JPH08191099A - 静電チャック及びその製造方法 - Google Patents
静電チャック及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH08191099A JPH08191099A JP24039295A JP24039295A JPH08191099A JP H08191099 A JPH08191099 A JP H08191099A JP 24039295 A JP24039295 A JP 24039295A JP 24039295 A JP24039295 A JP 24039295A JP H08191099 A JPH08191099 A JP H08191099A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrostatic chuck
- dielectric
- insulating film
- measuring circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電チャックの吸着力となる誘電体の分極の
状態を監視することによって、脱離時の吸着力を最適時
間で適性範囲内に抑えることである。 【解決手段】 静電チャックの誘電体1の吸着力を第2
電極4及び測定回路10を介して測定し、その結果に基
づいて脱離時の静電チャック用電極2に印加する直流電
源3による電圧を制御回路11を介して制御するように
した。
状態を監視することによって、脱離時の吸着力を最適時
間で適性範囲内に抑えることである。 【解決手段】 静電チャックの誘電体1の吸着力を第2
電極4及び測定回路10を介して測定し、その結果に基
づいて脱離時の静電チャック用電極2に印加する直流電
源3による電圧を制御回路11を介して制御するように
した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
置いて、シリコン等のウェハを支持、固定あるいは搬送
するために用いられる静電チャック及びその製造方法に
関する。
置いて、シリコン等のウェハを支持、固定あるいは搬送
するために用いられる静電チャック及びその製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体装置の製造装置におい
て、ウェハを支持、固定あるいは搬送するために、静電
チャックが用いられていた。特に、電子ビーム描画装
置、ドライエッチング装置、気相成長装置、スパッタリ
ング装置等の真空中で処理を行う装置では、真空チャッ
クが使用できないため、静電チャックは有用なウェハ固
定手段であった。
て、ウェハを支持、固定あるいは搬送するために、静電
チャックが用いられていた。特に、電子ビーム描画装
置、ドライエッチング装置、気相成長装置、スパッタリ
ング装置等の真空中で処理を行う装置では、真空チャッ
クが使用できないため、静電チャックは有用なウェハ固
定手段であった。
【0003】従来用いられている静電チャックは、図7
に示すように、誘電体1の内部に静電チャック用電極2
を備え、この静電チャック用電極2に電圧を供給する直
流電源3が接続されている。ウェハ(図示せず)を誘電
体1上に設置した後、静電チャック用電極2に直流電圧
を印加すると、静電チャック電極2とウェハ間の誘電体
1中に静電気力を起こす分極が発生し、この静電気力に
よってウェハを吸着保持するように成っている。
に示すように、誘電体1の内部に静電チャック用電極2
を備え、この静電チャック用電極2に電圧を供給する直
流電源3が接続されている。ウェハ(図示せず)を誘電
体1上に設置した後、静電チャック用電極2に直流電圧
を印加すると、静電チャック電極2とウェハ間の誘電体
1中に静電気力を起こす分極が発生し、この静電気力に
よってウェハを吸着保持するように成っている。
【0004】また、従来、静電チャックには、静電チャ
ック用電極2が単極のものと双極のものとがある。単極
型のものは図7に示す如く、電極面積が大きく効率良く
吸着力を得ることができる。しかしながら、ウェハに電
荷を生じさせるために、アース等の何らかの電気的接触
が必要である。また、双極型のものは、図8に示す如
く、分割された2枚の電極2を有し、この間に直流電源
3を接続するため、先の単極の場合に比較し、効率は落
ちるもののウェハへの電気的接触が不要であり、簡単に
半導体製造装置に装着可能である。ウェハの吸着につい
ては、以上の静電チャックにより実現されている。
ック用電極2が単極のものと双極のものとがある。単極
型のものは図7に示す如く、電極面積が大きく効率良く
吸着力を得ることができる。しかしながら、ウェハに電
荷を生じさせるために、アース等の何らかの電気的接触
が必要である。また、双極型のものは、図8に示す如
く、分割された2枚の電極2を有し、この間に直流電源
3を接続するため、先の単極の場合に比較し、効率は落
ちるもののウェハへの電気的接触が不要であり、簡単に
半導体製造装置に装着可能である。ウェハの吸着につい
ては、以上の静電チャックにより実現されている。
【0005】プロセス終了後、ウェハを搬送するため、
吸着力を落とし、ウェハの脱離を実施する必要がある。
電極が単極の場合には、プロセス終了後、印加電圧を反
転させることにより、静電チャックに蓄積された電荷を
減少させる方法がある。即ち、逆電圧の印加により分極
は減少し、やがて、反対の分極を生じる。実際は、残留
吸着力を最小とすることは、逆電圧の印加時間を経験的
にのみ調整することにより可能であり、困難をともな
う。更に、この逆電圧印加時間は、残留分極の影響をう
け、経時変化を生じることになる。即ち、安定的な脱離
を実施することは難しい。
