JP2002334920A - 静電チャック - Google Patents
静電チャックInfo
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- JP2002334920A JP2002334920A JP2001138276A JP2001138276A JP2002334920A JP 2002334920 A JP2002334920 A JP 2002334920A JP 2001138276 A JP2001138276 A JP 2001138276A JP 2001138276 A JP2001138276 A JP 2001138276A JP 2002334920 A JP2002334920 A JP 2002334920A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電チャックの誘電体を通して流れる漏れ電
流を、安定して低減し、かつ被吸着物と静電チャック表
面の凹部での放電に対する耐性を著しく向上させる静電
チャックを提供する。 【解決手段】 誘電体を有し、かつ誘電体の被吸着物と
の接触面側を凹凸形状に加工した静電チャックにおい
て、凹部の全面又は一部を誘電体より高い体積固有抵抗
を有する絶縁体で被覆してなる静電チャック。
流を、安定して低減し、かつ被吸着物と静電チャック表
面の凹部での放電に対する耐性を著しく向上させる静電
チャックを提供する。 【解決手段】 誘電体を有し、かつ誘電体の被吸着物と
の接触面側を凹凸形状に加工した静電チャックにおい
て、凹部の全面又は一部を誘電体より高い体積固有抵抗
を有する絶縁体で被覆してなる静電チャック。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス製
造装置、液晶デバイス製造装置等の半導体・液晶分野に
用いられる静電チャックに関する。
造装置、液晶デバイス製造装置等の半導体・液晶分野に
用いられる静電チャックに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスや液晶デバイスを製造す
る際、特に真空雰囲気においてはシリコンウェーハ、ガ
ラス基板等を保持するために、従来のメカクランプ方式
から、面吸着が可能な静電チャックが検討されている。
静電チャックを構成する誘電体材料は、厚さと電極面積
で決まる固有の抵抗値を有しており、吸着時に数百Ｖ以
上の電圧を印加すると誘電体の固有抵抗に応じた漏れ電
流が流れる。
る際、特に真空雰囲気においてはシリコンウェーハ、ガ
ラス基板等を保持するために、従来のメカクランプ方式
から、面吸着が可能な静電チャックが検討されている。
静電チャックを構成する誘電体材料は、厚さと電極面積
で決まる固有の抵抗値を有しており、吸着時に数百Ｖ以
上の電圧を印加すると誘電体の固有抵抗に応じた漏れ電
流が流れる。
【０００３】漏れ電流は数1ｍＡ以下であっても微細回
路が形成されたウェーハなどの被吸着物内を流れる為、
形成された微細素子や回路を破壊させることがある。ま
た表面電流は数μＡであっても、例えば電子線を用いた
装置のように微少な電磁界の影響を受ける装置では無視
できない。このため漏れ電流の低減が望まれている。
路が形成されたウェーハなどの被吸着物内を流れる為、
形成された微細素子や回路を破壊させることがある。ま
た表面電流は数μＡであっても、例えば電子線を用いた
装置のように微少な電磁界の影響を受ける装置では無視
できない。このため漏れ電流の低減が望まれている。
【０００４】漏れ電流を低減するため、静電チャックの
吸着面を凹凸形状に加工し、被吸着物との接触面積を減
らし漏れ電流を小さくすることが行われている。このよ
うな構造の静電チャックは、被吸着物を吸着する際に誘
電体と被吸着物の接触による、被吸着物へのパーティク
ルの転写も減じる効果も得られる。
吸着面を凹凸形状に加工し、被吸着物との接触面積を減
らし漏れ電流を小さくすることが行われている。このよ
うな構造の静電チャックは、被吸着物を吸着する際に誘
電体と被吸着物の接触による、被吸着物へのパーティク
ルの転写も減じる効果も得られる。
【０００５】しかしながら、上記に示す構造の静電チャ
ックは、接触面積の現象に伴う吸着力の低下に比較し
て、漏れ電流の減少が少ない。また吸着時の真空度によ
っては被吸着物と静電チャック表面凹部の間で放電が生
じ、漏れ電流が増大する場合があるなどの問題があっ
た。
ックは、接触面積の現象に伴う吸着力の低下に比較し
て、漏れ電流の減少が少ない。また吸着時の真空度によ
っては被吸着物と静電チャック表面凹部の間で放電が生
じ、漏れ電流が増大する場合があるなどの問題があっ
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、静電チャッ
クの誘電体を通して流れる漏れ電流を、安定して低減
し、かつ被吸着物と静電チャック表面の凹部での放電に
対する耐性を著しく向上させる静電チャックを提供する
ものである。
クの誘電体を通して流れる漏れ電流を、安定して低減
し、かつ被吸着物と静電チャック表面の凹部での放電に
対する耐性を著しく向上させる静電チャックを提供する
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体を有
し、かつ誘電体の被吸着物との接触面側を凹凸形状に加
工した静電チャックにおいて、凹部の全面又は一部を誘
電体より高い体積固有抵抗を有する絶縁体で被覆してな
る静電チャックに関する。
し、かつ誘電体の被吸着物との接触面側を凹凸形状に加
工した静電チャックにおいて、凹部の全面又は一部を誘
電体より高い体積固有抵抗を有する絶縁体で被覆してな
る静電チャックに関する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の静電チャックに用いられ
る誘電体の材料としては、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ ３Ｎ４、Ａ
ｌＮ、ＳｉＣ、ＢａＴｉＯ３等のセラミックス材料が用
いられる。誘電体に形成する電圧印加電極としては、例
えばＡｇ−Ｐｄ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕ等の金属を含むガラス
ペーストを焼き付けたり、Ａｌ、Ｃｕ、ＳＵＳ等の金属
板又は金属箔を密着させて形成することができる。
る誘電体の材料としては、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ ３Ｎ４、Ａ
ｌＮ、ＳｉＣ、ＢａＴｉＯ３等のセラミックス材料が用
いられる。誘電体に形成する電圧印加電極としては、例
えばＡｇ−Ｐｄ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕ等の金属を含むガラス
ペーストを焼き付けたり、Ａｌ、Ｃｕ、ＳＵＳ等の金属
板又は金属箔を密着させて形成することができる。
【０００９】凹凸形状に加工した被吸着物との接触面側
の凹部の全面又は一部を被覆する絶縁体は、誘電体より
も高い体積固有抵抗を有する絶縁体であれば、その材質
及び形成法は特に制限はない。例えば被吸着物との接触
面側を凹凸形状に加工後、絶縁抵抗の高い高純度Ａｌ２
Ｏ３（純度９０％以上）、ＳｉＯ２等を溶射、気相反応
等の方法によって全面に形成した後、凸部の表面を研磨
して誘電体を再度露出させてもよく、被吸着物との接触
面側を凹凸形状に加工後、凹部にエポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂等を塗布して硬化さてもよい。
の凹部の全面又は一部を被覆する絶縁体は、誘電体より
も高い体積固有抵抗を有する絶縁体であれば、その材質
及び形成法は特に制限はない。例えば被吸着物との接触
面側を凹凸形状に加工後、絶縁抵抗の高い高純度Ａｌ２
Ｏ３（純度９０％以上）、ＳｉＯ２等を溶射、気相反応
等の方法によって全面に形成した後、凸部の表面を研磨
して誘電体を再度露出させてもよく、被吸着物との接触
面側を凹凸形状に加工後、凹部にエポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂等を塗布して硬化さてもよい。
【００１０】誘電体の被吸着物との接触面側に形成した
凹部の全面又は一部を被覆する絶縁体は、静電チャック
の誘電体より体積固有抵抗が大きいことが必要とされ、
誘電体より１０倍以上大きいことが好ましく、５０倍以
上であればより好ましく、上限については特に制限はな
い。絶縁体の厚さについては特に制限はないが、５〜２
０μｍの範囲であることが好ましく、５〜１０μｍの範
囲であることがさらに好ましい。
凹部の全面又は一部を被覆する絶縁体は、静電チャック
の誘電体より体積固有抵抗が大きいことが必要とされ、
誘電体より１０倍以上大きいことが好ましく、５０倍以
上であればより好ましく、上限については特に制限はな
い。絶縁体の厚さについては特に制限はないが、５〜２
０μｍの範囲であることが好ましく、５〜１０μｍの範
囲であることがさらに好ましい。
【００１１】以下、本発明の実施の形態を図面を引用し
て説明する。図１は本発明の実施例になる静電チャック
の要部を示す断面図、図２はその電気的等価回路を示す
図、図３は従来の静電チャックの要部を示す断面図、図
４はその電気的等価回路を示す図及び図５は漏れ電流を
測定するための測定回路を示す図であり、１は誘電体、
２は絶縁体、３は電圧印加電極、４は被吸着物、５は真
空容器及び６は静電チャックである。
て説明する。図１は本発明の実施例になる静電チャック
の要部を示す断面図、図２はその電気的等価回路を示す
図、図３は従来の静電チャックの要部を示す断面図、図
４はその電気的等価回路を示す図及び図５は漏れ電流を
測定するための測定回路を示す図であり、１は誘電体、
２は絶縁体、３は電圧印加電極、４は被吸着物、５は真
空容器及び６は静電チャックである。
【００１２】図1に示す本発明になる静電チャックは、
図2に示す従来の静電チャックで生じる誘電体１の凹部
の表面抵抗Ｒｓに起因する漏れ表面電流を絶縁体２の大
きな抵抗Ｒｚ（Ｒｚ＞Ｒｓ）を介在させることにより低
減できる。また絶縁体２の抵抗値Ｒｚを誘電体の表面抵
抗Ｒｓよりも甚だ大きくすれば（Ｒｚ》Ｒｓ）誘電体の
表面抵抗Ｒｓに起因する表面電流を遮断することもでき
る。さらに真空度によっては従来の静電チャックでは凹
部の空間において気体分子密度と電界により決まる条件
で放電が生じるが、本発明になる静電チャックでは絶縁
体２の大きな抵抗値により放電も防止することができ
る。
図2に示す従来の静電チャックで生じる誘電体１の凹部
の表面抵抗Ｒｓに起因する漏れ表面電流を絶縁体２の大
きな抵抗Ｒｚ（Ｒｚ＞Ｒｓ）を介在させることにより低
減できる。また絶縁体２の抵抗値Ｒｚを誘電体の表面抵
抗Ｒｓよりも甚だ大きくすれば（Ｒｚ》Ｒｓ）誘電体の
表面抵抗Ｒｓに起因する表面電流を遮断することもでき
る。さらに真空度によっては従来の静電チャックでは凹
部の空間において気体分子密度と電界により決まる条件
で放電が生じるが、本発明になる静電チャックでは絶縁
体２の大きな抵抗値により放電も防止することができ
る。
【００１３】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明するが、本
発明はこれに制限されるものではない。 実施例１ 図1に示すように、誘電体１として体積固有抵抗が１×
１０９Ωｍで直径が３０ｍｍ及び厚さが２ｍｍのＳｉＣ
(日立化成工業（株）製、商標名ヘキサロイ)を準備し
た。次いでこの誘電体１の片側の面（被吸着物との接触
面の反対側の面）に、直径が２８ｍｍの大きさに速乾性
導電ペースト(（株）徳力化学研究所製、商標名シルベ
スト)を塗布し、自然乾燥して厚さが２０μｍの電圧印
加電極３を形成した。なお、図示しないが、誘電体１の
電圧印加電極３を形成した側には体積固有抵抗が１×１
０１４Ωｍの絶縁材料 (Ａｌ２Ｏ３使用…日立化成工業
（株）製、商標名ハロックス)を接着剤で固着した。
発明はこれに制限されるものではない。 実施例１ 図1に示すように、誘電体１として体積固有抵抗が１×
１０９Ωｍで直径が３０ｍｍ及び厚さが２ｍｍのＳｉＣ
(日立化成工業（株）製、商標名ヘキサロイ)を準備し
た。次いでこの誘電体１の片側の面（被吸着物との接触
面の反対側の面）に、直径が２８ｍｍの大きさに速乾性
導電ペースト(（株）徳力化学研究所製、商標名シルベ
スト)を塗布し、自然乾燥して厚さが２０μｍの電圧印
加電極３を形成した。なお、図示しないが、誘電体１の
電圧印加電極３を形成した側には体積固有抵抗が１×１
０１４Ωｍの絶縁材料 (Ａｌ２Ｏ３使用…日立化成工業
（株）製、商標名ハロックス)を接着剤で固着した。
【００１４】次に、誘電体１の被吸着物との接触面側に
凹部の深さが３０μｍ及び凸部の直径が１ｍｍの寸法
に、４ｍｍのピッチ幅で格子状に凹凸部を形成した。こ
の後、凹凸部全面に絶縁ワニス(サンハヤト（株）製、
商品名ＶＡ−３０)を塗布し、硬化後凸部の表面に付着
した絶縁ワニスの硬化物を削り落として、凸部表面に誘
電体１を露出させ、凹部の全面に７．５±２．５μｍの
厚さに被覆した絶縁体２を有する静電チャックを得た。
凹部の深さが３０μｍ及び凸部の直径が１ｍｍの寸法
に、４ｍｍのピッチ幅で格子状に凹凸部を形成した。こ
の後、凹凸部全面に絶縁ワニス(サンハヤト（株）製、
商品名ＶＡ−３０)を塗布し、硬化後凸部の表面に付着
した絶縁ワニスの硬化物を削り落として、凸部表面に誘
電体１を露出させ、凹部の全面に７．５±２．５μｍの
厚さに被覆した絶縁体２を有する静電チャックを得た。
【００１５】比較例１ 実施例１で誘電体の被吸着物との接触面側に形成した凹
凸部に絶縁ワニスを塗布しない以外は、実施例１と同様
の工程を経て静電チャックを得た。
凸部に絶縁ワニスを塗布しない以外は、実施例１と同様
の工程を経て静電チャックを得た。
【００１６】次に、上記の実施例１及び比較例１で得た
静電チャックにおいて、各々吸着時に流れる全漏れ電流
を測定した。そのときの測定回路を図５に示す。なお、
測定は、被吸着物として直径が１００ｍｍで厚さが０．
５ｍｍのシリコンウェーハの裏面を吸着し、各々吸着時
に流れる全漏れ電流を測定した。また、真空度は０．１
Ｐａと１０Ｐａとに変化させて測定した。測定結果を表
1に示す。
静電チャックにおいて、各々吸着時に流れる全漏れ電流
を測定した。そのときの測定回路を図５に示す。なお、
測定は、被吸着物として直径が１００ｍｍで厚さが０．
５ｍｍのシリコンウェーハの裏面を吸着し、各々吸着時
に流れる全漏れ電流を測定した。また、真空度は０．１
Ｐａと１０Ｐａとに変化させて測定した。測定結果を表
1に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】表１に示されるように本発明になる静電チ
ャックは、比較例の静電チャックに比較して漏れ電流が
少なく、また、真空度の影響もなく安定していることが
明らかである。なお、実施例では単極型の静電チャック
で説明したが、双極型の静電チャックでも同様の効果が
得ることができる。
ャックは、比較例の静電チャックに比較して漏れ電流が
少なく、また、真空度の影響もなく安定していることが
明らかである。なお、実施例では単極型の静電チャック
で説明したが、双極型の静電チャックでも同様の効果が
得ることができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明における静電チャックは、静電チ
ャックの誘電体を通して流れる漏れ電流を、安定して低
減し、かつ被吸着物と静電チャック表面の凹部での放電
に対する耐性を著しく向上させることができ、半導体デ
バイス製造装置、液晶デバイス製造装置、特に電子線を
使用した装置に好適である。
ャックの誘電体を通して流れる漏れ電流を、安定して低
減し、かつ被吸着物と静電チャック表面の凹部での放電
に対する耐性を著しく向上させることができ、半導体デ
バイス製造装置、液晶デバイス製造装置、特に電子線を
使用した装置に好適である。
【図１】本発明の実施例になる静電チャックの要部を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１の電気的等価回路を示す図である。
【図３】従来の静電チャックの要部を示す断面図であ
る。
る。
【図４】図３の電気的等価回路を示す図である。
【図５】漏れ電流を測定するための測定回路を示す図で
ある。
ある。
１ 誘電体 ２ 絶縁体 ３ 電圧印加電極 ４ 被吸着物 ５ 真空容器 ６ 静電チャック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小笠原 勇治 茨城県ひたちなか市大字足崎字西原1380番 地１ 日立化成工業株式会社山崎事業所内 (72)発明者 川合 潔 茨城県ひたちなか市大字足崎字西原1380番 地１ 日立化成工業株式会社山崎事業所内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA05 HA03 HA08 HA16 PA08 PA23
Claims (1)
- 【請求項１】誘電体を有し、かつ誘電体の被吸着物との
接触面側を凹凸形状に加工した静電チャックにおいて、
凹部の全面又は一部を誘電体より高い体積固有抵抗を有
する絶縁体で被覆してなる静電チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001138276A JP4934907B2 (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | 静電チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001138276A JP4934907B2 (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | 静電チャック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002334920A true JP2002334920A (ja) | 2002-11-22 |
| JP4934907B2 JP4934907B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=18985241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001138276A Expired - Fee Related JP4934907B2 (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | 静電チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4934907B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008135736A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-06-12 | Taiheiyo Cement Corp | 静電チャック |
| KR20150101391A (ko) * | 2014-02-26 | 2015-09-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 정전척, 배치대, 플라즈마 처리 장치, 및 정전척의 제조방법 |
| JP2015529968A (ja) * | 2012-07-17 | 2015-10-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 静電クランプ、リソグラフィ装置及び方法 |
| KR20190110023A (ko) | 2018-03-19 | 2019-09-27 | 후지 세이사쿠쇼 가부시키가이샤 | 경취성 재료로 만들어진 가공물의 표면처리 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09148420A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-06-06 | Hitachi Ltd | 静電吸着電極およびその製作方法 |
| JPH09172055A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-06-30 | Fujitsu Ltd | 静電チャック及びウエハの吸着方法 |
| WO1999016122A1 (en) * | 1997-09-25 | 1999-04-01 | Applied Materials, Inc. | Hybrid johnsen-rahbek electrostatic chuck and method of fabricating same |
-
2001
- 2001-05-09 JP JP2001138276A patent/JP4934907B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09148420A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-06-06 | Hitachi Ltd | 静電吸着電極およびその製作方法 |
| JPH09172055A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-06-30 | Fujitsu Ltd | 静電チャック及びウエハの吸着方法 |
| WO1999016122A1 (en) * | 1997-09-25 | 1999-04-01 | Applied Materials, Inc. | Hybrid johnsen-rahbek electrostatic chuck and method of fabricating same |
| JP2001517872A (ja) * | 1997-09-25 | 2001-10-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ハイブリッド型ヨンセン−ラーベク静電チャック及びその製造方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008135736A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-06-12 | Taiheiyo Cement Corp | 静電チャック |
| JP2015529968A (ja) * | 2012-07-17 | 2015-10-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 静電クランプ、リソグラフィ装置及び方法 |
| KR20150101391A (ko) * | 2014-02-26 | 2015-09-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 정전척, 배치대, 플라즈마 처리 장치, 및 정전척의 제조방법 |
| JP2015162490A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック、載置台、プラズマ処理装置、及び、静電チャックの製造方法 |
| US10074552B2 (en) | 2014-02-26 | 2018-09-11 | Tokyo Electron Limited | Method of manufacturing electrostatic chuck having dot structure on surface thereof |
| TWI667730B (zh) * | 2014-02-26 | 2019-08-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | Electrostatic chuck, mounting table, plasma processing device, and manufacturing method of electrostatic chuck |
| KR102353796B1 (ko) * | 2014-02-26 | 2022-01-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 정전척, 배치대, 플라즈마 처리 장치, 및 정전척의 제조방법 |
| KR20190110023A (ko) | 2018-03-19 | 2019-09-27 | 후지 세이사쿠쇼 가부시키가이샤 | 경취성 재료로 만들어진 가공물의 표면처리 방법 |
| US11389929B2 (en) | 2018-03-19 | 2022-07-19 | Fuji Manufacturing Co., Ltd. | Method for surface treatment of workpiece made from hard-brittle material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4934907B2 (ja) | 2012-05-23 |
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