JP2022155114A - 制御装置、成膜装置、基板吸着方法、スケジュール設定方法、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
制御装置、成膜装置、基板吸着方法、スケジュール設定方法、及び電子デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022155114A JP2022155114A JP2021058453A JP2021058453A JP2022155114A JP 2022155114 A JP2022155114 A JP 2022155114A JP 2021058453 A JP2021058453 A JP 2021058453A JP 2021058453 A JP2021058453 A JP 2021058453A JP 2022155114 A JP2022155114 A JP 2022155114A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- voltage
- adsorption
- electrostatic chuck
- chucking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 294
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 title claims abstract description 140
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 94
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 116
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 102
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 35
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 23
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/548—Controlling the composition
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
- G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
- G01R27/2605—Measuring capacitance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
基板を吸着する静電チャックと、
前記静電チャックによる基板の吸着を検出する検出手段と、
を備えた成膜装置の制御装置であって、
前記検出手段の検出結果を取得する取得手段と、
前記取得手段が取得した検出結果から特定された、前記静電チャックによる基板の吸着時間に基づいて、前記静電チャックの吸着電圧を設定する電圧制御手段と、を備える、
ことを特徴とする制御装置が提供される。
図1は、本発明の成膜装置が適用可能な電子デバイスの製造ラインの構成の一部を示す模式図である。図1の製造ラインは、例えば、スマートフォン用の有機EL表示装置の表示パネルの製造に用いられるもので、基板100が成膜ブロック301に順次搬送され、基板100に有機EL素子の成膜が行われる。
図2は一実施形態に係る成膜装置1の概略図である。成膜室303に設けられる成膜装置1は、基板100に蒸着物質を成膜する装置であり、マスク101を介して所定のパターンの蒸着物質の薄膜を形成する。成膜装置1で成膜が行われる基板100の材質は、ガラス、樹脂、金属等の材料を適宜選択可能であり、ガラス上にポリイミド等の樹脂層が形成されたものが好適に用いられる。蒸着物質としては、有機材料、無機材料(金属、金属酸化物など)などの物質である。成膜装置1は、例えば表示装置(フラットパネルディスプレイなど)や薄膜太陽電池、有機光電変換素子(有機薄膜撮像素子)等の電子デバイスや、光学部材等を製造する製造装置に適用可能であり、特に、有機ELパネルを製造する製造装置に適用可能である。以下の説明においては成膜装置1が真空蒸着によって基板100に成膜を行う例について説明するが、本実施形態はこれに限定はされず、スパッタやCVD等の各種成膜方法にも適用可能である。なお、各図において矢印Zは上下方向(重力方向)を示し、矢印X及び矢印Yは互いに直交する水平方向を示す。
図4は、成膜装置1のハードウェアの構成例を示す図である。なお、図4は、本実施形態の特徴に関係する構成を中心に示した図であり一部の構成を省略して示している。
図5は、成膜装置1の製造工程の例を示すフローチャートである。本フローチャートは、成膜装置1が1枚の基板100に対して実行する工程の概略を示している。また、図6は、各工程における成膜装置1の状態の説明図である。
図7(A)は、静電チャック15が基板100を吸着する際の静電チャック15及び基板100の関係を示す模式図である。図7(B)は、基板100に形成される導電膜パターンの例を示す図である。
ここで、Kは静電チャック15の電極パターン及び基板100の導電膜パターンの重なり率に起因する定数である。また、ε0は真空の誘電率、εは誘電層の誘電率(静電チャック15の誘電層153、静電チャック15表層から基板吸着面までの真空、基板厚みの合成誘電率)、Vは電源171による吸着電圧、rは誘電層の厚みである。なお、誘電層の厚みrは、静電チャック15の誘電層153の厚み及び吸着面150から基板100の導電膜1000までの距離の合計である。
図8(A)は、処理部141の処理例を示すフローチャートである。本フローチャートの概略は、静電チャック15による基板100の吸着時間に基づいて、静電チャック15の電極部151への吸着電圧Vを設定する、というものである。さらに言えば、ロット単位で基板100に対して処理を行う場合に、ロットの最初の複数枚の基板100の吸着時間に基づいて基板吸着時の吸着電圧Vを設定する、というものである。本フローチャートは、例えば、複数枚の基板100で構成されるロットの、1枚目の基板100に対して静電チャック15による吸着を行う際に開始される。
図10(A)は、処理部141の処理例を示すフローチャートである。本フローチャートの概略は、静電チャック15による基板100の吸着時間に基づいて、その後の基板100についての、静電チャック15による基板100の吸着開始後の工程スケジュールを設定するものである。工程スケジュールの設定は、具体的には、後工程の開始タイミングの設定であってもよい。さらに言えば、ロット単位で基板100に対して処理を行う場合に、ロットの最初の複数枚の基板100の吸着時間に基づいて、その後の基板100についての、静電チャック15による基板100の吸着開始後の工程の開始タイミングを設定するものであってもよい。
次に、電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。この例の場合、図1に例示した成膜ブロック301が、製造ライン上に、例えば、3か所、設けられる。
上記実施形態では、S10又はS20において吸着電圧Vの初期化を実行しているが、本ステップは省略可能である。例えば、基板100をロット単位で処理する場合において、前回のロットにおける吸着電圧Vを吸着電圧Vの初期値として用いてもよい。
Claims (23)
- 基板を吸着する静電チャックと、
前記静電チャックによる基板の吸着を検出する検出手段と、
を備えた成膜装置の制御装置であって、
基板を吸着するための吸着電圧が前記静電チャックに印加されてから、前記検出手段の検出結果が所定値となるまでの吸着時間に関する情報を取得する取得手段と、
前記取得手段の取得した前記情報に基づいて、前記静電チャックへ印加する前記吸着電圧の大きさを変更する電圧制御手段と、を備える、
ことを特徴とする制御装置。 - 前記電圧制御手段は、前記吸着電圧を第1電圧に設定している場合において、前記吸着時間が所定範囲外のときは、その後の基板の吸着時の前記吸着電圧を前記第1電圧と異なる第2電圧に設定する、
ことを特徴とする請求項1に記載の制御装置。 - 前記電圧制御手段は、前記吸着電圧を第1電圧に設定している場合において、前記吸着時間が第1閾値以上のときは、その後の基板の吸着時の前記吸着電圧を前記第1電圧よりも高い電圧に設定する、
ことを特徴とする請求項1に記載の制御装置。 - 前記電圧制御手段は、前記吸着電圧を第1電圧に設定している場合において、前記吸着時間が第2閾値以下のときは、その後の基板の吸着時の前記吸着電圧を前記第1電圧よりも低い電圧に設定する、
ことを特徴とする請求項1に記載の制御装置。 - 前記電圧制御手段は、所定枚数の基板の前記吸着時間に基づいて、その後の基板の吸着時の前記吸着電圧を設定する、
ことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の制御装置。 - 前記検出手段は、前記静電チャックの複数の位置における基板の吸着を検出し、
前記電圧制御手段は、前記複数の位置における基板の吸着の検出結果から特定された前記吸着時間に基づいて、前記吸着電圧を変更する、
ことを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の制御装置。 - 前記静電チャックは、複数の電極部を含み、
前記電圧制御手段は、前記複数の位置における基板の吸着の検出結果から特定された前記吸着時間に基づいて、前記電極部ごとに前記吸着電圧を設定する、
ことを特徴とする請求項6に記載の制御装置。 - 前記静電チャックは、複数の電極部をそれぞれ有する複数のグループを含み、
前記電圧制御手段は、前記複数の位置における基板の吸着の検出結果から特定された前記吸着時間に基づいて、前記グループごとに前記吸着電圧を設定する、
ことを特徴とする請求項6に記載の制御装置。 - 基板を吸着する静電チャックと、
前記静電チャックによる基板の吸着を検出する検出手段と、
を備えた成膜装置の制御装置であって、
基板を吸着するための吸着電圧が前記静電チャックに印加されてから、前記検出手段の検出結果が所定値となるまでの吸着時間に関する情報を取得する取得手段と、
前記成膜装置の工程スケジュールを制御するスケジュール制御手段と、を備え、
前記スケジュール制御手段は、前記取得手段の取得した前記情報に基づいて、1つの基板に対する、前記静電チャックへの前記吸着電圧の印加の開始から基板の吸着の後に行われる工程の開始タイミングまでの時間を変更する、
ことを特徴とする制御装置。 - 前記スケジュール制御手段は、前記開始タイミングを第1タイミングに設定している場合において、前記吸着時間が所定範囲外のときは、その後の基板の吸着の後に行われる工程の前記開始タイミングを前記第1タイミングと異なる第2タイミングに設定する、
ことを特徴とする請求項9に記載の制御装置。 - 前記スケジュール制御手段は、前記開始タイミングを第1タイミングに設定している場合において、前記吸着時間が第3閾値以上のときは、その後の基板の吸着の後に行われる工程の前記開始タイミングを前記第1タイミングよりも遅く設定する、
ことを特徴とする請求項9に記載の制御装置。 - 前記スケジュール制御手段は、前記開始タイミングを第1タイミングに設定している場合において、前記吸着時間が第4閾値以下のときは、その後の基板の吸着の後に行われる工程の前記開始タイミングを前記第1タイミングよりも早く設定する、
ことを特徴とする請求項9に記載の制御装置。 - 前記スケジュール制御手段は、所定枚数の基板の前記吸着時間に基づいて、その後の基板の吸着の後に行われる工程の前記開始タイミングを設定する、
ことを特徴とする請求項9~12のいずれか1項に記載の制御装置。 - 前記基板の吸着の後に行われる工程は、前記静電チャックに吸着された基板とマスクとのアライメントを行うアライメント工程である、
ことを特徴とする請求項9~13のいずれか1項に記載の制御装置。 - 前記検出手段は、前記静電チャックの複数の位置における基板の吸着を検出し、
前記スケジュール制御手段は、前記複数の位置における基板の吸着の検出結果から特定された前記吸着時間に基づいて、前記開始タイミングを変更する、ことを特徴とする請求項9~14のいずれか1項に記載の制御装置。 - 基板を吸着する静電チャックと、
前記静電チャックによる基板の吸着を検出する検出手段と、を備え、
請求項1~15のいずれか1項に記載の制御装置に制御される、
ことを特徴とする成膜装置。 - 前記検出手段は、基板と前記静電チャックとの間の静電容量を検出する静電容量センサである、
ことを特徴とする請求項16に記載の成膜装置。 - 前記吸着時間として、前記静電チャックに吸着のための電圧が印加され始めてから前記静電容量が定常値になるまでの時間を測定する測定手段をさらに備える、
ことを特徴とする請求項17に記載の成膜装置。 - 前記検出手段は、基板と前記静電チャックとの接触を検出するタッチセンサである、
ことを特徴とする請求項16に記載の成膜装置。 - 基板を吸着する静電チャックと、
前記静電チャックによる基板の吸着を検出する検出手段と、
を備えた成膜装置の基板吸着方法であって、
基板を吸着するための吸着電圧が前記静電チャックに印加されてから、前記検出手段の検出結果が所定値となるまでの吸着時間に関する情報を取得する取得工程と、
前記取得工程で取得された前記情報に基づいて、前記静電チャックへ印加する前記吸着電圧の大きさを変更する電圧制御工程と、を含む、
ことを特徴とする基板吸着方法。 - 請求項20に記載の基板吸着方法によって基板を前記静電チャックに吸着させる基板吸着工程と、
前記基板吸着工程で前記静電チャックに吸着された基板と、マスク台に載置されたマスクとのアライメントを行うアライメント工程と、
前記マスクを介して前記基板上に成膜する成膜工程と、を含む、
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 基板を吸着する静電チャックと、
前記静電チャックによる基板の吸着を検出する検出手段と、
を備えた成膜装置の工程スケジュールを設定するスケジュール設定方法であって、
基板を吸着するための吸着電圧が前記静電チャックに印加されてから、前記検出手段の検出結果が所定値となるまでの吸着時間に関する情報を取得する取得工程と、
前記成膜装置の工程スケジュールを設定するスケジュール設定工程と、を含み、
前記スケジュール設定工程は、前記取得工程で取得された前記情報に基づいて、1つの基板に対する、前記静電チャックへの前記吸着電圧の印加の開始から、基板の吸着の後に行われる工程の開始タイミングまでの時間を変更する、
ことを特徴とするスケジュール設定方法。 - 請求項22に記載のスケジュール設定方法によって前記開始タイミングを設定するスケジュール設定工程と、
前記スケジュール設定工程で設定された前記開始タイミングで、前記静電チャックに吸着された基板と、マスク台に載置されたマスクとのアライメントを行うアライメント工程と、
前記マスクを介して前記基板上に成膜する成膜工程と、を含む、
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021058453A JP7390328B2 (ja) | 2021-03-30 | 2021-03-30 | 制御装置、基板吸着方法及び電子デバイスの製造方法 |
KR1020220035943A KR20220136157A (ko) | 2021-03-30 | 2022-03-23 | 제어 장치, 성막 장치, 기판 흡착 방법, 스케줄 설정 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
CN202210290302.1A CN115142036B (zh) | 2021-03-30 | 2022-03-23 | 控制装置、成膜装置、基板吸附方法、计划设定方法及电子器件的制造方法 |
JP2023042251A JP7522250B2 (ja) | 2021-03-30 | 2023-03-16 | 制御装置、成膜装置、スケジュール設定方法、及び電子デバイスの製造方法 |
KR1020240020956A KR20240027640A (ko) | 2021-03-30 | 2024-02-14 | 제어 장치, 성막 장치, 기판 흡착 방법, 스케줄 설정 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021058453A JP7390328B2 (ja) | 2021-03-30 | 2021-03-30 | 制御装置、基板吸着方法及び電子デバイスの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023042251A Division JP7522250B2 (ja) | 2021-03-30 | 2023-03-16 | 制御装置、成膜装置、スケジュール設定方法、及び電子デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022155114A true JP2022155114A (ja) | 2022-10-13 |
JP7390328B2 JP7390328B2 (ja) | 2023-12-01 |
Family
ID=83404793
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021058453A Active JP7390328B2 (ja) | 2021-03-30 | 2021-03-30 | 制御装置、基板吸着方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP2023042251A Active JP7522250B2 (ja) | 2021-03-30 | 2023-03-16 | 制御装置、成膜装置、スケジュール設定方法、及び電子デバイスの製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023042251A Active JP7522250B2 (ja) | 2021-03-30 | 2023-03-16 | 制御装置、成膜装置、スケジュール設定方法、及び電子デバイスの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP7390328B2 (ja) |
KR (2) | KR20220136157A (ja) |
CN (1) | CN115142036B (ja) |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0536806A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 静電チヤツクの過渡特性評価装置及び方法 |
JPH07211768A (ja) * | 1994-01-13 | 1995-08-11 | Hitachi Ltd | 静電吸着装置の保持状態確認方法 |
JPH09148419A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Nec Corp | 静電チャック |
JP2002222850A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 静電チャックにおける被吸着物の離脱方法 |
JP2006202939A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 吸着方法、脱離方法、プラズマ処理方法、静電チャック及びプラズマ処理装置 |
JP2007251083A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガラス基板の静電吸着装置及びその吸着離脱方法 |
JP2009059976A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板保持機構及びこの基板保持機構を用いる半導体装置の製造方法 |
JP2009224421A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法 |
JP2011515856A (ja) * | 2008-03-20 | 2011-05-19 | ノベラス システムズ インコーポレイテッド | 静電容量感知機能を有する静電チャック組立体及びその動作方法 |
JP2012511831A (ja) * | 2008-12-10 | 2012-05-24 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 静電チャックからのウエハの解放 |
JP2016001641A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
JP2017195351A (ja) * | 2016-04-23 | 2017-10-26 | 株式会社クリエイティブテクノロジー | 静電チャック |
JP2019117926A (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-18 | キヤノントッキ株式会社 | 静電チャック、成膜装置、基板吸着方法、基板剥離方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 |
JP2019125603A (ja) * | 2018-01-11 | 2019-07-25 | 株式会社アルバック | 吸着方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4615670B2 (ja) | 2000-04-19 | 2011-01-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 静電チャックにおけるチャッキング力を制御する方法及び装置 |
JP6219251B2 (ja) | 2014-09-17 | 2017-10-25 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置 |
KR101960194B1 (ko) * | 2017-11-29 | 2019-03-19 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막장치, 성막방법, 및 유기 el 표시장치의 제조방법 |
KR102430361B1 (ko) * | 2018-09-21 | 2022-08-05 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 흡착장치, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법 |
KR20200049034A (ko) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 얼라인먼트 시스템, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
JP7211768B2 (ja) | 2018-11-01 | 2023-01-24 | アズビル株式会社 | 箱体のヒンジ構造 |
-
2021
- 2021-03-30 JP JP2021058453A patent/JP7390328B2/ja active Active
-
2022
- 2022-03-23 KR KR1020220035943A patent/KR20220136157A/ko not_active Application Discontinuation
- 2022-03-23 CN CN202210290302.1A patent/CN115142036B/zh active Active
-
2023
- 2023-03-16 JP JP2023042251A patent/JP7522250B2/ja active Active
-
2024
- 2024-02-14 KR KR1020240020956A patent/KR20240027640A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0536806A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 静電チヤツクの過渡特性評価装置及び方法 |
JPH07211768A (ja) * | 1994-01-13 | 1995-08-11 | Hitachi Ltd | 静電吸着装置の保持状態確認方法 |
JPH09148419A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Nec Corp | 静電チャック |
JP2002222850A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 静電チャックにおける被吸着物の離脱方法 |
JP2006202939A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 吸着方法、脱離方法、プラズマ処理方法、静電チャック及びプラズマ処理装置 |
JP2007251083A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガラス基板の静電吸着装置及びその吸着離脱方法 |
JP2009059976A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板保持機構及びこの基板保持機構を用いる半導体装置の製造方法 |
JP2009224421A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法 |
JP2011515856A (ja) * | 2008-03-20 | 2011-05-19 | ノベラス システムズ インコーポレイテッド | 静電容量感知機能を有する静電チャック組立体及びその動作方法 |
JP2012511831A (ja) * | 2008-12-10 | 2012-05-24 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 静電チャックからのウエハの解放 |
JP2016001641A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
JP2017195351A (ja) * | 2016-04-23 | 2017-10-26 | 株式会社クリエイティブテクノロジー | 静電チャック |
JP2019117926A (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-18 | キヤノントッキ株式会社 | 静電チャック、成膜装置、基板吸着方法、基板剥離方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 |
JP2019125603A (ja) * | 2018-01-11 | 2019-07-25 | 株式会社アルバック | 吸着方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115142036A (zh) | 2022-10-04 |
JP7390328B2 (ja) | 2023-12-01 |
JP2023080107A (ja) | 2023-06-08 |
KR20220136157A (ko) | 2022-10-07 |
KR20240027640A (ko) | 2024-03-04 |
CN115142036B (zh) | 2024-08-06 |
JP7522250B2 (ja) | 2024-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7203185B2 (ja) | 真空装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
JP7288336B2 (ja) | アライメントシステム、成膜装置、アライメント方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 | |
KR102505832B1 (ko) | 흡착장치, 위치 조정 방법, 및 성막 방법 | |
JP2020072273A (ja) | 吸着及びアライメント方法、吸着システム、成膜方法、成膜装置及び電子デバイスの製造方法 | |
KR20210062607A (ko) | 성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스 제조방법 | |
KR20210011790A (ko) | 얼라인먼트 기구, 얼라인먼트 방법, 성막 장치 및 성막 방법 | |
JP2022131449A (ja) | 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
KR20210137902A (ko) | 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램 및 기억 매체 | |
KR102625048B1 (ko) | 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램, 및 기억 매체 | |
CN112680696B (zh) | 成膜装置、电子器件的制造装置、成膜方法及电子器件的制造方法 | |
CN114318229A (zh) | 成膜装置、调整方法及电子器件的制造方法 | |
JP2020070491A (ja) | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
KR102582584B1 (ko) | 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램, 및 기억 매체 | |
JP7390328B2 (ja) | 制御装置、基板吸着方法及び電子デバイスの製造方法 | |
KR102421610B1 (ko) | 정전척 시스템, 성막 장치, 흡착 방법, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조방법 | |
JP2022131529A (ja) | 成膜装置 | |
KR102686371B1 (ko) | 제어 장치, 성막 장치, 제어 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
KR20200014103A (ko) | 정전척 시스템, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법 | |
WO2024034236A1 (ja) | アライメント装置、成膜装置、制御方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体 | |
WO2024176848A1 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 | |
JP2023114739A (ja) | 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
KR20210080802A (ko) | 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220401 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230707 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230731 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231106 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7390328 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |