JP2011515856A - 静電容量感知機能を有する静電チャック組立体及びその動作方法 - Google Patents
静電容量感知機能を有する静電チャック組立体及びその動作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011515856A JP2011515856A JP2011500957A JP2011500957A JP2011515856A JP 2011515856 A JP2011515856 A JP 2011515856A JP 2011500957 A JP2011500957 A JP 2011500957A JP 2011500957 A JP2011500957 A JP 2011500957A JP 2011515856 A JP2011515856 A JP 2011515856A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- electrostatic chuck
- voltage
- processing
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 97
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 38
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 33
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 120
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229940030980 inova Drugs 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【選択図】図7
Description
102 処理チャンバ
110、308 加工品
112、200、302 静電チャック
201 プラテン
202 リフトピン
203 上面
204 ウエハ
300 静電チャック組立体
304 固定電圧電源
306 固定電極組立体
308 加工品(半導体ウエハ)
310 ドライバ/アーキテクチャ(静電容量センササブシステム)
312 直流電圧発生器
318、320 電極
326 直流オフセット電圧源
328 交流(AC)電圧発生器
600 加工品存在信号
Claims (12)
- 静電チャック組立体であって、
加工品を受けるように構成されたプラテンと、
前記静電チャック組立体のための直流(DC)固定電圧を生成するように構成された固定電圧電源と、
前記プラテンのための電極組立体であって前記加工品を前記プラテンに静電的に固着すべく前記直流固定電圧を受けるように構成された電極組立体と、
該電極組立体に結合される静電容量センササブシステムであって前記電極組立体のための交流(AC)励起信号を生成しまた前記加工品と前記プラテンとの間の静電容量の変化によって影響を受ける前記交流励起信号の電気的特性を分析するように構成された静電容量センササブシステムとを含み、
前記固定電圧電源は前記静電容量センササブシステムを含み、また
前記固定電圧電源は、さらに前記電極組立体のための直流オフセット電位を生成するように構成された調整可能な直流オフセット電圧源を含む、静電チャック組立体。 - 前記静電容量センササブシステムは、前記AC励起信号を生成するように構成されたAC電圧発生器を含む、請求項1に記載の静電チャック組立体。
- 前記AC電圧発生器は、前記直流固定電圧上に前記AC励起信号を加えるように構成されている、請求項2に記載の静電チャック組立体。
- 前記静電容量センササブシステムは、前記励起信号の加工品状態属性を検出するように構成された処理アーキテクチャを含む、請求項1に記載の静電チャック組立体。
- 前記処理アーキテクチャは、さらに検出された前記加工品状態属性に応じてホストの加工品処理装置の動作を制御するように構成されている、請求項4に記載の静電チャック組立体。
- 前記加工品状態属性は、前記加工品が前記プラテン上で適切に置かれているかどうかを示す、請求項4に記載の静電チャック組立体。
- 前記加工品状態属性は、前記加工品が前記プラテンに適切に固定されているかどうかを示す、請求項4に記載の静電チャック組立体。
- 前記静電チャック組立体は、さらに、前記プラテンの上方へ前記加工品を持ち上げるように構成された複数のリフトピンを含み、
前記加工品状態属性は前記加工品が前記複数のリフトピンに適切に載っているかどうかを示す、請求項4に記載の静電チャック組立体。 - 前記加工品は半導体ウエハを含み、
前記静電チャック組立体は、堆積、エッチング又は除去装置の一つに組み込まれている、請求項1に記載の静電チャック組立体。 - 半導体加工品処理装置を制御する方法であって、前記半導体加工品処理装置は、加工品を処理し、処理の間に加工品を保持する静電チャックを備え、前記制御方法は、
前記加工品に加工品処理を実行する前に、前記交流(AC)励起信号を前記静電チャックの電極に適用すること、
前記加工品に加工品処理を実行する前に、前記静電チャックと前記加工品との間の静電容量の影響を受け、前記AC励起信号に応じて加工品存在信号を得ること、
前記加工品処理を実行する前に、前記加工品存在信号の属性を識別すること、
前記属性が前記静電チャック上の前記加工品の不適切な配置を示すとき、前記加工品処理を実行する前に、警告指示を生成すること、及び
その後、前記加工品への加工品処理を実行する間、一定の直流固定電圧を前記静電チャックに印加することを含む、制御方法。 - 前記加工品存在信号の取得は測定時間に生じ、
前記加工品存在信号の属性の識別は前記測定時間での前記加工品存在信号の測定電圧の識別を含み、
前記方法は、さらに前記測定電圧を前記測定時間に関連するしきい電圧と比較することを含む、請求項10に記載の方法。 - 加工品を受けるように構成された静電チャックであって固定電極組立体を含む静電チャックと、前記固定電極組立体に結合された固定電圧電源とを含む半導体加工品処理装置であって、
前記固定電圧電源は、
前記固定電極組立体のための直流(DC)固定電圧を生成するように構成された直流(DC)電圧発生器と、
前記固定電極組立体のための直流(DC)オフセット電位を生成するように構成された調整可能なDCオフセット電圧源と、
前記固定電極組立体のための交流(AC)励起信号を生成するように構成された交流(AC)電圧発生器と、
前記固定電極組立体に結合され前記AC励起信号に応じて得られる加工品存在信号の属性を分析し、また前記属性に基づいて前記加工品への加工品処理を実行する前後に前記静電チャックに関する前記加工品の適切/不適切な位置決めを確認するように構成された処理アーキテクチャとを含み、前記半導体加工品処理装置が前記加工品への加工品処理を実行する間、前記固定電圧電源は一定の直流固定電圧を前記静電チャックに印加する、半導体加工品処理装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/052,395 | 2008-03-20 | ||
US12/052,395 US7558045B1 (en) | 2008-03-20 | 2008-03-20 | Electrostatic chuck assembly with capacitive sense feature, and related operating method |
PCT/US2009/037678 WO2009117585A1 (en) | 2008-03-20 | 2009-03-19 | Electrostatic chuck assembly with capacitive sense feature, and related operating method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011515856A true JP2011515856A (ja) | 2011-05-19 |
JP5646449B2 JP5646449B2 (ja) | 2014-12-24 |
Family
ID=40640233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011500957A Active JP5646449B2 (ja) | 2008-03-20 | 2009-03-19 | 静電容量感知機能を有する静電チャック組立体及びその動作方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7558045B1 (ja) |
JP (1) | JP5646449B2 (ja) |
KR (1) | KR101604993B1 (ja) |
CN (1) | CN101978466B (ja) |
WO (1) | WO2009117585A1 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013235991A (ja) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Ulvac Japan Ltd | 給電装置 |
JP2014533436A (ja) * | 2011-11-04 | 2014-12-11 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 基板クランプシステム及び該システムを動作させるための方法 |
JP2015185528A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社アドバンテスト | ステージ装置および電子線装置 |
JP2017045790A (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP2019041029A (ja) * | 2017-08-25 | 2019-03-14 | 株式会社アルバック | 真空装置、吸着電源 |
WO2020003746A1 (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-02 | アルバックテクノ株式会社 | 静電チャック用の給電装置及び基板管理方法 |
JP2022155114A (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-13 | キヤノントッキ株式会社 | 制御装置、成膜装置、基板吸着方法、スケジュール設定方法、及び電子デバイスの製造方法 |
WO2024075377A1 (ja) * | 2022-10-05 | 2024-04-11 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、検知装置および成膜装置の制御方法 |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2011118201A (ru) * | 2008-10-07 | 2012-11-20 | Улвак, Инк. (Jp) | Способ управления подложкой |
US7851233B2 (en) * | 2009-03-26 | 2010-12-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | E-chuck for automated clamped force adjustment and calibration |
US9111729B2 (en) | 2009-12-03 | 2015-08-18 | Lam Research Corporation | Small plasma chamber systems and methods |
US8597448B2 (en) * | 2009-12-29 | 2013-12-03 | Novellus Systems, Inc. | Electrostatic chucks and methods for refurbishing same |
US9190289B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-11-17 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas |
US9155181B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-10-06 | Lam Research Corporation | Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
US9449793B2 (en) | 2010-08-06 | 2016-09-20 | Lam Research Corporation | Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction |
US9967965B2 (en) | 2010-08-06 | 2018-05-08 | Lam Research Corporation | Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
US8999104B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-04-07 | Lam Research Corporation | Systems, methods and apparatus for separate plasma source control |
DE102011081666A1 (de) | 2011-08-26 | 2013-02-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Kontaktloser kapazitiver Abstandssensor |
US9177762B2 (en) | 2011-11-16 | 2015-11-03 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus of a wedge-shaped parallel plate plasma reactor for substrate processing |
US10283325B2 (en) | 2012-10-10 | 2019-05-07 | Lam Research Corporation | Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
US9083182B2 (en) * | 2011-11-21 | 2015-07-14 | Lam Research Corporation | Bypass capacitors for high voltage bias power in the mid frequency RF range |
US8872525B2 (en) | 2011-11-21 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for detecting DC bias in a plasma processing chamber |
US9263240B2 (en) | 2011-11-22 | 2016-02-16 | Lam Research Corporation | Dual zone temperature control of upper electrodes |
US8898889B2 (en) | 2011-11-22 | 2014-12-02 | Lam Research Corporation | Chuck assembly for plasma processing |
US9396908B2 (en) | 2011-11-22 | 2016-07-19 | Lam Research Corporation | Systems and methods for controlling a plasma edge region |
US10586686B2 (en) | 2011-11-22 | 2020-03-10 | Law Research Corporation | Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery |
KR101971312B1 (ko) * | 2011-11-23 | 2019-04-22 | 램 리써치 코포레이션 | 다중 존 가스 주입 상부 전극 시스템 |
SG11201402447TA (en) | 2011-11-24 | 2014-06-27 | Lam Res Corp | Plasma processing chamber with flexible symmetric rf return strap |
US8592786B2 (en) * | 2012-03-23 | 2013-11-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Platen clamping surface monitoring |
US10324121B2 (en) * | 2012-12-28 | 2019-06-18 | Axcelis Technologies, Inc. | Charge integration based electrostatic clamp health monitor |
US9508578B2 (en) | 2014-02-04 | 2016-11-29 | Globalfoundries Inc. | Method and apparatus for detecting foreign material on a chuck |
CN106920727B (zh) * | 2015-12-24 | 2018-04-20 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置及其清洗方法 |
JP6643135B2 (ja) * | 2016-02-17 | 2020-02-12 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置および物品製造方法 |
US10804821B2 (en) * | 2016-11-04 | 2020-10-13 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus and method for monitoring the relative relationship between the wafer and the chuck |
CN108807216B (zh) * | 2017-04-28 | 2021-07-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 粘片检测系统及方法、反应腔室、半导体加工设备 |
US10147610B1 (en) | 2017-05-30 | 2018-12-04 | Lam Research Corporation | Substrate pedestal module including metallized ceramic tubes for RF and gas delivery |
US10692749B2 (en) | 2017-12-05 | 2020-06-23 | Axcelis Technologies, Inc. | Method to provide consistent electrostatic clamping through real time control of electrostatic charge deposition in an electrostatic chuck |
US11430688B2 (en) | 2018-09-04 | 2022-08-30 | Lam Research Corporation | Two-stage pin lifter for de-chuck operations |
CN111323460B (zh) * | 2018-12-13 | 2022-11-22 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 感测元件及应用其对静电吸附卡盘进行检测的方法 |
US11280811B2 (en) | 2019-06-17 | 2022-03-22 | Advanced Energy Industries, Inc. | High side current monitor |
WO2021151565A1 (en) * | 2020-01-28 | 2021-08-05 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses |
CN112526242B (zh) * | 2020-11-26 | 2024-02-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及静电卡盘表面电荷量的检测方法 |
US11562918B2 (en) * | 2021-01-07 | 2023-01-24 | Advanced Energy Industries, Inc. | Wafer chucking monitor using high frequency injected AC signal |
CN114959624A (zh) * | 2021-02-26 | 2022-08-30 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 物理气相沉积构件以及清洁静电吸盘的方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63169244A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-13 | Canon Inc | 試料保持装置 |
JPH01321136A (ja) * | 1988-06-24 | 1989-12-27 | Fujitsu Ltd | 静電チャックの劣化検出回路 |
JPH07130827A (ja) * | 1993-11-04 | 1995-05-19 | Hitachi Ltd | ウエーハ静電吸着装置 |
JPH08340041A (ja) * | 1995-06-14 | 1996-12-24 | Fujitsu Ltd | 静電チャックの基板吸着状態検出方法、そのための装置および半導体装置の製造方法 |
JPH09134950A (ja) * | 1995-11-09 | 1997-05-20 | Hitachi Ltd | ウェハの静電吸着装置 |
JPH10150099A (ja) * | 1996-11-20 | 1998-06-02 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャックの離脱方法 |
JP2001068540A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-03-16 | Applied Materials Inc | 静電チャックにより発生する静電力の平衡化方法および装置 |
JP2002505036A (ja) * | 1997-06-11 | 2002-02-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウェハ検知方法と装置 |
JP2002507326A (ja) * | 1997-06-27 | 2002-03-05 | ラム・リサーチ・コーポレーション | 双極静電チャックにおけるプラズマバイアス電圧のオフセット方法および装置 |
JP2007165917A (ja) * | 1997-05-23 | 2007-06-28 | Ulvac Japan Ltd | 被吸着物の処理方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1988009054A1 (en) * | 1987-05-06 | 1988-11-17 | Labtam Limited | Electrostatic chuck using ac field excitation |
US5620525A (en) | 1990-07-16 | 1997-04-15 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate |
US5436790A (en) * | 1993-01-15 | 1995-07-25 | Eaton Corporation | Wafer sensing and clamping monitor |
JPH07153825A (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-16 | Toto Ltd | 静電チャック及びこの静電チャックを用いた被吸着体の処理方法 |
US5670066A (en) * | 1995-03-17 | 1997-09-23 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processing wherein workpiece position is detected prior to chuck being activated |
US5872694A (en) * | 1997-12-23 | 1999-02-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Method and apparatus for determining wafer warpage for optimized electrostatic chuck clamping voltage |
US5948986A (en) * | 1997-12-26 | 1999-09-07 | Applied Materials, Inc. | Monitoring of wafer presence and position in semiconductor processing operations |
US6430022B2 (en) * | 1999-04-19 | 2002-08-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling chucking force in an electrostatic |
US6572708B2 (en) | 2000-02-28 | 2003-06-03 | Applied Materials Inc. | Semiconductor wafer support lift-pin assembly |
US6938505B2 (en) * | 2002-08-13 | 2005-09-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chamber wafer detection |
US7154731B1 (en) | 2003-07-18 | 2006-12-26 | Novellus Systems, Inc. | Reflective coating for electrostatic chucks |
US7292428B2 (en) | 2005-04-26 | 2007-11-06 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with smart lift-pin mechanism for a plasma reactor |
-
2008
- 2008-03-20 US US12/052,395 patent/US7558045B1/en active Active
-
2009
- 2009-03-19 CN CN200980110044.7A patent/CN101978466B/zh active Active
- 2009-03-19 WO PCT/US2009/037678 patent/WO2009117585A1/en active Application Filing
- 2009-03-19 JP JP2011500957A patent/JP5646449B2/ja active Active
- 2009-03-19 KR KR1020107023201A patent/KR101604993B1/ko active IP Right Grant
- 2009-07-07 US US12/498,976 patent/US20100008016A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63169244A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-13 | Canon Inc | 試料保持装置 |
JPH01321136A (ja) * | 1988-06-24 | 1989-12-27 | Fujitsu Ltd | 静電チャックの劣化検出回路 |
JPH07130827A (ja) * | 1993-11-04 | 1995-05-19 | Hitachi Ltd | ウエーハ静電吸着装置 |
JPH08340041A (ja) * | 1995-06-14 | 1996-12-24 | Fujitsu Ltd | 静電チャックの基板吸着状態検出方法、そのための装置および半導体装置の製造方法 |
JPH09134950A (ja) * | 1995-11-09 | 1997-05-20 | Hitachi Ltd | ウェハの静電吸着装置 |
JPH10150099A (ja) * | 1996-11-20 | 1998-06-02 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャックの離脱方法 |
JP2007165917A (ja) * | 1997-05-23 | 2007-06-28 | Ulvac Japan Ltd | 被吸着物の処理方法 |
JP2002505036A (ja) * | 1997-06-11 | 2002-02-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウェハ検知方法と装置 |
JP2002507326A (ja) * | 1997-06-27 | 2002-03-05 | ラム・リサーチ・コーポレーション | 双極静電チャックにおけるプラズマバイアス電圧のオフセット方法および装置 |
JP2001068540A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-03-16 | Applied Materials Inc | 静電チャックにより発生する静電力の平衡化方法および装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014533436A (ja) * | 2011-11-04 | 2014-12-11 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 基板クランプシステム及び該システムを動作させるための方法 |
JP2013235991A (ja) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Ulvac Japan Ltd | 給電装置 |
JP2015185528A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社アドバンテスト | ステージ装置および電子線装置 |
JP2017045790A (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP2019041029A (ja) * | 2017-08-25 | 2019-03-14 | 株式会社アルバック | 真空装置、吸着電源 |
WO2020003746A1 (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-02 | アルバックテクノ株式会社 | 静電チャック用の給電装置及び基板管理方法 |
JPWO2020003746A1 (ja) * | 2018-06-28 | 2021-03-11 | アルバックテクノ株式会社 | 静電チャック用の給電装置及び基板管理方法 |
US11257702B2 (en) | 2018-06-28 | 2022-02-22 | Ulvac Techno, Ltd. | Power supply apparatus for electrostatic chuck and substrate control method |
JP2022155114A (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-13 | キヤノントッキ株式会社 | 制御装置、成膜装置、基板吸着方法、スケジュール設定方法、及び電子デバイスの製造方法 |
JP7390328B2 (ja) | 2021-03-30 | 2023-12-01 | キヤノントッキ株式会社 | 制御装置、基板吸着方法及び電子デバイスの製造方法 |
WO2024075377A1 (ja) * | 2022-10-05 | 2024-04-11 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、検知装置および成膜装置の制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100008016A1 (en) | 2010-01-14 |
JP5646449B2 (ja) | 2014-12-24 |
CN101978466B (zh) | 2012-10-03 |
CN101978466A (zh) | 2011-02-16 |
US7558045B1 (en) | 2009-07-07 |
KR101604993B1 (ko) | 2016-03-21 |
KR20100131491A (ko) | 2010-12-15 |
WO2009117585A1 (en) | 2009-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5646449B2 (ja) | 静電容量感知機能を有する静電チャック組立体及びその動作方法 | |
CN102484062B (zh) | 测量晶片偏压的方法与装置 | |
US8363378B2 (en) | Method for optimized removal of wafer from electrostatic chuck | |
JP4884047B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP4153309B2 (ja) | デチャックの音響検出及びその装置 | |
US10720313B2 (en) | Measuring device, measurement method, and plasma processing device | |
KR102332028B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR100838750B1 (ko) | 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법 | |
JP2011054959A (ja) | 静電クランプ最適化ツール | |
KR101270378B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 그 방법을 실행하는 프로그램을 기억하는 기억 매체 | |
US10281520B2 (en) | Diagnosing an abnormal state of a substrate-processing apparatus | |
KR20190131056A (ko) | 검사 장치의 진단 방법 및 검사 시스템 | |
WO2009110980A2 (en) | Method for inspecting electrostatic chucks with kelvin probe analysis | |
WO2008093053A1 (en) | Securing a substrate to an electrostatic chuck | |
JP2008205313A (ja) | プラズマ処理装置およびデチャック異常検出方法 | |
TW201921417A (zh) | 測定裝置、測定方法及電漿處理裝置 | |
KR101087140B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치의 척킹/디척킹 장치 및 척킹/디척킹 방법 | |
US10546731B1 (en) | Method, apparatus and system for wafer dechucking using dynamic voltage sweeping | |
US20210391141A1 (en) | Substrate state detection for plasma processing tools | |
US11456199B2 (en) | Measurement method and measuring jig | |
US20230140544A1 (en) | Substrate test apparatus and method for measuring dechucking force using the same | |
KR20080014169A (ko) | 정전척의 웨이퍼 감지구조 | |
JP2009182094A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
JP2022072397A (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 | |
CN115346851A (zh) | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120315 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130604 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130611 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20130820 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20130822 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140527 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140710 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141007 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141105 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5646449 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |