KR100213451B1 - 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 및 그 제조 방법 - Google Patents

일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 및 그 제조방법에 관한 것으로 그 구성은 필라맨트,양극판,콘덴서어퍼쳐,콘덴서렌즈,편향 코일,오브젝트 렌즈 및 시료홀더를 순차적으로 구비한 일렉트론/이온빔 조사형 측정장치에 있어서, 상기 콘덴서 어퍼쳐상에 형성되어 소정의 절연특성을 갖는 제 1 절연판과; 상기 제 1 절연판 표면상에 형성된 제 2 전도라인과; 상기 제 1 절연판 내부에 형성되어 외부로 인출되며, 상기 제 2 전도라인과 접촉된 제 1 전도라인을 포함한다.
이와 같은 본 발명에 따른 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 및 그 제조방법은 필라멘트 교환 시에 일렉트론 빔의 배열 시간을 단축시키고, 그 결과 제조 공정상의 효율을 향상시킨다.

Description

일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 및 그 제조 방법
본 발명은 주사 전자 현미경(SEM : Scaning Electron Microscope) 또는 이온 빔 현미경(Ion Beam Microscope)등의 일렉트론/이온빔 조사형 측정장치에 관한 것으로 좀더 상세하게는 측정장치 본체에 형성된 콘덴서 어퍼쳐(aperture)상에 소정의 재질 및 형상을 갖는 배열판을 형성시켜 필라멘트에서 조사되는 일렉트론 빔의 배열을 신속하게 하고, 그 결과 불필요한 일렉트론 빔 배열시간을 저감시킬 수 있는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 들어 생산되는 반도체 웨이퍼에는 높은 신뢰도가 요구되고 있으며, 실수로 스펙에서 벗어나게 된 웨이퍼는 그 사용이 폐기되고 있는 실정이다.
따라서, 작업자들은 웨이퍼가 각 공정 스텝을 통과할 때마다 웨이퍼 특성 파악을 위한 측정을 정밀하게 수행하여, 양질의 제품을 생산할 수 있도록 노력하고 있다.
이때, 웨이퍼 특성을 검지하기 위한 통상의 측정장비로써 일렉트론/이온 빔 조사(illumination)형 측정장치가 널리 사용되고 있다.
도 1 은 이러한 기능을 수행하는 종래의 제조 기술에 따른 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 개략적인 형상을 도시한 단면도이다.
도시된 바와 같이, 내부 장비를 보호하고 있는 본체(100)내에는 필라멘트(101), 양극판(anode plate:103), 콘덴서어퍼쳐(condensor aperture:104),콘덴서렌즈(105),편향 코일(106),오브젝트렌즈(107) 및 시료홀더(108)가 순차적으로 형성되어 있다.
이와 같이 형성되어 있는 종래의 기술에 따른 일렉트론/이온 빔 조사형 측정 장치의 동작과정을 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 인가되는 하이 볼트(10-20KeV) 전압에 의해 필라멘트(101) 팁(101a)에는 일렉트론 빔이 집속되어 외부로 조사된다.
이와 같이 조사된 일렉트론 빔은 양극판(103)에 형성된 슬롯(103a)을 통과하여 본체 상에 그라운딩(grounding) 되어있는 콘덴서어퍼쳐(104)에 이르게 된다.
이때 콘덴서어퍼쳐(104)의 구경은 1nm-10nm 정도이며, 조사된 일렉트론 빔은 이 콘덴서어퍼쳐(104)를 통과하여 응집된다.
그 후, 일렉트론 빔은 응집 렌즈(105)에 이르러, 그 광량이 조절된 후에 편향 코일(106)에 의해 X, Y 축으로 방향이 조절되고, 그 하단부에 형성된 오브젝트렌즈(107)에 의해 초점이 맞춰져서 시료 홀더상(108)에 올려진 시료(109)에 이르게 된다.
이때, 일렉트론 빔이 시료(109)의 표면과 충돌하면 소정의 이차 일렉트론(e-)이 발생하여 외부로 방출되고 본체(100)의 외부에 설치된 디텍터(111)는 이러한 방출 일렉트론(e-)을 검지하여 소정의 스크린상(112)에 디스플레이한다.
그 결과, 작업자는 스크린(112)을 관측하여 공정 내에 있는 시료(109)의 오염 정도 등을 용이하게 검지할 수 있고, 시료(109)상에 적절한 추가 공정을 시행할 수 있다.
그런데, 이와 같은 종래의 기술에 따른 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치에서는 장치의 기능 향상을 위해 필라멘트(101)를 2 - 3 년 주기로 교체해 주는데, 이때 일렉트론 빔과 콘덴서어퍼쳐(104)가 상호 일치될 수 있도록 적절히 배열(alignment) 하여야만 한다.
만약, 일렉트론 빔이 콘덴서어퍼쳐(104)의 위치와 어긋나는 경우에는 광선의 응집이 저하되고, 그 결과 최종 디스플레이되는 시료(109)의 해상도가 저감되어 작업자는 시료를 정확히 검지할 수 없기 때문이다.
따라서, 작업자는 필라멘트(101)를 교체한 후에 필라멘트 측부에 형성된 배열 스크류(102a,102b)를 수동으로 조절하여 일렉트론 빔을 배열한다.
이때, 일렉트론 빔과 콘덴서어퍼쳐(104)의 위치가 일치하면, 일렉트론 빔은 하부에 놓여진 시료(109)에 닿아 소정의 전류를 발생하고, 시료홀더(108)와 연결된 암페어 미터(110)는 그 값을 외부로 표시하여, 작업자는 일렉트론 빔의 위치가 콘덴서어퍼쳐(104)의 위치와 일치하게 된 것을 인지하고 그 결과 노후한 필라멘트 교환 작업을 완수할 수 있게 되는 것이다.
그러나, 이와 같은 종래의 일렉트론 빔 배열작업은 콘덴서어퍼쳐(104)의 직경이 매우 미세하고 또한 일렉트론 빔이 콘덴서어퍼쳐(104)에 접근하고 있는지를 검지할 수 있는 검지수단이 구비되지 않아, 정확한 위치 선정을 위한 수백 번의 오차 수행을 거쳐야 하고, 그 결과 작업자의 작업 능률이 급속히 저하됨으로써 전체적인 제조 공정상의 효율이 저감되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 콘덴서어퍼쳐상에 소정의 재질 및 형상을 갖는 배열판을 형성시켜 조사되는 일렉트론 빔의 배열 작업이 신속하게 이루어지도록 하고 그 결과 전체적인 제조 공정상의 효율이 향상되도록 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 및 그 제조 방법을 제공함에 있다.
도 1 은 종래의 제조 기술에 따른 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 형상을 개략적으로 도시한 단면도.
도 2(가) 및 (나)는 본 발명에 따른 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판을 개략적으로 도시한 단면도.
도 3 은 본 발명에 따른 배열판의 전류특성을 도시한 그래프도.
도 4(가) 내지 (라)는 본 발명에 따른 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 제조방법을 순차적으로 도시한 공정도.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예를 도시한 단면도.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
200 : 배열판 200a : 제 1 절연판
200b : 제 2 절연판 200c : 제 2 전도라인
200d : 제 1 전도라인 200e : 관통공
200f,200g,200h : 제 1 ,제 2 ,제 3 접촉층
200i : 콘택부
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판은 필라맨트,양극판,콘덴서어퍼쳐,콘덴서렌즈,편향 코일,오브젝트 렌즈 및 시료홀더를 순차적으로 구비한 일렉트론/이온빔 조사형 측정장치에 있어서, 상기 콘덴서 어퍼쳐상에 형성되어 소정의 절연특성을 갖는 제 1 절연판과; 상기 제 1 절연판 표면상에 형성된 제 2 전도라인과; 상기 제 1 절연판 내부에 형성되어 외부로 인출되며, 상기 제 2 전도라인과 접촉된 제 1 전도라인을 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 2 전도라인 및 상기 제 1 전도라인 사이에는 전류를 차단하는 제 2 절연판이 형성됨을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 2 전도라인은 나선형으로 형성됨을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 1 절연판 중심부에는 소정의 지름을 갖는 관통공이 형성됨을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 관통공의 지름은 상기 콘덴서 어퍼쳐의 지름과 동일함을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 1 전도라인은 암페어 미터에 연결됨을 특징으로 한다.
또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 일렉트론/이온빔 조사형 측정장치의 배열판 제조방법은 필라멘트, 양극판, 콘덴서 어퍼쳐, 콘덴서렌즈, 편향 코일,오브젝트 렌즈 및 시료홀더를 순차적으로 구비한 일렉트론/이온빔 조사형 측정장치의 제조방법에 있어서, 소정의 홀더상에 절연특성을 갖는 제 1 절연판을 적층한 후 관통공을 형성하는 단계와; 상기 제 1 절연판 상에 제 1 전도라인 및 제 2 절연판을 적층하여 패터닝한 후 콘택부를 형성하는 단계와; 상기 제 2 절연판 상에 제 2 전도라인을 적층한 후 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 2 전도라인은 피막 코팅법에 의해 적층됨을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 2 전도라인은 실리콘 또는 탄소로 형성됨을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 1 전도라인, 제 2 전도라인 및 제 2 절연판은 포토리쏘그래피 공정에 의해 패터닝됨을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 1 절연판 및 제 2 절연판은 스퍼터링법에 의해 적층됨을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 1 절연판 및 제 2 절연판은 SiC 또는 SiO2로 형성됨을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 관통공은 드릴링 공정에 의해 형성됨을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 관통공은 포토리쏘그래피 공정에 의해 형성됨을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 1 전도라인은 Al 또는 금으로 형성됨을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 1 전도라인은 포토리쏘그래피 공정에 의해 패터닝됨을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 1 절연판 및 제 1 전도라인 사이에는 제 1 접촉층이, 상기 제 1 전도라인 및 제 2 절연판 사이에는 제 2 접촉층이, 상기 제 2 절연판 및 제 2 전도라인 사이에는 제 3 접촉층이 증착됨을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 1 접촉층, 제 2 접촉층 및 제 3 접촉층은 스퍼터링법에 의해 증착됨을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제 1 접촉층, 제 2 접촉층 및 제 3 접촉층은 크롬 또는 티타늄으로 형성됨을 특징으로 한다.
이에 따라, 본 발명에 따른 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 및 그 제조 방법에서는 소정의 검지수단으로써 배열판이 구비되어 필라멘트 교체시 일렉트론 빔의 배열을 신속하게 수행할 수 있고 그 결과 제조 공정상의 효율이 향상된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 및 그 제조 방법을 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2(가) 및 (나)는 본 발명에 따른 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본체(도 1에 도시:100)에 그라운딩된 콘덴서어퍼쳐(104)상에는 절연특성을 갖는 제 1 절연판(200a)이 형성되어 본체(100)와 후술하는 제 1 전도라인(200d)과의 통전을 차단한다.
여기서, 제 1 절연판(200a)의 중앙에는 관통공(200e)이 형성된다.
이때 본 발명의 특징에 따르면, 관통공(200e) 및 콘덴서어퍼쳐(104)는 일렉트론 빔의 광축상에 세팅되며, 관통공(200e)의 크기는 콘덴서어퍼쳐(104)의 형성크기와 동일하다. 따라서, 일렉트론 빔이 관통공(200e)을 통과하면, 콘덴서어퍼쳐(104)를 통과한 것과 동일한 결과를 나타낸다.
한편, 제 1 절연판(200a) 상에는 외부로 노출된 제 2 전도라인(200c)이 형성된다.
이때, 제 2 전도라인(200c)의 단부는 제 1 전도라인(200d)에 콘택되어 있다.
여기서, 바람직하게, 제 1 전도라인(200d) 및 제 2 전도라인(200c) 사이에는 소정의 절연특성을 갖는 제 2 절연판(200b)이 형성됨으로써, 제 1 전도라인(200d) 및 제 2 전도라인(200c)이 콘택부(200i) 이외에서 서로 통전되는 것을 방지한다.
이와 같이 형성되는 본 발명에 따른 배열판(200)의 동작을 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.
이때, 설명의 이해를 돕기 위하여 조사되는 일렉트론 빔은 축 I-I´를 따라 이동한다고 가정한다.
먼저, 작업자는 노후한 필라멘트(101)를 교환한 후, 콘덴서어퍼쳐(104)와의 배열을 위해 배열 스크류(102a,102b)를 조절함과 아울러 일렉트론 빔을 조사한다.
이때, 일렉트론 빔은 양극판(도 1에 도시:103)의 슬롯(103a)을 통과한 다음 제 2 전도라인(200c)에 닿아 축 I-I´에 놓인다.
여기서, 바람직하게 제 2 전도라인(200c)은 나선형을 이루며, 그 결과 관통공(200e)에서 떨어진 곳일수록 긴 전도라인을 갖는다.
즉, 축 I-I´상에 형성된 포인트 a, b, c, d 에 일렉트론 빔이 닿는 경우, 제 2 전도라인(200c)의 길이는 d〈c〈b〈a 의 관계가 유지된다.
이때, 일렉트론 빔이 조사되어 점 a, b, c, d 에 순차적으로 닿게되면 라인의 길이증가에 따른 전기의 흐름경로가 증가하여 그 저항크기는 d〈c〈b〈a의 순서가 된다.
즉, 일렉트론 빔이 나선의 외측에 닿을수록 그 저항 값은 커진다.
그런데, 일반적인 전류, 저항 관계 V=IR (여기서,V=전압,I=전류,R=저항)에 따르면 저항은 전류와 반비례하고, 그 결과, 조사된 일렉트론 빔의 전류 값은 제 2 전도라인(200c)에 닿는 부위에 따라 a〈b〈c〈d의 관계가 성립된다.
도 3은 본 발명에 따른 배열판의 전류특성을 도시한 그래프도이다.
이때, 종축은 전류의 크기를 나타내고, 횡축은 제 2 전도라인(200c)에 닿은 일렉트론 빔과 관통공(200e)과의 거리를 타나낸다.
도시된 바와 같이, 일렉트론 빔이 관통공(200e)으로부터 멀리 떨어진 곳에 닿을수록 그 전류 값은 작다.
즉, a〈b〈c〈d의 관계가 성립된다.
이때, 본 발명의 특징에 따르면 제 1 전도라인(200d)은 그 일단에 암페어 미터(201)를 구비하고 있다. 그 결과, 제 1 전도라인(200d)과 콘택된 제 2 전도라인(200c)에서 출력되는 전류 값은 이 암페어 미터(201)에 디스플레이된다.
따라서, 작업자는 배열스크류(102a,102b)를 조절하여 이온빔이 a→b→c→d 순서로 제 2 전도라인(200c)에 닿게 하고, 이에 따라 암페어 미터(201)에 디스플레이되는 전류 값을 관측한다.
이때, 측정 전류 값은 차차 증가하고, 결국은 조사된 일렉트론 빔이 관통공(200e)을 통과하게 됨으로써, 작업자는 일렉트론 빔의 배열 여부를 용이하게 판단할 수 있고 단시간 내에 일렉트론 빔의 배열을 완수할 수 있다.
도 4(가) 내지 (라)는 본 발명에 따른 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 제조방법을 순차적으로 도시한 공정도이다.
도시된 바와 같이 본 발명에 따른 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판(200) 제조방법은 필라멘트(101), 양극판(103), 콘덴서어퍼쳐(104),콘덴서렌즈(105),편향 코일(106),오브젝트렌즈(107) 및 시료홀더(108)를 순차적으로 구비한 일렉트론/이온빔 조사형 측정장치의 제조방법에 있어서, 소정의 홀더(미도시)상에 절연특성을 갖는 제 1 절연판(200a)을 적층한 후 관통공(200e)을 형성하는 단계와, 상기 제 1 절연판(200a)상에 제 1 전도라인(200d) 및 제 2 절연판(200b)을 적층하여 패터닝한 후 콘택부(200i)를 형성하는 단계와, 상기 제 2 절연판 상(200b)에 제 2 전도라인(200c)을 적층한 후 패터닝하는 단계를 포함한다.
이와 같은 단계를 걸치는 본 발명에 따른 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판(200) 제조방법을 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4(가)를 참조하면, 먼저, 소정의 홀더(미도시)상에 절연특성을 유지하는 제 1 절연판(200a)을 형성한다.
이때, 본 발명의 특징에 따르면, 제 1 절연판(200a)은 스퍼터링 증착법에 의해 증착 되며, 그 재질은 SiC 또는 SiO2로 형성된다.
그 후, 제 1 절연판(200a)의 중앙에는 콘덴서어퍼쳐(104)와 동일한 직경을 갖는 관통공(200e)이 형성된다.
이때, 본 발명의 특징에 따르면 관통공(200e)은 기계적인 드릴링(drilling) 공정에 의해 형성된다.
또한, 본 발명의 특징에 따르면 관통공(200e)은 포토리쏘그래피 공정에 의해 형성되어도 된다. 이 경우에는 드릴링 공정에서보다 관통공(200e)의 크기조절이 용이하다.
그 다음에, 도 4(나)에 도시된 바와 같이, 관통공(200e)을 중심으로 일부에는 제 2 절연판(200b)이 형성되고, 나머지 일부에는 제 1 전도라인(200d) 및 제 2 절연판(200b)이 순차적으로 적층된다.
이때, 바람직하게, 제 2 절연판(200b)은 제 1 절연판(200a)과 동일한 재질, 즉 SiC 또는 SiO2로 형성되며, 그 증착방법도 제 1 절연판(200a)과 동일하게 스퍼터링 증착법에 의한다.
또한 제 1 전도라인(200d)은 제 1 절연판 상(200a)에 스퍼터링 증착법에 의해 증착되며,그 재질은 Al 또는 금(gold)으로 형성되는 것이 바람직하다.
여기서, 제 1 전도라인(200d) 및 제 2 절연판(200b)은 포토리쏘그래피 공정에 의해 에칭된 후 관통공 인접부에 콘택부(200i)를 형성한다.
이러한 콘택부(200i)에 의해 하기 하는 제 2 전도라인(200c) 및 제 1 전도라인(200d)은 서로 연결되어, 통전로를 확보한다.
한편, 제 1 전도라인(200d)은 외부에 구비된 암페어 미터(201)와 상호 연결된다.
이에 따라, 후술하는 제 2 전도라인(200c)에 전기가 인입되면, 전류는 콘택부(200i)를 통해 제 1 전도라인(200d)으로 흐르게 되고, 제 1 전도라인(200d)과 연결된 암페어 미터(201)는 외부로 그 전류 값을 디스플레이한다.
그 다음에, 도 4(다)를 참조하면, 관통공(200e)을 중심으로 분리된 제 2 절연판(200b)상에는 제 2 전도라인(200c)이 형성된다.
이때, 본 발명의 특징에 따르면 제 2 전도라인(200c)은 피막 코팅법에 의해 적층된다.
또한, 그 재질은 실리콘(Si) 또는 탄소(C)로 이루어지는 것이 바람직하다.
이어서, 제 2 전도라인상에 포토레지스트(PR)층을 도포 하여 통상의 포토리쏘그래피 공정을 실행하고 이를 통해 도 4(라)에 도시된 바와 같이, 상호 분리되어 나선형을 이루는 제 2 전도라인(200c)을 형성한다.
그 다음에, 홀더(미도시)상에 형성된 배열판(200)을 분리하여 본체(100)에 그라운딩된 콘덴서어퍼쳐(104)상에 올려놓음으로써, 본 발명을 완수한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 단면도이다.
도시된 바와 같이, 제 1 절연판(200a) 및 제 1 전도라인(200d) 사이와, 제 1 전도라인(200d) 및 제 2 절연판 사이(200b), 제 2 절연판(200b) 및 제 2 전도라인(200c) 사이에는 제 1 , 제 2 , 제 3 접촉층(200f,200g,200h)이 순차적으로 형성된다.
이때, 본 발명의 특징에 따르면, 제 1 , 제 2 , 제 3 접촉층(200f,200g, 200h)은 스퍼터링 증착법에 의해 증착되며, 그 재질은 크롬(Cr) 또는 티타늄(Ti)으로 형성된다.
이와 같이 형성된 제 1, 제 2, 제 3접촉층(200f,200g,200h)은 금속 재질의 제 1 , 제 2 전도라인(200d,200c)과 세라믹 재질의 제 1 , 제 2 절연판(200a,200b)의 부착력을 향상시키는 역할을 수행한다. 이에 따라, 본 발명에 따른 배열판(200)은 장시간 사용할 때에도 그 견고함이 유지된다.
상기에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명 및 도시되었지만 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다.
이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안되며 이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 첨부된 특허청구의 범위안에 속한다 해야 할 것이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 및 그 제조 방법은 필라멘트 교환 시에 일렉트론 빔의 배열 시간을 단축시키고, 그 결과 제조 공정상의 효율을 향상시킨다.

Claims (19)

  1. 필라멘트, 양극판, 콘덴서어퍼쳐, 콘덴서렌즈, 편향 코일,오브젝트 렌즈 및 시료홀더를 순차적으로 구비한 일렉트론/이온빔 조사형 측정장치에 있어서,
    상기 콘덴서 어퍼쳐상에 형성되어 소정의 절연특성을 갖는 제 1 절연판과;
    상기 제 1 절연판 표면상에 형성된 제 2 전도라인과;
    상기 제 1 절연판 내부에 형성되어 외부로 인출되며 상기 제 2 전도라인과 접촉된 제 1 전도라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전도라인 및 상기 제 1 전도라인 사이에는 전류를 차단하는 제 2 절연판이 형성됨을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전도라인은 나선형으로 형성됨을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연판 중심부에는 소정의 지름을 갖는 관통공이 형성됨을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 관통공의 지름은 상기 콘덴서 어퍼쳐의 지름과 동일함을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전도라인은 암페어 미터에 연결됨을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판.
  7. 필라멘트, 양극판, 콘덴서 어퍼쳐, 콘덴서렌즈, 편향 코일,오브젝트 렌즈 및 시료홀더를 순차적으로 구비한 일렉트론/이온빔 조사형 측정장치의 제조방법에 있어서,
    소정의 홀더상에 절연특성을 갖는 제 1 절연판을 적층한 후 관통공을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 절연판 상에 제 1 전도라인 및 제 2 절연판을 적층하여 패터닝한 후 콘택부를 형성하는 단계와;
    상기 제 2 절연판 상에 제 2 전도라인을 적층한 후 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 전도라인은 피막 코팅법에 의해 적층됨을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 제 2 전도라인은 실리콘 또는 탄소로 형성됨을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 전도라인, 제 2 전도라인 및 제 2 절연판은 포토리쏘그래피 공정에 의해 패터닝됨을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 제조방법.
  11. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 절연판 및 제 2 절연판은 스퍼터링법에 의해 적층됨을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 절연판 및 제 2 절연판은 SiC 또는 SiO2로 형성됨을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 제조방법.
  13. 제 7 항에 있어서, 상기 관통공은 드릴링 공정에 의해 형성됨을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 제조방법.
  14. 제 7 항에 있어서, 상기 관통공은 포토리쏘그래피 공정에 의해 형성됨을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 제조방법.
  15. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 전도라인은 Al 또는 금으로 형성됨을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 제조방법.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 제 1 전도라인은 포토리쏘그래피 공정에 의해 패터닝됨을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 제조방법.
  17. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 절연판 및 제 1 전도라인 사이에는 제 1 접촉층이, 상기 제 1 전도라인 및 제 2 절연판 사이에는 제 2 접촉층이, 상기 제 2 절연판 및 제 2 전도라인 사이에는 제 3 접촉층이 증착됨을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 제조방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 제 1 접촉층, 제 2 접촉층 및 제 3 접촉층은 스퍼터링법에 의해 증착됨을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 제조방법.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 제 1 접촉층, 제 2 접촉층 및 제 3 접촉층은 크롬 또는 티타늄으로 형성됨을 특징으로 하는 일렉트론/이온 빔 조사형 측정장치의 배열판 제조방법.
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