JP2002507326A - 双極静電チャックにおけるプラズマバイアス電圧のオフセット方法および装置 - Google Patents
双極静電チャックにおけるプラズマバイアス電圧のオフセット方法および装置Info
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Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.静電チャック電源の基準ノードの基準電圧を制御するよう構成された制御 回路であって、該静電チャック電源が第1埋込導体と第2埋込導体とを有する双 極静電チャックに基板をクランプするように構成され、該静電チャック電源が前 記第1埋込導体に接続するように構成された第1出力を有し、該第1出力が前記 基準電圧を基準とする第1出力を有し、該静電チャック電源が、該第2埋込導体 に接続されるよう構成された第2出力をさらに有し、該第1出力が、前記基準電 圧を基準とする第1出力電圧を有し、 前記第1出力に直列接続された第1抵抗器と、 前記第1抵抗器における第1電圧降下を検出するため該第1抵抗器に接続され た第1増幅器と、 前記第2出力に直列接続された第2抵抗器と、 前記第2抵抗器における第2電圧降下を検出するため該第2抵抗器に接続され た第2増幅器とを備える制御回路。 2.請求項1に記載の制御回路であって、前記制御電圧を発生させるため前記 第1増幅器と前記第2増幅器との出力に接続された差動増幅器をさらに含む制御 回路。 3.請求項1に記載の制御回路において、前記制御電圧は、該制御電圧に対応 して前記基準ノードで電位レベルを出力するよう構成された供給回路へ入力され る制御回路。 4.請求項1に記載の制御回路において、前記第1抵抗器と前記第2抵抗器と は、前記双極静電チャック材料のため約106Ω-cmから約1018Ω-cmの抵抗率 範囲で作動するよう構成されている制御回路。 5.その内部に配置されている第1埋込導体と第2導体とを有する双極静電チ ャックに接続されるよう構成された電源であって、 基準ノードと、 前記第1埋込導体に接続されるよう構成され、前記基準ノードを基準とする第 1出力電圧を有する第1出力と、 前記第2埋込導体に接続されるよう構成され、前記基準ノードを基準とする第 2出力電圧を有する第2出力と、 前記第1出力の第1電流と前記第2出力の第2電流との電流差を検出するため 該第1出力と該第2出力とに接続された制御回路であって、前記基準ノードにお ける電位レベルを制御するため、該電流差に概ね比例する制御電圧を、該制御回 路の制御出力に出力する制御回路とを備える電源。 6.請求項5に記載の電源において、前記制御回路はさらに、 前記第1出力と直列の第1抵抗器と、 前記第1抵抗器における第1電圧降下を検出するため該第1抵抗器に接続され た第1増幅器と、 前記第2出力と直列の第2抵抗器と、 前記第2抵抗器における第2電圧降下を検出するため該第2抵抗器に接続され た第2増幅器とを含む電源。 7.請求項6に記載の電源において、前記制御回路はさらに、前記制御電圧を 発生させるため前記第1増幅器と前記第2増幅器の出力に接続された差動増幅器 を含む電源。 8.請求項7に記載の電源であって、 前記制御電圧を受けるよう構成された供給回路であって、該制御電圧を受けて 前記基準ノードで前記電位レベルを出力する供給回路をさらに備える電源。 9.請求項8に記載の電源であって、前記第1抵抗器、前記第2抵抗器、前記 第1電流および前記第2電流とが、前記チャックのために約106Ω-cmから約 1018Ω-cmの抵抗率範囲で作動するよう構成されている電源。 10.プラズマ処理センターにおいて基板をチャックにクランプする方法であ って、 第1埋込導体と第2埋込導体とを有するチャックを提供し、 基準ノードを有する第1電源を提供し、該第1電源は第1出力と第2出力とを 有し、該第1電源はさらに該第1出力の第1電流と該第2出力の第2電流との電 流差を検出するため該第1出力と該第2出力とに接続された制御回路を備え、該 制御回路が該基準ノードにおける電位レベルを制御するため該制御回路の該制御 出力に制御電圧を出力し、該制御電圧は該電流差に概ね比例し、 前記第1埋込導体を前記第1出力に接続し、 前記第2埋込導体を前記第2出力に接続することを備える方法。 11.請求項10に記載の方法において、前記制御回路は、前記第1出力と直 列の第1抵抗器と前記第2出力と直列の第2抵抗器とを含み、該制御回路はさら に前記第1抵抗器における電圧降下を検出するための第1増幅器と、前記第2抵 抗器における電圧降下を検出するための第2増幅器とを含む方法。 12.請求項11に記載の方法において、前記第1抵抗器と前記第2抵抗器の 値が概ね等しい方法。 13.請求項11に記載の方法において、前記第1抵抗器が約500kΩ+/ −1%の値を有し、前記第2抵抗器が約500kΩ+/−1%の値を有する方法 。 14.請求項11に記載の方法において、前記制御回路はさらに、前記制御電 圧を発生させるため前記第1増幅器の出力と前記第2増幅器の出力とに接続され た差動増幅器を含む方法。 15.請求項10に記載の方法において、前記制御電圧は、前記第1電源の第 2電源に供給され、該第2電源は該制御電圧に対応して前記基準ノードで前記電 位レベルを出力する方法。 16.請求項10に記載の方法において、前記チャックは約1010Ω-cmから 約1011Ω-cmの範囲の抵抗率を有する材料にて形成される方法。 17.静電チャック電源の基準ノードの基準電圧を制御するように構成された 制御回路であって、該静電チャック電源は第1埋込導体と第2埋込導体を有する 双極静電チャックに基板をクランプするように構成され、該静電チャック電源は 該第1埋込導体に接続されるよう構成された第1出力を有し、該第1出力は該基 準電圧を基準とする第1出力電圧を有し、該静電チャック電源はさらに該第2埋 込導体に接続されるよう構成された第2出力を有し、該第1出力は該基準電圧を 基準とする第1出力電圧を有し、 前記第1出力と直列接続された第1抵抗手段と、 前記第1抵抗手段における第1電圧降下を検出するため該第1抵抗手段に接続 された第1検出手段と、 前記第2出力と直列の第2抵抗手段と、 前記第2抵抗手段における電圧降下を検出するため該第2抵抗手段に接続された 第2検出手段とを備える制御回路。 18.請求項17に記載の制御回路であって、さらに、前記制御電圧を発生さ せるために前記第1増幅器の出力と前記第2検出手段の出力とに接続された差動 増幅手段を含む制御回路。 19.請求項17に記載の制御回路において、前記制御電圧は、該制御電圧に 対応して前記基準ノードで前記電位レベルを出力するよう構成された回路手段へ 入力される制御回路。
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