JP4683409B2

JP4683409B2 - マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法

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Publication number: JP4683409B2
Application number: JP2005034141A
Authority: JP
Inventors: 勝田辺
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 2005-02-10
Filing date: 2005-02-10
Publication date: 2011-05-18
Anticipated expiration: 2025-02-10
Also published as: JP2006220905A

Description

本発明は、ガラス基板に露光波長の光を導入したときに発する、露光波長よりも長い波長の光の分光特性を検出してマスクブランク用ガラス基板を製造するマスクブランク用ガラス基板の製造方法、及びこのマスクブランク用ガラス基板を用いるマスクブランクの製造方法、並びにこのマスクブランクを用いる露光用マスクの製造方法に関する。

近年では、半導体デバイスの微細化により、光リソグラフィー技術において使用される露光光はＡｒＦエキシマレーザー（露光波長１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザー（露光波長１５７ｎｍ）へと短波長化が進んでいる。上記光リソグラフィー技術において使用される露光用マスクや、この露光用マスクを製造するマスクブランクにあっては、マスクブランク用ガラス基板上に形成される、上述の露光光の露光波長に対して光を遮断する遮光膜や、位相を変化させる位相シフト膜の開発が急速に行われ、様々な膜材料が提案されている。

また、上記マスクブランク用ガラス基板や、このマスクブランク用ガラス基板を製造するための合成石英ガラス基板の内部には、異物や気泡などの欠陥が存在しないことが要求されている。特許文献１には、ガラス基板に対し、Ｈｅ‐Ｎｅレーザーを入射し、ガラス基板に存在する内部欠陥（異物や気泡など）により散乱された散乱光を検出することで、上記内部欠陥を検出する欠陥検出装置が開示されている。
特開平８‐２６１９５３号公報

ところが、上述のような欠陥検出装置によって内部欠陥が存在しないと判定された合成石英ガラス基板、マスクブランク用ガラス基板から製造される露光用マスクであっても、露光光であるＡｒＦエキシマレーザーを用いて半導体基板のレジスト膜に露光用マスクのマスクパターンを転写し、この半導体基板上に所望の回路パターンを形成したとき、上記回路パターンに欠陥が発生する場合がある。

その一因として、パターン転写時に露光用マスクの上記ガラス基板が、露光光であるＡｒＦエキシマレーザーによって露光光の波長よりも長い波長の光(蛍光)を発することがある。この光は、合成石英ガラス基板の製造のばらつきや製造方法の違いなどによって異なり、特に上記光のピーク波長が短波長（２５０ｎｍ〜５００ｎｍ）の場合には、半導体基板のレジスト膜に感度を持つ(レジスト膜を感光する)ことになり、このため、例えばパターン転写時においてパターンのコントラストを低下させて、パターン転写に悪影響を及ぼすからと考えられる。

本発明の目的は、上述の事情を考慮してなされたものであり、被転写体へのパターン転写の転写精度を良好にできる露光用マスクを製造する露光用マスクの製造方法、この露光用マスクを製造するためのマスクブランクを製造するマスクブランクの製造方法、及びこのマスクブランクを製造するためのマスクブランク用ガラス基板を製造するマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供することにある。

請求項１に記載の発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、合成石英ガラス板の対向する表面を、露光波長の光が導入できるように鏡面研磨した合成石英ガラス基板を準備する準備工程と、鏡面研磨した上記表面の一方から露光波長の光を入射して当該ガラス基板が発する露光波長よりも長い波長の光を受光し、この受光した光の波長と強度との関係を求め、最も強い強度に対応するピーク波長を検出する検出工程と、上記ピーク波長が約５２０ｎｍ以上の範囲内であるか否かを判定する判定工程と、を有し、上記合成石英ガラス基板に入射される光の露光波長は、２００ｎｍ以下であり、上記ピーク波長が約５２０ｎｍ以上の範囲は、当該合成石英ガラス基板からマスクブランク用ガラス基板及びマスクブランクを経て製造される露光用マスクと露光光とにより、レジスト膜が形成された被転写体に上記露光用マスクのマスクパターンを転写する際に、上記レジスト膜に感度を持たない光のピーク波長の範囲であり、上記ピーク波長が約５２０ｎｍ以上であると判定された合成石英ガラス基板、又は上記ピーク波長をほとんど検出することができない程度の光しか発しない合成石英ガラス基板を良品とすることを特徴とするものである。

請求項２に記載の発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、請求項1に記載の発明において、上記ピーク波長が、上記範囲を外れる約２５０ｎｍ〜５００ｍｎにあると判定された合成石英ガラス基板を不良品とすることを特徴とするものである。

請求項３に記載の発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、請求項１または２に記載の発明において、上記露光光及び上記合成石英ガラス基板に入射される光は、ＡｒＦエキシマレーザーであることを特徴とするものである。

請求項４に記載の発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、請求項１乃至３のいずれかに記載の発明において、上記準備工程により鏡面研磨される合成石英ガラス基板の表面は、当該合成石英ガラス基板の対向する端面であることを特徴とするものである。

請求項５に記載の発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、請求項４に記載の発明において、上記判定工程の後、合成石英ガラス基板の主表面を精密研磨して、マスクブランク用ガラス基板を得ることを特徴とするものである。

請求項６に記載の発明に係るマスクブランクの製造方法は、請求項１乃至５のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって得られたマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、マスクパターンとなる薄膜を形成してマスクブランクを製造することを特徴とするものである。

請求項７に記載の発明に係る露光用マスクの製造方法は、請求項６に記載のマスクブランクにおける薄膜をパターニングして、マスクブランク用ガラス基板の主表面上にマスクパターンを形成し、露光用マスクを製造することを特徴とするものである。

請求項１に記載の発明によれば、合成石英ガラス基板の鏡面研磨された表面の一方から露光波長（２００ｎｍ以下）の光を入射し、当該ガラス基板が発する露光波長よりも長い波長の光を、鏡面研磨された表面の他方から受光し、この受光した光の波長と強度との関係を求め、最も強い強度に対応する当該光のピーク波長を検出し、このピーク波長が約５２０ｎｍ以上の範囲内であるか否かを判定して、マスクブランク用ガラス基板を製造する。従って、マスクブランク用ガラス基板からマスクブランクを経て製造される露光用マスクと露光光を用いて、レジスト膜が形成された被転写体に露光用マスクのマスクパターンを転写するパターン転写の際に、上記露光用マスクには、上記レジスト膜に感度を持たないピーク波長の光を発する合成石英ガラス基板（上記ピーク波長が約５２０ｎｍ以上であると判定された合成石英ガラス基板、又は上記ピーク波長をほとんど検出することができない程度の光しか発しない合成石英ガラス基板）を用いているので、例えば、パターン転写におけるパターンのコントラストが低下してパターンの形成が不良になる等の転写パターン欠陥が生ぜず、パターン転写に悪影響を及ぼすことがないので、転写精度を良好にできる。

請求項５に記載の発明によれば、マスクブランク用ガラス基板の製造工程の、主表面を精密研磨する前の早い段階で合成石英ガラス基板が発する光のピーク波長を検出することから、このピーク波長が所定範囲にある合成石英ガラス基板に対してのみ主表面を精密研磨し、ピーク波長が所定範囲から外れた光を発する合成石英ガラス基板について主表面を精密研磨する無駄を省くことができる。

請求項６または７に記載の発明によれば、請求項１乃至５のいずれか記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって得られたマスクブランク用ガラス基板を用いてマスクブランクを製造し、このマスクブランクにおける薄膜をパターニングして露光用マスクを製造することから、この露光用マスク及び露光光を用いて被転写体のレジスト膜に露光用マスクのマスクパターンを転写するパターン転写時に、上記露光用マスクには、上記レジスト膜に感度を持たないピーク波長の蛍光を発する合成石英ガラス基板が用いられているので、上記パターン転写に悪影響を及ぼして転写パターン欠陥が生ずることがなく、転写精度を良好にできる。

以下、マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法について最良の形態を、図面に基づき説明する。尚、以下、露光光を、露光波長が２００ｎｍ以下のＡｒＦエキシマレーザー(露光波長：１９３ｎｍ)として説明する。

〔Ａ〕マスクブランク用ガラス基板の製造方法
特開平８−３１７２３号公報や特開２００３−８１６５４号公報に記載された製造方法により作製された合成石英ガラスインゴットから、約１５２ｍｍ×約１５２ｍｍ×約６．５ｍｍに切り出して得られた合成石英ガラス板１(図1(ａ))に面取り加工を施し、次に、この合成石英ガラス板１の表面の一部である対向する端面２及び３と面取り面(不図示)とを、露光波長の光を導入できる程度に鏡面になるように研磨して合成石英ガラス基板４を準備する(図1(ｂ))。この準備工程においては、合成石英ガラス基板４における表面の残部である両主表面５、６の表面粗さは約０．５μｍ以下であればよいが、鏡面研磨した端面２、３及び面取り面の表面粗さは約０．０３μｍ以下とする。

次に、図２に示す光検出装置２０に上記合成石英ガラス基板４を装着し、ＡｒＦエキシマレーザーを合成石英ガラス基板４の一方の端面２に入射して、この合成石英ガラス基板４が発する露光波長よりも長い波長の光１５を、この合成石英ガラス基板４の他方の端面３から受光し、この受光した光の波長と強度との関係を求め、最も強い強度に対応する当該光１５のピーク波長などを検出する検出工程と、その光１５のピーク波長から当該合成石英ガラス基板４の分光特性の合否を判定する判定工程とを実施する。

この検出工程及び判定工程を実施する上記光検出装置２０は、図２に示すように、露光波長の光（つまり、露光光と同一波長の光）であるＡｒＦエキシマレーザーを照射するレーザー照射装置２１と、合成石英ガラス基板４を載置し、レーザー照射装置２１から照射されるレーザー光に対し合成石英ガラス基板４をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動させるＸＹＺステージ２２と、受光部２３と分光器本体２４とが光ファイバー２５により接続されてなる分光器２６と、この分光器２６に、例えばＵＳＢケーブルを用いて接続されたコンピュータ２７とを有して構成される。

検出工程においては、上記レーザー照射装置２１は、合成石英ガラス基板４の端面２の任意の位置、例えば端面２の一端部にＡｒＦエキシマレーザーなどの高エネルギーの光（波長λ１）を入射する。上記分光器２６の受光部２３は、合成石英ガラス基板４の端面３側に設置されており、当該合成石英ガラス基板４が発した波長λ１よりも長い波長の光１５を受光する。分光器２６の分光器本体２４は、受光部２３が受光した光１５をスペクトルに分光分析して、この光１５の波長と強度との関係を求め、この関係から最も強い強度に対応するピーク波長などを検出し、コンピュータ２７へ出力する。

コンピュータ２７は、分光器２６にて検出された光１５のスペクトルを画像表示すると共に、まず、その光１５のピーク波長が所定範囲にあるか否かを判断して、合成石英ガラス基板４の分光特性の合否を判定する判定工程を実施する。

上記所定範囲は、合成石英ガラス基板４から後述のマスクブランク用ガラス基板７及びマスクブランク９を経て製造される露光用マスク１４と露光光（つまり、ＡｒＦエキシマレーザー）とを用いて、図示しないレジスト膜が形成された被転写体としての半導体基板（不図示）に露光用マスク１４のマスクパターンを転写するパターン転写時に、上記レジスト膜に感度を持たない(レジスト膜を感光しない)光のピーク波長の範囲（例えば約５２０ｎｍ以上）である。

露光用マスク１４を製造するための合成石英ガラス基板４は、製造方法の違いや製造時のばらつきなどによって、高エネルギーの同一の露光光を用いた場合にも、合成石英ガラス基板４が発する光の特性が異なる。例えば、露光光としてＡｒＦエキシマレーザーを合成石英ガラス基板４に入射したときに、水色の光（ピーク波長が約５００ｎｍ；図３の破線Ａ、Ｂ）を発する場合には、この光はパターン転写時に、半導体基板に形成されたレジスト膜に感度をもつことになり、例えばパターンのコントラストを低下させて、パターンの形成不良やパターンの線幅変化などの転写パターン欠陥を発生させ、パターン転写に悪影響を及ぼす。

これに対し、露光光としてのＡｒＦエキシマレーザーを合成石英ガラス基板４に入射したときに赤色の光（ピーク波長が約６５０ｎｍ）を発する場合や、青緑や黄緑の光（ピーク波長が約５２０ｎｍ〜５８０ｎｍ；図３の実線Ｃ、Ｄ）の場合には、これらの光はパターン転写時に、半導体基板に形成されたレジスト膜に感度を持たないので、上述の転写パターン欠陥を発生させず、パターン転写に悪影響を及ぼすことがない。また、図３の実線Ｅのように、ピーク波長をほとんど検出することができない程度の光しか発しない場合も、もちろん、上述の転写パターン欠陥を発生させず、パターン転写に悪影響を及ぼすことがない。

従って、露光光としてのＡｒＦエキシマレーザーによって露光用マスク１４が発する光１５のピーク波長が前記所定範囲（例えば約５２０ｎｍ以上）にあるならば、これらのＡｒＦエキシマレーザー及び露光用マスク１４を用いて半導体基板にパターン転写を実施する際に、露光用マスク１４が発する光１５が、半導体基板に形成されているレジスト膜に感度を持たないので、例えば、パターン転写におけるパターンのコントラストが低下してパターンの形成が不良になったり、パターンの線幅が変化するなどの転写パターン欠陥が発生しないため、パターン転写に悪影響を与えず、転写精度が良好になる。

上述のようにしてＡｒＦエキシマレーザーを合成石英ガラス基板４に導入して、合成石英ガラス基板４が発する光の分光特性を検出した結果、合成石英ガラス基板４が発する光１５のピーク波長が上記所定範囲内にあるならば、この光１５の分光特性は合格であり、当該合成石英ガラス基板４を良品として判定する。また、蛍光１５のピーク波長が上記所定範囲を外れているならば（例えば、光のピーク波長が約２５０ｎｍ〜５００ｎｍ）、この光１５の分光特性は不合格であり、当該合成石英ガラス基板４を不良品として判定する。この合成石英ガラス基板４の良品、不良品の判定は、コンピュータ２７または作業者によって実施する。

そして、良品として判定された合成石英ガラス基板４に対し、その主表面５、６を所望の表面粗さになるように精密研磨し、洗浄処理を実施してマスクブランク用ガラス基板７を得る（図１（ｃ））。このときの主表面５、６の表面粗さは、自乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．２ｎｍ以下が好ましい。

〔Ｂ〕マスクブランクの製造方法
次に、マスクブランク用ガラス基板７の主表面５、６上にマスクパターンとなる薄膜（ハーフトーン膜８）をスパッタリング法により形成して、マスクブランク9（ハーフトーン型位相シフトマスクブランク）を作製する(図1(ｄ))。ハーフトーン膜８の成膜は、以下の構成を有するスパッタリング装置を使って行う。

このスパッタリング装置は、図４に示すようなＤＣマグネトロンスパッタリング装置３０であり、真空槽３１を有しており、この真空槽３１の内部にマグネトロンカソード３２及び基板ホルダ３３が配置されている。マグネトロンカソード３２には、バッキングプレート３４に接着されたスパッタリングターゲット３５が装着されている。例えば、上記バッキングプレート３４に無酸素鋼を用い、スパッタリングターゲット３５とバッキングプレート３４との接着にインジウムを用いる。上記バッキングプレート３４は水冷機構により直接または間接的に冷却される。また、マグネトロンカソード３２、バッキングプレート３４及びスパッタリングターゲット３５は電気的に結合されている。基板ホルダ３３にガラス基板７が装着される。

上記スパッタリングターゲット３５とガラス基板７とは、図５に示すように、ガラス基板７とスパッタリングターゲット３５の対向する面が所定の角度を有するように配置されている。この場合、例えばスパッタリングターゲット３５とガラス基板７のオフセット距離は３４０ｍｍ、スパッタリングターゲット３５とガラス基板７間の垂直距離（Ｔ／Ｓ）は３８０ｍｍ、スパッタリングターゲットの傾斜角は１５°である。

図４の真空槽３１は、排気口３７を介して真空ポンプにより排気される。真空槽３１内の雰囲気が、形成する膜の特性に影響しない真空度に達した後に、ガス導入口３８から窒素を含む混合ガスを導入し、ＤＣ電源３９を用いてマグネトロンカソード３２に負電圧を加え、スパッタリングを行う。ＤＣ電源３９はアーク検出機能を持ち、スパッタリング中の放電状態を監視する。真空槽３１の内部圧力は圧力計３６によって測定される。

〔Ｃ〕露光用マスクの製造方法
次に、図１に示すように、上記マスクブランク９（ハーフトーン型位相シフトマスクブランク）のハーフトーン膜８の表面にレジストを塗布した後、加熱処理してレジスト膜１０を形成する。(図1(ｅ))。

次に、レジスト膜付きのマスクブランク１１におけるレジスト膜１０に所定のパターンを描画・現像処理し、レジストパターン１２を形成する(図1(ｆ))。

次に、上記レジストパターン１２をマスクにして、ハーフトーン膜８をドライエッチングしてハーフトーン膜パターン１３を形成する(図1(ｇ))。

最後に、レジストパターン１２を除去して、ガラス基板７上にハーフトーン膜パターン１３が形成された露光用マスク１４を得る(図1(ｈ))。

［Ｄ］半導体デバイスの製造方法
得られた露光用マスク１４を露光装置に装着し、この露光用マスク１４を使用し、ＡｒＦエキシマレーザーを露光光として光リソグラフィー技術を用い、半導体基板に形成されているレジスト膜に露光用マスクのマスクパターンを転写して、この半導体基板上に所望の回路パターンを形成し、半導体デバイスを製造する。

［Ｅ］実施の形態の効果
図１（ｃ）に示すマスクブランク用ガラス基板７を得る前に、光検出装置２０（図２）を用いて、露光波長の光（例えばＡｒＦエキシマレーザー）の入射により合成石英ガラス基板４が発生する光を検出し、その光の分光特性の合否を判定することから、上記実施の形態によれば、次の効果（１）及び（２）を奏する。

（１）合成石英ガラス基板４の鏡面研磨された一方の端面２から露光波長の光（例えばＡｒＦエキシマレーザー）を入射して、当該合成石英ガラス基板４が発する露光波長よりも長い波長の光１５を、鏡面研磨された他方の端面３から分光器２６を用いて受光して、この受光した光の波長と強度との関係を求め、最も強い強度に対応する当該蛍光１５のピーク波長を検出し、この光１５のピーク波長が所定範囲（例えば約５２０ｎｍ以上）内にあるか否かを判定して、マスクブランク用ガラス基板７を製造する。従って、マスクブランク用ガラス基板７からマスクブランク９を経て製造される露光用マスク１４と露光光（例えばＡｒＦエキシマレーザー）を用い、レジスト膜が形成された半導体基板に露光用マスク１４のマスクパターンを転写するパターン転写時に、上記露光用マスク１４には、レジスト膜に感度を持たない(レジスト膜を感光しない)上記所定範囲のピーク波長の光を発する合成石英ガラス基板４を用いているので、例えば、パターン転写時におけるパターンのコントラストが低下してパターンの形状が不良になる等の転写パターン欠陥が発生せず、パターン転写に悪影響を及ぼすことがないので、転写精度を良好にできる。

（２）マスクブランク用ガラス基板７の製造工程の、主表面５、６を精密研磨する前の早い段階で、合成石英ガラス基板４が発する光１５のピーク波長を検出することから、このピーク波長が所定範囲にある合成石英ガラス基板４に対してのみ主表面５、６を精密研磨し、ピーク波長が所定範囲から外れた光１５を発する合成石英ガラス基板４について、主表面５、６を精密研磨する無駄を省くことができる。

以上、本発明を上記実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、露光光がＡｒＦエキシマレーザーの場合を述べたが、Ｆ２エキシマレーザーであってもよい。また、ＡｒＦエキシマレーザーやＦ２エキシマレーザーと同じ波長を得るために、重水(Ｄ_２)ランプ等の光源から光を分光させて中心波長がＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザーと同じ光を用いても構わない。

また、この実施形態の光検出装置２０においては、合成石英ガラス基板４に入射されるＡｒＦエキシマレーザーやＦ２エキシマレーザーなどの高エネルギーの光を、当該合成石英ガラス基板４の主表面５、６を精密研磨する前または後に、この主表面５、６から入射してもよい。或いは、上記高エネルギーの光を合成石英ガラス基板４の面取り面から、主表面５、６及び端面３、４にて全反射するような条件で入射してもよい。

本発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法における一実施の形態を示す製造工程図である。図１のマスクブランク用ガラス基板の製造方法において用いられる光検出装置を示す斜視図である。図２の光検出装置において検出された光の波長と強度との関係を示すグラフである。図１のマスクブランクの製造工程において用いられるスパッタリング装置を示す概略側面図である。図４のスパッタリングターゲットとマスクブランク用ガラス基板との位置関係を示す側面図である。

符号の説明

１合成石英ガラス板
２、３端面(表面)
４合成石英ガラス基板
５、６主表面
７マスクブランク用ガラス基板
８ハーフトーン膜（薄膜）
９マスクブランク
１３ハーフトーン膜パターン（マスクパターン）
１４露光用マスク
１５光
２０光検出装置
２６分光器
２７コンピュータ

Claims

合成石英ガラス板の対向する表面を、露光波長の光が導入できるように鏡面研磨した合成石英ガラス基板を準備する準備工程と、
鏡面研磨した上記表面の一方から露光波長の光を入射して当該ガラス基板が発する露光波長よりも長い波長の光を受光し、この受光した光の波長と強度との関係を求め、最も強い強度に対応するピーク波長を検出する検出工程と、
上記ピーク波長が約５２０ｎｍ以上の範囲内であるか否かを判定する判定工程と、を有し、
上記合成石英ガラス基板に入射される光の露光波長は、２００ｎｍ以下であり、
上記ピーク波長が約５２０ｎｍ以上の範囲は、当該合成石英ガラス基板からマスクブランク用ガラス基板及びマスクブランクを経て製造される露光用マスクと露光光とにより、レジスト膜が形成された被転写体に上記露光用マスクのマスクパターンを転写する際に、上記レジスト膜に感度を持たない光のピーク波長の範囲であり、
上記ピーク波長が約５２０ｎｍ以上であると判定された合成石英ガラス基板、又は上記ピーク波長をほとんど検出することができない程度の光しか発しない合成石英ガラス基板を良品とすることを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
上記ピーク波長が、上記範囲を外れる約２５０ｎｍ〜５００ｍｎにあると判定された合成石英ガラス基板を不良品とすることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
上記露光光及び上記合成石英ガラス基板に入射される光は、ＡｒＦエキシマレーザーであることを特徴とする請求項１または２に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
上記準備工程により鏡面研磨される合成石英ガラス基板の表面は、当該合成石英ガラス基板の対向する端面であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
上記判定工程の後、合成石英ガラス基板の主表面を精密研磨して、マスクブランク用ガラス基板を得ることを特徴とする請求項４に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
請求項１乃至５のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって得られたマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、マスクパターンとなる薄膜を形成してマスクブランクを製造することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
請求項６に記載のマスクブランクにおける薄膜をパターニングして、マスクブランク用ガラス基板の主表面上にマスクパターンを形成し、露光用マスクを製造することを特徴とする露光用マスクの製造方法。