吸着力を落とし、ウェハの脱離を実施する必要がある。
電極が単極の場合には、プロセス終了後、印加電圧を反
転させることにより、静電チャックに蓄積された電荷を
減少させる方法がある。即ち、逆電圧の印加により分極
は減少し、やがて、反対の分極を生じる。実際は、残留
吸着力を最小とすることは、逆電圧の印加時間を経験的
にのみ調整することにより可能であり、困難をともな
う。更に、この逆電圧印加時間は、残留分極の影響をう
け、経時変化を生じることになる。即ち、安定的な脱離
を実施することは難しい。
【0006】電極が双極の場合には、両電極に印加され
る電圧の極性をプロセス終了後に反転させることによ
り、ウェハの脱離を行うわけであるが上に述べた単極の
場合と同様の問題がある。
る電圧の極性をプロセス終了後に反転させることによ
り、ウェハの脱離を行うわけであるが上に述べた単極の
場合と同様の問題がある。
【0007】この問題を回避するために、プロセス終了
後に、正負の電圧をその強度を減少させながら、off
にする方法が提案されている。(例えば、特開平1−1
12745号公報、特開平4−246843号公報参
照)。この方法は、ヒステリシス特性を有する分極を、
減衰する交番電圧によりゼロに近づけるものである。し
かしながら、吸着力を十分減少させるためには、逆電圧
の印加を複数回繰り返すことが必要であり、プロセスの
スループットを極端に減少させてしまう。
後に、正負の電圧をその強度を減少させながら、off
にする方法が提案されている。(例えば、特開平1−1
12745号公報、特開平4−246843号公報参
照)。この方法は、ヒステリシス特性を有する分極を、
減衰する交番電圧によりゼロに近づけるものである。し
かしながら、吸着力を十分減少させるためには、逆電圧
の印加を複数回繰り返すことが必要であり、プロセスの
スループットを極端に減少させてしまう。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の静電チ
ャックにおいては、誘電体内に分極を起こして吸着力を
得るわけである。しかしながら、プロセス終了後、分極
が残留することにより、吸着力をゼロとすることが困難
であり、この状態でウェハを搬送しようとした場合、静
電チャックから強制的にウェハを取り外すこととなり、
ウェハの破損、搬送の誤動作を招くこととなる。
ャックにおいては、誘電体内に分極を起こして吸着力を
得るわけである。しかしながら、プロセス終了後、分極
が残留することにより、吸着力をゼロとすることが困難
であり、この状態でウェハを搬送しようとした場合、静
電チャックから強制的にウェハを取り外すこととなり、
ウェハの破損、搬送の誤動作を招くこととなる。
【0009】なお、この残留分極を減少させるために、
逆電圧を複数繰り返し印加する方法があるものの、スル
ープットを大幅に減少させることとなる。
逆電圧を複数繰り返し印加する方法があるものの、スル
ープットを大幅に減少させることとなる。
【0010】本発明は従来技術における上記事情に鑑み
てなされたもので、その目的とするところは、ウェハ脱
離時の残留吸着力を適性範囲内に抑えることが可能な静
電チャックを提供することにある。
てなされたもので、その目的とするところは、ウェハ脱
離時の残留吸着力を適性範囲内に抑えることが可能な静
電チャックを提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第1態様のよれば、誘電体と、該誘電体内
に設けられた静電チャック用電極とを含む静電チャック
において、誘電体の吸着力を検出するために第2の電極
が設けられていることを特徴とする静電チャックが提供
される。
に、本発明の第1態様のよれば、誘電体と、該誘電体内
に設けられた静電チャック用電極とを含む静電チャック
において、誘電体の吸着力を検出するために第2の電極
が設けられていることを特徴とする静電チャックが提供
される。
【0012】第1態様における第2の電極は誘電体の吸
着力を監視するための測定回路に接続されており、該測
定回路が、抵抗と電圧計を並列に接続した電圧測定回
路、抵抗と電流計を直列に接続した電流測定回路、キャ
パシタと電圧計を並列に接続した電荷測定回路、キャパ
シタと電流計を直列に接続した電荷変化測定回路の中の
1つである。
着力を監視するための測定回路に接続されており、該測
定回路が、抵抗と電圧計を並列に接続した電圧測定回
路、抵抗と電流計を直列に接続した電流測定回路、キャ
パシタと電圧計を並列に接続した電荷測定回路、キャパ
シタと電流計を直列に接続した電荷変化測定回路の中の
1つである。
【0013】また、第1態様における静電チャック用電
極は平板状であり、該静電チャック用電極上に前記誘電
体の一部をなす第1の絶縁膜を介在させて前記第2の電
極が配置され、該第2の電極上に前記誘電体の一部をな
す第2の絶縁膜が積層されている。
極は平板状であり、該静電チャック用電極上に前記誘電
体の一部をなす第1の絶縁膜を介在させて前記第2の電
極が配置され、該第2の電極上に前記誘電体の一部をな
す第2の絶縁膜が積層されている。
【0014】本発明の第2態様によれば、誘電体と、該
誘電体内に設けられた静電チャック用電極とを含む静電
チャックにおいて、誘電体の吸着力を検出するための第
2の電極と、該第2の電極から得られる信号を用いて静
電チャック用電極に印加する電圧を制御する制御回路と
が設けられることを特徴とする静電チャックが提供され
る。
誘電体内に設けられた静電チャック用電極とを含む静電
チャックにおいて、誘電体の吸着力を検出するための第
2の電極と、該第2の電極から得られる信号を用いて静
電チャック用電極に印加する電圧を制御する制御回路と
が設けられることを特徴とする静電チャックが提供され
る。
【0015】本発明の第3の態様によれば、誘電体と、
該誘電体に設けられた静電チャック用電極とを含む静電
チャックにおいて、誘電体の吸着力を検出するための第
2の電極と、該第2の電極から得られる信号を用いて静
電チャック用電極に印加する電圧を制御する制御回路
と、第3の電極とが設けられていることを特徴とする静
電チャックが提供される。
該誘電体に設けられた静電チャック用電極とを含む静電
チャックにおいて、誘電体の吸着力を検出するための第
2の電極と、該第2の電極から得られる信号を用いて静
電チャック用電極に印加する電圧を制御する制御回路
と、第3の電極とが設けられていることを特徴とする静
電チャックが提供される。
【0016】第3態様における第3の電極が第2の電極
と同一平面上に、かつ第2の電極を取り巻くようにドー
ナ状に複数個設けられていると共に、独立した直流電源
に接続されている。
と同一平面上に、かつ第2の電極を取り巻くようにドー
ナ状に複数個設けられていると共に、独立した直流電源
に接続されている。
【0017】本発明の第4態様によれば、基板としての
誘電体ベース上に静電チャック用電極を形成すること
と、該静電チャック用電極上に第1の絶縁膜を積層する
ことと、該第1の絶縁膜状に第2の電極を形成すること
と、該第2の電極上に第2の絶縁膜を積層することの各
ステップから成ることを特徴とする静電チャックの製造
方法が提供される。
誘電体ベース上に静電チャック用電極を形成すること
と、該静電チャック用電極上に第1の絶縁膜を積層する
ことと、該第1の絶縁膜状に第2の電極を形成すること
と、該第2の電極上に第2の絶縁膜を積層することの各
ステップから成ることを特徴とする静電チャックの製造
方法が提供される。
【0018】発明の第5態様によれば、基板としての誘
電体ベース上の静電チャック用電極を形成することと、
該静電チャック用電極上に第1の絶縁膜を積層すること
と、該第1の絶縁膜状に第2及び第3の電極を形成する
ことと、該第2及び第3の電極上に第2の絶縁膜を積層
することの各ステップから成ることを特徴とする静電チ
ャックの製造方法が提供される。
電体ベース上の静電チャック用電極を形成することと、
該静電チャック用電極上に第1の絶縁膜を積層すること
と、該第1の絶縁膜状に第2及び第3の電極を形成する
ことと、該第2及び第3の電極上に第2の絶縁膜を積層
することの各ステップから成ることを特徴とする静電チ
ャックの製造方法が提供される。
【0019】
【作用】本発明の静電チャックは、吸着用の静電チャッ
ク用電極に加え、吸着状態をモニタする専用の第2の電
極を設けたので、脱離時の分極の状態を監視できる。こ
れにより、吸着力を最適時間で必要な値にまで減少さ
せ、脱離及び搬送を的確に実行することができる。
ク用電極に加え、吸着状態をモニタする専用の第2の電
極を設けたので、脱離時の分極の状態を監視できる。こ
れにより、吸着力を最適時間で必要な値にまで減少さ
せ、脱離及び搬送を的確に実行することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面に示した好まし
い幾つかの実施の形態に関連して本発明を更に詳細に説
明する。
い幾つかの実施の形態に関連して本発明を更に詳細に説
明する。
【0021】図1(A)に示される平面図及び図1
(B)に示される断面図を参照して、本発明による第1
の実施の形態を説明する。この静電チャックは、誘電体
1と、平板状の静電チャック用電極2と第2の電極4と
から構成されている。静電チャック用電極2には直流電
源3が接続されている。また、静電チャック用電極2と
第2の電極4との間は、これらの間に介在する誘電体1
の絶縁膜により絶縁されている。
(B)に示される断面図を参照して、本発明による第1
の実施の形態を説明する。この静電チャックは、誘電体
1と、平板状の静電チャック用電極2と第2の電極4と
から構成されている。静電チャック用電極2には直流電
源3が接続されている。また、静電チャック用電極2と
第2の電極4との間は、これらの間に介在する誘電体1
の絶縁膜により絶縁されている。
【0022】第2の電極4は、吸着力の監視用として用
いるために、測定回路10に接続されている。この測定
回路10で検出された信号が、制御回路11に送られ、
この情報をもとに制御回路11は直流電源3を制御す
る。第1の実施の形態において、静電チャック用電極2
は、円盤状であり、また、吸着力検出用の第2の電極4
は、ドーナツ状の形状を有している。さらに、第1の実
施の形態による静電チャックは、図2に示されるよう
に、静電チャック用電極2上に誘電体1の一部を成す第
1の絶縁膜1bを介在させて第2の電極4が配置され、
更にこの第2の電極4上に第2の絶縁膜1cが積層され
た構造を有している。
いるために、測定回路10に接続されている。この測定
回路10で検出された信号が、制御回路11に送られ、
この情報をもとに制御回路11は直流電源3を制御す
る。第1の実施の形態において、静電チャック用電極2
は、円盤状であり、また、吸着力検出用の第2の電極4
は、ドーナツ状の形状を有している。さらに、第1の実
施の形態による静電チャックは、図2に示されるよう
に、静電チャック用電極2上に誘電体1の一部を成す第
1の絶縁膜1bを介在させて第2の電極4が配置され、
更にこの第2の電極4上に第2の絶縁膜1cが積層され
た構造を有している。
【0023】続いて、第1の実施の形態の製造方法に関
する説明が図2の(A)乃至(B)を参照しながら以下
になされる。
する説明が図2の(A)乃至(B)を参照しながら以下
になされる。
【0024】先ず、例えばアルミニウムを母材とする平
板表面にアノダイズ処理を施して絶縁膜を形成した誘電
体ベース1aを基板として用い、該誘電体ベース1a上
に静電チャック用電極2をフォトレジスト加工等により
形成する。(図2(A)参照) 次に、静電チャック用電極2上にベース1aの表面を覆
うように第1の絶縁膜1bを積層する。(図2(B)参
照) 続いて、第1の絶縁膜1b上にフォトレジスト加工等に
より所定パターンの第2の電極4を形成する。(図2
(C)参照) 最後に、第2の電極4上に第1の絶縁膜1bを覆うよう
に第2の絶縁膜を積層する。(図2(D)参照) 其の後、配線装備を施して本発明の第1の実施の形態に
よる静電チャックが製造される。
板表面にアノダイズ処理を施して絶縁膜を形成した誘電
体ベース1aを基板として用い、該誘電体ベース1a上
に静電チャック用電極2をフォトレジスト加工等により
形成する。(図2(A)参照) 次に、静電チャック用電極2上にベース1aの表面を覆
うように第1の絶縁膜1bを積層する。(図2(B)参
照) 続いて、第1の絶縁膜1b上にフォトレジスト加工等に
より所定パターンの第2の電極4を形成する。(図2
(C)参照) 最後に、第2の電極4上に第1の絶縁膜1bを覆うよう
に第2の絶縁膜を積層する。(図2(D)参照) 其の後、配線装備を施して本発明の第1の実施の形態に
よる静電チャックが製造される。
【0025】上記測定回路10の具体例としては、図3
(a)に示す様に、抵抗12と電圧計13を並列に接続
した電圧測定回路14がある。この電圧測定回路14を
第2の電極4に接続することにより誘電体1内における
第2の電極4の電位変動が測定可能となる。静電チャッ
クへの直流電圧印加にともない、誘電体1内に生じた分
極は、プロセスの終了後、直流電圧をoffすること、
又は、逆電圧を印加することにより徐々に減少する。こ
の様子を、第2の電極4の電位からモニタし、脱離状態
を検出するように成っている。
(a)に示す様に、抵抗12と電圧計13を並列に接続
した電圧測定回路14がある。この電圧測定回路14を
第2の電極4に接続することにより誘電体1内における
第2の電極4の電位変動が測定可能となる。静電チャッ
クへの直流電圧印加にともない、誘電体1内に生じた分
極は、プロセスの終了後、直流電圧をoffすること、
又は、逆電圧を印加することにより徐々に減少する。こ
の様子を、第2の電極4の電位からモニタし、脱離状態
を検出するように成っている。
【0026】上記電圧測定回路14以外の測定回路とし
ては、図3(b)に示した抵抗12と電流計15とを直
列に接続した電流測定回路16、図3(c)に示したキ
ャパシタ17と電圧計13を並列に接続した電荷測定回
路18、並びに図3(d)に示したキャパシタ17と電
流計15を直列に接続した電荷変化測定回路19があ
り、これらの回路は、いずれも電圧測定回路14と同様
の効果が得られる。
ては、図3(b)に示した抵抗12と電流計15とを直
列に接続した電流測定回路16、図3(c)に示したキ
ャパシタ17と電圧計13を並列に接続した電荷測定回
路18、並びに図3(d)に示したキャパシタ17と電
流計15を直列に接続した電荷変化測定回路19があ
り、これらの回路は、いずれも電圧測定回路14と同様
の効果が得られる。
【0027】図4は本発明による静電チャックの第2の
実施の形態の概略を示し、(A)は平面図、(B)は断
面図である。
実施の形態の概略を示し、(A)は平面図、(B)は断
面図である。
【0028】図4を参照して、第2の実施の形態例の静
電チャックは、第1の実施の形態例の静電チャックと略
同一構成であるが、第2の実施の形態の場合、第2の電
極4と同一平面上に第3の電極5が設置されている。こ
の第3の電極5は、ドーナツ状の複数個の電極から構成
され、更に、独立した直流電源6に接続されている。そ
して、第1の実施の形態と同様に、第2の電極4で検出
された信号をもとに制御回路11により2つの直流電源
3、6が制御される。
電チャックは、第1の実施の形態例の静電チャックと略
同一構成であるが、第2の実施の形態の場合、第2の電
極4と同一平面上に第3の電極5が設置されている。こ
の第3の電極5は、ドーナツ状の複数個の電極から構成
され、更に、独立した直流電源6に接続されている。そ
して、第1の実施の形態と同様に、第2の電極4で検出
された信号をもとに制御回路11により2つの直流電源
3、6が制御される。
【0029】図5の(a)乃至(d)から明らかなよう
に、第2の実施の形態の製造方法は先に説明した第1の
実施の形態のものと大差ない。相違する点は、図5
(c)に示されているように、第2の電極4の形成と同
時に第3の電極5が形成されることである。
に、第2の実施の形態の製造方法は先に説明した第1の
実施の形態のものと大差ない。相違する点は、図5
(c)に示されているように、第2の電極4の形成と同
時に第3の電極5が形成されることである。
【0030】上記第2の実施の形態における第3の電極
5は静電チャックの吸着力をさらに高精度に制御可能に
すると共に、ウェハ等の試料を脱離させる時の残留電極
による残留吸着力をより高精度にかつ高速度に適性範囲
の抑える役割を果たす。すなわち、静電チャックの主た
る静電力は、静電チャック用電極2に加えられる電位に
よって発生する。そこで、第2の電極4の電位を測定回
路10で測定することによって静電チャックの吸着力を
モニタしながら、第3の電極5に印加する電圧を変化さ
せることによって、静電チャック用電極2と吸着保持す
べき試料との間に存在する誘電体1内に発生する電界が
任意に制御され得る。斯くして、静電チャックの吸着力
が高精度に制御される。
5は静電チャックの吸着力をさらに高精度に制御可能に
すると共に、ウェハ等の試料を脱離させる時の残留電極
による残留吸着力をより高精度にかつ高速度に適性範囲
の抑える役割を果たす。すなわち、静電チャックの主た
る静電力は、静電チャック用電極2に加えられる電位に
よって発生する。そこで、第2の電極4の電位を測定回
路10で測定することによって静電チャックの吸着力を
モニタしながら、第3の電極5に印加する電圧を変化さ
せることによって、静電チャック用電極2と吸着保持す
べき試料との間に存在する誘電体1内に発生する電界が
任意に制御され得る。斯くして、静電チャックの吸着力
が高精度に制御される。
【0031】このように、本発明の第2の実施の形態に
よれば、試料の保持時及び脱離時に、静電チャック用電
極及び第3の電極5に印加する電圧を相互に制御するこ
と、言い換えれば、第3の電極5に静電チャック用電極
2とは異なる電位を加えることによって、保持時の吸着
力及び脱離時の残留吸着力を高精度に制御することがで
きる。
よれば、試料の保持時及び脱離時に、静電チャック用電
極及び第3の電極5に印加する電圧を相互に制御するこ
と、言い換えれば、第3の電極5に静電チャック用電極
2とは異なる電位を加えることによって、保持時の吸着
力及び脱離時の残留吸着力を高精度に制御することがで
きる。
【0032】第1及び第2の実施の形態の静電チャック
を使用する際において、脱離時の電圧印加として図6に
示すような正弦波状の電圧が印加される。誘電体の分極
特性は、通常ヒステリシスを有し、即ち、電圧をoff
した時点では、残留分極が生じている。そこで、この残
留分極を相殺する大きさの反対電圧を印加し、脱離を終
了する。
を使用する際において、脱離時の電圧印加として図6に
示すような正弦波状の電圧が印加される。誘電体の分極
特性は、通常ヒステリシスを有し、即ち、電圧をoff
した時点では、残留分極が生じている。そこで、この残
留分極を相殺する大きさの反対電圧を印加し、脱離を終
了する。
【0033】この際、本発明の静電チャックは、電位変
動検出用の第2の電極を有しているので、この第2の電
極により残留分極の電位を測定し、これが消滅した時点
で脱離プロセスを終了させることができる。これによ
り、より確度の高い搬送を行うことが可能となる。
動検出用の第2の電極を有しているので、この第2の電
極により残留分極の電位を測定し、これが消滅した時点
で脱離プロセスを終了させることができる。これによ
り、より確度の高い搬送を行うことが可能となる。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明の静電チャッ
クは、第2の電極により吸着力を、電圧回路、電流回
路、電荷測定回路、又は電荷変化測定回路を用いて測定
し、その結果に基づいて脱離時の静電チャック用電極に
印加する電圧を制御することができ、これにより、脱離
時の残留吸着力を適性範囲に抑え、脱離及び搬送を的確
に行えるようにすることができる。
クは、第2の電極により吸着力を、電圧回路、電流回
路、電荷測定回路、又は電荷変化測定回路を用いて測定
し、その結果に基づいて脱離時の静電チャック用電極に
印加する電圧を制御することができ、これにより、脱離
時の残留吸着力を適性範囲に抑え、脱離及び搬送を的確
に行えるようにすることができる。
【図1】本発明による静電チャックの第1の実施の形態
の概略を示し、(A)は平面図、(B)は断面図であ
る。
の概略を示し、(A)は平面図、(B)は断面図であ
る。
【図2】(A)乃至(D)は、第1の実施の形態の製造
工程をそれぞれ断面図で順に示すプロセスチャートであ
る。
工程をそれぞれ断面図で順に示すプロセスチャートであ
る。
【図3】第1の実施の形態に用いられる測定回路の具体
的な回路図を示し、(a)は電圧測定回路のもの、
(b)は電流測定回路のもの、(c)は電荷測定回路の
もの、(d)は電荷変化測定回路のものである。
的な回路図を示し、(a)は電圧測定回路のもの、
(b)は電流測定回路のもの、(c)は電荷測定回路の
もの、(d)は電荷変化測定回路のものである。
【図4】本発明による静電チャックの第2の実施の形態
の概略を示し、(A)は平面図、(B)は断面図であ
る。
の概略を示し、(A)は平面図、(B)は断面図であ
る。
【図5】(a)乃至(d)は、第2の実施の形態の製造
工程をそれぞれ断面図で順に示すプロセスチャートであ
る。
工程をそれぞれ断面図で順に示すプロセスチャートであ
る。
【図6】本発明における第1及び第2の実施の形態に用
いられている第2の電極に印加される脱離時の制御され
た電圧変化の一例を示すグラフである。
いられている第2の電極に印加される脱離時の制御され
た電圧変化の一例を示すグラフである。
【図7】従来の静電チャックの一例の概略断面図であ
る。
る。
【図8】従来の静電チャックのもう1つの例の概略断面
図である。
図である。
1 誘電体 1a 誘電体ベース 1b 第1の絶縁膜 1c 第2の絶縁膜 2 静電チャック用電極 3 直流電源 4 第2の電極 5 第3の電極 6 独立した直流電源 10 測定回路 11 制御回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/027 H02N 13/00 D
Claims (13)
- 【請求項1】 誘電体と、該誘電体内に設けられた静電
チャック用電極とを含む静電チャックにおいて、前記誘
電体の吸着力を検出するための第2の電極が設けられて
いることを特徴とする静電チャック。 - 【請求項2】 前記第2の電極が誘電体の吸着力を監視
するための測定回路に接続されていることを特徴とする
請求項1に記載の静電チャック。 - 【請求項3】 前記測定回路が、抵抗と電圧計とを並列
に接続した電圧測定回路であることを特徴とする請求項
2に記載の静電チャック。 - 【請求項4】 前記測定回路が、抵抗と電流計とを直列
に接続した電流測定回路であることを特徴とする請求項
2に記載の静電チャック。 - 【請求項5】 前記測定回路が、キャパシタと電圧計と
を並列に接続した電価測定回路であることを特徴とする
請求項2に記載の静電チャック。 - 【請求項6】 前記測定回路が、キャパシタと電流計と
を直列に接続した電荷変化測定回路であることを特徴と
する請求項2に記載の静電チャック。 - 【請求項7】 前記第2の電極から得られる信号を用い
て、前記静電チャック用電極に印加する電圧を制御する
制御回路が更に設けられていることを特徴とする請求項
1に記載の静電チャック。 - 【請求項8】 前記静電チャック用電極が平板状であ
り、該静電チャック用電極上に前記誘電体の一部をなす
第1の絶縁幕を介在させて前記第2の電極が配置され、
該第2の電極上に前記誘電体の一部をなす第2の絶縁膜
が積層されていることを特徴とする請求項1に記載の静
電チャック。 - 【請求項9】 第3の電極が前記誘電体内に更に設けら
れていることを特徴とする請求項1に記載の静電チャッ
ク。 - 【請求項10】 前記第3の電極が前記第2の電極と同
一平面上に、かつ第2の電極を取り巻くようにドーナツ
状に複数個設けられていることを特徴とする請求項9に
記載の静電チャック。 - 【請求項11】 前記第3の電極が独立した直流電源に
接続されていることを特徴とする請求項9に記載の静電
チャック。 - 【請求項12】 基板としての誘電体ベース上に静電チ
ャック用電極を形成することと、該静電チャック用電極
上に第1の絶縁膜を積層することと、該第1の絶縁膜上
に第2の電極を形成することと、該第2の電極上に第2
の絶縁膜を積層することの各ステップから成ることを特
徴とする静電チャックの製造方法。 - 【請求項13】 基板としての誘電体ベース上に静電チ
ャック用電極を形成することと、該静電チャック用電極
上に第1の絶縁膜を積層することと、該第1の絶縁膜上
に第2及び第3の電極を形成することと、該第2及び第
3の電極上に第2の絶縁膜を積層することの各ステップ
から成ることを特徴とする静電チャックの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7240392A JP2976861B2 (ja) | 1994-09-30 | 1995-09-20 | 静電チャック及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6-237231 | 1994-09-30 | ||
JP23723194 | 1994-09-30 | ||
JP7240392A JP2976861B2 (ja) | 1994-09-30 | 1995-09-20 | 静電チャック及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08191099A true JPH08191099A (ja) | 1996-07-23 |
JP2976861B2 JP2976861B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=26533113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7240392A Expired - Fee Related JP2976861B2 (ja) | 1994-09-30 | 1995-09-20 | 静電チャック及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2976861B2 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001007191A (ja) * | 1999-04-19 | 2001-01-12 | Applied Materials Inc | ヒステリシス放電サイクルを用いる静電チャックからの半導体ウエハ高速デチャック |
KR100376879B1 (ko) * | 2000-11-01 | 2003-03-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 스틱킹이 없는 정전척 |
JP2006108643A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-04-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線描画装置および荷電粒子線描画方法 |
JP2007142456A (ja) * | 2007-02-05 | 2007-06-07 | Fujitsu Ltd | 静電チャック |
JP2008305912A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置 |
KR100883454B1 (ko) * | 2006-08-10 | 2009-02-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 진공 처리 장치, 정전 척의 진단 방법 및 기억 매체 |
JP2010021559A (ja) * | 1998-09-30 | 2010-01-28 | Lam Res Corp | 真空プロセッサのワークピースのチャック解除方法および装置 |
JP2010166086A (ja) * | 2010-04-12 | 2010-07-29 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 静電チャックを用いた半導体製造装置 |
JP2010177698A (ja) * | 2010-04-12 | 2010-08-12 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 静電チャックの製造方法 |
JP2010258452A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc (Asia) | 半導体プロセス部品の残留電荷の検出及び除去システム及びその方法 |
JP2017512378A (ja) * | 2014-02-07 | 2017-05-18 | トレック インコーポレイテッド | ワークピースをクランプするためのシステムおよび方法 関連出願の相互参照 本願は、2014年2月7日に出願された米国仮特許出願番号第61/937050号の優先権を主張するものである。仮特許出願の内容は、この参照によってここに援用される。 |
KR20170093955A (ko) * | 2014-12-11 | 2017-08-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고온 rf 애플리케이션들을 위한 정전 척 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59135741A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | Toshiba Corp | 静電チヤツク |
JPH04216650A (ja) * | 1990-12-17 | 1992-08-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体製造装置 |
JPH04348543A (ja) * | 1991-05-27 | 1992-12-03 | Nec Corp | 静電吸着装置 |
JPH05129420A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Hitachi Ltd | 静電吸着装置 |
JPH06326176A (ja) * | 1993-05-12 | 1994-11-25 | Tokyo Electron Ltd | 自己バイアス測定方法及び装置並びに静電吸着装置 |
-
1995
- 1995-09-20 JP JP7240392A patent/JP2976861B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59135741A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | Toshiba Corp | 静電チヤツク |
JPH04216650A (ja) * | 1990-12-17 | 1992-08-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体製造装置 |
JPH04348543A (ja) * | 1991-05-27 | 1992-12-03 | Nec Corp | 静電吸着装置 |
JPH05129420A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Hitachi Ltd | 静電吸着装置 |
JPH06326176A (ja) * | 1993-05-12 | 1994-11-25 | Tokyo Electron Ltd | 自己バイアス測定方法及び装置並びに静電吸着装置 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010021559A (ja) * | 1998-09-30 | 2010-01-28 | Lam Res Corp | 真空プロセッサのワークピースのチャック解除方法および装置 |
JP4610042B2 (ja) * | 1999-04-19 | 2011-01-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 静電チャックへのワークピースのチャック・デチャック方法、及び、静電チャックからワークピースをデチャックするための装置 |
JP2001007191A (ja) * | 1999-04-19 | 2001-01-12 | Applied Materials Inc | ヒステリシス放電サイクルを用いる静電チャックからの半導体ウエハ高速デチャック |
KR100376879B1 (ko) * | 2000-11-01 | 2003-03-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 스틱킹이 없는 정전척 |
JP2006108643A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-04-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線描画装置および荷電粒子線描画方法 |
JP4637684B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2011-02-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線応用装置 |
KR100883454B1 (ko) * | 2006-08-10 | 2009-02-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 진공 처리 장치, 정전 척의 진단 방법 및 기억 매체 |
JP2007142456A (ja) * | 2007-02-05 | 2007-06-07 | Fujitsu Ltd | 静電チャック |
JP2008305912A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置 |
JP2010258452A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc (Asia) | 半導体プロセス部品の残留電荷の検出及び除去システム及びその方法 |
JP2010177698A (ja) * | 2010-04-12 | 2010-08-12 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 静電チャックの製造方法 |
JP2010166086A (ja) * | 2010-04-12 | 2010-07-29 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 静電チャックを用いた半導体製造装置 |
JP2017512378A (ja) * | 2014-02-07 | 2017-05-18 | トレック インコーポレイテッド | ワークピースをクランプするためのシステムおよび方法 関連出願の相互参照 本願は、2014年2月7日に出願された米国仮特許出願番号第61/937050号の優先権を主張するものである。仮特許出願の内容は、この参照によってここに援用される。 |
US11282732B2 (en) | 2014-02-07 | 2022-03-22 | Trek, Inc. | System and method for clamping a work piece |
KR20170093955A (ko) * | 2014-12-11 | 2017-08-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고온 rf 애플리케이션들을 위한 정전 척 |
JP2018501757A (ja) * | 2014-12-11 | 2018-01-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高温rf用途のための静電チャック |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2976861B2 (ja) | 1999-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2678381B2 (ja) | 交流電界励振を利用した静電チャック | |
US5539179A (en) | Electrostatic chuck having a multilayer structure for attracting an object | |
US8149562B2 (en) | System for decharging a wafer or substrate after dechucking from an electrostatic chuck | |
JPH06204325A (ja) | 静電吸着装置およびその吸着方法 | |
JPH0351101B2 (ja) | ||
KR19980024679A (ko) | 정전 척과 그것을 이용한 시료처리방법 및 장치 | |
JPH10150100A (ja) | 静電チャックとそれを用いた試料処理方法及び装置 | |
JP2976861B2 (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
JPH06326176A (ja) | 自己バイアス測定方法及び装置並びに静電吸着装置 | |
JP2978470B2 (ja) | 静電吸着装置および被吸着物離脱方法 | |
GB2293689A (en) | Electrostatic chuck | |
JPH01321136A (ja) | 静電チャックの劣化検出回路 | |
JPH05175318A (ja) | 静電チャックの基板脱着方法 | |
JPH04132239A (ja) | ウエハーチャック | |
JP3287996B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
JPH07130826A (ja) | 静電チャック | |
JP2503364B2 (ja) | ウエハの静電吸着装置、ウエハの静電吸着方法、ウエハの離脱方法及びドライエッチング方法 | |
JPH09260472A (ja) | 静電チャック | |
JPH0263304B2 (ja) | ||
JPH03102814A (ja) | 静電チャック装置 | |
JPS6325706B2 (ja) | ||
JP2002222850A (ja) | 静電チャックにおける被吸着物の離脱方法 | |
JPH0786383A (ja) | 静電吸着装置及び方法 | |
JPH11251419A (ja) | 基板保持用静電チャック及び基板保持方法 | |
JPH07130827A (ja) | ウエーハ静電吸着装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990810 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080910 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080910 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090910 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |