JP2010212678A - 電子チャックからの最適なウェハ除去方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】静電チャックからウェハを安全、最適に静電チャック表面から分離するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】リフトピン機構210に用いるモータ208の電流をコントローラ204によりモニタし、その電流値に基づいてデチャック電圧を決定する。決定されたデチャック電圧を、電圧源212から静電チャック216の電極に印加して、ウェハをデチャックする。
【選択図】図2

Description

本発明は静電チャックに関し、特には静電チャックからウェハを安全に最適に除去する方法に関する。
静電チャックにおいては、ウェハとチャック表面との間に静電力を発生させてウェハをチャック表面に固定するために調整可能電圧源によりその電極に電圧が供給される。静電力が除去されたとき、ウェハをチャック表面から持ち上げるためにリフトピンが設けられている。しかし、静電力が除去された時、もしくは、静電力がウェハをチャック表面から安全に持ち上げることができるような十分に低い値になった時を検出することは極めて困難である。静電力が高すぎるときにウェハが持ち上げられると、ウェハは飛び上がり、破損することもあり、粒子の生成やウェハの粉砕を生じ、基板製造用具のクリーニングが必要になる。ウェハの損失とクリーニングの両方がコスト増しになる。クリーニングは時間もかかり、基板製造用具全体を停止させる必要もある。
静電チャック電極に供給するとウェハをチャック表面に吸着させる静電界を相殺することができる特別の電圧(即ちデチャック電圧)があることが知られている。典型的には、デチャック電圧には最適値があり、供給するデチャック電圧がこの最適値より高い又は低い場合、依然としてかなりの静電吸引力がウェハとチャック表面との間に存在する。
適切なデチャック電圧(即ち、デチャック電圧の最適値)を決定する多くの方法が開発されている。代表的な方法に、自己バイアス近似法、残留電荷測定法、ルックアップテーブル法及びヘリウムガス漏れ速度測定法がある。しかし、これらの既知の方法はすべてシステミックな問題を有する。例えば、ヘリウムガス漏れ速度測定法は粒子を発生し、用具のクリーニングを必要とする。加えて、ヘリウムガス漏れ速度はデチャックされるウェハの信頼できる予測を与えず、帰還ループに使用することはできない。なぜなら、これは低速すぎるとともに、雑音が多すぎる信号をもたらすからである。自己バイアス近似法は複雑なモデルであり、高価な測定装置を必要とし、適切に開発するために長い準備期間を必要とするが、それでも多くの仮定を条件とする推定にすぎない。
更に、適切なデチャック電圧はウェハタイプ、プロセス、温度及びハードウェア構成に依存する。既存の方法はどれもこれらのウェハ−ウェハ間変化(ばらつき)及びチャンバ−チャンバ間変化(ばらつき)を正確に又は確実に考慮していない。
本発明のいくつかの態様及び特徴の基本的な理解を与えるために、以下に発明の概要を記載する。この概要は本発明の広範囲の概説ではなく、また本発明の主要な又は重要な要素を特定すること又は本発明の範囲を限定することを意図するものではない。その唯一の目的は、本発明のいくつかのコンセプトを以下に提示される詳細な説明の前置きとして簡略化した形で提示するためである。
本発明の一つの態様によれば、ウェハをチャックから安全に除去できるかを決定する方法が提供される。この決定は、リフトピン機構にかかる力をモニタすることによって、例えばリフトピンを駆動するモータ電流をモニタすることによって、実行される。モニタされる電流はリフトピン機構の駆動により生じるモータトルクに比例することが理解されよう。従って、本明細書においては、以後、モータ電流とモータトルクは交換可能に使用される。モータ電流が所定の安全値に到達するとき、チャック電圧は固定値(例えばデチャック電圧)に維持される。このとき、ウェハをチャック表面から安全に分離することができる。
代表的なプロセスにおいては、ウェハプロセス前に、特性決定期間において、リフトピンモータ電流をクランプされてないウェハに対して種々のピン位置で測定する。これらの値は、ウェハを安全に持ち上げることができることを示すモータ電流値の範囲(例えば所定の安全値)を決定するのに使用できる。この所定の安全値の決定はウェハごとに1回、1日に1回、ウェトクリーニング後、又は乾燥後などに行うことができる。
次に、ウェハが静電チャックにクランプされた状態で、ウェハプロセス(例えば、堆積、エッチング、クリーニングなど)を実行する。ウェハプロセスが終了したら、背面ガス圧力を随意に除去し、初期クランプ電圧を供給する。次に、リフトピンを僅かに上昇させてウェハに小さな量の圧力を加える(加圧位置)。静電チャック電圧は初期クランプ電圧から出発し、ある電圧範囲(例えばクーロン力チャックに対しては−5000V〜+5000V及びジョンソン・ラベック(JR)型チャックに対しては−1000V〜+1000V)に亘ってスィープされ、その間モータ電流を制御システムによりモニタする。モータ電流は、リフトピンが加圧位置にあるときの最小電流値を決定するためにモニタされる。
一つの実施例においては、ウェハをデチャックするために前記最小モータ電流に対応する電圧を供給し、チャック表面を放電させ、次いでリフトピンを除去位置に上昇させる。
別の実施例においては、前記最小モータ電流が負でもある場合に、前記最小モータ電流に対応する電圧を用いてウェハをデチャックする。
更に別の実施例においては、前記最小モータ電流が経験的範囲(例えば、ウェハプロセス前の特性決定プロセスにおいて得られた所定の安全値により特定される安全範囲)内に入る場合に、前記最小モータ電流に対応する電圧を用いてウェハをデチャックする。
他の実施例においては、前記最小モータ電流に対応する電圧を供給し、リフトピンを加圧位置と除去位置との中間の位置(即ち中間位置)に上昇させる。中間位置において、モータ電流を再びモニタしてモータ電流スパイクに続く第2の最小モータ電流を決定する。一つの実施例では、スパイクに続く第2の最小電流を検証してこの最小電流が特性決定プロセスにおいて得られた所定の安全値に対応するか決定する。
更に他の実施例においては、前記最小モータ電流が負又は前記経験的範囲内にある場合にリフトピンを除去位置に上昇させることができ、リフトピンが中間位置に上昇されたとき、モータ電流スパイクに続く第2の最小電流を検証してこの最小電流が特性決定プロセスにおいて得られた所定の安全値に対応するか決定する。
上記の実施例のいずれにおいても、ウェハをデチャックできない場合には、ウェハを安全にデチャックできるまでこのプロセスを繰り返すことがきる(即ち、帰還ループ)。所定数のサイクル後に依然として安全に自動的にデチャックできない場合には、ウェハを手動的にデチャックする指示を発生させることができる。手動デチャックプロセスは上述したデチャック方法の手動バージョンを用いることができる。
本発明の一つの態様によれば、基板処理システムが提供される。基板処理システムは、静電チャックと、ウェハを静電チャックに対して移動させるリフトピンと、ウェハを静電チャックに対して移動させるためにリフトピンを移動させるべく、リフトピンと結合され、モータ電流で駆動されるモータと、静電チャックと結合され、静電チャックに電圧を供給する電圧源と、リフトピンにかかる力を測定し、前記電圧源に信号を送って静電チャックに供給される電圧を調整し、前記電圧源に信号を送って静電チャックに供給される電圧をリフトピンにかかる測定された力がデチャック力と対応する点で固定させるコントローラとを含む。
前記コントローラはモータ電流を測定することによってリフトピンにかかる力を測定するように構成することができる。
前記コントローラは、測定されたモータ電流からモータトルクを決定するように構成することができる。
前記コントローラは、スィープ電圧を供給することによって電前記電圧の調整を行うように構成することができる。
前記スィープ電圧は約−5000Vと+5000Vとの間とすることができる。
前記コントローラはモータに信号を送って、処理チャンバ内でのウェハの処理の終了後に、リフトピンを加圧位置まで上昇させるように構成することができる。
前記静電チャックは単極静電チャック、2極静電チャック又は多極静電チャックとすることができる。
前記コントローラは、力センサを用いてリフトピン機構にかかる力を測定するように構成することができる。
本発明の別の態様によれば、静電チャックからウェハをデチャックする方法が提供される。本方法はリフトピン機構にかかる力をモニタするステップと、前記力に基づいてデチャック電圧を決定するステップと、ウェハを該デチャック電圧でデチャックするステップとを含む。
前記リフトピン機構にかかる力をモニタするステップはモータトルクをモニタするステップを含むことができ、前記力に基づいてデチャック電圧を決定するステップは前記モータトルクに基づいてデチャック電圧を決定するステップを含むことができる。
前記ウェハをデチャック電圧でデチャックするステップは、静電チャックに供給される電圧のスィープ範囲を供給し、モータトルクがデチャック電圧に対応する値にあるとき、前記電圧をデチャック電圧に固定するステップを含むことができる。
前記ウェハをデチャック電圧にてデチャックするステップは、リフトピン機構をモータで駆動するステップを含むことができる。
前記力をモニタするステップは、モータ電流を測定するステップを含むことができる。
前記方法は、リフトピン機構と結合されたコントローラをクランプされてないウェハに対して力をモニタすることによって校正するステップも含むことができる。
前記方法は、リフトピン機構と結合されたコントローラを軽くクランプされたウェハに対して力をモニタすることによって校正するステップも含むことができる。
前記モータトルクをモニタするステップは、最小モータ電流を決定するステップを含むことができる。
前記電圧を調整するステップは、前記最小モータ電流に対応する電圧を供給するステップを含むことができる。
前記電圧を調整するステップは、前記最小モータ電流が所定の経験的範囲内にある場合に前記最小モータ電流に対応する電圧を供給するステップを含むことができる。
前記電圧を調整するステップは、前記最小モータ電流が負である場合に前記最小モータ電流に対応する電圧を供給するステップを含むことができる。
前記電圧を調整するステップは、前記最小モータ電流に対応する電圧を供給するステップを含むことができる。前記方法は更に、リフトピンを中間位置に駆動するステップと、リフトピンが駆動されたとき、モータ電流をモニタしてスパイクの発生に続く第2の最小モータ電流を決定するステップと、スパイクの発生後に第2の最小モータ電流が続く場合にリフトピンを除去位置へ駆動するステップを含むことができる。
前記方法は、前記第1及び第2の最小モータ電流が所定の経験的範囲内に入るかどうかを決定するステップを更に含むことができる。
前記方法は、前記第1及び第2の最小モータ電流が負であるかどうかを決定するステップを更に含むものとすることができる。
前記ウェハをデチャックするステップは、前記チャック表面を放電するステップを含むことができる。
前記力は力センサを用いてモニタすることができる。
本発明の他の態様によれば、静電チャックからウェハをデチャックする方法が提供される。本方法は、リフトピンと結合されたモータのモータ電流をモニタするステップと、静電チャックに供給される電圧を前記モータ電流に基づいてデチャック値に調整するステップと、前記電圧が調整されたとき、静電チャックからウェハを分離するためにリフトピンを除去位置に駆動するステップとを含む。
前記方法は、モータ電流をモニタする前にリフトピンを加圧位置に上昇させるステップを含むこともできる。
前記方法は、前記静電チャックに供給される電圧を所定の電圧範囲に亘ってスィープさせるステップを含むこともできる。
前記電圧範囲は約−5000V〜+5000Vの範囲とすることができる。
前記方法は、所定の電流値を決定するためにウェハの特性を決定するステップを含むこともできる。
前記所定の値は値の範囲を含むこともできる。
前記所定の値を決定するステップは、クランプされてないウェハに対してモータ電流を測定するステップと、軽くクランプされたウェハに対してモータ電流を測定するステップとを含むことができる。
前記モータ電流をモニタするステップは、最小モータ電流を決定するステップを含むことができる。
前記電圧を調整するステップは、前記最小モータ電流に対応する電圧を供給するステップを含むことができる。
前記電圧を調整するステップは、前記最小モータ電流が所定の経験的範囲内にある場合に、前記最小モータ電流に対応する電圧を供給するステップを含むことができる。
前記電圧を調整するステップは、前記最小モータ電流が負である場合に、前記最小モータ電流に対応する電圧を供給するステップを含むことができる。
前記電圧を調整するステップは、前記最小モータ電流に対応する電圧を供給するステップを含むことができ、前記方法は更に、リフトピンを中間位置に駆動するステップと、リフトピンが駆動されたとき、モータ電流をモニタしてスパイクの発生に続く第2の最小モータ電流を決定するステップと、スパイクの発生後第2の最小モータ電流が続く場合にリフトピンを除去位置へ駆動するステップを含むことができる。
前記方法は、前記第1及び第2の最小モータ電流が所定の経験的範囲内に入るかどうかを決定するステップを更に含むことができる。
前記方法は、前記第1及び第2の最小モータ電流が負であるかどうかを決定するステップを更に含むものとすることができる。
前記ウェハをデチャックするステップは、前記チャック表面を放電するステップを含むことができる。
本発明の別の態様によれば、クランプされてないウェハに対してリフトピン機構にかかる力を測定するステップと、クランプされてないウェハに対して測定された力を記憶するステップと、低い電圧でクランプされたウェハに対してリフトピン機構にかかる力を測定するステップと、低い電圧でクランプされたウェハに対して測定された力を記憶するステップとを含む方法が提供される。
前記リフトピン機構にかかる力を測定するステップは、モータ電流を測定するステップを含むことができる。前記リフトピン機構にかかる力を測定するステップは、複数のリフトピン機構のモータ電流を測定するステップを含むことができる。前記リフトピン機構にかかる力を測定するステップは、複数の低い電圧でクランプされたウェハに対して複数のモータ電流を測定するステップを含むことができる。力は力センサ用いて測定することもできる。
本明細書に含まれ本明細書の一部を構成する添付図面は、本発明の実施例を例示し、明細書の記載とともに本発明の原理を図解し説明するのに役立つものである。図面は代表的な実施例の主な特徴を概略的に示すことを意図している。図面は実施例の全ての特徴を示すことを意図するものでなく、また図示された阻止の相対寸法を示すことを意図するものでもなく、一定の寸法比で描かれていない。
本発明の一つの実施例による基板製造チャンバの斜視図である。 本発明の一つの実施例によるデチャックシステムのブロック図である。 本発明の一つの実施例によるウェハの特性決定プロセスの流れ図である。 本発明の一つの実施例における代表的なモータ電流/ピン位置関係の概略図を示す。 本発明の一つの実施例による静電チャックからウェハをデチャックするプロセスの流れ図である。 本発明の一つの実施例による静電チャックからウェハをデチャックするプロセスの流れ図である。 本発明の一つの実施例における代表的な電流/電圧曲線の概略図を示す。 本発明の一つの実施例における代表的な電流/電圧曲線の概略図を示す。 本発明の一つの実施例による静電チャックからウェハをデチャックするプロセスの流れ図である。 本発明の一つの実施例による静電チャックからウェハをデチャックするプロセスの流れ図である。 本発明の一つの実施例による静電チャックからウェハをデチャックするプロセスの流れ図である。 本発明の一つの実施例による静電チャックからウェハをデチャックするプロセスの流れ図である。
本発明の一つの実施例が図1を参照して以下に詳細に説明される。図1は静電チャック110を有する真空チャンバ100を示す。図1に示す構成は単なる一例であることは容易に理解されよう。当業者に既知のように、真空チャンバ100及び静電チャック110は追加の構成要素又はもっと少数の構成要素を有することができ、また構成要素の配置を変えることもできる。
図1において、ウェハ101は真空チャンバ100内のチャック110に固定されて示されている。図示の真空チャンバ100はプラズマ処理用に構成されている(例えば、プラズマ103がチャンバ100内に示されている)。プラズマ処理は、例えばエッチング、プラズマ化学気相成長法(PECVD)などを含む。真空チャンバは静電チャックを含む任意のタイプの真空チャンバとすることができ、それゆえチャンバ内で他の処理を実行することができることが理解されよう。また、真空チャンバは容量結合プラズマ(CCP)チャンバ(図1に示す)又は例えば誘導結合プラズマ(ICP)ソースチャンバ(図示せず)とすることができる。プラズマ密度を増大するとともにイオンエネルギーをイオン生成と分離するソースを用いる真空チャンバは当業者用語で高密度プラズマ(HDP)と呼ばれている。真空チャンバはHDPチャンバとすることができ、代表的なHDPソースはマイクロ波ソース、誘導結合ソース及びヘリコン波ソースを含む。
真空チャンバ100は気密筐体105を備える。筐体105はアルミニウム、ステンレススチール又は他の真空コンパチブル材料からなるものとすることができる。筐体105は電気的に接地することができ、この場合にはチャンバ壁が陽極である。ウェハを気密筐体105に入れたり出したりできるようにスリット弁106が設けられている。ガスを筐体105に入れることができるように弁107も設けられている。
静電チャック110は陰極台111、下部誘電体層112、チャック電極113及び上部誘電体層114を含む。静電チャック110は単極型、双極型又は多極型チャックとすることができる。陰極台111は典型的には円形の平坦上面を有する。一つの実施例では、下部誘電体層112は台111の上面に接着され、チャック電極113は下部誘電体層112の上面に接着され、上部誘電体層114はチャック電極113の上面に接着される。
陰極台111は陰極基部135の上面に取り付けられるとともに、電気的に接続される。一つの実施例では、陰極基部135は中空アルミニウムであるが、陰極基部135は他の真空コンパチブル材料としてもよいことが理解されよう。図1において、陰極基部135は筐体105の底壁に電気絶縁性の環状フランジ147により取り付けられている。
チャック電極113はDC電圧源120に接続される。図1において、絶縁線122及び126がチャック電極113とDC電圧源120とを接続する。絶縁線126は点115でチャック電極113に取り付けられ、陰極台111の通孔125を通って延在し、フィードスルー絶縁体124を経て陰極基部135の底面から外に出る。絶縁線122はフィードスルー絶縁体124をフィルタ121に接続する。このフィルタ121は、例えばRF阻止用の低域通過フィルタとすることができ、DC電圧減120に接続される。
チャック110はチャック110の通孔144内を摺動するリフトピン142も備える。リフトピン142は、これらのリフトピン142を同時に上昇及び下降させるように構成されたキャリッジ140に設けられる。キャリッジ140は連結部149によりリフトアセンブリ146に連結される。リフトアセンブリ146は、連結部149を移動するように構成されたモータ(図示せず)とコントローラ(図示せず)を含んでいる。図示の実施例では、リフトピン142及びキャリッジ140は真空チャンバ100内の陰極基部135の内部にあるが、リフトアセンブリ146は真空チャンバの外にある。連結部149は、チャンバ100内の真空を維持しながら連結部149の移動を可能にするベローズ143を通過する。連結部149は絶縁体148を経て陰極基部135の底面から外に出る。一つの実施例では、ピン142はウェハ101をチャック110から約0.1mmから約5cmの間の任意の値又は範囲だけ持ち上げるように構成される。ピン142はウェハを0.1mm以下に又は5cm以上に持ち上げるようにしてもよいことは理解されよう。
動作中、ロボットアーム(図示せず)がウェハ100をスリット弁106からチャンバ100内に搬入する。ロボットはウェハ101をリフトピン142の先端上に置く。リフトアセンブリ146は次にリフトピン142を下降させて、ウェハ101をチャック110の上面の上に置く。次に、チャック電圧がウェハに供給され、プラズマが活性化されるか、プラズマが活性化され、チャック電圧が供給される。チャック電圧は、後続のプロセスステップ中ウェハの移動を阻止するのに最適な静電力をウェハとチャックとの間に発生させるために十分高い値に設定される。例えば、チャック電圧は約−5000Vから+5000Vの間の任意の値又は範囲(例えば、クーロン力チャックに対しては−5000Vから+5000V及びJR型チャックに対しては−1000Vから+1000Vなど)とすることができる。
ウェハ101がチャックされた後に、ウェハ上の膜の堆積又はエッチングなどの一つ以上の半導体製造プロセスステップがチャンバ100内で実行される。プラズマ103を使用するプロセスに対しては、RF電源150が陰極台111と接地された陽極105との間にRF電力を供給し、ウェハ101と陽極105との間の領域内にプラズマ103を励起する。別の実施例(図示せず)では、RF電源150がチャック電極113と接地された陽極105との間にRF電力を供給する。プラズマを励起するために複数のRF電源を用いてもよいことは理解されよう。一つの実施例では、第1のRF電源が第1の周波数で動作し、第2のRF電源が第2の周波数で動作するようにできる。これらのRF電源の周波数範囲は約100kHzから100MHzの間の任意の値又は範囲にすることができる。
プラズマ103はウェハ101と接地との間に導電通路を与える。しかし、電子と正イオンの移動度の差のために、プラズマシース104にDC電圧降下が生じ、ウェハ101は接地に対して負にバイアスされる。DC電圧源120によりチャック電極113に供給されるチャック電圧が正の場合、ウェハ101とチャック電極113との間の全電圧はウェハバイアス電圧とチャック用電源電圧との和である。従って、ウェハバイアスはウェハ101を保持する静電力を増大する。
半導体製造プロセスの終了後に、DC電圧源120は処理されたウェハを強くクランプする電圧を供給する。次にモータがリフトピン142を加圧位置まで第1の距離だけ上昇するように駆動される。第1の距離(即ち加圧位置)はウェハをチャックから除去しないでウェハに圧力を加えるのに十分な小距離(例えば1mmより著しく小さい)である。次にコントローラは、電圧源120により供給される電圧を調整しながら(例えば初期の強力クランプ電圧から徐々に減少させながら、リフトピンによりウェハに加えられる力を、例えばモータ電流を測定することによって測定する。モータ電流が安全値に到達するとき(ウェハをピンに対して保持する静電力が十分に低下又は除去されたことを意味する)、コントローラは電圧源120に、デチャック電圧に対応する固定値にあるその電圧を保持するように信号で伝える。
電圧源120の電圧がデチャック電圧にあるとき、リフトピン142は除去位置に上昇される。除去位置は、ロボットアームがウェハ101の下に滑り込み、ウェハ101を除去するのに十分な距離である。例えば、除去位置は1cmから5cmの間の任意の値又は範囲とすることができる。除去位置は1cm以下又は5cm以上にしてもよいことが理解されよう。ウェハが除去位置に上昇されるとき、ソースプラズマはチャック表面を放電するためにオンのままであり、ピンが除去位置に上昇されたときウェハ101がチャンバ100から除去される。
図2は本発明のいくつかの実施例による帰還及び制御システム200を示すブロック図である。帰還及び制御システム200は、コントローラ204、モータ208、リフトピン機構210及び電圧減212を含み、これらは静電チャック216に作用する。コントローラ204は互いに接続された少なくともプロセッサ220及びメモリ224を含む。
図2につき説明すると、コントローラ204はモータ208及び電圧源212と通信する。電圧源212は静電チャック216と通信し、静電チャック216に電圧を供給するように構成される。モータ208はリフトピン機構210に接続され、リフトピン機構210は静電チャック216に結合され、ウェハを静電チャック216に対して上昇及び下降させる。コントローラ204はウェハをチャック又はデチャックするようにモータ208及び電圧源212に信号を送るように構成される。
一つの実施例では、コントローラ204はウェハをチャックからデチャックするための所定の安全な電圧値(デチャック電圧)を決定するように構成される。一つの実施例では、プロセッサ220は所定の安全値を決定するプロセス(メモリ224に格納されている)を実行する。所定の安全値は一つの値又は値の範囲とすることができる。所定の安全値を決定するために、コントローラ204は、静電力が与えられないとき(即ちウェハのアンクランプ時)にウェハをチャックに対して持ち上げるのに必要とされる力を監視する。これは、例えばモータ電流又はモータトルクを測定することによって又は歪み計、圧電変換器などのような力センサを用いることによって行うことができる。モータ電流はモータトルクに比例することは理解されよう。従って、本明細書においては電流とトルクは交換可能に使用される。コントローラ204は、チャックに弱くクランプされた(例えば、低い静電力でクランプされた)ウェハを持ち上げるのに必要とされるモータ電流も監視する。コントローラ204によって、1つ以上の弱いクランプ値(例えばクーロン力チャックに対しては−1600V〜+1600V及びJRチャックに対しては−200〜+200V)において測定してもよいことは理解されよう。別の実施例では、コントローラ304はモータ電流を連続的に監視する。例えば、コントローラ204は、モータ電流を、ウェハをチャックから持ち上げることができない点からウェハを容易に持ち上げることができる点まで連続的に監視することができる。これらの測定値は(例えばメモリ224に)格納することができる。
コントローラ204は、次に、測定された値を分析してチャックからのウェハの安全な除去に対応するモータ電流値を決定する。例えば、所定の安全値は、アンクランプ値と弱いクランプ値の平均値、又はアンクランプ値から弱いクランプ値の範囲、又はアンクランプ値から弱いクランプ値の範囲の値又は加重値とすることができる。所定の安全値は、アンクランプ値又は弱いクランプ値のみ(即ち両値ではない)を用いて決定することもできることは理解されよう。また、所定の安全値は、アンクランプ値といくつかの弱いクランプ値又はウェハをチャックから持ち上げることができない値を考慮することによって決定することもできることは理解されよう。コントローラ204は、ウェハごとに、ウェハのバッチごとに、チャンバごとに、又はウェットクリーニング後に、又は乾燥後に、所定の安全デチャック値を決定することができる。
別の実施例では、コントローラ204は、例えばウェハに対するモータ電流又はトルク曲線を検査することにより最小モータ電流を決定することによって安全デチャック値を決定する。コントローラ204は、この最小値の考慮に加えて、この最小値が所定の経験的範囲内に含まれるか又はこの最小値が負であるかなどの別の変量も考慮することができる。コントローラ204は、更に又は代わりに、この最小値に対応する電圧が供給されるとともにリフトピンが中間位置(即ち加圧位置と除去位置の中間位置)まで少し上昇されたとき、電流が急上昇し、第2の最小値になるかどうかを決定することもできる。
上記の実施例の各々において、リフトピンは除去位置に上昇される前にデチャック位置に上昇されることが理解されよう。デチャック位置において、オペレータはウェハを視覚的に検査してウェハがデチャックされることを確かめることができ、また力(例えば電流)をモニタしてウェハを安全にデチャックすることができることを確かめることができる。ウェハが安全にデチャックされない場合には、ウェハを安全にデチャックする上述のプロセスを繰り返すことができ、またウェハを手動的にデチャックすることもできる。一例では、デチャック位置は約64000ある。しかし、デチャック位置は64000より少ないことも、多いいこともあることは理解されよう。
ウェハをデチャックするために、最初に、有意のチャック電圧を供給してウェハを実際にチャックし、ウェハが早まってデチャックされることがないようにすることができる。次に、コントローラ204がモータ208に、リフトピンを極めて小さい量(即ちウェハに圧力を与えるが実際にはチャックからウェハを持ち上げない量)だけ駆動するように指令する。コントローラ204は次に電圧源212に、電圧を所定の電圧範囲に亘ってスィープするように指令する。例えば、電圧範囲は−5000Vから+5000Vの範囲(例えばクーロン力チャックに対しては−5000V〜+5000V及びJR型チャックに対しては−1000V〜+1000V)とすることができる。しかし、この電圧範囲は任意の値又は値の範囲とすることができる。コントローラ204は、電圧源212により供給される電圧を調整しながら(例えばインクリメント的に増減しながら)モータ208のモータ電流を測定する。吸引力が低下するように電圧が調整されたとき、チャック力が低下し、リフトピンへの圧力が低下する。この圧力の低下はモータトルク、従って該モータトルクでモータを動作させるのに必要とされるモータ電流を低下する。
一つの実施例では、モータ電流が所定の安全値に到達するとき又は所定の安全値範囲内にあるとき、コントローラ204は電圧源212に、その電圧を固定値(即ち、デチャック電圧)として維持するように信号を送る。別の実施例では、モータ電流が最小値に到達するとき、コントローラ204は電圧源202に、その電圧を最小モータ電流値に対応する電圧(即ち、デチャック電圧)として維持するように信号を送る。この実施例では、コントローラ204は、更に、最小値のモータ電流が負であるか、最小値のモータ電流が所定の経験的範囲内にあるか、及び/又は、リフトピンが中間位置に上昇されたとき電流が急上昇し、その後第2の最小値になるかどうかを決定する。コントローラ204は、ウェハを安全にデチャックできることを決定する場合、リフトピンを除去位置へと駆動し続けるようにモータ208に信号を送る。
以上の説明では、コントローラ204はモータ電流を監視してウェハを安全にデチャックできるかどうかを決定しているが、コントローラ204はリフトピンにかかる力を他の方法で監視してもよいことは理解されよう。例えば、コントローラ204を、例えば歪み計、圧電変換器などの力センサに結合して、ウェハを安全にデチャックできるかどうかを上述した同じ方法で決定することができる。
図3はウェハの特性を決定するプロセス300を示す。以下に記載するプロセス300は単なる例示であり、もっと少数又は多数のステップを含んでもよく、これらのステップのいくつかの順序は下記の例と変えても良いことは理解されよう。
プロセス300は、ウェハプロセス(ブロック302)を随意に実行することによって開始することができる。プロセス300はリフトピン機構のモータ電流をモニタするステップ(ブロック304)及びデチャック電圧と対応するモータ電流を決定するステップ(ブロック308)によって続けられる。
リフトピン304のモータ電流のモニタリングは、クランプされてないウェハに対してモータ電流を測定すること及び軽くクランプされたウェハに対して種々のピン位置でモータ電流を測定するステップを含む(ブロック312)。デチャック電圧に対応するモータ電流は、デチャック電圧に対応するモータ電流値の一つの値又は範囲(即ち所定値)を決定することを含むことは理解されよう。モータ電流はいくつかの軽くクランプされた値で測定されてもよいことは理解されよう。軽くクランプされた値は、クーロン力チャックに対しては−1600Vと+1600Vとの間及びJR型チャックに対しては−200Vと+200Vとの間の任意の値又は範囲とすることができる。一つの例では、モータ電流は−1600V,−800V,−400V,−200V,−100V,0V,;100V,+200V,400V,+800V及び+1600Vで測定することができる。図3Aは、クランプされてないウェハ及び3000Vでチャックされたウェハに対する種々のピン位置(例えばピン下降位置、4ミル、8ミル、16ミル、32ミル及び再びピン下降位置)における代表的な電流対ピン位置曲線を示す。
これらの値に基づいてデチャック電圧と対応するモータ電流を決定することができる。例えば、デチャックモータ電流はクーロン力チャックに対しては−1600V〜+1600Vに対応するモータ電流の範囲内にすることができる。別の例では、デチャック電圧はモータ電流範囲内のモータ電流又は所定の安全モータ電流値範囲内の特定のモータ電流値に対応するものとすることができる。
別の実施例では、モータ電流はウェハをチャックから持ち上げることができない点からウェハをチャックから容易に持ち上げることができる点まで連続的にモニタする。デチャック電圧は、ウェハをチャックから持ち上げることができないときの対応モータ電流より小さく選択する。
例えば、図1及び図2につき説明すると、コントローラ204はウェハ101がクランプされていない状態及び軽くクランプされた状態でモータ208の電流を監視することができる。これらの値に基づいてコントローラ204はウェハ101の安全除去に対応するモータ電流を決定する。次にデチャック電圧を用いてウェハ101を静電チャック110から安全に除去することができる。
プロセス300はウェハ−ウェハ変化(ばらつき)を吸収するために各ウェハ又は各バッチのウェハに対して実行することができる。プロセス300は、チャンバごとの変化を吸収するために各チャンバに対して実行することもできる。また、プロセス300はチャンバの湿式クリーニング後ごとに、チャンバの乾燥後ごとに又は必要に応じ実行することもできる。
プロセス300は測定された値又は測定された値の範囲又は決定された値を記憶するステップを含むこともできる。例えば、測定された値又は値の範囲をメモリ224に記憶し、決定をプロセッサ220により行うことができる。
図4は静電チャックからウェハを安全に除去する詳細プロセス400を示す。以下に記載するプロセス400は単なる例示であり、もっと少数又は多数のステップを含んでもよく、これらのステップのいくつかの順序は下記の例と変えても良いことは理解されよう。
プロセス400は、ウェハプロセス(ブロック04)を実行することによって続けられる。例えば、堆積処理、エッチング処理などを処理チャンバ100内で実行することができる。一つの実施例では、プロセス400はウェハプロセスの終了時に背面ガス圧力を除去することによって随意に続けられる。
プロセス400は、ウェハをチャックに強くクランプすることによって続けられる(ブロック406)。例えば、ウェハは、チャックのタイプに応じて、約−5000Vから+5000Vの電圧を供給することによってチャックに強くクランプすることができる。ウェハは、除去プロセスの開始前に実際にチャックされるように強くクランプされる。
プロセス400は、リフトピンを加圧位置まで上昇させるステップによって続けられる(ブロック408)。例えば、ピンをウェハ101に圧力を与えるのに十分な第1の小距離(例えば1mmより著しく小さい)だけ上昇させることができる。加圧位置は、ピンが第1の小距離だけ上昇したときウェハをチャックから除去し得ない又は損傷し得ない十分に低い位置である。
プロセス400は、モータ電流を測定するステップによって続けられる(ブロック412)。例えば、コントローラ204はモータ208の電流を測定することができる。
プロセス400は、静電チャックに供給される電圧を、モータ電流が対応するデチャック値になるまで調整するステップによって続けられる(ブロック416)。モータ電流は、電圧を調整しながら測定される。例えば、コントローラ204は電圧源212に、その電圧をモータ電流が所定の値に到達するまで電圧範囲に亘ってスィープし、モータ電流が所定の値に到達したときその電圧を維持するように指令することができる。測定されるモータ電流が所定のモータ電流値に一致するとき(例えば、図3のプロセスで決定される)、その電圧が固定される。即ち、電圧源は電圧の調整を停止し、その電圧を測定される電流が所定のモータ電流値に一致するときの値に維持する。この電圧はデチャック電圧に対応する。
プロセス400は、モータ電流が所定の値になったときウェハを静電チャックから分離させるためにリフトピンを駆動するステップによって続けられ(ブロック420)、更にピンが除去位置に上昇する間チャック表面を放電させる(ブロック424)。例えば、モータ208はリフトピン144をウェハ101がチャック110から安全に除去できる位置まで上昇させることができる。チャック表面は、リフトピンが駆動され上昇している間、ソースプラズマを維持又は活性化することによって放電させることができる。放電プラズマ用のソースガスはウェハ処理用のソースガスと相違させることができる。
図5は静電チャックからウェハを安全に除去する詳細プロセス500を示す。以下に記載するプロセス500は単なる例示であり、もっと少数又は多数のステップを含んでもよく、これらのステップのいくつかの順序は下記の例と変えても良いことは理解されよう。
プラズマ500は、ウェハプロセスを実行するステップ(ブロック502)、ウェハを強くクランプするステップ(ブロック504)及びリフトピンを加圧位置へ駆動するステップ(ブロック508)によって開始される。
プロセス500は、電圧を傾斜変化させ、加圧位置でモータ電流を測定して最小値を決定するステップ(ブロック512)によって続けられる。例えば、電圧は+5000Vから−5000Vまで傾斜変化させることができる。電圧傾斜は、上述したように、チャックのタイプに応じて+5000V〜−5000Vより大きくしても小さくしてもよいことは理解されよう。
図5A−5Bは最小値を決定するために検討することができる代表的なモータ電流対電圧曲線を示す。図5A及び5Bに示されるように、ともに2500Vでチャックされた2つのウェハに対して、最小値は異なる電圧で生じる(即ち、デチャック電圧は同じ値でチャックされた2つのウェハに対して相違する)。図5Aでは、最小値は約0Vで生じ、図5Bでは最小値は−75Vで生じている。
プロセス500は、最小モータ電流に対応する電圧を供給するステップ(ブロック516)、ウェハを静電チャックから分離するためにリフトピンを(除去位置まで)駆動するステップ(ブロック520)、ピンが除去位置まで上昇される間チャック表面を放電させるステップ(ブロック524)によって続けられる。
図5においては、最小モータ電流における電圧がデチャック電圧であるが、最小値はデチャック電圧と必ずしも対応しない。したがって、安全除去プロセスは最小値が所定のデチャック電圧と一致するかを検証するステップを含むことができる。例えば、最小値を分析して、最小値が所定の経験的範囲内に入るかどうか(図6参照)、最小値が負値であるかどうか(図7参照)、中間位置で電流急上昇(スパイク)の後に第2の最小値を生じるかどうか(図8参照)など及びそれらの組み合わせ(図9参照)の決定を行うことができる。
図6は、静電チャックからウェハを安全に除去する詳細プロセス600を示す。以下に記載するプロセス600は単なる例示であり、もっと少数又は多数のステップを含んでもよく、これらのステップのいくつかの順序は下記の例と変えても良いことは理解されよう。
プロセス600は、ウェハプロセスを実行するステップ(ブロック602)、ウェハを強くクランプするステップ(ブロック604)、リフトピンを加圧位置まで駆動するステップ(ブロック608)及び図5につき上述したように、モータ電流最小値を決定するために電圧を傾斜変化させ、加圧位置でモータ電流を測定するステップ(ブロック612)を実行することによって開始される。
