JP4683416B2 - マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法、マスクブランク用ガラス基板、マスクブランク、露光用マスク、マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法 - Google Patents
マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法、マスクブランク用ガラス基板、マスクブランク、露光用マスク、マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4683416B2 JP4683416B2 JP2005171153A JP2005171153A JP4683416B2 JP 4683416 B2 JP4683416 B2 JP 4683416B2 JP 2005171153 A JP2005171153 A JP 2005171153A JP 2005171153 A JP2005171153 A JP 2005171153A JP 4683416 B2 JP4683416 B2 JP 4683416B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- mask blank
- mask
- light
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 238
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 150
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 143
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 59
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 95
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 30
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 206010040925 Skin striae Diseases 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N Heavy water Chemical compound [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/958—Inspecting transparent materials or objects, e.g. windscreens
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
- G01N21/6456—Spatial resolved fluorescence measurements; Imaging
- G01N2021/646—Detecting fluorescent inhomogeneities at a position, e.g. for detecting defects
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
本発明の他の目的は、被転写体へのパターン転写に影響の大きな主表面近傍の内部欠陥を含む、マスクブランク用ガラス基板の実質的に全ての領域の内部欠陥を良好に検出して、パターン転写の転写精度を良好にできる露光用マスクを製造する露光用マスクの製造方法、この露光用マスクを製造するためのマスクブランクを製造するマスクブランクの製造方法、及びこのマスクブランクを製造するためのマスクブランク用ガラス基板を製造するマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供することにある。
請求項11に記載の発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、請求項10に記載の発明において、前記一端面における一方の主表面に接する側の面取り面の幅は、前記検出工程後の精密研磨における研磨取り代に対応して設定されることを特徴とするものである。
特開平8−31723号公報や特開2003−81654号公報に記載された製造方法により作製された合成石英ガラスインゴットから、約152.4mm×約152.4mm×約6.85mmに切り出して得られた合成石英ガラス板1(図1(a))に面取り加工を施す。次に、この合成石英ガラス板1の表面のうち、少なくとも、検査用の光である波長が200nm以下の短波長光(本実施の形態では露光波長の光(ArFエキシマレーザー光)))を導入する側の端面2と、この端面2に隣接し、後述の内部欠陥16(図2)が発する光15、17等を受光する側の端面3とを、上記露光波長の光を導入できる程度に鏡面研磨して、合成石英ガラス基板4を準備する(図1(b))。
次に、マスクブランク用ガラス基板7の主表面5上にマスクパターンとなる薄膜(ハーフトーン膜8)をスパッタリング法により形成して、マスクブランク9(ハーフトーン型位相シフトマスクブランク)を作製する(図1(d))。ハーフトーン膜8の成膜は、以下の構成を有するスパッタリング装置を使って行う。
次に、図1に示すように、上記マスクブランク9(ハーフトーン型位相シフトマスクブランク)のハーフトーン膜8の表面にレジストを塗布した後、加熱処理してレジスト膜10を形成する。(図1(e))。
得られた露光用マスク14を露光装置に装着し、この露光用マスク14を使用し、ArFエキシマレーザーを露光光として光リソグラフィー技術を用い、半導体基板(半導体ウェハ)に形成されているレジスト膜に露光用マスクのマスクパターンを転写して、この半導体基板上に所望の回路パターンを形成し、半導体デバイスを製造する。
上述のように構成されたことから、上記実施の形態によれば、次の効果(1)〜(3)を奏する。
(1)合成石英ガラス基板4に波長が200nm以下の短波長光である露光波長の光(ArFエキシマレーザー光)を導入して、この露光波長の光を当該ガラス基板の内部欠陥16の検査に用いる。このことから、この合成石英ガラス基板4からマスクブランク用ガラス基板7及びマスクブランク9を経て製造される露光用マスク14及び露光光を用いたパターン転写の際に、転写パターン欠陥となる内部欠陥16を良好に検出できる。このため、この内部欠陥16が検出されない合成石英ガラス基板4を用いてマスクブランク用ガラス基板7を製造することにより、このマスクブランク用ガラス基板7を用いた露光用マスク14には、ガラス基板の内部欠陥16に起因して局所的に光学特性が変化(例えば透過光が低下)する領域が存在しなくなるので、転写パターン欠陥が生ずることなく、転写精度を向上させることができる。
従って、合成石英ガラス基板4から露光用マスク14を製造する場合にマスクパターン(ハーフトーン膜パターン13)が形成される側の主表面5近傍の内部欠陥を含む、当該合成石英ガラス基板4の実質的に全ての領域の内部欠陥16を良好に検出できることになる。合成石英ガラス基板4において、上記マスクパターンが形成される側の主表面5近傍の内部欠陥16は、露光用マスク14を用いた被転写体(例えば半導体ウェハ)へのパターン転写時に、合成石英ガラス基板4における他の箇所の内部欠陥16が露光装置の焦点深度の関係から被転写体に結像されにくいのに対し、被転写体に結像転写され易いので、パターン転写の際に影響が大きい。検出工程では、特にこの主表面5近傍の内部欠陥16を良好に検出できる。この結果、内部欠陥が検出されない合成石英ガラス基板4から露光用マスク14を製造することで、この露光用マスク14を用いたパターン転写の転写精度を向上させることができる。
2 端面(一端面)
4 合成石英ガラス基板
5、6 主表面
7 マスクブランク用ガラス基板
8 ハーフトーン膜(薄膜)
9 マスクブランク
13 ハーフトーン膜パターン(マスクパターン)
14 露光用マスク
15、17 光
16 内部欠陥
18 端面(対向端面)
20 ガラス基板の欠陥検査装置
21 レーザー照射装置
23 CCDカメラ
27 コンピュータ
51〜58 面取り面
59 側面
60 表層領域
t 幅
T 幅
Claims (13)
- 対向する1組の主表面と対向する2組の端面を備えるガラス基板の一端面から波長が200nm以下の短波長光を導入し、
この導入された短波長光によって前記ガラス基板の内部欠陥が発する、前記波長よりも長い長波長光を受光し、
この受光した長波長光に基づき前記ガラス基板の前記内部欠陥を検出するマスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法であって、
前記端面は、前記主表面に直交する側面と、前記側面と前記主表面に接する箇所にそれぞれ形成される面取り面とからなり、
前記ガラス基板の前記一端面における一方の主表面に接する側の面取り面の幅が、前記一端面に対向する対向端面における前記一方の主表面に接する側の面取り面の幅よりも小さく形成され、
前記一端面の側面から前記短波長光を導入することを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法。 - 前記ガラス基板の前記一端面における他方の主表面に接する側の面取り面の幅は、前記一端面に対向する対向端面における前記他方の主表面に接する側の面取り面の幅よりも小さく形成されることを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法。
- 対向する1組の主表面と、対向する2組の端面を備えるマスクブランク用ガラス基板であって、
前記端面は、前記主表面に直交する側面と、前記側面と前記主表面に接する箇所にそれぞれ形成される面取り面とからなり、
前記端面のうち、一端面の側面は、内部欠陥を検出するための検査用の光が導入可能に形成されており、
前記一端面における一方の主表面に接する側の面取り面の幅が、前記一端面に対向する対向端面における前記一方の主表面に接する側の面取り面の幅よりも小さく形成されていることを特徴とするマスクブランク用ガラス基板。 - 前記一端面に導入される検査用の光の波長は、200nm以下であることを特徴とする請求項3に記載のマスクブランク用ガラス基板。
- 前記ガラス基板の前記一端面における他方の主表面に接する側の面取り面の幅は、前記一端面に対向する対向端面における前記他方の主表面に接する側の面取り面の幅よりも小さく形成されていることを特徴とする請求項3または4に記載のマスクブランク用ガラス基板。
- 請求項3乃至5のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、マスクパターンとなる薄膜が形成されたことを特徴とするマスクブランク。
- 請求項6に記載のマスクブランクにおける薄膜がパターニングされて、マスクブランク用ガラス基板の主表面上にマスクパターンが形成されたことを特徴とする露光用マスク。
- 対向する1組の主表面と対向する2組の端面を備える合成石英ガラス基板を準備する準備工程と、
前記端面のうち、一端面から波長が200nm以下の短波長光を導入し、当該ガラス基板の内部欠陥が発する前記波長よりも長い長波長光を受光し、この受光した長波長光に基づき前記内部欠陥を検出する検出工程とを有し、
前記検出工程で内部欠陥が検出されない前記合成石英ガラス基板を用いてマスクブランク用ガラス基板を製造するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、
前記端面は、前記主表面に直交する側面と、前記側面と前記主表面に接する箇所にそれぞれ形成される面取り面とからなり、
前記端面のうち、一端面の側面は、内部欠陥を検出するための検査用の光が導入可能に形成されており、
前記準備工程において、前記一端面における一方の主表面に接する側の面取り面の幅が、前記一端面に対向する対向端面における前記一方の主表面に接する側の面取り面の幅よりも小さく形成された合成石英ガラス基板を準備し、
前記検出工程において、前記一端面の側面に前記短波長光を導入することを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。 - 前記ガラス基板の前記一端面における他方の主表面に接する側の面取り面の幅は、前記一端面に対向する対向端面における前記他方の主表面に接する側の面取り面の幅よりも小さく形成されることを特徴とする請求項8に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
- 前記検出工程の後、合成石英ガラス基板の主表面を精密研磨して、マスクブランク用ガラス基板を得ることを特徴とする請求項8または9に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
- 前記一端面における一方の主表面に接する側の面取り面の幅は、前記検出工程後の精密研磨における研磨取り代に対応して設定されることを特徴とする請求項10に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
- 請求項8乃至11のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって得られたマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、マスクパターンとなる薄膜を形成してマスクブランクを製造することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
- 請求項12に記載のマスクブランクにおける薄膜をパターニングして、マスクブランク用ガラス基板の主表面上にマスクパターンを形成し、露光用マスクを製造することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005171153A JP4683416B2 (ja) | 2005-06-10 | 2005-06-10 | マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法、マスクブランク用ガラス基板、マスクブランク、露光用マスク、マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法 |
US11/450,394 US7972702B2 (en) | 2005-06-10 | 2006-06-12 | Defect inspection method for a glass substrate for a mask blank, glass substrate for a mask blank, mask blank, exposure mask, method of producing a glass substrate for a mask blank, method of producing a mask blank, and method of producing an exposure mask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005171153A JP4683416B2 (ja) | 2005-06-10 | 2005-06-10 | マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法、マスクブランク用ガラス基板、マスクブランク、露光用マスク、マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006343666A JP2006343666A (ja) | 2006-12-21 |
JP4683416B2 true JP4683416B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=37589955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005171153A Expired - Fee Related JP4683416B2 (ja) | 2005-06-10 | 2005-06-10 | マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法、マスクブランク用ガラス基板、マスクブランク、露光用マスク、マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7972702B2 (ja) |
JP (1) | JP4683416B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4688150B2 (ja) * | 2005-08-03 | 2011-05-25 | Hoya株式会社 | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、及び欠陥検査装置 |
JP5410654B2 (ja) * | 2007-04-09 | 2014-02-05 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
JP5085966B2 (ja) * | 2007-04-09 | 2012-11-28 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
JP5222660B2 (ja) * | 2008-08-07 | 2013-06-26 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP5346243B2 (ja) * | 2009-06-04 | 2013-11-20 | Hoya株式会社 | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法及びパターン転写方法 |
JP5651032B2 (ja) * | 2011-02-03 | 2015-01-07 | Hoya株式会社 | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
DE102013107215B3 (de) * | 2013-07-09 | 2014-10-09 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Spiegelsubstrat-Rohlings aus Titan-dotiertem Kieselglas für die EUV-Lithographie, sowie System zur Positionsbestimmung von Defekten in einem Rohling |
JP2017032523A (ja) * | 2015-08-06 | 2017-02-09 | 株式会社オハラ | 光学ガラス母材欠陥検査装置及び光学ガラス母材欠陥検査方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62213262A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体異物検査装置 |
JPH01189654A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-28 | Nippon Sekiei Glass Kk | 合成石英ガラスの検査方法 |
JPH08261953A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 透明体の欠陥検出方法及び装置 |
JPH11242001A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-09-07 | Hoya Corp | 透光性物質の不均一性検査方法及びその装置並びに透明基板の選別方法 |
JP2002131884A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-09 | Hitachi Ltd | フォトマスクの製造方法、フォトマスクおよび半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2006220905A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Hoya Corp | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法 |
JP2007086050A (ja) * | 2005-02-18 | 2007-04-05 | Hoya Corp | 透光性材料からなる透光性物品の検査方法、ガラス基板の欠陥検査方法及び装置、マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法、並びに、マスクブランク用ガラス基板、マスクブランク、露光用マスク、及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3071362B2 (ja) | 1994-07-15 | 2000-07-31 | 信越化学工業株式会社 | ArFエキシマレーザリソグラフィー用合成石英マスク基板およびその製造方法 |
WO1999004249A1 (fr) * | 1997-07-17 | 1999-01-28 | Hoya Corporation | Procede de verification de l'inegalite d'une substance emettrice de lumiere, dispositif concu a cet effet, et procede de triage de substrats transparents |
US6555273B2 (en) * | 1997-12-26 | 2003-04-29 | Hoya Corporation | Glass substrate for an electron device, photomask blank and photomask using the same |
JP2003081654A (ja) | 2001-09-06 | 2003-03-19 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 合成石英ガラスおよびその製造方法 |
-
2005
- 2005-06-10 JP JP2005171153A patent/JP4683416B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-12 US US11/450,394 patent/US7972702B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62213262A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体異物検査装置 |
JPH01189654A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-28 | Nippon Sekiei Glass Kk | 合成石英ガラスの検査方法 |
JPH08261953A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 透明体の欠陥検出方法及び装置 |
JPH11242001A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-09-07 | Hoya Corp | 透光性物質の不均一性検査方法及びその装置並びに透明基板の選別方法 |
JP2002131884A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-09 | Hitachi Ltd | フォトマスクの製造方法、フォトマスクおよび半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2006220905A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Hoya Corp | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法 |
JP2007086050A (ja) * | 2005-02-18 | 2007-04-05 | Hoya Corp | 透光性材料からなる透光性物品の検査方法、ガラス基板の欠陥検査方法及び装置、マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法、並びに、マスクブランク用ガラス基板、マスクブランク、露光用マスク、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7972702B2 (en) | 2011-07-05 |
JP2006343666A (ja) | 2006-12-21 |
US20070003843A1 (en) | 2007-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4683416B2 (ja) | マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法、マスクブランク用ガラス基板、マスクブランク、露光用マスク、マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法 | |
KR101117826B1 (ko) | 투광성 물품의 검사 방법, 마스크 블랭크용 투광성 기판의 제조 방법, 마스크 블랭크의 제조 방법, 노광용 마스크의 제조 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법 | |
JP4688150B2 (ja) | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、及び欠陥検査装置 | |
JP2007086050A (ja) | 透光性材料からなる透光性物品の検査方法、ガラス基板の欠陥検査方法及び装置、マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法、並びに、マスクブランク用ガラス基板、マスクブランク、露光用マスク、及び半導体装置の製造方法 | |
US8956809B2 (en) | Apparatus and methods for etching quartz substrate in photomask manufacturing applications | |
CN112578631A (zh) | 图案检查方法、光掩模检查装置、光掩模的制造方法 | |
JP4761360B2 (ja) | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP4859436B2 (ja) | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、及びリソグラフィー用ガラス部材の製造方法 | |
US6372392B1 (en) | Transparent optical device and fabrication method thereof | |
TW201417157A (zh) | 用於先進相轉移與二元化光罩之雙終點偵測 | |
JP5346243B2 (ja) | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法及びパターン転写方法 | |
JP5028437B2 (ja) | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用フォトマスクの製造方法 | |
TWI461831B (zh) | 光罩基底用玻璃基板之製造方法、光罩基底之製造方法及曝光用光罩之製造方法 | |
JP5090379B2 (ja) | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用フォトマスクの製造方法 | |
KR100485029B1 (ko) | 전자디바이스용유리기판과이를이용하는포토마스크블랭크및포토마스크 | |
JP4683409B2 (ja) | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法 | |
JP4721259B2 (ja) | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法 | |
JP4100514B2 (ja) | 電子デバイス用ガラス基板の製造方法、フォトマスクブランクの製造法及びフォトマスクの製造方法 | |
JP5525838B2 (ja) | マスクブランク用基板、マスクブランク、転写用マスク、及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP5651032B2 (ja) | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080610 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101018 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101020 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110202 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110202 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4683416 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |