JPH04216650A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH04216650A JPH04216650A JP2411483A JP41148390A JPH04216650A JP H04216650 A JPH04216650 A JP H04216650A JP 2411483 A JP2411483 A JP 2411483A JP 41148390 A JP41148390 A JP 41148390A JP H04216650 A JPH04216650 A JP H04216650A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置もしく
は検査装置においてウエハの保持状態を確認する方法お
よびこの方法を用いた半導体製造装置もしくは検査装置
に関するものである。
は検査装置においてウエハの保持状態を確認する方法お
よびこの方法を用いた半導体製造装置もしくは検査装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置もしくは検査装置におい
てはウエハを平坦度良く保持することが精度を満足する
ために非常に重要であるが、実際にはダストや保持機構
の不調等によって平坦度良く保持されないことがある。 このような状態で処理または測定を行っても結果的に精
度が満足されないので、この処理または測定に要した時
間が無駄となる。従って、ウエハを保持したときにウエ
ハが平坦度良く保持されているか確認し、保持されてい
ないときに再度保持しなおしたり、該当ウエハをプロセ
スから外すことは生産効率の向上には不可欠である。
てはウエハを平坦度良く保持することが精度を満足する
ために非常に重要であるが、実際にはダストや保持機構
の不調等によって平坦度良く保持されないことがある。 このような状態で処理または測定を行っても結果的に精
度が満足されないので、この処理または測定に要した時
間が無駄となる。従って、ウエハを保持したときにウエ
ハが平坦度良く保持されているか確認し、保持されてい
ないときに再度保持しなおしたり、該当ウエハをプロセ
スから外すことは生産効率の向上には不可欠である。
【０００３】特に真空・静電チャック内蔵のパレットに
おいては、まず吸着力の強い真空チャックを働かせてウ
エハを基準面であるパレット表面に強制的に吸着するこ
とによりウエハの反りを矯正して平坦度をだし、その後
静電チャックを働かせて平坦度を保持するので真空チャ
ックを働かせたときに平坦度を確認することが重要であ
る。
おいては、まず吸着力の強い真空チャックを働かせてウ
エハを基準面であるパレット表面に強制的に吸着するこ
とによりウエハの反りを矯正して平坦度をだし、その後
静電チャックを働かせて平坦度を保持するので真空チャ
ックを働かせたときに平坦度を確認することが重要であ
る。
【０００４】従来はレーザや白色光をウエハに照射して
その反射からウエハの形状を測定して保持状態を確認し
ていた。
その反射からウエハの形状を測定して保持状態を確認し
ていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザや白色光
を用いる方法には、■ウエハの反射率がある程度大きく
なければならない、■ウエハ全面の保持状態を確認する
には走査しなければならず測定に時間を要する、■測定
方法上ウエハの上方から測定しなければならないのでウ
エハ上方に測定ユニットを取り付けるスペースが必要で
ある、■測定ユニットが複雑であり形状が大きい、■測
定結果からの保持状態の可否の判断が難しいなどの問題
があった。
を用いる方法には、■ウエハの反射率がある程度大きく
なければならない、■ウエハ全面の保持状態を確認する
には走査しなければならず測定に時間を要する、■測定
方法上ウエハの上方から測定しなければならないのでウ
エハ上方に測定ユニットを取り付けるスペースが必要で
ある、■測定ユニットが複雑であり形状が大きい、■測
定結果からの保持状態の可否の判断が難しいなどの問題
があった。
【０００６】本発明は、上記の問題を解決するために■
ウエハの反射率の影響を受けない、■短時間で測定でき
る、■ウエハ下方から測定できる、■簡単な構造である
、■測定結果から保持状態の可否の判断が容易であるウ
エハ保持状態確認方法およびこの方法を用いたウエハ保
持状態確認機構を提供することを目的としている。
ウエハの反射率の影響を受けない、■短時間で測定でき
る、■ウエハ下方から測定できる、■簡単な構造である
、■測定結果から保持状態の可否の判断が容易であるウ
エハ保持状態確認方法およびこの方法を用いたウエハ保
持状態確認機構を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明におけるウエハ保
持状態確認方法およびウエハ保持状態確認機構は静電容
量を測定してこの結果をもとにウエハの保持状態を確認
することを主要な特徴とする。
持状態確認方法およびウエハ保持状態確認機構は静電容
量を測定してこの結果をもとにウエハの保持状態を確認
することを主要な特徴とする。
【０００８】本発明の構成は下記に示す通りである。即
ち、半導体製造装置もしくは検査装置におけるウエハ保
持部において、ウエハとウエハ下面に設置された電極間
の静電容量または、ウエハとウエハ下面に設置された複
数の電極による合成容量を測定し、この結果をもとにウ
エハの保持状態を確認する方法としての構成を有するも
のであり、或いはまた、
ち、半導体製造装置もしくは検査装置におけるウエハ保
持部において、ウエハとウエハ下面に設置された電極間
の静電容量または、ウエハとウエハ下面に設置された複
数の電極による合成容量を測定し、この結果をもとにウ
エハの保持状態を確認する方法としての構成を有するも
のであり、或いはまた、
【０００９】真空・静電チャックを内蔵したパレットを
使用する半導体製造装置もしくは検査装置において、ウ
エハと静電チャック用電極間の静電容量または複数の静
電チャック用電極間の静電容量を測定し、この結果をも
とにウエハの保持状態を確認する方法としての構成を有
するものであり、或いはまた、
使用する半導体製造装置もしくは検査装置において、ウ
エハと静電チャック用電極間の静電容量または複数の静
電チャック用電極間の静電容量を測定し、この結果をも
とにウエハの保持状態を確認する方法としての構成を有
するものであり、或いはまた、
【００１０】ウエハ保持状態確認方法に使用し、ウエハ
とウエハの下面に設置した電極、またはウエハとウエハ
下面に設置した複数の電極によりキャパシタが構成して
あり、このキャパシタの静電容量を測定する回路及びこ
の測定値をもとにウエハに吸着状態を判断する回路を具
備することを特徴とする半導体製造装置もしくは検査装
置としての構成を有するものであり、或いはまた、
とウエハの下面に設置した電極、またはウエハとウエハ
下面に設置した複数の電極によりキャパシタが構成して
あり、このキャパシタの静電容量を測定する回路及びこ
の測定値をもとにウエハに吸着状態を判断する回路を具
備することを特徴とする半導体製造装置もしくは検査装
置としての構成を有するものであり、或いはまた、
【０
０１１】ウエハ保持状態確認方法に使用し、静電チャッ
ク用電極間の静電容量を測定する回路とこの測定値をも
とにウエハの吸着状態を判断する回路を具備することを
特徴とする半導体製造装置もしくは検査装置としての構
成を有するものである。
０１１】ウエハ保持状態確認方法に使用し、静電チャッ
ク用電極間の静電容量を測定する回路とこの測定値をも
とにウエハの吸着状態を判断する回路を具備することを
特徴とする半導体製造装置もしくは検査装置としての構
成を有するものである。
【００１２】
【作用】図１および図２は本発明によるウエハ保持状態
確認方法の説明図である。１はウエハ、４は静電容量計
、６はステージ、７は測定電極である。図１に示すよう
にウエハが平坦度良く保持されていないとウエハとステ
ージ内に設置された測定電極との距離ｄが部分的に理想
的に保持された場合の値ｄ０ より大きくなるので、ウ
エハと測定電極間の静電容量Ｃ１ は理想的に保持され
た場合の値Ｃ１０より小さくなる。また、図２のように
測定電極が２分割されている場合も同様にウエハが平坦
度良く保持されていないとｄがｄ０ より大きくなるの
でウエハと測定電極間の静電容量Ｃ２ 、Ｃ３ は理想
的に保持された場合の値Ｃ２０、Ｃ３０より小さくなる
。
確認方法の説明図である。１はウエハ、４は静電容量計
、６はステージ、７は測定電極である。図１に示すよう
にウエハが平坦度良く保持されていないとウエハとステ
ージ内に設置された測定電極との距離ｄが部分的に理想
的に保持された場合の値ｄ０ より大きくなるので、ウ
エハと測定電極間の静電容量Ｃ１ は理想的に保持され
た場合の値Ｃ１０より小さくなる。また、図２のように
測定電極が２分割されている場合も同様にウエハが平坦
度良く保持されていないとｄがｄ０ より大きくなるの
でウエハと測定電極間の静電容量Ｃ２ 、Ｃ３ は理想
的に保持された場合の値Ｃ２０、Ｃ３０より小さくなる
。
【００１３】従って、ステージが図１のような構造のと
きは測定値Ｃｍ１（＝Ｃ１ ）から静電容量の変化分Δ
Ｃ１ ＝Ｃ１ −Ｃ１０を、図２のような構造のときは
測定値Ｃｍ２（＝Ｃ２ ・Ｃ３ ／（Ｃ２ ＋Ｃ３ ）
）から合成容量の変化分ΔＣ２ ＝Ｃｍ２−〔Ｃ２０・
Ｃ３０／（Ｃ２０＋Ｃ３０）〕を求めればこの静電容量
の変化分がウエハの保持状態の指標となる。式より、Δ
Ｃ１ （またはΔＣ２ ）の絶対値が小さいほうが理想
的な保持状態に近い。
きは測定値Ｃｍ１（＝Ｃ１ ）から静電容量の変化分Δ
Ｃ１ ＝Ｃ１ −Ｃ１０を、図２のような構造のときは
測定値Ｃｍ２（＝Ｃ２ ・Ｃ３ ／（Ｃ２ ＋Ｃ３ ）
）から合成容量の変化分ΔＣ２ ＝Ｃｍ２−〔Ｃ２０・
Ｃ３０／（Ｃ２０＋Ｃ３０）〕を求めればこの静電容量
の変化分がウエハの保持状態の指標となる。式より、Δ
Ｃ１ （またはΔＣ２ ）の絶対値が小さいほうが理想
的な保持状態に近い。
【００１４】上記手法では静電容量を測定しているだけ
であるのでウエハ表面の反射率の影響は受けず、測定は
高速である。また、ウエハ下方に測定電極を設置するの
みであるから構造は簡単である。さらに、ウエハ全面に
渡る保持状態が静電容量の変化という一つの数値で表現
されるので、閾値を設けるなどして保持状態の可否判断
が容易に行なえる。
であるのでウエハ表面の反射率の影響は受けず、測定は
高速である。また、ウエハ下方に測定電極を設置するの
みであるから構造は簡単である。さらに、ウエハ全面に
渡る保持状態が静電容量の変化という一つの数値で表現
されるので、閾値を設けるなどして保持状態の可否判断
が容易に行なえる。
【００１５】
【実施例】以下に本発明の実施例を静電・真空チャック
を内蔵したパレットを例に詳述する。図３は静電チャッ
ク用電極が２分割されている双極型静電真空チャックの
構成図である。図３において１はウエハ、２はパレット
、３は静電チャック用電極、４は静電容量計、５は真空
チャック、１１は比較器である。
を内蔵したパレットを例に詳述する。図３は静電チャッ
ク用電極が２分割されている双極型静電真空チャックの
構成図である。図３において１はウエハ、２はパレット
、３は静電チャック用電極、４は静電容量計、５は真空
チャック、１１は比較器である。
【００１６】以上のように構成された実施例についてそ
の動作を説明する。
の動作を説明する。
【００１７】ウエハ１を真空チャック５でパレット２に
吸着した状態で２枚の静電チャック用電極３間の静電容
量Ｃｍ２を静電容量計４で測定する。本実施例では２枚
の静電チャック用電極３が同面積かつパレット２の表面
からの深さが同じであるのでＣ２０＝Ｃ３０＝εＳ／ｄ
０ となる。ここでεはパレット２の誘電率、Ｓは静電
チャック用電極３の１枚（半円）の面積である。これら
Ｃｍ２、Ｃ２０、Ｃ３０からΔＣ２ を計算し、ΔＣ２
≒０ならばウエハ１がパレット２に平坦度良く保持さ
れていると判断する。
吸着した状態で２枚の静電チャック用電極３間の静電容
量Ｃｍ２を静電容量計４で測定する。本実施例では２枚
の静電チャック用電極３が同面積かつパレット２の表面
からの深さが同じであるのでＣ２０＝Ｃ３０＝εＳ／ｄ
０ となる。ここでεはパレット２の誘電率、Ｓは静電
チャック用電極３の１枚（半円）の面積である。これら
Ｃｍ２、Ｃ２０、Ｃ３０からΔＣ２ を計算し、ΔＣ２
≒０ならばウエハ１がパレット２に平坦度良く保持さ
れていると判断する。
【００１８】実際には浮遊容量等の影響があるので、平
坦度が良かったときのＣｍ２の値を記録しておきこの値
を基準にして許容できるＣｍ２の範囲を実験から決定す
る必要がある。しかし、このＣｍ２の許容範囲が決まれ
ば吸着状態の可否判断は機械的に容易に行うことができ
る。図３では比較器１１がこれを行っている。
坦度が良かったときのＣｍ２の値を記録しておきこの値
を基準にして許容できるＣｍ２の範囲を実験から決定す
る必要がある。しかし、このＣｍ２の許容範囲が決まれ
ば吸着状態の可否判断は機械的に容易に行うことができ
る。図３では比較器１１がこれを行っている。
【００１９】実測では、６インチのウエハの平坦度が５
μｍ程度悪くなるとＣｍ２の値は数１０ｐＦ変化する。
μｍ程度悪くなるとＣｍ２の値は数１０ｐＦ変化する。
【００２０】以上により、■ウエハの反射率の影響を受
けずに、■短時間で、■ウエハ下方から、■簡単な機構
でウエハの保持状態を確認することができる。さらに、
測定結果から容易に保持状態の可否の判断が行なえる。
けずに、■短時間で、■ウエハ下方から、■簡単な機構
でウエハの保持状態を確認することができる。さらに、
測定結果から容易に保持状態の可否の判断が行なえる。
【００２１】本実施例では静電チャック用電極間の静電
容量を測定する時に静電チャックを働かせていないが、
図４に示すように静電容量計に静電チャック用高電圧が
掛かるのを防ぐためキャパシタを接続し、かつ静電チャ
ック用高圧電源を交流的に切り離すために高圧電源と直
列にインダクタを挿入すれば静電チャックを働かせた状
態で静電容量を測定することもできる。
容量を測定する時に静電チャックを働かせていないが、
図４に示すように静電容量計に静電チャック用高電圧が
掛かるのを防ぐためキャパシタを接続し、かつ静電チャ
ック用高圧電源を交流的に切り離すために高圧電源と直
列にインダクタを挿入すれば静電チャックを働かせた状
態で静電容量を測定することもできる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、ウエハの保持状態を容
易に確認することができる。従って、本発明は電子ビー
ム描画装置等の半導体製造装置および検査装置でのイン
プロセス測定に適用することが可能であり、生産効率の
向上に寄与する。
易に確認することができる。従って、本発明は電子ビー
ム描画装置等の半導体製造装置および検査装置でのイン
プロセス測定に適用することが可能であり、生産効率の
向上に寄与する。
【図１】本発明によるウエハ保持状態確認方法の第１の
構成の説明図である。
構成の説明図である。
【図２】本発明によるウエハ保持状態確認方法の第２の
構成の説明図である。
構成の説明図である。
【図３】双極型静電・真空チャックにおける実施例であ
る。
る。
【図４】静電チャックを働かせた状態での静電容量の測
定回路の実施例である。
定回路の実施例である。
１ ウエハ
２ パレット
３ 静電チャック用電極
４ 静電容量計
５ 真空チャック
６ ステージ
７ 測定電極
８ 静電チャック用高圧電源
９ インダクタ
１０ キャパシタ
１１ 比較器
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体製造装置もしくは検査装置にお
けるウエハ保持部において、ウエハとウエハ下面に設置
された電極間の静電容量または、ウエハとウエハ下面に
設置された複数の電極による合成容量を測定し、この結
果をもとにウエハの保持状態を確認する方法。 - 【請求項２】 真空・静電チャックを内蔵したパレッ
トを使用する半導体製造装置および検査装置において、
ウエハと静電チャック用電極間の静電容量または複数の
静電チャック用電極間の静電容量を測定し、この結果を
もとにウエハの保持状態を確認する方法。 - 【請求項３】 ウエハ保持状態確認方法に使用し、ウ
エハとウエハの下面に設置した電極、またはウエハとウ
エハ下面に設置した複数の電極によりキャパシタが構成
してあり、このキャパシタの静電容量を測定する回路及
びこの測定値をもとにウエハに吸着状態を判断する回路
を具備することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項４】 ウエハの保持状態確認方法に使用し、
静電チャック用電極間の静電容量を測定する回路とこの
測定値をもとにウエハの吸着状態を判断する回路を具備
することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2411483A JPH04216650A (ja) | 1990-12-17 | 1990-12-17 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2411483A JPH04216650A (ja) | 1990-12-17 | 1990-12-17 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04216650A true JPH04216650A (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=18520492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2411483A Pending JPH04216650A (ja) | 1990-12-17 | 1990-12-17 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04216650A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08191099A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-07-23 | Nec Corp | 静電チャック及びその製造方法 |
| US6791176B2 (en) | 1998-12-02 | 2004-09-14 | Formfactor, Inc. | Lithographic contact elements |
| JP2009059976A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板保持機構及びこの基板保持機構を用いる半導体装置の製造方法 |
| US7508220B2 (en) | 2003-01-15 | 2009-03-24 | Asml Netherlands B.V. | Detection assembly and lithographic projection apparatus provided with such a detection assembly |
-
1990
- 1990-12-17 JP JP2411483A patent/JPH04216650A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08191099A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-07-23 | Nec Corp | 静電チャック及びその製造方法 |
| US6791176B2 (en) | 1998-12-02 | 2004-09-14 | Formfactor, Inc. | Lithographic contact elements |
| US7508220B2 (en) | 2003-01-15 | 2009-03-24 | Asml Netherlands B.V. | Detection assembly and lithographic projection apparatus provided with such a detection assembly |
| JP2009059976A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板保持機構及びこの基板保持機構を用いる半導体装置の製造方法 |
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