(Radio Frequency), 수 내지 수백만V)을 인가하여 플라즈마 반응을 발생하고, 상기 마스킹 막을 식각마스크로 사용하여 상기 기판(108)의 표면 또는 상기 기판(108) 상에 형성된 박막의 일부를 식각한다. 이때, 건식 식각공정 중 상기 헬륨홀을 통하여 헬륨가스를 순환 공급하여 상기 기판(108)의 표면 온도를 하강시킨다.
다음, 상기 건식 식각이 완료되면, 대전된 상기 정전척(106)에 역전압을 인가하여 상기 정전척(106)이 상기 기판(108)에 미치는 전자기력을 제거한다. 또한, 리프트 핀(110)을 상기 기판접촉면까지 상승시키고, 상기 기판(108)에 리프트 핀(110)을 접촉시켜 상기 기판(108)의 표면전하를 접지시킨다. 이때, 상기 접지전압 감지부(114)가 상기 표면전하 접지에 의한 접지전압을 감지하고, 상기 접지전압 감지부(114)에서 감지된 상기 접지전압이 일정 전압보다 높으면, 제어부(도시하지 않음)는 리프트 핀(110)의 상승을 정지시키고, 디척킹 불량을 표시한다. 또한, 상기 접지전압이 완전 방전되거나, 일정 전압보다 낮으면 제어부는 상기 리프트 핀(110)을 상기 기판접촉면이상으로 상승시켜 상기 기판(108)을 상기 정전척(106)으로부터 분리하여 세정 공정 또는 다른 공정으로 반송한다.
따라서, 본 발명의 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법은 건식 식각 공정을 완료한 반도체 기판(108)의 표면전하를 정확하게 검출하여 접지시간을 줄이거나 증가시켜 디척킹 불량 발생을 최소화하고 억제하여 생산성을 증대시키고, 정전척(106)의 교체주기를 산정하여 생산성을 높일 수 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 반도체 식각공정을 완료한 후, 디척킹 시 접지단으로 접지되는 접지전압을 감지하고 상기 접지전압을 이용해 리프트 핀의 상승을 제어하여 디척킹 불량 발생을 최소화 및 억제할 수 있는 효과가 있다.
도1은 종래 기술에 따른 건식 식각장치의 개략적인 구성을 도시한 단면도이다.
도2는 종래 기술에 따른 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치의 개략적인 구성 단면도이다.
도3은 도2의 등가회로도이다.
도4는 본 발명에 따른 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치의 개략적인 구성 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 챔버 102 : 상부 전극
104 : 하부전극 106 : 정전척
108 : 기판 109 : 유전체 세라믹 코팅층
110 : 리프트 핀 112 : 정전척 전원공급부
114 : 정전압 감지부

Claims (4)

  1. 플라즈마 반응 시 기판을 안착하는 정전척과,
    상기 정전척에 상기 기판을 착탈하기 위해 정전압 또는 역전압을 인가하는 정전척 전원공급부와,
    상기 기판의 식각 시 상기 정전척의 내부에 삽입되고, 상기 식각이 완료되면 접지단에 접지된 상태에서 상기 정전척으로부터 상승하여 상기 기판을 상기 정전척으로부터 분리하는 리프트 핀과,
    상기 리프트 핀 및 접지단 사이에 연결되고, 상기 리프트 핀이 상기 정전척의 기판접촉면까지 상승하여 상기 기판에 접촉할 경우 상기 기판으로부터 접지되는 접지전압을 감지하는 접지전압 감지부와,
    상기 접지전압 감지부로부터 감지된 상기 접지전압이 소정 전압 이상일 경우 상기 리프트 핀을 상기 기판접촉면에서 정지시키고, 상기 접지전압이 소정 전압 이하일 경우 상기 리프트 핀을 상기 기판접촉면 이상으로 상승시키는 제어부를 구비함을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 접지전압이 소정전압 이상일 경우 디척킹 불량을 표시하는 표시부를 더 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치의 척킹/디척킹 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 접지전압이 소정전압 이상일 경우 인터락 신호를 출력함을 특징으로 하는 반도체 장치의 척킹/디척킹 장치.
  4. 마스킹 막이 형성된 기판을 정전척 상에 위치시키는 단계와,
    상기 정전척을 대전시켜 전자기력으로 상기 기판을 상기 정전척에 부착하여 척킹하는 단계와,
    상기 마스킹 막을 식각 마스크로 사용하고 플라즈마 반응으로 상기 마스킹 막 하부의 상기 기판 또는 박막의 일부를 건식 식각하는 단계와,
    상기 건식 식각의 완료 후 대전된 상기 정전척에 역전압을 인가하여 상기 정전척이 상기 기판에 미치는 전자기력을 제거하는 단계와,
    리프트 핀을 상기 정전척 상에 놓인 기판에 접촉되도록 상승시킨 후 상기 기판의 접지전압을 측정하고, 상기 접지전압이 소정 전압 이상이면 디척킹 불량을 표시하거나 상기 접지전압이 소정 전압 이하이면 상기 리프트 핀을 기판접촉면 이상으로 상승시켜 상기 기판을 상기 정전척에서 분리하여 상기 기판을 디척킹하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 방법.
KR1020030055979A 2003-08-13 2003-08-13 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법 KR20050018063A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030055979A KR20050018063A (ko) 2003-08-13 2003-08-13 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030055979A KR20050018063A (ko) 2003-08-13 2003-08-13 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050018063A true KR20050018063A (ko) 2005-02-23

Family

ID=37227653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030055979A KR20050018063A (ko) 2003-08-13 2003-08-13 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20050018063A (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100688988B1 (ko) * 2006-01-16 2007-03-08 삼성전자주식회사 식각장치
KR100729102B1 (ko) * 2005-12-28 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 증착장치
KR100834176B1 (ko) * 2006-11-01 2008-05-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 제전 장치 및 제전 방법과 프로그램 기록 매체
KR100853575B1 (ko) * 2006-03-08 2008-08-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 흡착 방법 및 기억 매체
CN100423224C (zh) * 2005-12-09 2008-10-01 北京圆合电子技术有限责任公司 晶片举升装置及举升方法
KR101394337B1 (ko) * 2006-08-30 2014-05-13 엘아이지에이디피 주식회사 정전척
WO2017078246A1 (ko) * 2015-11-03 2017-05-11 (주)파웰이엔지 스마트 정전 척, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 및 그의 통신 모듈 구동 방법

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100423224C (zh) * 2005-12-09 2008-10-01 北京圆合电子技术有限责任公司 晶片举升装置及举升方法
KR100729102B1 (ko) * 2005-12-28 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 증착장치
KR100688988B1 (ko) * 2006-01-16 2007-03-08 삼성전자주식회사 식각장치
KR100853575B1 (ko) * 2006-03-08 2008-08-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 흡착 방법 및 기억 매체
KR101394337B1 (ko) * 2006-08-30 2014-05-13 엘아이지에이디피 주식회사 정전척
KR100834176B1 (ko) * 2006-11-01 2008-05-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 제전 장치 및 제전 방법과 프로그램 기록 매체
WO2017078246A1 (ko) * 2015-11-03 2017-05-11 (주)파웰이엔지 스마트 정전 척, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 및 그의 통신 모듈 구동 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101415551B1 (ko) 정전척, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US8111499B2 (en) System and method of sensing and removing residual charge from a processed wafer
JP3911787B2 (ja) 試料処理装置及び試料処理方法
KR100845896B1 (ko) 정전척과 피처리 기판 사이의 아킹을 방지하기 위한플라즈마 처리 시스템 및 방법
EP0205142A2 (en) Pin lift plasma processing
JP2016225439A (ja) プラズマ処理装置及び基板剥離検知方法
KR19980024679A (ko) 정전 척과 그것을 이용한 시료처리방법 및 장치
KR100978166B1 (ko) 플라즈마 처리장치
CN109427534B (zh) 脱离控制方法和等离子体处理装置
CN107408503B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
US20080242086A1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
TW201843764A (zh) 晶圓之搬出方法
JPH09120988A (ja) プラズマ処理方法
KR20050018063A (ko) 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법
KR101087140B1 (ko) 플라즈마 처리 장치의 척킹/디척킹 장치 및 척킹/디척킹 방법
JP2004047512A (ja) 吸着状態判別方法、離脱方法、処理方法、静電吸着装置および処理装置
JPH11340208A (ja) プラズマ処理方法
JP2010283174A (ja) 半導体製造装置
JPH11330220A (ja) 吸着状態判断方法
KR101087141B1 (ko) 플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법
KR100631422B1 (ko) 기판 디처킹 방법
JP2001257252A (ja) 真空処理装置の基板取り外し制御方法及び真空処理装置
KR100688988B1 (ko) 식각장치
KR100631424B1 (ko) 기판 디척킹 방법
JP2004087576A (ja) 真空処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination