KR20070054312A - 반도체 식각설비 - Google Patents

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KR20070054312A
KR20070054312A KR1020050112178A KR20050112178A KR20070054312A KR 20070054312 A KR20070054312 A KR 20070054312A KR 1020050112178 A KR1020050112178 A KR 1020050112178A KR 20050112178 A KR20050112178 A KR 20050112178A KR 20070054312 A KR20070054312 A KR 20070054312A
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Abstract

본 발명은 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 식각설비를 개시한다. 그의 설비는, 외부로부터 밀폐된 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 상부에서 반응가스를 분사하는 샤워헤드; 상기 샤워헤드에 대향하는 상기 챔버의 하단에서 웨이퍼를 안착시키고, 상기 웨이퍼 후면에서 인접하는 다중 전극에 직류전압을 인가하여 상기 웨이퍼를 고정시키는 정전척; 상기 정전척의 하부 또는 상기 샤워헤드의 상부에서 고주파 전원전압이 인가되어상기 챔버 내에 충만되는 반응가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 전극; 상기 플라즈마 상태의 반응가스에서 발광되는 가시광을 수광하여 상기 반응가스에 의해 식각되는 상기 웨이퍼의 식각 정도를 검출하는 식각종말점 감지기; 및 상기 식각종말점 감지기에서 출력되는 감지신호를 입력받아 상기 챔버에서 식각되는 상기 웨이퍼의 식각상태를 판단하고, 상기 웨이퍼의 식각상태가 불량이면 상기 웨이퍼 식각상태가 불량인 부분에 대응되는 상기 다중 전극에 상기 척킹전압을 조절하여 인가하는 제어부를 포함하여 이루어진다.
챔버(chamber), 정전척(ESC), 식각(etching), 플라즈마(plasma), 식각종말점(EPD)

Description

반도체 식각설비{Equipment for etching semiconductor device}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 식각설비를 개략적으로 나타낸 구조단면도.
도 2는 도 1의 정전척을 나타내는 단면도.
도 3은 도 1의 정전척의 다중 전극을 나타내는 평면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
100 : 챔버 112 : 샤워헤드
114 : 정전척 116 : 하부전극
120 : 식각종말점 감지기 122 : 식각감지 제어부
124 : 척킹 제어부
본 발명은 반도체 식각설비에 관한 것으로, 상세하게는 정전척 상에서 고정되는 웨이퍼의 식각특성을 개선시킬 수 있는 반도체 식각설비에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 기술은 크게 웨이퍼 상에 가공막을 형성하는 증착(deposition) 공정과, 상기 증착공정으로 형성된 가공막 상에 피가공막을 형성하여 식각하는 공정을 포함한 포토리소그래피(photolithography) 공정으로 이루어진다.
이와 같은 증착 공정과 식각 공정은 챔버내에 충만한 불활성 기체 및 반응가스에 RF(Radio Frequency)의 높은 전압을 인가하여 상기 반응가스를 플라즈마(plasma) 상태로 만들고, 상기 플라즈마 상태의 반응가스에 상기 웨이퍼를 노출시켜 상기 가공막을 형성하거나, 상기 피가공막을 식각하는 반도체 제조설비에 의해 이루어진다.
이와 같은 반도체 제조설비는 상기 공정 중에 반도체 기판이 움직이거나 오정렬되는 것을 방지하기 위해서, 웨이퍼를 지지 또는 잡아두기 위한 척들 (chucks)이 사용된다. 일반적으로 반도체 장비 중 기판의 홀딩은 메카니컬 클램프(mechanical clamp)방식이 많이 이용되며, 그러나 최근에는 파티클(particle)과 공정의 단일성 (uniformity)이 우수한 정전척(ElectroStatic Chuck;ESC)의 사용이 급증하고 있다. 특히 고밀도 플라즈마 식각 및 증착을 위한 장비로써 정전척의 사용이 일반화되고 있다. 웨이퍼를 잡아두기 위해 정전기 인력 (electrostatic attraction forces)을 사용하는 정전척들은 다른 형태의 척들 (예를 들면, 기계척 그리고 진공척)에 비해 몇몇 이점들을 갖는다. 그러한 이점들 중 하나로서, 정전척들은 메카니컬 클램프들 (mechanical clamps)에 의해서 종종 생기는 스트레스에 관련된 크랙 (stress-related cracks)을 줄일 수 있다. 그러한 정전척들이 'ELECTROSTATIC CHUCK'라는 제목으로 U.S. Patent No. 4,665,463에, 'METHOD OF AND APPARATUS FOR APPLYING VOLTAGE TO ELECTROSTATIC CHUCK'라는 제목으로 U.S. Patent No. 5,117,121에, 그리고 'ELECTROSTATIC CHUCK HAVING A THERMAL TRANSFER REGULATED PAD'라는 제목으로 U.S. Patent No. 5,978,202에 각각 게재되어 있다.
정전척은 상기 플라즈마 반응을 유도하기 위한 플라즈마 전극 상부에서 유전 물질 (dielectric material)로 구성된 척바디(chuck body) 또는 시트 (sheet) 내에 내장된 적어도 하나이상의 전극들을 포함한다. 그리고, 웨이퍼와 같은 가공품이 상기 정전척 상에 놓인다. 상기 전극에 척킹 전압이 인가될 때, 정전척은 존슨-라벡 효과 (Johnsen-Rahbek effect)에 따라 상기 웨이퍼를 정전기적으로 끌어당겨 상기 웨이퍼를 척킹(chucking)한다. 따라서, 상기 척바디 또는 시트에 내장되는 전극이 단일 전극(unipolar electrode)일 경우, 상기 플라즈마 전극과 소정의 전위차를 갖도록 제어되어야 한다. 그러나, 단일 전극은 상기 플라즈마 전극에서의 고주파 전원전압이 인가될 경우에 한에서 상기 정전척 상에 웨이퍼가 고정될 수 있고, 상기 고주파 전원전압에 의해 유도되는 반응가스의 플라즈마 반응에 영향을 많이 미치기 때문에 그 이용도가 줄어들고 있는 추세에 있다.
따라서, 상기 단일 전극을 대체하여 이중 전극(bipolar electrode), 삼중 전극(tripolar electrode)과 같은 다중 전극의 활용도가 높아지고 있다. 이와 같이 정전척의 척킹전압이 인가되는 전극이 다중 전극으로 구성될 경우, 서로 인접하는 전극에서 전위차를 갖도록 제어된다. 이때, 상기 전극에 일정 크기의 척킹전압이 인가되면 상기 웨이퍼는 상기 정전척을 통해 인가되는 전압에 의해 정전기적으로 대전된다.
한편, 반응가스로 충만된 반응 챔버의 플라즈마 전극에 고주파 전원전압이 인가되면 상기 반응가스가 플라즈마 상태를 갖고 상기 웨이퍼 표면이 식각된다. 이때, 상기 반응 챔버의 측면에 형성된 포트를 통해 상기 반응 챔버의 내부로 유입되어 상기 플라즈마 상태의 반응가스에서 발광되는 가시광을 수집하여 상기 웨이퍼 표면의 식각 상태를 감지하는 식각종말점 감지기가 형성되어 있다.
따라서, 종래 기술에 따른 반도체 식각설비의 제어부는 식각종말점 감지기에서 출력되는 감지신호를 입력받아 상기 반응 챔버 내부에서 식각되는 웨이퍼 식각공정을 제어토록 할 수 있다. 이때, 상기 제어부는 상기 반응 챔버의 내부에서 상기 웨이퍼 표면 식각상태가 불균일하게 수행되는 것으로 판단될 경우, 상기 웨이퍼의 식각공정을 더 이상 수행치 못하도록 상기 플라즈마 전극 및 정전척으로 상기 고주파 전원전압 및 척킹 전압이 인가되지 못하도록 인터락 제어신호를 출력한다.
하지만, 종래 기술에 따른 반도체 식각설비는 다음과 같은 문제점이 있었다.
종래 기술의 반도체 식각설비는 식각종말점 감지기에서 감지된 웨이퍼의 식각 상태가 불균일한 것으로 판단될 경우, 상기 웨이퍼의 식각공정을 더 이상 수행치 못하고 식각공정을 종료해야만 함으로 해당 웨이퍼의 식각공정 불량을 야기시키기 때문에 생산수율이 줄어드는 단점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 식각종말점 감지기에서 감지된 웨이퍼의 식각 상태가 불균일한 것으로 판단되더라도, 해당 웨이퍼의 식각공정을 정상적으로 완료토록 하여 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 식각설비를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양상(aspect)에 따른 반도체 식각설비는, 외부로부터 밀폐된 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 상부에서 반응가스를 분사하는 샤워헤드; 상기 샤워헤드에 대향하는 상기 챔버의 하단에서 웨이퍼를 안착시키고, 상기 웨이퍼 후면에서 인접하는 다중 전극에 직류전압을 인가하여 상기 웨이퍼를 고정시키는 정전척; 상기 정전척의 하부 또는 상기 샤워헤드의 상부에서 고주파 전원전압이 인가되어상기 챔버 내에 충만되는 반응가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 전극; 상기 플라즈마 상태의 반응가스에서 발광되는 가시광을 수광하여 상기 반응가스에 의해 식각되는 상기 웨이퍼의 식각 정도를 검출하는 식각종말점 감지기; 및 상기 식각종말점 감지기에서 출력되는 감지신호를 입력받아 상기 챔버에서 식각되는 상기 웨이퍼의 식각 상태의 균일성을 판단하고, 상기 웨이퍼의 식각상태가 불균일하면 상기 웨이퍼 식각상태가 불균일한 부분에 대응되는 상기 다중 전극에 상기 척킹전압을 조절하여 인가하는 제어부를 포함함을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상 의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 식각설비를 개략적으로 나타낸 구조단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 식각설비는, 웨이퍼(W)의 식각공정을 수행토록 하기 위해 외부로부터 밀폐된 공간을 제공하는 챔버(100)와, 상기 챔버(100)의 상부에서 반응가스를 분사하는 샤워헤드(112)와, 상기 샤워헤드(112)에 대향하는 상기 챔버(100)의 하단에서 웨이퍼(W)를 안착시키고, 상기 웨이퍼(W) 후면에서 인접하는 다중 전극에 직류전압을 인가하여 상기 웨이퍼(W)를 고정시키는 정전척(114)과, 상기 정전척(114)의 하부 또는 상기 샤워헤드(112)의 상부에서 고주파 전원전압이 인가되어상기 챔버(100) 내에 충만되는 반응가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 전극(도시하지 않음)과, 상기 플라즈마 상태로 여기된 반응가스에서 발광되는 가시광을 수집하여 상기 반응가스에 의해 식각되는 상기 웨이퍼(W)의 식각 정도를 검출하는 식각종말점 감지기(120)와, 상기 식각종말점 감지기(120)에서 출력되는 감지신호를 입력받아 상기 챔버(100)에서 식각되는 상기 웨이퍼(W)의 식각 상태의 균일성을 판단하는 식각감지 제어부(122)와, 상기 식각감지 제어부(122)에서 판단되는 해당 웨이퍼(W)의 식각상태가 불균일하면 상기 웨이퍼(W) 식각상태가 불균일한 부분에 대응되는 상기 다중 전극에 상기 척킹전압을 조절하여 인가하는 척킹 제어부(124)를 포함하여 구성된다.
도시되지는 않았지만, 외부에서 상기 플라즈마 전극에 상기 고주파 전원전압(radio frequency power)을 정합시켜 공급하는 매칭 박스와, 상기 매칭 박스에 공 급되는 고주파 전원전압을 제어하는 고주파 전원전압 제어부와, 상기 정전척(114)에 안착된 상기 웨이퍼(W)의 표면온도를 계측하는 온도 센서와, 상기 온도 센서로부터 입력받은 온도 감지신호를 이용하여 상기 웨이퍼(W) 후면에 공급되는 냉매의 공급 유량을 판단토록 제어하는 제어신호를 출력하는 냉매 공급 제어부를 더 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 플라즈마 전극은 상기 샤워 헤드의 상부에 형성된 상부 전극과, 상기 정전척(114)의 하부에 형성된 하부 전극(116)을 포함하여 이루어진다. 이루어진다. 이때, 상기 상부 전극 또는 하부 전극(116)은 상기 매칭 박스에서 인가되는 정합된 고주파 파워를 인가 받아 상기 챔버(100) 내에 공급된 불활성 가스 또는 반응 가스를 전자와 고온의 양이온으로 분리시켜 플라즈마 반응을 유도한다. 예컨대, 상기 상부 전극 또는 하부 전극(116)에 인가되는 고주파 파워는 약 20,000V정도의 전압과 약 수십 와트(W) 또는 수백 와트(W)정도의 에너지를 갖는다. 또한, 상기 챔버(100) 내부에 공급되는 상기 반응가스는 불활성 가스인 Ar과, N2와 같은 퍼지가스와, CF4, C2F6, CHF3, CH2F2, CClF3, CBrF3, CCl4, SF6, Cl2, HBr와 같은 강산성의 식각 가스로 이루어진다. 이때, 상기 퍼지가스와 식각 가스로 이루어진 반응가스가 플라즈마 상태로 여기되면 단일 파장의 가시광을 발광한다. 예컨대, 상기 질소(N2)는 청색, 불소(F)는 적색, 황(S)은 황색의 가시광을 발광한다. 따라서, 상기 식각종말점 감지기(120)는 웨이퍼(W) 표면을 식각하기 전에 상기 챔버(100) 내부에 질소 성분의 퍼지가스가 공급되어 플라즈마 반응이 유도되면 상기 퍼지가스의 조성성분에 따라 발광되는 청색 가시광을 수집하여 상기 식각감지 제어부(122)로 하여금 식각 공정이 준비되었음을 판단토록 할 수 있다. 또한, 상기 챔버(100) 내부에 상기 식각 가스가 공급되어 식각공정이 수행되면, 상기 웨이퍼(W) 표면으로 상기 식각가스가 유동되면서 상기 웨이퍼(W) 표면에 반응되면 상기 반응가스와 상기 웨이퍼(W) 표면이 반응된 반응 후 가스가 비상되어 플라즈마 반응된다. 예컨대, 상기 웨이퍼(W) 표면에서 텅스텐 금속층과, 상기 불소성분의 반응가스가 반응되어 플라즈마 반응이 유도되면 적색의 가시광이 발광한다. 따라서, 상기 식각종말점 감지기(120)는 상기 반응 후 가스의 플라즈마 반응에서 발생되는 가시광을 수집하여 상기 식각감지 제어부(122)로 하여금 식각 공정이 이루어지고 있음을 판단토록 한다. 이때, 상기 식각종말점 감지기(120)는 상기 반응 후 가스가 발생되는 상기 웨이퍼(W) 표면에서 국부적으로 식각 상태를 감지할 수 있다.
한편, 도 2는 도 1의 정전척(114)을 나타내는 단면도로서, 정전척(114)은 존슨-라벡 효과를 이용하여 상기 웨이퍼(W)를 소정 크기의 정전력으로 압착 고정시킨다. 예컨대, 존슨-라벡 효과는 1920년 존슨과 라벡에 의해 마노(瑪瑙), 점판암(粘板岩)등과 같은 약한 전도성 물질을 연마한 유전판과 인접한 금속 판이 200V의 전압이 가해진 상태에서 단단하게 결합하는 현상으로 발견되었다. 전하가 없는 상태에서는 이러한 결합이 쉽게 끊어진다. 이 현상은 몇몇 점에서 약한 전도성 물질과 금속이 접촉하기 때문에 일어나는 것이다. 이는 전이 영역에서의 저항은 크고, 금속판의 횡단면 사이와 금속판 자체 내에서의 저항력은 작기 때문에 발생한다. 따라서 금속과 물체 사이의 전이 공간에 조금이라도 전기장이 존재한다면, 큰 전압이 발생한다. 금속과 물체사이의 거리는 거의 1nm정도로 작기 때문에, 이 공간 사이로 큰 전압이 발생하는 것이다. 상기 정전척(114)은 상기 존슨-라벡 효과에 의해 유도되는 정전력을 이용해 웨이퍼(W)와 접촉하지 않고도 웨이퍼(W)를 착탈할 수 있는 소모성 부분이다. 또한, 존슨-라벡 효과와 관련된 힘은 전위차가 가해지는 시간에 따라 증가한다. 반면, 전위차가 척킹 전극(117)으로부터 제거될 때에, 잔류하는 힘은 시간에 따라 점차 감소할 것이다. 이는 존슨-라벡 효과의 힘이 너무 큰 경우, 정전척(114)으로부터 웨이퍼(W)를 즉각적으로 분리시킬 수 없다. 따라서, 상기 웨이퍼(W)는 유전부재를 통해 접지되어 상기 웨이퍼(W)에 잔존하는 전하가 소정 레벨이하까지 감소되도록 해야만 디척킹이 이루어질 수 있다.
이와 같이 척킹 전압이 인가되는 척킹 전극(117)의 개수에 따라 존슨-라벡 효과의 특성을 살펴보면 표 1에서와 같다.
구성 클램핑 힘(N) 플라즈마 척킹 단계 웨이퍼에 유도된 총전하
단일 전극 F = A/2×ε×(V/d)2 요구됨 다량
이중 전극 F = A/8×ε×(V/d)2 불필요 0
삼중 전극 F = A/8×ε×(V/d)2 불필요 0
여기서, A는 정전척(114) 상에 지지되는 웨이퍼(W)의 면적이고, 유전율은 상기 웨이퍼(W)와 척킹 전극(117)사이의 유전체(118) 유전율이고, V는 척킹 전압이고, d는 상기 척킹 전극(117)에서부터 웨이퍼(W)까지의 거리이다. 따라서, 상기 존슨-라벡 효과에 의한 클램핑 힘은 웨이퍼(W)의 면적에 비례하고, 척킹 전압의 제곱에 비례하고, 척킹 전극(117)에서부터 웨이퍼(W)까지 거리의 제곱에 반비례하여 증가된다. 이때, 이중 전극 또는 삼중 전극과 같은 다중 전극은 상기 척킹 전압에 역전압이 인가되는 적어도 하나이상의 척킹 전극(117)을 포함하기 때문에 클램핑 힘이 상쇄되어 단일 전극보다 작게 유도될 수 있다. 그러나, 단일 전극은 상기 웨이퍼(W)를 사이에 두고 플라즈마 반응을 유도하여 전기적인 연결이 있어야만 척킹이 가능하기 때문에 상기 플라즈마 척킹 단계가 요구된다. 또한, 상기 플라즈마 척킹 단계에 따라 상기 플라즈마 반응으로부터 상기 웨이퍼(W)가 정전기적으로 대전되기 때문에 상기 웨이퍼(W)에 유도된 전하가 다량으로 존재하게됨으로 다수의 디척킹 시간이 요구된다.
따라서, 정전척(114)은 이중 전극 또는 삼중 전극과 같은 다중 전극을 채용하고 있다.
도 3은 도 1의 정전척(114)의 다중 전극을 나타내는 평면도로서, 상기 정전척(114)은 척킹 전압이 인가되는 다수개의 전극이 중심에서 방사형 모양으로 형성되어 있다. 이때, 해당 척킹 전극(117)의 위치는 상기 정전척(114)의 중심에서의 거리(r)와, 상기 정전척(114)의 중심에서 상기 웨이퍼(W)의 플렛존으로의 방향을 기준으로 이루어진 방위각(θ)으로 나타내어질 수 있다.
따라서, 상기 식각종말점 감지기(120)에 의해 다수개의 척킹 전극(117) 상에서 식각공정이 이루어지는 상기 웨이퍼(W)의 표면에서의 식각 공정이 불균일하게 계측되면, 상기 식각 공정이 불균일하게 수행된 웨이퍼(W) 표면에 대응되는 적어도 하나이상의 척킹 전극(117)에 인가되는 척킹 전압을 가변시켜 식각공정의 균일도를 높일 수 있다.
예컨대, 상기 식각 공정이 불균일한 상기 웨이퍼(W) 표면이 다른 곳보다 상대적으로 작게 식각되었을 경우, 해당 웨이퍼(W) 표면에 대응되는 적어도 하나이상의 척킹 전극(117)에 높은 척킹 전압을 인가하여 상대적으로 과도한 식각이 이루어지도록 할 수 있다. 반대로, 상기 식각 공정이 불균일한 상기 웨이퍼(W) 표면이 다른 곳보다 상대적으로 많이 식각되었을 경우, 해당 웨이퍼(W)의 표면에 대응되는 적어도 하나이상의 척킹 전극(117)에 낮은 척킹 전압을 인가하여 상대적으로 낮은 식각이 이루어지도록 할 수도 있다.
따라서, 본 발명의 반도체 식각설비는 식각종말점 감지기(120)에서 입력되는 감지신호를 이용하여 웨이퍼(W) 표면 식각 상태의 균일도를 판단하고, 상기 식각 상태의 균일도가 불량이면 불량인 웨이퍼(W) 표면에 대응되는 척킹 전극(117)에 인가되는 척킹 전압을 조절토록 하는 제어부를 구비하여 식각종말점 감지기(120)에서 감지된 웨이퍼(W)의 식각 상태가 불균일한 것으로 판단되더라도, 해당 웨이퍼(W)의 식각공정을 정상적으로 완료토록 할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
또한, 상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 식각종말점 감지기에서 입력되는 감지신호를 이용하여 웨이퍼 표면 식각 상태의 균일도를 판단하고, 상기 식각 상태의 균일도가 불량이면 불량인 웨이퍼 표면에 대응되는 척킹 전극에 인가되는 척킹 전압을 조절토록 하는 제어부를 구비하여 식각종말점 감지기에서 감지된 웨이퍼의 식각 상태가 불균일한 것으로 판단되더라도, 해당 웨이퍼의 식각공정을 정상적으로 완료토록 할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 외부로부터 밀폐된 공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버의 상부에서 반응가스를 분사하는 샤워헤드;
    상기 샤워헤드에 대향하는 상기 챔버의 하단에서 웨이퍼를 안착시키고, 상기 웨이퍼 후면에서 인접하는 다중 전극에 직류전압을 인가하여 상기 웨이퍼를 고정시키는 정전척;
    상기 정전척의 하부 또는 상기 샤워헤드의 상부에서 고주파 전원전압이 인가되어 상기 챔버 내에 충만되는 반응가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 전극;
    상기 플라즈마 상태의 반응가스에서 발광되는 가시광을 수광하여 상기 반응가스에 의해 식각되는 상기 웨이퍼의 식각 상태를 검출하는 식각종말점 감지기; 및
    상기 식각종말점 감지기에서 출력되는 감지신호를 입력받아 상기 챔버에서 식각되는 상기 웨이퍼의 식각 상태의 균일성을 판단하고, 상기 웨이퍼의 식각상태가 불균일하면 상기 웨이퍼 식각상태가 불균일한 부분에 대응되는 상기 다중 전극에 상기 척킹전압을 조절하여 인가하는 제어부를 포함함을 특징으로 하는 반도체 식각설비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 식각종말점 감지기에서 출력되는 감지신호를 입력받아 상기 챔버에서 식각되는 상기 웨이퍼의 식각 상태의 균일성을 판단하는 식각감지 제어부와, 상기 식각감지 제어부에서 판단되는 해당 웨이퍼의 식각상태가 불균일하면 상기 웨이퍼 식각상태가 불균일한 부분에 대응되는 상기 다중 전극에 상기 척킹전압을 조절하여 인가하는 척킹 제어부를 포함함을 특징으로 하는 반도체 식각설비.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20170031292A (ko) * 2015-09-10 2017-03-21 세메스 주식회사 기판 척킹 장치 및 방법

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