KR100688988B1 - 식각장치 - Google Patents

식각장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100688988B1
KR100688988B1 KR1020060004579A KR20060004579A KR100688988B1 KR 100688988 B1 KR100688988 B1 KR 100688988B1 KR 1020060004579 A KR1020060004579 A KR 1020060004579A KR 20060004579 A KR20060004579 A KR 20060004579A KR 100688988 B1 KR100688988 B1 KR 100688988B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
electrostatic chuck
high frequency
voltage
frequency power
Prior art date
Application number
KR1020060004579A
Other languages
English (en)
Inventor
권태용
양희전
이재봉
최인호
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060004579A priority Critical patent/KR100688988B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100688988B1 publication Critical patent/KR100688988B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 식각장치는, 플라즈마를 형성하는 고주파전원부와, 플라즈마 반응시 웨이퍼를 안착하는 정전척과, 정전척에 대해 상대적으로 승강함으로써 웨이퍼를 이탈시키는 리프트핀과, 리프트핀이 정전척으로부터 소정의 높이에 있을 때 고주파전원부의 전압의 진폭에 대한 최대 차이를 측정하는 전압측정기와, 전압측정기의 수치의 변화율이 소정의 기준치에 도달한 때, 리프트핀이 정전척으로부터 소정의 높이 이상으로 상승하도록 하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 식각공정 후 정전척으로부터 웨이퍼를 안전하게 인출할 수 있다.

Description

식각장치{ETCHING APPARATUS}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 식각장치의 개략도,
도 2a는 도 1의 식각장치의 전압측정기의 회로도,
도 2b는 도 1의 식각장치가 웨이퍼를 인출하기 위해 리프트핀을 올렸을 때 전압의 변화도,
도 3a, 도 3b, 도 3c는 도 1의 식각장치가 웨이퍼를 인출할 때의 여러 가지 상황도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 식각장치 2 : 플라즈마
3 : 웨이퍼 10 : 챔버
20 : 고주파전원부 21 : 상부고주파전원부
22 : 상부전극 23 : 하부고주파전원부
24 : 하부전극 31,33 : 정합기
40 : 정전척 41 : 정전척 전원 공급부
43 : 주전극 51 : 리프트
60 : 전압(Vpp)측정기 70 : 제어부
Cw : 웨이퍼와 정전척 사이의 정전용량
Cp : 플라즈마 또는 진공상태의 정전용량
본 발명은, 식각장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 식각공정 후 정전척으로부터 웨이퍼를 안전하게 인출하는 식각장치에 관한 것이다.
식각이란 반도체 소자를 제조하는 공정에서 반도체 단결정 웨이퍼에 박막 형성, 포토리소그래피, 에칭, 이온 주입 등의 기술이 가해지는 프로세스 중의 한 공정이다. 종전에는 화학 약품을 사용하는 웨트 에칭법으로 시행하였으나, 현재는 회로 패턴의 미세화, 고정밀도화의 요구에 따라 할로겐화 등의 화학적 활성 가스를 플라즈마 상태로 하여 플라즈마 중의 이온의 작용에 의해 에칭하는 드라이 에칭법(건식 식각)이 많이 사용되고 있다.
식각공정에 사용되는 장비 중 웨이퍼의 홀딩은 메카니컬 클램프 방식이 많이 이용되었으나, 최근에는 파티클과 공정의 단일성이 우수한 정전척(ElectroStatic Chuck; ESC)의 사용이 급증하고 있다. 특히 고밀도 플라즈마 식각 및 증착을 위한 장비로서 정전척의 사용이 일반화되고 있다.
그러나, 정전척 사용시는 파티클이나 척에 폴리머가 증착되는 등 이물질이 발생되고, 또한, 정전척을 사용하여 웨이퍼를 척킹하는 장치에서 더킹(ducking)문제 발생으로 공정 챔버내에서 웨이퍼의 깨짐이 발생한다.
이는 건식 식각공정 완료 후 웨이퍼 표면에 잔류하는 전하로 인한 흡착력을 완전히 제거하지 못했기 때문으로, 최근에 웨이퍼 디척킹(dechucking)시 웨이퍼에 잔류하는 표면전하를 제거하기 위한 방법이 연구되고 있다.
일반적으로, 식각장치는 불활성 기체 및 반응가스로 충만된 챔버와, 챔버 내부의 상단에 형성된 상부전극과, 상부전극에 대향하는 챔버의 하단에 형성된 하부전극과, 하부 전극상에서 웨이퍼를 부착하는 정전척과, 정전척에 웨이퍼를 착탈하기 위해 정전압 또는 역전압을 인가하는 정전척 전원 공급부와, 웨이퍼의 식각시 정전척의 내부에 삽입되고 식각이 완료되면 정전척의 외부로 상승하여 웨이퍼를 정전척으로부터 이탈시키는 리프트핀과, 정전력에 의해 고정된 웨이퍼를 정전척으로부터 분리하기 위하여 특정전압의 펄스 전압을 공급하는 펄스전압기로 이루어진다.
상부 전극 및 하부전극에는 챔버의 내부에서 불활성 기체 및 반응 가스를 이온과 전자로 박리시켜 플라즈마 상태로 만들기 위해 고주파전원이 인가된다. 따라서, 플라즈마 상태의 이온은 반응 가스의 종류에 따라 웨이퍼의 노출된 부분을 선택적으로 식각한다. 이 때, 정전척상에 위치한 웨이퍼는 정전척에 인가되는 정전압에 의해 정전척에 인접하는 웨이퍼면에 정전압에 반대되는 극성의 전하를 유도한다. 따라서, 웨이퍼에 유도된 전하에 의해 유도 기전력이 발생되고, 웨이퍼가 정전척에 고정된다.
플라즈마 상태를 이용한 식각공정이 완료되면, 정전척에 공급되는 정전압의 반대 극성을 갖는 역전압을 인가하여 유도 전자기력을 상쇄시킨다. 이 때, 웨이퍼에 유도된 전하를 완전히 제거시키지 않고 정전척에 리프트핀이 웨이퍼를 들어 올릴 경우, 웨이퍼는 정전척으로부터 제대로 분리되지 않고 튀어 오르는 스티킹 (sticking)현상이 유발된다.
이러한 현상은 웨이퍼의 정렬 상태를 변동시킬 수 있으며, 심할 경우 웨이퍼의 손상을 유발시킬 수 있기 때문에 디척킹시 역전압을 정전척에 인가한 후에도 특정 주기의 펄스 전압을 공급하여 전하를 제거한다.
그러나, 특정 주기의 펄스를 인가하더라도 웨이퍼에 전하가 전혀 남지 않았는지의 확신은 불가능하다.
또한, 웨이퍼가 정상적으로 인출될 수 있는 상태인지의 확인도 불가능하다.
이런 잔류 전하가 있는 상태에서 제품을 인출하기 위해 강제로 기계적인 힘을 가할 경우 반도체 웨이퍼가 부서지거나 손상되게 된다.
또한, 상기 웨이퍼가 손상되지 않더라도 웨이퍼의 정렬된 상태를 변경하여 통상적인 웨이퍼 이송로봇을 사용하여 웨이퍼를 회수하기 어려운 위치로 인출되게 한다.
따라서, 본 발명의 목적은, 식각공정 후 웨이퍼를 안전하게 인출하는 식각장치를 제공하는 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 식각장치에 있어서, 플라즈마를 형성하는 고주파전원부와, 플라즈마 반응시 웨이퍼를 안착하는 정전척과, 상기 정전척에 대해 상대적으로 승강함으로써 웨이퍼를 이탈시키는 리프트핀과, 상기 리프트핀이 상기 정전척으로부터 소정의 높이에 있을 때 상기 고주파전원부의 전압의 진폭에 대한 최대 차이를 측정하는 전압측정기와, 상기 전압측정기의 수치의 변화율이 소정의 기준치에 도달한 때, 상기 리프트핀이 상기 정전척으로부터 상기 소정의 높이 이상으로 상승하도록 하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각장치에 의해 달성된다.
여기서, 상기 정전척에 상기 웨이퍼를 착탈하기 위해 정전압 또는 역전압을 인가하는 정전척 전원 공급부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 리프트핀은 상기 웨이퍼의 식각시 상기 정전척의 내부에 삽입되고 상기 식각이 완료되면 상기 정전척의 외부로 상승하여 상기 웨이퍼를 상기 정전척으로부터 이탈시키는 것이 바람직하다.
여기서, 상부전극과, 상기 상부전극과 소정간격 이격되어 설치된 하부전극을 더 포함하고; 상기 고주파전원부는 상기 상부전극에 고주파전원을 인가하는 상부고주파전원부와, 상기 하부전극에 고주파전원을 인가하는 하부고주파전원부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 전압측정기는 상기 하부고주파전원부의 전압의 변화를 측정하는 것이 바람직하다.
이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 식각장치의 개략도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 식각장치(1)는 불활성 기체 및 반응가스로 충만된 챔버(10)와; 플라즈마(2)를 형성하는 고주파전원부(20)와; 챔버(10) 내부의 상단에 형성된 상부전극(22)과; 상부전극(22)에 대향하는 챔버(10)의 하단에 형성된 하부전 극(24)과; 플라즈마(2) 반응시 웨이퍼(3)를 안착하는 정전척(40)과; 정전척(40)에 웨이퍼(3)를 착탈하기 위해 정전압 또는 역전압을 인가하는 정전척 전원 공급부(41)와; 정전척(40)의 내측에 매입되며 정전척 전원 공급부(41)로부터 직류 전원을 공급받아 웨이퍼(3)가 정전기적 흡착력을 발생하도록 하는 주전극(43)과; 정전척(40)으로부터 상대적으로 승강함으로써 웨이퍼(3)를 이탈시키는 리프트핀(50)과; 리프트핀(50)이 정전척(40)으로부터 소정의 높이에 있을 때, 고주파전원부(20)의 전압의 진폭에 대한 최대 차이를 측정하는 전압측정기(60)와; 전압측정기(60)의 수치의 변화율이 소정의 기준치에 도달한 때, 리프트핀(50)이 정전척(40)으로부터 소정의 높이 이상으로 상승하도록 하는 제어부(70)를 갖는다.
챔버(10)는 외기와 격리된 밀폐공간을 형성하여, 플라즈마(2)에 의한 웨이퍼(3)의 식각공정이 일어난다. 그리고, 챔버(10)는 챔버(10) 내부로 식각가스 또는 드라이클리닝가스를 공급하는 가스공급관(미도시)과, 챔버(10) 내부에 있는 가스를 외부로 배출시키는 가스배기관(미도시)을 포함한다.
고주파전원부(20)는 챔버(10) 외부의 일측에 마련되어, 챔버(10) 내부에서 플라즈마(2)가 형성되도록 상부전극(22)과 하부전극(24)에 특정한 고주파 전력을 인가한다. 고주파전원부(20)는 상부전극(22)에 고주파전원을 인가하는 상부고주파전원부(21)와, 하부전극(24)에 고주파전원을 인가하는 하부고주파전원부(23)를 갖는다. 상부고주파전원부(21)의 옆에는 상부정합기(31)가 설치되어 있고, 하부고주파전원부(23)의 옆에는 하부정합기(33)가 설치되어 있다.
상부전극(22)은 챔버(10) 내의 상부에 판상으로 마련된다. 상부전극(22)은 하부고주파전원부(23)로부터 고주파 전력을 공급받아, 상부전극(22)과 하부전극(24) 사이의 공간에 플라즈마(2)를 형성한다.
하부전극(24)은 챔버(10) 내의 하부에, 상부전극(22)에 대향되게 마련된다. 상부전극(22)과 하부전극(24)은 소정간격 이격되어 설치된다. 하부전극(24)의 상판면에는 웨이퍼(3)를 부착하는 정전척(40)이 있다. 하부전극(24)은 하부고주파전원부(23)로부터 고주파전원을 공급받아, 상부전극(22)과 하부전극(24) 사이의 공간에 플라즈마(2)를 형성한다.
정전척(40)은 하부전극(24)의 상판면에 마련되어, 안착한 웨이퍼(3)를 정전기적으로 흡착하여 지지한다. 정전척 전원 공급부(41)는 챔버(10) 외부의 일측에 마련되며 정전척(40)에 웨이퍼(3)를 착탈하기 위해 정전압 또는 역전압을 인가한다. 주전극(43)은 원판상으로 마련되며, 정전척(40)의 내측에 매입된다. 주전극(43)은 식각공정이 일어나는 동안에 웨이퍼(3)가 정전척(40)에 흡착 지지되도록 마련된다. 주전극(43)은 정전척 전원 공급부(41)로부터 직류 전원을 공급받아 정전기적 흡착력을 발생시킨다. 또한, 주전극(43)은 식각공정이 끝나면 웨이퍼(3)의 흡착력이 해제되도록 정전척 전원 공급부(41)로부터의 직류 전원 공급이 단절될 수 있다.
리프트핀(50)은 정전척(40)의 상판면을 관통하여 승강 가능하게 마련된다. 리프트핀(50)은 웨이퍼(3)의 식각시 정전척(40)의 내부에 삽입되고, 식각이 완료되면 정전척(40)의 외부로 상승하여 웨이퍼(3)를 정전척(40)으로부터 이탈시킨다. 리프트핀(50)은 챔버(10) 일측에 리프트핀(50)을 승강시키는 리프트구동부(51)를 가 질 수 있다.
전압측정기(60)는 고주파전원이 인가되었을 때, 하부고주파전원부(23)의 전압의 진폭에 대한 최대 차이(Vpp)를 측정한다. 리프트핀(50)이 정전척(40)으로부터 1㎜ 높이에 있을 때, 하부고주파전원부(23)의 전압의 진폭에 대한 최대 차이를 측정한다. 리프트핀(50)이 정전척(40)으로부터 1㎜ 높이는 웨이퍼의 하중이나 상태 등에 따라 변화될 수 있다. 리프트핀(50)을 올렸을 때 웨이퍼(3)가 손상되지 않는 정도의 수치이면 가능하다. 전압측정기(60)는 하부정합기(33)의 내부에 있을 수도 있고, 하부정합기(33)의 외부에 설치될 수도 있다.
도 2a는 도 1의 식각장치의 전압측정기의 회로도이고, 도 2b는 도 1의 식각장치가 웨이퍼를 인출하기 위해 리프트핀을 올렸을 때 전압의 변화도이고, 도 3a, 도 3b, 도 3c는 도 1의 식각장치가 웨이퍼를 인출할 때의 여러 가지 상황도이다. 도시된 바와 같이, 반도체 가공을 위해 웨이퍼(3)가 정전척(40)의 표면에 밀착해 있을 때, 웨이퍼(3)와 정전척(40)사이의 정전용량 Cw는 크지만(C=ε*A/d=유전상수*전극면적/전극간의 거리), 잔류전하가 없는 상태에서 리프트핀(50)이 1㎜정도 상승하면, 도 3a의 상태가 되어 Cw가 충분히 감소하게 된다. 하지만, 잔류전하가 존재하여 도 3b와 도 3c의 상태가 되면 웨이퍼(3)와 정전척(40)사이의 정전용량 Cw는 충분히 감소하지 못하게 된다.
도 2b를 참조하면, 정전용량 Cw가 변하게 되면 측정되는 Vpp(전압의 진폭에 대한 최대 차이)의 값도 변화하게 된다. 따라서, 이 Vpp의 변화량을 측정하고, 그 변화율을 비교하면, 웨이퍼(3)가 정전척(40)으로부터 정상적으로 인출될 수 있는지 를 식별할 수 있다. Vpp가 처음 수치보다 10%정도 감소할 때, 웨이퍼를 정전척(40)으로부터 인출하는 것이 바람직하나, 10%의 수치는 실험치에 따라 변화될 수도 있다.
제어부(70)는 전압측정기(60)의 수치가 처음 수치보다 10%정도 감소할 때, 전압측정기(60)의 신호를 받아 리프트구동부(51)가 리프트핀(50)을 구동하여 리프트핀(50)이 정전척(40)으로부터 1㎜ 이상 상승하도록 하여 웨이퍼(3)를 정전척(40)으로부터 인출한다. 제어부(70)는 웨이퍼(3)에 잔류전하가 남아 웨이퍼(3)를 인출할 수 없을 때는 추가로 정전척 전원 공급부(41)에 명령해 웨이퍼(3)와 정전척(40)에 공급되는 정전압의 반대 극성을 갖는 역전압을 인가하여 유도 전자기력을 상쇄시킨다.
이러한 구성에 의하여, 본 발명의 실시예에 따른 식각장치(1)를 이용하여, 웨이퍼(3)가 정전척(40)으로부터 인출되는 과정을 설명한다.
리프트핀(50)이 정전척(40)으로부터 1㎜ 높이에 있을 때, 전압측정기(60)를 통하여 하부고주파전원부(23)의 Vpp의 변화량을 측정하여 웨이퍼(3)의 인출여부를 식별한다. Vpp의 수치가 처음 수치보다 10%정도 감소할 때, 제어부(70)는 전압측정기(60)의 신호를 받아 리프트구동부(51)에 리프트핀(50)을 구동하도록 명령한다. 리프트구동부(51)에 의해, 리프트핀(50)은 정전척(40)으로부터 1㎜ 이상으로 상승하여 웨이퍼(3)를 정전척(40)으로부터 안전하게 인출한다.
제어부(70)는 웨이퍼(3)에 잔류전하가 남아 웨이퍼(3)를 인출할 수 없을 경우는 추가로 정전척 전원 공급부(41)에 명령해, 추가로 전하제거작업을 진행한다.
이러한 구성에 의하여, 본 발명에 따른 식각장치(1)는 챔버(10)내에서의 식각공정 후, 웨이퍼(3)에 잔류전하가 완전히 제거되었는지를 미리 확인할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(3)를 정전척(40)으로부터 안전하게 인출할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(3)에 전하가 잔류하는데도, 기계적인 힘을 가하여 강제적으로 웨이퍼(3)를 인출하여 웨이퍼(3)가 손상되거나 부서지는 것을 방지할 수 있다.
또한, 웨이퍼(3)의 정렬상태를 변경하지 않으므로, 추후에 웨이퍼 이송로봇이 웨이퍼(3)를 이송하기가 용이하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 식각공정 후 웨이퍼를 정전척으로부터 안전하게 인출할 수 있는 식각장치가 제공된다.

Claims (5)

  1. 식각장치에 있어서,
    플라즈마를 형성하는 고주파전원부와,
    플라즈마 반응시 웨이퍼를 안착하는 정전척과,
    상기 정전척에 대해 상대적으로 승강함으로써 웨이퍼를 이탈시키는 리프트핀과,
    상기 리프트핀이 상기 정전척으로부터 소정의 높이에 있을 때 상기 고주파전원부의 전압의 진폭에 대한 최대 차이를 측정하는 전압측정기와,
    상기 전압측정기의 수치의 변화율이 소정의 기준치에 도달한 때, 상기 리프트핀이 상기 정전척으로부터 상기 소정의 높이 이상으로 상승하도록 하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 정전척에 상기 웨이퍼를 착탈하기 위해 정전압 또는 역전압을 인가하는 정전척 전원 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 리프트핀은 상기 웨이퍼의 식각시 상기 정전척의 내부에 삽입되고 상기 식각이 완료되면 상기 정전척의 외부로 상승하여 상기 웨이퍼를 상기 정전척으 로부터 이탈시키는 것을 특징으로 하는 식각장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상부전극과, 상기 상부전극과 소정간격 이격되어 설치된 하부전극을 더 포함하고;
    상기 고주파전원부는 상기 상부전극에 고주파전원을 인가하는 상부고주파전원부와, 상기 하부전극에 고주파전원을 인가하는 하부고주파전원부를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 전압측정기는 상기 하부고주파전원부의 전압의 변화를 측정하는 것을 특징으로 하는 식각장치.
KR1020060004579A 2006-01-16 2006-01-16 식각장치 KR100688988B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060004579A KR100688988B1 (ko) 2006-01-16 2006-01-16 식각장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060004579A KR100688988B1 (ko) 2006-01-16 2006-01-16 식각장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100688988B1 true KR100688988B1 (ko) 2007-03-08

Family

ID=38102272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060004579A KR100688988B1 (ko) 2006-01-16 2006-01-16 식각장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100688988B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010109373A2 (en) * 2009-03-24 2010-09-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08162293A (ja) * 1994-12-05 1996-06-21 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びその制御方法
US5874361A (en) 1992-12-02 1999-02-23 Applied Materials, Inc. Method of processing a wafer within a reaction chamber
KR100290748B1 (ko) 1993-01-29 2001-06-01 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
KR20050018063A (ko) * 2003-08-13 2005-02-23 삼성전자주식회사 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5874361A (en) 1992-12-02 1999-02-23 Applied Materials, Inc. Method of processing a wafer within a reaction chamber
KR100290748B1 (ko) 1993-01-29 2001-06-01 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
JPH08162293A (ja) * 1994-12-05 1996-06-21 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びその制御方法
KR20050018063A (ko) * 2003-08-13 2005-02-23 삼성전자주식회사 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010109373A2 (en) * 2009-03-24 2010-09-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking
WO2010109373A3 (en) * 2009-03-24 2010-12-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking
CN102362342A (zh) * 2009-03-24 2012-02-22 朗姆研究公司 用于在脱离期间减少电势峰值的方法和装置
US8313612B2 (en) 2009-03-24 2012-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking
US8628675B2 (en) 2009-03-24 2014-01-14 Lam Research Corporation Method for reduction of voltage potential spike during dechucking

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102033807B1 (ko) 이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치의 제어 장치
US9773692B2 (en) In-situ removable electrostatic chuck
TWI502681B (zh) 在解除夾持時用以降低電壓尖峰之方法及設備
US8111499B2 (en) System and method of sensing and removing residual charge from a processed wafer
US6898064B1 (en) System and method for optimizing the electrostatic removal of a workpiece from a chuck
TWI598985B (zh) 藉由升降銷之靜電吸盤釋放用的極性區域
JP4786693B2 (ja) ウェハ接合装置およびウェハ接合方法
JP2010212678A (ja) 電子チャックからの最適なウェハ除去方法
TWI479595B (zh) 從靜電夾盤解箝制晶圓
JPH09148419A (ja) 静電チャック
JP2017123354A (ja) 試料の離脱方法およびプラズマ処理装置
JPH1169855A (ja) 静電チャックにおける被吸着物の離脱方法及び静電チャック
CN106816402B (zh) 消除静电荷的方法及基片卸载方法
JP2978470B2 (ja) 静電吸着装置および被吸着物離脱方法
KR100688988B1 (ko) 식각장치
KR101087140B1 (ko) 플라즈마 처리 장치의 척킹/디척킹 장치 및 척킹/디척킹 방법
JPH11233601A (ja) 静電吸着装置及びそれを用いた試料処理装置
JP2004040047A (ja) 処理装置及び静電チャックからの被吸着体の脱離方法
JP5302541B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2004040046A (ja) 処理装置及び静電チャックの脱離方法
KR20050018063A (ko) 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법
JP4416911B2 (ja) 真空処理方法
WO2020003746A1 (ja) 静電チャック用の給電装置及び基板管理方法
JP2009164620A (ja) スパッタリング装置
KR102677251B1 (ko) 기판 테스트 장치 및 이를 이용하는 디척킹 포스 측정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130131

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140129

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150202

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200131

Year of fee payment: 14