JPS63169244A - 試料保持装置 - Google Patents
試料保持装置Info
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- JPS63169244A JPS63169244A JP62000225A JP22587A JPS63169244A JP S63169244 A JPS63169244 A JP S63169244A JP 62000225 A JP62000225 A JP 62000225A JP 22587 A JP22587 A JP 22587A JP S63169244 A JPS63169244 A JP S63169244A
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 15
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、導電体または半導体の試料を静電引力によっ
て保持固定するとともにその保持固定の状態を検出し得
るようにした試料保持装置に関する。
て保持固定するとともにその保持固定の状態を検出し得
るようにした試料保持装置に関する。
[従来技術]
半導体露光装置によってシリコンウェハ等の試料に集積
回路パターンを転写する際、あるいはこのウェハを検査
する際に試料を平坦な面に保持固定する必要がある。
回路パターンを転写する際、あるいはこのウェハを検査
する際に試料を平坦な面に保持固定する必要がある。
従来、このような保持手段としては、機械式、真空式お
よび電気式のチャックが用いられている。電気式のチャ
ックすなわち静電チャックは、取扱いが比較的容易で真
空中においても使用できるため、半導体製造分野におい
て有用である。
よび電気式のチャックが用いられている。電気式のチャ
ックすなわち静電チャックは、取扱いが比較的容易で真
空中においても使用できるため、半導体製造分野におい
て有用である。
この静電チャックは、2つの互いに反対の極性に帯電さ
れたコンデンサ板の吸引力を利用するもので、電極板と
絶縁性誘電層からなるものである。
れたコンデンサ板の吸引力を利用するもので、電極板と
絶縁性誘電層からなるものである。
また、半導体露光装置などの微細加工装置などでは、静
電チャックに試料が確実に保持固定できたかどうかを確
認できなければ、製品の歩留りや加工精度に直接悪影響
を与えることになる。しかしながら、測定室では干渉計
その他の計器を使って平面度を確認できるが、装署内に
このような計器を内蔵するのは困難である。そこで、従
来、静電チャック装置において試料の保持固定状態を検
査する装置としてリーク電流を調べるものが提案されて
いる。
電チャックに試料が確実に保持固定できたかどうかを確
認できなければ、製品の歩留りや加工精度に直接悪影響
を与えることになる。しかしながら、測定室では干渉計
その他の計器を使って平面度を確認できるが、装署内に
このような計器を内蔵するのは困難である。そこで、従
来、静電チャック装置において試料の保持固定状態を検
査する装置としてリーク電流を調べるものが提案されて
いる。
[発明が解決しようとする問題点コ
しかしながら、次に述べるように、リーク電流は、試料
と静電チャックとの接触面積に比例するが必ずしも保持
固定の状態を反映するものではない。
と静電チャックとの接触面積に比例するが必ずしも保持
固定の状態を反映するものではない。
第5図(A′)は静電チャック23の上に試料1゛が吸
着されている状態を示しており、静電チャック23と試
料1との接触面を斜線で示している。この接触面積をS
lとする。接触していない面は白い部分で示す。また、
同図(A′)の断面を同図(A)に示し、試料1と静電
チャック23面との平均距離をdAで示す。同図(A′
)の接触面積31と同じ接触面積S2を持ち、試料1と
静電チャック23面との平均距離がdAと異なるdBの
吸着状態を同図(B)、(B’ )に示す。ここで、d
A<dI、とする。
着されている状態を示しており、静電チャック23と試
料1との接触面を斜線で示している。この接触面積をS
lとする。接触していない面は白い部分で示す。また、
同図(A′)の断面を同図(A)に示し、試料1と静電
チャック23面との平均距離をdAで示す。同図(A′
)の接触面積31と同じ接触面積S2を持ち、試料1と
静電チャック23面との平均距離がdAと異なるdBの
吸着状態を同図(B)、(B’ )に示す。ここで、d
A<dI、とする。
このような場合、リーク電流を調べる方法では、接触面
積の同じ同図(A)と(B)の場合とでは吸着状態が同
じと見なされ、試料1と静電チャック23面との平均距
離(ギャップ)dAとdBO差を区別することはできな
い。したがって、この差を区別することができないまま
露光や描画を行なうと、同図(B)の場合ではギャップ
が大きくなり、場合によっては投影レンズの被写界深度
を越える等のため不良チップを作ることもある。
積の同じ同図(A)と(B)の場合とでは吸着状態が同
じと見なされ、試料1と静電チャック23面との平均距
離(ギャップ)dAとdBO差を区別することはできな
い。したがって、この差を区別することができないまま
露光や描画を行なうと、同図(B)の場合ではギャップ
が大きくなり、場合によっては投影レンズの被写界深度
を越える等のため不良チップを作ることもある。
本発明の目的は、上述従来例の欠点を除去すると同時に
、真空中においても静電チャックに試料を保持したとき
の状態を容易かつ正確に確認することができ、製品の歩
留りや加工精度の向上に寄与する試料保持装置を提供す
ることにある。
、真空中においても静電チャックに試料を保持したとき
の状態を容易かつ正確に確認することができ、製品の歩
留りや加工精度の向上に寄与する試料保持装置を提供す
ることにある。
[問題点を解決するための手段および作用]上記問題点
を解決するため本発明では、試料搭載時の静電容量に基
づいて該試料の保持状態を検出するようにしている。
を解決するため本発明では、試料搭載時の静電容量に基
づいて該試料の保持状態を検出するようにしている。
上記静電容量は、試料保持装置とこれによって保持され
る試料との間の平均距離に関係するため、従来型のリー
ク電流よりも正確に試料保持状態を示す。
る試料との間の平均距離に関係するため、従来型のリー
ク電流よりも正確に試料保持状態を示す。
[実施例]
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例に係る静電チャック本体の説
明図である。同図において、1は導体あるいは半導体な
どの試料、2,5は絶縁層(アルミナセラミックスなど
)、3.4は極性の異なる電極板である。
明図である。同図において、1は導体あるいは半導体な
どの試料、2,5は絶縁層(アルミナセラミックスなど
)、3.4は極性の異なる電極板である。
この装置において、試料1は吸着力
・・・・・・(1)
で保持される。この式において、ε0は真空誘電率、ε
Sは絶縁層2の比誘電率、Eは電界の強さ、■は電圧、
dはこの静電チャックと等価な平行板コンデンサの極板
間の距離である。第2図は第1図の静電チャックと等価
な平行板コンデンサを示す。第2図において、2は絶縁
層、3,4は極性の異なる電極板、dは極板3,4間の
距離である。ここで、極板3.4間の静電容量Cと距離
dとの間には、極板面積をSとして、次の式が成り立つ
。
Sは絶縁層2の比誘電率、Eは電界の強さ、■は電圧、
dはこの静電チャックと等価な平行板コンデンサの極板
間の距離である。第2図は第1図の静電チャックと等価
な平行板コンデンサを示す。第2図において、2は絶縁
層、3,4は極性の異なる電極板、dは極板3,4間の
距離である。ここで、極板3.4間の静電容量Cと距離
dとの間には、極板面積をSとして、次の式が成り立つ
。
06g
C= −S ・・・・・・(2)つ
まり、静電容量Cがわかれば、試料1と静電チャックと
の平均的距離dがわかる。一方、第3図のように、コン
デンサ21とコイル22を並列に接続して電源に接続す
ると、このコンデンサの容量Cによって共振する周波数
fは次式のようになる。
まり、静電容量Cがわかれば、試料1と静電チャックと
の平均的距離dがわかる。一方、第3図のように、コン
デンサ21とコイル22を並列に接続して電源に接続す
ると、このコンデンサの容量Cによって共振する周波数
fは次式のようになる。
ここで、Lはコイルのインダクタンスである。したがっ
て、既知インダクタンスLと静電容量Cとの共振周波数
fがわかれば、(3)式より静電容量Cがわかり、(2
)式より試料1と静電チャック面との平均距@dがわか
る。
て、既知インダクタンスLと静電容量Cとの共振周波数
fがわかれば、(3)式より静電容量Cがわかり、(2
)式より試料1と静電チャック面との平均距@dがわか
る。
このことを第1図の装置に対して利用した例を第4図に
示す。同図において、12は第1図の静電チャック自身
を等価的に表わすコンデンサ、13は供給電源、14.
15はコンデンサ、16はコイル、17はリアクタンス
発振回路である。
示す。同図において、12は第1図の静電チャック自身
を等価的に表わすコンデンサ、13は供給電源、14.
15はコンデンサ、16はコイル、17はリアクタンス
発振回路である。
この構成において、コンデンサ14.15は電源13で
発生した直流高電圧を除去するが、交流的には無視でき
るので、コンデンサ12.14.15およびコイル16
からなる回路は第3図に示すLC発振回路と等価である
。したがって、リアクタンス発振回路17を加えること
により、静電チャック(コンデンサ12)の有する容量
に対応した共振周波数fが検出でき、したがって、(2
) 、 (3)式より、コンデンサ12の静電容量C
および試料1と静電チャック面との平均圧11dが得ら
れる。
発生した直流高電圧を除去するが、交流的には無視でき
るので、コンデンサ12.14.15およびコイル16
からなる回路は第3図に示すLC発振回路と等価である
。したがって、リアクタンス発振回路17を加えること
により、静電チャック(コンデンサ12)の有する容量
に対応した共振周波数fが検出でき、したがって、(2
) 、 (3)式より、コンデンサ12の静電容量C
および試料1と静電チャック面との平均圧11dが得ら
れる。
このような構成にすると、上記平均距離の検出値をdi
s試料が確実に保持されているときの検出値をd2とす
れば、dlとd2の値を比較することにより、検出時の
試料の吸着状態の良否を判断することができる。また、
熱その他の影響で、試料がプロセス中に反り、許容でき
る平均距離の値d3を越えた場合には、露光を中止し、
その試料を除去し次の試料に変えることができる。さら
に、絶縁誘電層2が絶縁破壊を起こし、静電チャックの
機能が低下したとき、あるいは作動しなくなったときな
どの判断もできる。
s試料が確実に保持されているときの検出値をd2とす
れば、dlとd2の値を比較することにより、検出時の
試料の吸着状態の良否を判断することができる。また、
熱その他の影響で、試料がプロセス中に反り、許容でき
る平均距離の値d3を越えた場合には、露光を中止し、
その試料を除去し次の試料に変えることができる。さら
に、絶縁誘電層2が絶縁破壊を起こし、静電チャックの
機能が低下したとき、あるいは作動しなくなったときな
どの判断もできる。
また従来のようなリーク電流を検出する方法では、第5
図を用いて前述したように、試料と静電チャックの接触
面積が同一の場合、吸着状態が異なる同図(A)と(B
)の差を区別することはできない。しかし本装置では、
同図(A)と(B)の差を試料1と静電チャックの平均
距離dA。
図を用いて前述したように、試料と静電チャックの接触
面積が同一の場合、吸着状態が異なる同図(A)と(B
)の差を区別することはできない。しかし本装置では、
同図(A)と(B)の差を試料1と静電チャックの平均
距離dA。
dBの差から区別することができる。
この装置では、許容できるd3の値をあらかじめ定めて
おけば、試料1と静電チャックの間にごみが入った場合
、あるいは上述のように露光時に試料が反ったりした場
合のような悪い吸着状態で微細加工をしなくてすむので
、この装置の導入は能率的なシステムの運用につながる
。
おけば、試料1と静電チャックの間にごみが入った場合
、あるいは上述のように露光時に試料が反ったりした場
合のような悪い吸着状態で微細加工をしなくてすむので
、この装置の導入は能率的なシステムの運用につながる
。
なお、本装置は、X線ステッパ、EB描画、光学ステッ
パおよび検査機等に有用である。
パおよび検査機等に有用である。
[発明の効果]
本発明によれば、真空中でも静電容量計等から静電チャ
ックに対する試料の吸着状態を確認できるため、不保持
状態や極端に悪い平面度で固定された状態あるいはレジ
ストがチャック面へ回り込んだり若しくはごみ等をかみ
込んだままでの微細加工や検査が行なわれなくなり、加
工、検査等の能率化に役立つ。
ックに対する試料の吸着状態を確認できるため、不保持
状態や極端に悪い平面度で固定された状態あるいはレジ
ストがチャック面へ回り込んだり若しくはごみ等をかみ
込んだままでの微細加工や検査が行なわれなくなり、加
工、検査等の能率化に役立つ。
第1図は、本発明の一実施例に係る静電チャック本体を
示す図、 第2図は、第1図を等価な平行板コンデンサに書き換え
た図、 第3図は、LC発振回路の図、 第4図は、本発明の一実施例に係る静電チャック装置の
説明図、 第5図は、静電チャックに試料が吸着している状態を示
す図で、(A)、(B)は断面図、(A’ )、(B’
)は平面図である。 1:試料、2:静電チャック、 S+ 、S2 :試料1と静電チャック23との接触
面積、 2.5;絶縁層、3.4二極性の異なる電極、d:電極
間の距離、 21:コンデンサ、22:コイル、 12:静電チャック自身によるコンデンサ、13:供給
電源、14.15:コンデンサ、16:コイル、17:
リアクタンス発振回路。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 第5図 第1図 粥 2 図 第4図
示す図、 第2図は、第1図を等価な平行板コンデンサに書き換え
た図、 第3図は、LC発振回路の図、 第4図は、本発明の一実施例に係る静電チャック装置の
説明図、 第5図は、静電チャックに試料が吸着している状態を示
す図で、(A)、(B)は断面図、(A’ )、(B’
)は平面図である。 1:試料、2:静電チャック、 S+ 、S2 :試料1と静電チャック23との接触
面積、 2.5;絶縁層、3.4二極性の異なる電極、d:電極
間の距離、 21:コンデンサ、22:コイル、 12:静電チャック自身によるコンデンサ、13:供給
電源、14.15:コンデンサ、16:コイル、17:
リアクタンス発振回路。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 第5図 第1図 粥 2 図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、導電体または半導体の試料を静電引力によって吸着
する静電チャック部と、上記静電引力を発生させるため
静電チャック部の電極板間に電圧を印加する電源回路と
、上記電極板間の静電容量に応じた周波数で発振する発
振回路と、該発振周波数を検出する周波数検出回路とを
具備することを特徴とする試料保持装置。 2、前記周波数検出回路が、前記発振周波数を計数する
カウンタ回路からなる特許請求の範囲第1項記載の試料
保持装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62000225A JPS63169244A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 試料保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62000225A JPS63169244A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 試料保持装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63169244A true JPS63169244A (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=11468018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62000225A Pending JPS63169244A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 試料保持装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63169244A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6236555B1 (en) | 1999-04-19 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Method for rapidly dechucking a semiconductor wafer from an electrostatic chuck utilizing a hysteretic discharge cycle |
JP2011515856A (ja) * | 2008-03-20 | 2011-05-19 | ノベラス システムズ インコーポレイテッド | 静電容量感知機能を有する静電チャック組立体及びその動作方法 |
-
1987
- 1987-01-06 JP JP62000225A patent/JPS63169244A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6236555B1 (en) | 1999-04-19 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Method for rapidly dechucking a semiconductor wafer from an electrostatic chuck utilizing a hysteretic discharge cycle |
JP2011515856A (ja) * | 2008-03-20 | 2011-05-19 | ノベラス システムズ インコーポレイテッド | 静電容量感知機能を有する静電チャック組立体及びその動作方法 |
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