図6に示されるように、プロセス600は、最小値における電圧が所定の経験的範囲内に含まれるかどうかを決定するステップ(ブロック616)を実行する。一つの実施例では、所定の経験的範囲は図3につき上述したように決定される。最小値が経験的範囲に入らない場合には、プロセス600はブロック612に戻り、安全デチャック電圧が見つかるまで繰り返される。最小値が経験的範囲に入る場合には、プロセス600は、モータ最小電流においてデチャック電圧を供給するステップ(ブロック620)、静電チャックからウェハを分離するためにリフトピンを(除去位置まで)駆動するステップ(ブロック624)及びピンが除去位置まで上昇される間チャック表面を放電させるステップ(ブロック628)が続く。
最小値が経験的範囲に入らない場合にはプロセス600が永久に繰り返される状態になるかもしれないことは理解されよう。このような実施例では、コントローラ204は、ウェハを手動的にデチャックすべき指示をユーザに与えることができる。
図7は、静電チャックからウェハを安全に除去する詳細プロセス700を示す。以下に記載するプロセス700は単なる例示であり、もっと少数又は多数のステップを含んでもよく、これらのステップのいくつかの順序は下記の例と変えても良いことは理解されよう。
プロセス700は、ウェハプロセスを実行するステップ(ブロック702)、ウェハを強くクランプするステップ(ブロック704)、リフトピンを加圧位置まで駆動するステップ(ブロック708)及び図5につき上述したように、モータ電流最小値を決定するために電圧を傾斜変化させ、加圧位置でモータ電流を測定するステップ(ブロック712)を実行することによって開始される。
プロセス700は、最小モータ電流が負であるかどうかを決定するステップ(ブロック716)を実行する。リフトピン機構にベローズ構成を有する真空チャンバにおいては、ベローズ構成に作用する真空力がモータに対抗する力を与え得る。(即ち、真空力又はベローズのばね力はピンを上昇位置へ引き込もうとし、モータはピンを下降位置に維持するためにこれらの力に対抗するトルクを供給しなければならない。)それゆえ、特定の構成に応じて、ピンを下降させるとき、モータは実際にはベローズの上向きの力に対抗するトルクを受ける。これらの実施例では、最小電流が負である場合、その負電流は、ベローズがリフトピン機構を引っ張り、ベローズに対抗するチャックへの静電力がないことを示す。従って、ウェハは電流が最小値で負の場合にデチャックされる。電流が負でない場合には、プロセス700はブロック712に戻り、ウェハがデチャックされるまで繰り返される。電流が負の場合には、プロセス700は、最小値における電圧を供給するステップ(ブロック720)、静電チャックからウェハを分離するためにリフトピンを(除去位置まで)駆動するステップ(ブロック724)及びピンが除去位置まで上昇される間チャック表面を放電させるステップ(ブロック728)を続けて実行する。
最小値が負の最小値に対応しない場合にはプロセス700が永久に繰り返される状態になるかもしれないことは理解されよう。このような実施例では、コントローラ204は、ウェハを手動的にデチャックすべき指示をユーザに与えることができる。
図8は、静電チャックからウェハを安全に除去する詳細プロセス800を示す。以下に記載するプロセス800は単なる例示であり、もっと少数又は多数のステップを含んでもよく、これらのステップのいくつかの順序は下記の例と変えても良いことは理解されよう。
プロセス800は、ウェハプロセスを実行するステップ(ブロック802)、ウェハを強くクランプするステップ(ブロック804)、リフトピンを加圧位置まで駆動するステップ(ブロック808)及び図5につき上述したように、モータ電流最小値を決定するために電圧を傾斜変化させ、加圧位置でモータ電流を測定するステップ(ブロック812)を実行することによって開始される。
プロセス800は、続いて、最小値における電圧を供給し、ピンを中間位置まで上昇させるステップ(ブロック816)を実行する。例えば、中間位置は約0.5mm〜1.6mmの間の任意の値又は範囲とすることができる。ピンは0.5mmより小さく又は1.6mmより大きく上昇させてもよいことは理解されよう。プロセス800は、続いて、ピンの上昇時に電流を測定してモータ電流のスパイク(急上昇)を識別するステップ(ブロック820)、モータ電流スパイクの後に第2の最小値が続くかどうかを決定するステップ(ブロック824)を実行する。モータ電流が急上昇しないで第2の最小値に戻る場合には、プロセス800はブロック812に戻り、ウェハがデチャックされるまで繰り返される。モータ電流が急上昇してから第2の最小値に戻る場合には、プロセス800は、続いて、静電チャックからウェハを分離するためにリフトピンを(除去位置まで)駆動するステップ(ブロック828)及びピンが除去位置まで上昇される間チャック表面を放電させるステップ(ブロック832)を実行する。
モータ電流が急上昇するとき、ウェハが実際にデチャックされている場合にはモータ電流は第2の最小モータ電流値に戻ることは理解されよう。ウェハが実際にデチャックされていない場合には、モータ電流は急上昇し、高い値にとどまる。モータ電流が急上昇後に第2の最小値に戻らない場合には、このプロセスを始めから繰り返させることができ、またこのプロセスを完全に停止させてウェハを手動的に除去できるようにすることができる。
典型的には、中間位置における第2の最小値は加圧位置における最小値と相違する。第2の最小値は、中間位置において、第2の最小値を図3Aにつき説明した図3の特性決定プロセスで決定される所定の安全値と比較することによって検証することもできる。例えば、リフトピンが中間位置で32ミルまで上昇される場合には、中間位置における最小値をアンクランプウェハに対する32ミル位置におけるモジュール電流値と比較することができる。第2の最小値がアンクランプモータ電流値の所定のパーセンテージ(即ち経験的範囲)内に入る場合には、リフトピンは静電チャックからウェハを分離するために(除去位置まで)駆動される。そうでなければ、プロセスを再び繰り返すか、チャックを手動的にデチャックすることができる。
ピンが中間位置に上昇された後に、第1の最小値の後に第2の最小値が続かない場合にはプロセス800が永久に繰り返される状態になるかもしれないことは理解されよう。このような実施例では、コントローラ204は、ウェハを手動的にデチャックすべき指示をユーザに与えることができる。
図9は、静電チャックからウェハを安全に除去する詳細プロセス900を示す。以下に記載するプロセス900は単なる例示であり、もっと少数又は多数のステップを含んでもよく、これらのステップのいくつかの順序は下記の例と変えても良いことは理解されよう。
プロセス900は、ウェハプロセスを実行するステップ(ブロック902)、ウェハを強くクランプするステップ(ブロック904)、リフトピンを加圧位置まで駆動するステップ(ブロック908)及び図5につき上述したように、モータ電流最小値を決定するために電圧を傾斜変化させ、加圧位置でモータ電流を測定するステップ(ブロック912)を実行することによって開始される。
プロセス900は、続いて、図6及び図7につき上述されている、最小値におけるモータ電流が負であるかどうか又は所定の経験的範囲内にあるかどうかを決定するステップ(ブロック916)を実行する。ノーの場合には、プロセスはブロック912に戻る。イエスの場合には、プロセス900は、続いて、モータ最小電流においてデチャック電圧を供給するステップ(ブロック920)、リフトピンを中間位置まで上昇させ、モータ電流を測定してモータ電流スパイク(急上昇)を識別するステップ(ブロック924)、及び図3A及びず8につき上述されている、モータ電流が急上昇し第2のモータ電流最小値に戻るかどうかを決定するステップ(ブロック928)を実行する。ノーの場合にはプロセス900はブロック912に戻り、ウェハがデチャックされるまで繰り返される。イエスの場合には、プロセス900は、続いて、静電チャックからウェハを分離するためにリフトピンを(除去位置まで)駆動するステップ(ブロック932)及びピンが除去位置まで上昇される間チャック表面を放電させるステップ(ブロック936)を実行する。
最小値が経験的範囲に入らない又は負でない場合、又は最小値に続いてピンの中間位置への上昇後に第2の最小値が生じない場合には、プロセス900が永久に繰り返される状態になるかもしれないことは理解されよう。このような実施例では、コントローラ204は、ウェハを手動的にデチャックすべき指示をユーザに与えることができる。
図4−図9につき上述した実施例の各々において、リフトピンは除去位置に上昇する前にデチャック位置に上昇できることが理解されよう。デチャック位置において、オペレータはウェハを視覚的に検査してウェハがデチャックされるか確かめることができ、また力(電流)を監視してウェハを安全にデチャックできるか確かめることができる。ウェハを安全にデチャックできない場合には、ウェハを安全にデチャックする上述のプロセスを繰り返すことができ、またウェハを手動的にデチャックすることができる。一例では、デチャック位置は約64000ある。しかし、デチャック位置は64000より少数であっても多数であってもよい。
図4−図9について上述した実施例は電流をモニタしてウェハを安全にデチャックできるか決定しているが、リフトピンへの力を他の方法で監視してもよい。例えば、ひずみ計、圧電変換器などのような力センサを用い、図4−図9につき記載した同じ方法で、ウェハを安全にデチャックできるか決定することができる。
ここに記載するプロセス及び技術は任意の特定の装置に本質的に関連し、任意の適切なコンポーネントの組み合わせで実現できることを理解されたい。更に、ここに記載する技術に従って種々のタイプの汎用デバイスを使用することができる。本発明は特定の実施例について記載されているが、これらの実施例はすべての点で限定のためではなく例示のためある。当業者は、本発明の実施に適切な多くの異なる組み合わせがあることを理解されよう。
更に、本明細書及びこれに開示された本発明の実施例の考察から本発明の他の多くの実施例が問う業者に明らかになるだろう。記載されている実施例の種々の特徴及び/又はコンポーネントは単独で又は任意の組み合わせで使用することができる。明細書及び開示の実施例は単なる例示を目的としており、本発明の真の範囲及び精神は次の特許請求の範囲により特定される。

Claims (44)

  1. 静電チャックと、
    ウェハを前記静電チャックに対して移動させるリフトピンと、
    ウェハを前記静電チャックに対して移動させるために前記リフトピンを移動させるべく、前記リフトピンと結合され、モータ電流で駆動されるモータと、
    前記静電チャックと結合され、前記静電チャックに電圧を供給する電圧源と、
    前記リフトピンにかかる力を測定し、前記静電チャックに供給される電圧を調整するように前記電圧源に信号し、前記静電チャックに供給される前記電圧を、前記リフトピンにかかる測定された力がデチャック力と対応する点で固定するように前記電圧源に信号するコントローラと、
    を備える基板処理システム。
  2. 前記コントローラは前記モータ電流を測定することによって前記リフトピンにかかる力を測定するように構成されている、請求項1記載の基板処理システム。
  3. 前記コントローラは、前記測定されたモータ電流からモータトルクを決定するように構成されている、請求項2記載の基板処理システム。
  4. 前記コントローラは、スィープ電圧を供給することによって前記電圧を調整するように構成されている、請求項1記載の基板処理システム。
  5. 前記スィープ電圧は約−5000Vから+5000Vの間である、請求項4記載の基板処理システム。
  6. 前記コントローラは、処理チャンバ内でのウェハの処理の終了後に、前記リフトピンを加圧位置まで上昇させるように前記モータに信号するように構成されている、請求項1記載の基板処理システム。
  7. 前記静電チャックは、単極静電チャック、2極静電チャック又は多極静電チャックからなる群から選ばれる、請求項1記載の基板処理システム。
  8. 前記コントローラは、力センサを用いて前記リフトピン機構にかかる力を測定するように構成されている、請求項1記載の基板処理システム。
  9. 静電チャックからウェハを除去するために、
    リフトピン機構にかかる力をモニタするステップと、
    前記力に基づいてデチャック電圧を決定するステップと、
    前記ウェハを前記デチャック電圧でデチャックするステップと、
    を備える、静電チャックからウェハを除去する方法。
  10. 前記リフトピン機構にかかる力をモニタするステップはモータトルクをモニタするステップを備え、前記力に基づいてデチャック電圧を決定するステップは前記モータトルクに基づいてデチャック電圧を決定するステップを備える、請求項9記載の方法。
  11. 前記ウェハをデチャック電圧でデチャックするステップは、静電チャックに供給されるスィープ範囲の電圧を供給し、前記モータトルクがデチャック電圧に対応する値にあるとき、前記電圧をデチャック電圧に固定するステップを備える、請求項9記載の方法。
  12. 前記ウェハをデチャック電圧でデチャックするステップは、前記リフトピン機構をモータで駆動するステップを備える、請求項9記載の方法。
  13. 前記力をモニタするステップは、モータ電流を測定するステップを備える、請求項9記載の方法。
  14. 前記リフトピン機構と結合されたコントローラを、クランプされてないウェハに対して力をモニタすることによって校正するステップを更に備える、請求項9記載の方法。
  15. 前記リフトピン機構と結合されたコントローラを、軽くクランプされたウェハに対して力をモニタすることによって校正するステップを更に備える、請求項9記載の方法。
  16. 前記モータトルクをモニタするステップは、最小モータ電流を決定するステップを備える、請求項10記載の方法。
  17. 前記電圧を調整するステップは、前記最小モータ電流に対応する電圧を供給するステップを備える、請求項16記載の方法。
  18. 前記電圧を調整するステップは、前記最小モータ電流が所定の経験的範囲内にある場合に前記最小モータ電流に対応する電圧を供給するステップを備える、請求項16記載の方法。
  19. 前記電圧を調整するステップは、前記最小モータ電流が負である場合に前記最小モータ電流に対応する電圧を供給するステップを備える、請求項16記載の方法。
  20. 前記電圧を調整するステップは、前記最小モータ電流に対応する電圧を供給するステップを備え、前記方法は、更に、
    前記リフトピンを中間位置に駆動するステップと、
    リフトピンが駆動されたとき、モータ電流をモニタしてスパイクの発生に続く第2の最小モータ電流を決定するステップと、
    前記スパイクの発生後に第2の最小モータ電流が続く場合に前記リフトピンを除去位置へ駆動するステップと、
    を備える、請求項16記載の方法。
  21. 前記第1及び第2の最小モータ電流が所定の経験的範囲内に入るかどうかを決定するステップを更に備える、請求項20記載の方法。
  22. 前記第1及び第2の最小モータ電流が負であるかどうかを決定するステップを更に備える、請求項20記載の方法。
  23. 前記リフトピン機構にかかる力は力センサを用いてモニタする、請求項16記載の方法。
  24. 前記ウェハをデチャックするステップは、前記チャック表面を放電するステップを備える、請求項16記載の方法。
  25. 静電チャックからウェハをデチャックするために、
    リフトピンと結合されたモータのモータ電流をモニタするステップと、
    前記静電チャックに供給される電圧を前記モータ電流に基づいてデチャック値に調整するステップと、
    前記電圧が調整されたとき、前記静電チャックからウェハを分離するために前記リフトピンを除去位置に駆動するステップと、
    を備える、静電チャックからウェハを除去する方法。
  26. 前記モータ電流をモニタする前に前記リフトピンを加圧位置に上昇させるステップを更に備える、請求項25記載の方法。
  27. 前記静電チャックに供給される電圧をある電圧範囲に亘ってスィープさせるステップを更に備える、請求項26記載の方法。
  28. 前記電圧範囲は約−5000V〜+5000Vの間である、請求項27記載の方法。
  29. 所定の電流値を決定するためにウェハの特性を決定するステップを更に備える、請求項25記載の方法。
  30. 前記所定の値は値の範囲を備える、請求項29記載の方法。
  31. 前記所定の値を決定するステップは、クランプされてないウェハに対してモータ電流を測定するステップと、軽くクランプされたウェハに対してモータ電流を測定するステップとを備える、請求項29記載の方法。
  32. 前記モータ電流をモニタするステップは、最小モータ電流を決定するステップを備える、請求項25記載の方法。
  33. 前記電圧を調整するステップは、前記最小モータ電流に対応する電圧を供給するステップを備える、請求項32記載の方法。
  34. 前記電圧を調整するステップは、前記最小モータ電流が所定の経験的範囲内にある場合に、前記最小モータ電流に対応する電圧を供給するステップを備える、請求項32記載の方法。
  35. 前記電圧を調整するステップは、前記最小モータ電流が負である場合に、前記最小モータ電流に対応する電圧を供給するステップを備える、請求項32記載の方法。
  36. 前記電圧を調整するステップは、前記最小モータ電流に対応する電圧を供給するステップを備え、前記方法は更に、
    前記リフトピンを中間位置に駆動するステップと、
    前記リフトピンが駆動されたとき、前記モータ電流をモニタしてスパイクの発生に続く第2の最小モータ電流を決定するステップと、
    前記スパイクの発生後に第2の最小モータ電流が続く場合に前記リフトピンを除去位置へ駆動するステップと、
    備える、請求項32記載の方法。
  37. 前記第1及び第2の最小モータ電流が所定の経験的範囲内に入るかどうかを決定するステップを更に備える、請求項36記載の方法。
  38. 前記第1及び第2の最小モータ電流が負であるかどうかを決定するステップを更に備える、請求項36記載の方法。
  39. 前記チャック表面を放電するステップを更に備える、請求項25記載の方法。
  40. クランプされてないウェハに対してリフトピン機構にかかる力を測定するステップと、
    前記クランプされてないウェハに対して測定された力を記憶するステップと、
    低い電圧でクランプされたウェハに対して前記リフトピン機構にかかる力を測定するステップと、
    前記低い電圧でクランプされたウェハに対して測定された力を記憶するステップと、
    を備える方法。
  41. 前記リフトピン機構にかかる力を測定するステップは、モータ電流を測定するステップを備える、請求項40記載の方法。
  42. 前記リフトピン機構にかかる力を測定するステップは、複数のリフトピン機構のモータ電流を測定するステップを備える、請求項40記載の方法。
  43. 前記リフトピン機構にかかる力を測定するステップは、複数の低い電圧でクランプされたウェハに対して複数のモータ電流を測定するステップを備える、請求項40記載の方法。
  44. 前記リフトピン機構にかかる力を測定するステップは、前記力を力センサ用いて測定するステップを備える、請求項40記載の方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9544962B2 (en) 2011-08-01 2017-01-10 Philips Lighting Holding B.V. Driver device and driving method for driving an LED unit
KR20190026604A (ko) * 2017-09-04 2019-03-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치
JP2022514078A (ja) * 2018-12-20 2022-02-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. オブジェクトテーブル
KR20220133843A (ko) * 2019-12-30 2022-10-05 세메스 주식회사 기판 리프팅 방법 및 기판 처리 장치

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201005825A (en) * 2008-05-30 2010-02-01 Panasonic Corp Plasma processing apparatus and method
US8313612B2 (en) * 2009-03-24 2012-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking
CN101872733B (zh) * 2009-04-24 2012-06-27 中微半导体设备(上海)有限公司 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法
US9767988B2 (en) 2010-08-29 2017-09-19 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
US9287092B2 (en) 2009-05-01 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for controlling ion energy distribution
US9287086B2 (en) 2010-04-26 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution
US11615941B2 (en) 2009-05-01 2023-03-28 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems
US9435029B2 (en) * 2010-08-29 2016-09-06 Advanced Energy Industries, Inc. Wafer chucking system for advanced plasma ion energy processing systems
US20100326602A1 (en) * 2009-06-30 2010-12-30 Intevac, Inc. Electrostatic chuck
US8797705B2 (en) * 2009-09-10 2014-08-05 Lam Research Corporation Methods and arrangement for plasma dechuck optimization based on coupling of plasma signaling to substrate position and potential
US20110060442A1 (en) * 2009-09-10 2011-03-10 Valcore Jr John C Methods and arrangement for detecting a wafer-released event within a plasma processing chamber
US9309594B2 (en) 2010-04-26 2016-04-12 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution of a projected plasma
US9362089B2 (en) 2010-08-29 2016-06-07 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
US9210790B2 (en) 2012-08-28 2015-12-08 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for calibrating a switched mode ion energy distribution system
KR102025540B1 (ko) 2012-08-28 2019-09-26 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 넓은 다이내믹 레인지 이온 에너지 바이어스 제어; 고속 이온 에너지 스위칭; 이온 에너지 제어와 펄스동작 바이어스 서플라이; 및 가상 전면 패널
US9685297B2 (en) 2012-08-28 2017-06-20 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for monitoring faults, anomalies, and other characteristics of a switched mode ion energy distribution system
US9108322B2 (en) * 2013-04-29 2015-08-18 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Force sensing system for substrate lifting apparatus
JP6312405B2 (ja) * 2013-11-05 2018-04-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR101632606B1 (ko) * 2014-12-30 2016-06-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10804821B2 (en) * 2016-11-04 2020-10-13 Advanced Ion Beam Technology, Inc. Apparatus and method for monitoring the relative relationship between the wafer and the chuck
EP3450809A1 (de) * 2017-08-31 2019-03-06 VAT Holding AG Verstellvorrichtung mit spannzangenkupplung für den vakuumbereich
CN111788655B (zh) 2017-11-17 2024-04-05 先进工程解决方案全球控股私人有限公司 对等离子体处理的离子偏置电压的空间和时间控制
JP7235761B2 (ja) 2017-11-17 2023-03-08 エーイーエス グローバル ホールディングス, プライベート リミテッド プラズマ処理源および基板バイアスの同期パルス化
KR20200100643A (ko) 2017-11-17 2020-08-26 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 플라즈마 프로세싱 시스템에서 변조 공급기들의 개선된 적용
CN110277328B (zh) * 2018-03-15 2021-08-13 北京北方华创微电子装备有限公司 晶片脱附的方法、装置及半导体处理设备
CN108962794B (zh) * 2018-07-20 2020-08-21 北京北方华创微电子装备有限公司 一种升针方法及应用其的顶针升降装置
KR102451031B1 (ko) * 2018-07-30 2022-10-06 아루박 테크노 가부시키가이샤 기판 리프트 장치 및 기판 반송 방법
US11430688B2 (en) 2018-09-04 2022-08-30 Lam Research Corporation Two-stage pin lifter for de-chuck operations
US10546731B1 (en) * 2018-10-05 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Method, apparatus and system for wafer dechucking using dynamic voltage sweeping
US11171030B2 (en) * 2019-05-06 2021-11-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for dechucking wafers
KR102640172B1 (ko) 2019-07-03 2024-02-23 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이의 구동 방법
US11887812B2 (en) 2019-07-12 2024-01-30 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply with a single controlled switch
KR102299888B1 (ko) * 2019-10-11 2021-09-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
DE102019007194A1 (de) * 2019-10-16 2021-04-22 Vat Holding Ag Verstellvorrichtung für den Vakuumbereich mit Druckmessfunktionalität
DE102019008104A1 (de) * 2019-11-21 2021-05-27 Vat Holding Ag Verfahren zur Überwachung, Positionsbestimmung und Positionierung eines Stiffthubsystems
US11798833B2 (en) * 2020-02-26 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Methods of use of a servo control system
US11607716B1 (en) * 2020-06-23 2023-03-21 Kla Corporation Systems and methods for chuck cleaning
KR102396431B1 (ko) * 2020-08-14 2022-05-10 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
US11862507B2 (en) * 2020-11-25 2024-01-02 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Robot system, and slip determination method
US11694869B2 (en) * 2020-12-08 2023-07-04 Applied Materials Israel Ltd. Evaluating a contact between a wafer and an electrostatic chuck
US20220216079A1 (en) * 2021-01-07 2022-07-07 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for wafer detection
CN113903688A (zh) * 2021-09-29 2022-01-07 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及晶圆状态监测方法
US11942309B2 (en) 2022-01-26 2024-03-26 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply with resonant switching
US11670487B1 (en) 2022-01-26 2023-06-06 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply control and data processing
US11978613B2 (en) 2022-09-01 2024-05-07 Advanced Energy Industries, Inc. Transition control in a bias supply

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5644467A (en) 1995-09-28 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Method and structure for improving gas breakdown resistance and reducing the potential of arcing in a electrostatic chuck
US5720818A (en) 1996-04-26 1998-02-24 Applied Materials, Inc. Conduits for flow of heat transfer fluid to the surface of an electrostatic chuck
US6108189A (en) 1996-04-26 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved gas conduits
TW334609B (en) * 1996-09-19 1998-06-21 Hitachi Ltd Electrostatic chuck, method and device for processing sanyle use the same
US6572814B2 (en) 1998-09-08 2003-06-03 Applied Materials Inc. Method of fabricating a semiconductor wafer support chuck apparatus having small diameter gas distribution ports for distributing a heat transfer gas
US6500299B1 (en) 1999-07-22 2002-12-31 Applied Materials Inc. Chamber having improved gas feed-through and method
US6370006B1 (en) 2000-02-17 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a plurality of gas inlet channels
US6581275B2 (en) 2001-01-22 2003-06-24 Applied Materials Inc. Fabricating an electrostatic chuck having plasma resistant gas conduits
US6646857B2 (en) * 2001-03-30 2003-11-11 Lam Research Corporation Semiconductor wafer lifting device and methods for implementing the same
US6490145B1 (en) 2001-07-18 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Substrate support pedestal
JP2003110012A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Nissin Electric Co Ltd 基板保持方法およびその装置
US6660665B2 (en) * 2002-05-01 2003-12-09 Japan Fine Ceramics Center Platen for electrostatic wafer clamping apparatus
US7292428B2 (en) * 2005-04-26 2007-11-06 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with smart lift-pin mechanism for a plasma reactor
US7995323B2 (en) * 2008-07-14 2011-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for securely dechucking wafers

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9544962B2 (en) 2011-08-01 2017-01-10 Philips Lighting Holding B.V. Driver device and driving method for driving an LED unit
KR20190026604A (ko) * 2017-09-04 2019-03-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치
JP2019046997A (ja) * 2017-09-04 2019-03-22 東京エレクトロン株式会社 脱離制御方法及びプラズマ処理装置
US11037815B2 (en) 2017-09-04 2021-06-15 Tokyo Electron Limited Dechuck control method and plasma processing apparatus
JP7138418B2 (ja) 2017-09-04 2022-09-16 東京エレクトロン株式会社 脱離制御方法及びプラズマ処理装置
KR102526304B1 (ko) * 2017-09-04 2023-04-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치
JP2022514078A (ja) * 2018-12-20 2022-02-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. オブジェクトテーブル
US11637512B2 (en) 2018-12-20 2023-04-25 Asml Netherlands B.V. Object table comprising an electrostatic clamp
JP7362741B2 (ja) 2018-12-20 2023-10-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. オブジェクトテーブル
KR20220133843A (ko) * 2019-12-30 2022-10-05 세메스 주식회사 기판 리프팅 방법 및 기판 처리 장치
KR102607731B1 (ko) 2019-12-30 2023-11-29 세메스 주식회사 기판 리프팅 방법 및 기판 처리 장치

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