JP2008135736A - 静電チャック - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁性基体と、単極型の静電吸着用電極とを備え、前記絶縁性基体の基板吸着面側の平面に設けられた突起先端に基板を吸着する静電チャックであって、前記突起先端は、基板と接触する導電性領域を有することを特徴とする静電チャック。前記導電性領域と前記静電吸着用電極とは、それぞれ別個の電位制御手段に接続される。
【選択図】 図1
Description
(実施例1)
以下に示す条件により、8インチシリコンウエハの吸着試験を実施した。なお、吸着力は、真空下にてウエハ等を引き上げることにより測定した。いずれの静電チャックの形状もほぼ同一であり、外径200mm、厚さ10mmとした。突起は円柱形状、正三角形配置とした。静電チャック平面度は、ウエハ等が接触する複数の先端部からなる平面の平面度であり、レーザー干渉計により測定した。また、基体の熱膨張係数は、レーザー熱膨張計により測定した。
静電チャックの構造:図2、絶縁性基体:リチウムアルミノシリケート+炭化珪素、平均線膨張係数:0.01×10-6/K、静電チャック平面度:50nm、吸着面の突起の高さ:15μm、突起の配置間隔:6mm、突起先端部直径:φ1mm、導電性領域:TiN(厚さ約1μm)、静電吸着用電極4:TiN(厚さ約1μm)、真空度:0.01Pa。
導電性領域3への電圧印加用端子を接地(0V)し、静電吸着用電極4への電圧印加用端子に+1.5kVDC印加したところ、吸着力は約20000Paであった。
静電チャックの構造:図3、絶縁性基体:リチウムアルミノシリケート+炭化珪素、平均線膨張係数:1×10-6/K、静電チャック平面度:50nm、吸着面の突起の高さ:15μm、突起の配置間隔:6mm、突起先端部直径:φ3mm、導電性領域:TiC(厚さ約1μm)、静電吸着用電極:Wメッシュ(線径φ0.1mm、50メッシュ)、真空度:0.01Pa。
導電性領域3への電圧印加用端子を接地(0V)し、静電吸着用電極への電圧印加用端子に+1.5kVDC印加したところ、吸着力は約4000Paであった。
静電チャックの構造:図4、導電性基材:アルミニウム30%−炭化珪素70%複合体(MMC)、絶縁性基体:酸化アルミニウム、平均線膨張係数:8×10-6/K、静電チャック平面度:100nm、吸着面の突起の高さ:10μm、突起の配置間隔:10mm、突起先端部直径:φ0.5mm、導電性領域3:W(厚さ約1μm)、静電吸着用電極4:W(厚さ約1μm)、真空度:0.1Pa。
導電性領域3への電圧印加用端子を接地(0V)し、静電吸着用電極への電圧印加用端子に+1.0kVDC印加したところ、吸着力は約9000Paであった。
静電チャックの構造:図5、導電性基材:アルミニウム30%−炭化珪素70%複合体(MMC)、絶縁性基体:酸化アルミニウム、平均線膨張係数:8×10-6/K、静電チャック平面度:100nm、吸着面の突起の高さ:10μm、突起の配置間隔:10mm、突起先端部直径:φ1mm、導電性領域3:W(厚さ約1μm)、真空度:0.1Pa。
導電性領域3への電圧印加用端子を接地(0V)し、静電吸着用電極である導電性基材への電圧印加用端子に+1.0kVDC印加したところ、吸着力は約2000Paであった。
静電チャックの構造:図2、絶縁性基体:窒化アルミニウム+炭化珪素、平均線膨張係数:1×10-6/K、静電チャック平面度:100nm、吸着面の突起の高さ:45μm、突起の配置間隔:6mm、突起先端部直径:φ3mm、導電性領域:TiN(厚さ約1μm)、静電吸着用電極:TiN(厚さ約1μm)、真空度:0.0001Pa、保護膜:SiO2(厚さ1μm)。
導電性領域3への電圧印加用端子を接地(0V)し、静電吸着用電極への電圧印加用端子に+3.0kVDC印加したところ、吸着力は約9000Paであった。
2…突起
3…導電性領域
4、14…静電吸着用電極
5…導電性領域への配線
6…静電吸着用電極への配線
7…導電性領域への電圧印加用パッド
8…静電吸着用電極への電圧印加用パッド
9…導電性領域への電圧印加用端子
10…静電吸着用電極への電圧印加用端子
11…絶縁性基体
12…導電性領域の電位制御手段
13…静電吸着用電極の電位制御手段
15…導電性基材
Claims (10)
- 絶縁性基体と、単極型の静電吸着用電極とを備え、前記絶縁性基体の基板吸着面側の平面に設けられた突起先端に基板を吸着する静電チャックであって、前記突起先端は、基板と接触する導電性領域を有することを特徴とする静電チャック。
- 前記導電性領域と前記静電吸着用電極とは、それぞれ別個の電位制御手段に接続される請求項1記載の静電チャック。
- 前記導電性領域は、前記静電吸着用電極よりも低い電位に制御される請求項1、2記載の静電チャック。
- 前記静電吸着用電極は、前記絶縁性基体の基板吸着面側の平面に形成されている請求項1〜3記載の静電チャック。
- 前記導電性領域は導電性コーティングにより形成された請求項1〜4に記載の静電チャック。
- 前記静電吸着用電極は導電性コーティングにより形成された請求項1〜5に記載の静電チャック。
- 前記突起は前記絶縁性基体と同一材料からなる請求項1〜6記載の静電チャック。
- 前記絶縁性基体は、23±3℃における平均線膨張係数の絶対値が0.5×10-6/K以下、ヤング率が60GPa以上のガラスまたはセラミックスからなる請求項1〜7記載の静電チャック。
- 前記静電吸着用電極は、保護膜により被覆されている請求項1〜8記載の静電チャック。
- 前記静電吸着用電極と直列に接続された抵抗を有する請求項1〜9記載の静電チャック。
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