JP2015185528A - ステージ装置および電子線装置 - Google Patents

ステージ装置および電子線装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2015185528A
JP2015185528A JP2014063986A JP2014063986A JP2015185528A JP 2015185528 A JP2015185528 A JP 2015185528A JP 2014063986 A JP2014063986 A JP 2014063986A JP 2014063986 A JP2014063986 A JP 2014063986A JP 2015185528 A JP2015185528 A JP 2015185528A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
electron beam
stage
power source
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014063986A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6225055B2 (ja
Inventor
瀬山 雅裕
Masahiro Seyama
雅裕 瀬山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Priority to JP2014063986A priority Critical patent/JP6225055B2/ja
Publication of JP2015185528A publication Critical patent/JP2015185528A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6225055B2 publication Critical patent/JP6225055B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

【課題】ステージ装置におけるパーティクルの発生を低減する。【解決手段】電子線により処理される試料を載置するステージ装置であって、絶縁基板と、絶縁基板の表面に露出して設けられたチャック用電極と、絶縁基板の表面に設けられ、試料と電極との間に空間ができるように、試料を支持する複数の支持部とを備えるステージ装置を提供する。また、当該ステージ装置と、試料に電子線を照射する照射部とを備える電子線装置を提供する。【選択図】図2A

Description

本発明は、ステージ装置および電子線装置に関する。
従来、走査型電子顕微鏡等の電子線装置において、電子線で処理すべき試料をステージ上に載置して移動させている。関連する先行技術文献として、下記の特許文献がある。
特許文献1 特開2012−64567号公報
特許文献2 特開2010−272586号公報
特許文献3 特開2003−115274号公報
特許文献4 特開平10−233434号公報
特許文献5 特開2007−300142号公報
しかし、ステージ表面がチャージアップされると、電子線を精度よく照射することが困難になる。
本発明の第1の態様においては、電子線により処理される試料を載置するステージ装置であって、絶縁基板と、絶縁基板の表面に露出して設けられたチャック用電極と、絶縁基板の表面に設けられ、試料と電極との間に空間ができるように、試料を支持する複数の支持部とを備えるステージ装置を提供する。
本発明の第2の態様においては、第1の態様のステージ装置と、試料に電子線を照射する照射部とを備える電子線装置を提供する。
なお、上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
実施形態に係る電子線装置100の構成例を示す図である。 ステージ装置30および試料200の側面を示す図である。 ステージ装置30において試料200が載置される側の表面を示す図である。 ステージ装置30および試料200の側面を示す図である。 ステージ装置30において試料200が載置される側の表面を示す図である。 ステージ装置30の他の構成例を示す図である。 ステージ装置30の他の構成例を示す図である。 ステージ装置30の他の構成例を示す図である。 正側電源38−1、負側電源38−2、試料200と正側電源38−1との間の容量C1、および、試料200と負側電極36−2との間の容量C2の等価回路を示す図である。 支持部34の構造例を示す図である。
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
図1は、実施形態に係る電子線装置100の構成例を示す図である。電子線装置100は、電子線を試料200に照射することで試料200を処理する。本例の電子線装置100は、測長用走査型電子顕微鏡(CD−SEM)である。ただし電子線装置100は、CD−SEMに限定されない。電子線装置100は、他の種類の走査型電子顕微鏡、電子線露光装置等の、ステージ上に試料を載置して移動する多様な電子線装置であってよい。
本例の電子線装置100は、筐体10、電子銃12、集束レンズ14、偏向コイル16、対物レンズ18、検出器20、ビーム制御部22、信号処理部24、ステージ制御部26およびステージ装置30を備える。筐体10は、電子銃12、集束レンズ14、偏向コイル16、対物レンズ18、検出器20、ステージ装置30および試料200を密閉する。
電子銃12、集束レンズ14、偏向コイル16および対物レンズ18は、試料200に電子線を照射する照射部として機能する。電子銃12は、印加されるエネルギーに応じて電子を放出する。電子銃12には、ステージ装置30の方向に電子を加速させる電圧が印加される。集束レンズ14は、電子銃12の近傍に設けられ、電子銃12が放出した電子を集束させて電子線を形成する。
偏向コイル16は、集束レンズ14が集束させた電子線の偏向方向を制御する。つまり偏向コイル16は、試料200において電子線が照射される位置を制御する。対物レンズ18は、偏向コイル16が集束させた電子線の焦点位置を制御する。例えば対物レンズ18は、試料200の表面に電子線の焦点をあわせる。
ビーム制御部22は、集束レンズ14、偏向コイル16および対物レンズ18を制御する。例えばビーム制御部22は、偏向コイル16を制御して、試料200表面の所定の領域内で電子線を走査させる。
ステージ装置30は、電子線により処理される試料200を載置して移動する。例えばステージ装置30は、水平方向および垂直方向に移動可能である。これにより、試料200において電子線が照射されるおおまかな位置を調整する。ステージ制御部26は、ステージ装置30の移動を制御する。
試料200は、電子線が照射されると二次電子を放出する。検出器20は、試料200が放出した二次電子を、電子線の照射位置(すなわち、偏向コイル16における偏向量)毎に検出する。信号処理部24は、検出器20が検出した二次電子に応じて、試料200表面の状態を示す画像を形成する。
図2Aおよび図2Bは、ステージ装置30の構成例を示す図である。図2Aは、ステージ装置30および試料200の側面を示す図である。図2Bは、ステージ装置30において試料200が載置される側の表面を示す図である。ステージ装置30は、絶縁基板32、正側電極36−1、負側電極36−2、複数の支持部34、正側電源38−1および負側電源38−2を備える。
絶縁基板32は、絶縁材料で形成される。また、絶縁基板32は、ステージ制御部26により水平方向および垂直方向に移動される。絶縁基板32の表面には、正側電極36−1、負側電極36−2および複数の支持部34が設けられる。なお本明細書において、絶縁基板32および試料200等の部材の表面とは電子銃12側の面を指し、裏面とは筐体10の底部側の面を指す。
正側電極36−1および負側電極36−2は、互いに分離して設けられ、チャック用電極として機能する。つまり正側電極36−1および負側電極36−2に電圧が印加されると、正側電極36−1および負側電極36−2の表面と、試料200の裏面とに逆極性の電荷が集まる。当該電荷の静電力により、試料200がステージ装置30に吸着される。本例のステージ装置30は、双極型のチャック用電極を有しているが、ステージ装置30は、絶縁基板32の表面に正側電極または負側電極の一方だけを設けた単極型のチャック用電極を有してもよい。
静電チャックで試料200を吸着するので、電子線装置100は、裏面における摩擦係数が比較的に小さい試料200であっても、ステージ装置30の移動中のスリップを防ぐことができる。例えば試料200は、EUV(Extreme Ultra Violet)露光用のマスクである。この場合、試料200の裏面に露出する層202は、例えば窒化クロムである。
正側電源38−1は、正側電極36−1の基準電位に対する電位を設定する。負側電源38−2は、負側電極36−2の基準電位に対する電位を設定する。本例において基準電位は接地電位である。本例の正側電源38−1および負側電源38−2は直列に接続され、その接続点に接地電位が与えられる。
正側電極36−1および負側電極36−2は、絶縁基板32の表面に露出して設けられる。つまり正側電極36−1および負側電極36−2と、試料200の裏面との間には、空間が設けられる。チャック用電極が絶縁基板32に埋め込まれている場合、試料200の直下に誘電体が配置される。このため、電子線等により当該誘電体がチャージアップされると、試料200に精度よく電子線を照射することができなくなる。本例のステージ装置30は、試料200の直下に空間が設けられ、正側電極36−1および負側電極36−2が露出して設けられているので、上述の誘電体のチャージアップといった問題は発生しない。
複数の支持部34は、絶縁基板32の表面に設けられる。それぞれの支持部34は、互いに離間して設けられる。本例のステージ装置30は、図2Bに示すように3個の支持部34を有する。本例では、絶縁基板32の表面形状は矩形であり、矩形の3辺にそれぞれ支持部34が設けられる。
複数の支持部34は、試料200と正側電極36−1および負側電極36−2との間に空間ができるように、試料200を支持する。つまり、支持部34の頂部が、正側電極36−1および負側電極36−2の表面よりも高くなるように支持部34が設けられる。頂部とは、支持部34において最も高い位置にある面または点を指す。本明細書において方向を特に明示しない場合、高さは絶縁基板32の表面と垂直な方向における位置を指す。
支持部34は、正側電極36−1および負側電極36−2よりも厚くてよい。本例において支持部34は、頂部の面積が底部の面積より小さい。支持部34の頂部は、ほぼ点であってよい。また、支持部34の先端部は、絶縁材料で形成される。例えば先端部は、サファイアで形成される。支持部34の先端部は、支持部34において試料200と接触する頂部を含む部分を指す。
本例のステージ装置30によれば、離間した複数の支持部34で試料200を支持するので、ステージ装置30と試料200との接触面積を減らすことができ、パーティクルの発生を低減することができる。また、静電チャックにより試料200をステージ装置30に吸着するので、摩擦係数の小さい試料200に対しても、ステージの移動速度を落とさずにスリップを防止することができる。このためスループットが向上する。また、支持部34により、試料200と絶縁基板32との間に空間が形成されるので、絶縁基板32の表面に正側電極36−1および負側電極36−2を露出して設けることができる。これにより、静電チャックにより試料200を固定しつつ、試料200の直下におけるチャージアップを防ぐことができる。
また、支持部34は、試料200がたわまないように配置されることが好ましい。ただし、電子線装置100がCD−SEMの場合、試料200が垂直方向にたわんだ場合であっても、水平方向の測長精度には影響しない。
図3Aおよび図3Bは、ステージ装置30の他の構成例を示す図である。図3Aは、ステージ装置30および試料200の側面を示す。図3Bは、ステージ装置30において試料200が載置される側の表面を示す。
本例のステージ装置30は、図2Aおよび図2Bに示したステージ装置30の構成に加え、ガードリング40を更に備える。ガードリング40は、正側電極36−1および負側電極36−2を囲んで設けられる。ガードリング40は、正側電極36−1および負側電極36−2から離れて形成される。ステージ装置30は、図3Aおよび図3Bに示すように、正側電極36−1および負側電極36−2をまとめて囲む1つのガードリング40を有してよく、正側電極36−1および負側電極36−2をそれぞれ囲む2つのガードリング40を有してもよい。
ガードリング40には、基準電位が与えられる。当該基準電位は、正側電源38−1および負側電源38−2の基準電位と同一である。これにより、正側電極36−1および負側電極36−2に電圧を印加したことにより生じる電界の漏れを抑制して、電子線を精度よく制御することができる。
ガードリング40は、絶縁基板32の表面に露出して設けられる。また、ガードリング40は、試料200と接しないように設けられる。つまり、ガードリング40の高さは、支持部34よりも低い。
本例のガードリング40は、正側電極36−1および負側電極36−2と、複数の支持部34との間に設けられる。他の例では、ガードリング40は、複数の支持部34の外側に設けられてもよい。
図4は、ステージ装置30の他の構成例を示す図である。本例のステージ装置30は、図2Aおよび図2Bに示したステージ装置30の構成に加え、支持部電位制御部42を更に備える。また、本例において複数の支持部34は、導電材料で形成される。支持部電位制御部42は、複数の支持部34の、接地電位に対する電位を制御する。これにより、試料200の電位を設定することができる。なお本例では、正側電源38−1および負側電源38−2の接続点がフローティングとなる。
本例の複数の支持部34には、同一の電位が設定される。本例の支持部電位制御部42は、接地電位と、複数の支持部34との間に設けられた可変電源である。他の例では、それぞれの支持部34の電位を個別に設定する複数の支持部電位制御部42が設けられてもよい。
それぞれの支持部34は、導電材料のみで形成されなくともよい。支持部34は、試料200と支持部電位制御部42とを電気的に接続できれば、絶縁材料を含んでいてもよい。本例のステージ装置30によれば、支持部34で試料200を支持することでパーティクルの発生を抑制しつつ、支持部34の電位を制御することで簡単な構成で試料200の電位を制御することができる。
図5は、ステージ装置30の他の構成例を示す図である。本例のステージ装置30は、図4に示したステージ装置30の構成に加え、ガードリング40を更に備える。ガードリング40は、図3Aおよび図3Bにおいて説明したガードリング40と同一である。本例の支持部電位制御部42は、ガードリング40の電位を、複数の支持部34の電位とあわせて制御する。これにより、試料200の裏面の電位を設定しつつ、電界の漏れを低減することができる。なお、支持部電位制御部42は、ガードリング40の電位と、複数の支持部34の電位とを別個に制御してもよい。
ガードリング40および複数の支持部34とは接していてもよい。複数の支持部34は、ガードリング40の外周または内周と接していてよく、ガードリング40の表面に形成されてもよい。
図6は、ステージ装置30の他の構成例を示す図である。本例のステージ装置30は、図2Aおよび図2Bに示したステージ装置30の構成に加え、基準電源44および電源制御部50を更に備える。
基準電源44は、正側電源38−1および負側電源38−2の接続点における基準電位を制御する。本例の基準電源44は、当該接続点と、接地電位との間に設けられた可変電源である。これにより、正側電源38−1および負側電源38−2の基準電位を設定することができる。電源制御部50は、基準電源44の電圧を制御する。
図7は、正側電源38−1、負側電源38−2、試料200と正側電極36−1との間の容量C1、および、試料200と負側電極36−2との間の容量C2の等価回路を示す図である。また、試料200の電位をVa、正側電源38−1の電圧をV1、負側電源38−2の電圧をV2、基準電源44の電圧をVosとする。
容量C1の電荷Q1および容量C2の電荷Q2は、下式で与えられる。
Q1=C1(Vos+V1−Va)
Q2=C2(Va−Vos+V2)
試料200にチャージアップが無ければ、−Q1+Q2=0となる。従って、
−C1(Vos+V1−Va)+C2(Va−Vos+V2)=0
つまり、
Va=Vos+(C1V1−C2V2)/(C1+C2)・・・式(1)
となる。なお、C1=C2、V1=V2の場合、Va=Vosとなる。
電源制御部50は、試料200に設定すべき電位Vaに基づいて、基準電源44の電圧Vosを制御する。上述したように、C1=C2、V1=V2の場合、電源制御部50は、試料200に設定すべき電位Vaに等しい電圧Vosを、基準電源44に設定する。
また、電源制御部50は、容量C1および容量C2に基づいて、基準電源44の電圧を制御してもよい。この場合、電源制御部50は、試料200に設定すべき電位Vaに更に基づいて、式(1)に従って基準電源44の電圧を制御してよい。なお、電圧V1およびV2は既知である。
ステージ装置30は、容量C1および容量C2を測定する測定部を更に備えてよい。当該測定部は、新たな試料200を処理する場合に、容量C1および容量C2を測定してよい。電源制御部50は、当該測定部の測定結果に基づいて、基準電源44の電圧を制御する。当該測定部は、正側電極36−1および負側電極36−2のそれぞれの面積を検出して、当該面積に基づいて容量C1および容量C2を算出してよい。
図8は、支持部34の構造例を示す図である。本例の支持部34は、先端部46および調整部48を有する。先端部46は、試料200と接触する。本例の先端部46は、錘形状を有する。調整部48は、先端部46の高さを調整する。例えば調整部48は、複数の層を積層することで先端部46の高さを調整する。それぞれの支持部34における調整部48の層数は、先端部46の高さのバラツキを調整するように設定される。これにより、試料200を水平に保持することができる。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
10・・・筐体、12・・・電子銃、14・・・集束レンズ、16・・・偏向コイル、18・・・対物レンズ、20・・・検出器、22・・・ビーム制御部、24・・・信号処理部、26・・・ステージ制御部、30・・・ステージ装置、32・・・絶縁基板、34・・・支持部、36−1・・・正側電極、36−2・・・負側電極、38−1・・・正側電源、38−2・・・負側電源、40・・・ガードリング、42・・・支持部電位制御部、44・・・基準電源、46・・・先端部、48・・・調整部、50・・・電源制御部、100・・・電子線装置、200・・・試料、202・・・層

Claims (11)

  1. 電子線により処理される試料を載置するステージ装置であって、
    絶縁基板と、
    前記絶縁基板の表面に露出して設けられたチャック用電極と、
    前記絶縁基板の前記表面に設けられ、前記試料と前記チャック用電極との間に空間ができるように、前記試料を支持する複数の支持部と
    を備えるステージ装置。
  2. 前記絶縁基板の前記表面において、前記チャック用電極を囲んで設けられたガードリングを更に備える
    請求項1に記載のステージ装置。
  3. 前記チャック用電極は、互いに分離した正側電極および負側電極を有し、
    前記ステージ装置は、
    前記正側電極の電位を設定する正側電源と、
    前記負側電極の電位を設定する負側電源と
    を更に備える請求項2に記載のステージ装置。
  4. 前記複数の支持部において前記試料と接触する先端部が、絶縁材料で形成された
    請求項2または3に記載のステージ装置。
  5. 前記複数の支持部は、導電材料で形成され、
    前記ステージ装置は、前記複数の支持部の電位を制御する支持部電位制御部を更に備える
    請求項3に記載のステージ装置。
  6. 前記正側電源および前記負側電源は直列に接続され、
    前記正側電源および前記負側電源の接続点がフローティングである
    請求項5に記載のステージ装置。
  7. 前記支持部電位制御部は、前記ガードリングの電位を、前記複数の支持部の電位とあわせて制御する
    請求項5または6に記載のステージ装置。
  8. 前記正側電源および前記負側電源は直列に接続され、
    前記ステージ装置は、前記正側電源および前記負側電源の接続点における基準電位を制御する基準電源を更に備える
    請求項3に記載のステージ装置。
  9. 前記基準電源は、
    前記試料と前記正側電極との間の容量、および、前記試料と前記負側電極との間の容量に基づいて、前記基準電位を制御する
    請求項8に記載のステージ装置。
  10. 請求項1から9のいずれか一項に記載のステージ装置と、
    前記試料に電子線を照射する照射部と
    を備える電子線装置。
  11. 前記電子線装置は、CD−SEMである
    請求項10に記載の電子線装置。
JP2014063986A 2014-03-26 2014-03-26 ステージ装置および電子線装置 Active JP6225055B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014063986A JP6225055B2 (ja) 2014-03-26 2014-03-26 ステージ装置および電子線装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014063986A JP6225055B2 (ja) 2014-03-26 2014-03-26 ステージ装置および電子線装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015185528A true JP2015185528A (ja) 2015-10-22
JP6225055B2 JP6225055B2 (ja) 2017-11-01

Family

ID=54351803

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014063986A Active JP6225055B2 (ja) 2014-03-26 2014-03-26 ステージ装置および電子線装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6225055B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024100897A1 (ja) * 2022-11-11 2024-05-16 株式会社日立ハイテク 荷電粒子ビーム装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0729814A (ja) * 1993-07-07 1995-01-31 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> マスク基板保持機構
US5708250A (en) * 1996-03-29 1998-01-13 Lam Resarch Corporation Voltage controller for electrostatic chuck of vacuum plasma processors
JPH1167885A (ja) * 1997-08-25 1999-03-09 Nissin Electric Co Ltd 基板保持装置
JP2001035907A (ja) * 1999-07-26 2001-02-09 Ulvac Japan Ltd 吸着装置
JP2004022888A (ja) * 2002-06-18 2004-01-22 Anelva Corp 静電吸着装置
WO2007014160A2 (en) * 2005-07-21 2007-02-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for in-situ substrate surface arc detection
JP2008135736A (ja) * 2006-10-31 2008-06-12 Taiheiyo Cement Corp 静電チャック
JP2011515856A (ja) * 2008-03-20 2011-05-19 ノベラス システムズ インコーポレイテッド 静電容量感知機能を有する静電チャック組立体及びその動作方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0729814A (ja) * 1993-07-07 1995-01-31 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> マスク基板保持機構
US5708250A (en) * 1996-03-29 1998-01-13 Lam Resarch Corporation Voltage controller for electrostatic chuck of vacuum plasma processors
JPH1167885A (ja) * 1997-08-25 1999-03-09 Nissin Electric Co Ltd 基板保持装置
JP2001035907A (ja) * 1999-07-26 2001-02-09 Ulvac Japan Ltd 吸着装置
JP2004022888A (ja) * 2002-06-18 2004-01-22 Anelva Corp 静電吸着装置
WO2007014160A2 (en) * 2005-07-21 2007-02-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for in-situ substrate surface arc detection
JP2008135736A (ja) * 2006-10-31 2008-06-12 Taiheiyo Cement Corp 静電チャック
JP2011515856A (ja) * 2008-03-20 2011-05-19 ノベラス システムズ インコーポレイテッド 静電容量感知機能を有する静電チャック組立体及びその動作方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024100897A1 (ja) * 2022-11-11 2024-05-16 株式会社日立ハイテク 荷電粒子ビーム装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6225055B2 (ja) 2017-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111785602B (zh) 用于晶片边缘检验及复检的方法及系统
JP5554852B2 (ja) 試料検査装置
JP2007257969A (ja) 荷電粒子線装置
JP2018526778A5 (ja)
JP6242745B2 (ja) 荷電粒子線装置及び当該装置を用いる検査方法
US9401297B2 (en) Electrostatic chuck mechanism and charged particle beam apparatus
JP2010055756A (ja) 荷電粒子線の照射方法及び荷電粒子線装置
JP5143787B2 (ja) 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置を利用した評価方法
JP2020038826A (ja) 荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム装置のためのマルチビームブランカ、および荷電粒子ビーム装置を動作させるための方法
TWI449903B (zh) 減少檢測時基板邊緣效應的方法與裝置
WO2018154705A1 (ja) 荷電粒子線装置
JP6548374B2 (ja) 低真空用荷電粒子線装置
US9543113B2 (en) Charged-particle beam device for irradiating a charged particle beam on a sample
JP6225055B2 (ja) ステージ装置および電子線装置
US8957394B2 (en) Compact high-voltage electron gun
JP6139449B2 (ja) ステージ装置および電子線装置
JP5478683B2 (ja) 荷電粒子線の照射方法及び荷電粒子線装置
JP5205515B2 (ja) 試料電位測定方法、及び荷電粒子線装置
KR101538256B1 (ko) 하전 입자선 장치 및 정전 척 장치
US9666411B1 (en) Virtual ground for target substrate using floodgun and feedback control
JP2016139530A (ja) 荷電粒子線装置
JP5470194B2 (ja) 荷電粒子線装置
JP2015099701A (ja) 試料計測装置
JP7299206B2 (ja) 電子ビームの照射エリア調整方法および同調整システム、電子ビームの照射領域補正方法、ならびに、電子ビーム照射装置
US20140361164A1 (en) Electron beam inspection apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160330

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170228

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170413

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170919

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171006

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6225055

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250